JPH02184295A - スイッチングモードで選択可能な接続スキームに応じて外部誘導負荷を駆動するための内部的に形成できる多目的集積回路 - Google Patents

スイッチングモードで選択可能な接続スキームに応じて外部誘導負荷を駆動するための内部的に形成できる多目的集積回路

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JPH02184295A
JPH02184295A JP1298746A JP29874689A JPH02184295A JP H02184295 A JPH02184295 A JP H02184295A JP 1298746 A JP1298746 A JP 1298746A JP 29874689 A JP29874689 A JP 29874689A JP H02184295 A JPH02184295 A JP H02184295A
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circuit
integrated circuit
driving
integrated
signal
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JP1298746A
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Domenico Rossi
ドメニコ ロッシ
Andrea Cuomo
アンドレア クオモ
Giovanni Pietrobon
ジョバンニ ピエトロボン
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STMicroelectronics SRL
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SRL
SGS Thomson Microelectronics Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、特定の用途のために選択されるいくつかの異
なった接続の1つに従って集積デバイスの出力ターミナ
ルを横切るように接続された単一又は複数の誘導負荷を
通して駆動電流のスイッチングをコントロールするため
の、プログラミングにより内部的に形成できる集積回路
に関する。
(従来技術とその問題点) ステッピングモータ、変圧器、電磁石及び典型的には誘
導負荷で表される類似のアクチュエータのコントロール
された駆動は、出力パワートランジスタ(典型的には「
ローサイドドライバ」として参照される仮想グラウンド
ノードに接続された4個のパワースイッチングトランジ
スタと、「ハイサイドドライバ」として知られるサプラ
イレールに接続された1又は2以上の通常は2個のパワ
ースイッチングトランジスタ)と駆動回路を組み合わせ
た集積デバイスを使用することにより通常実施される。
後者の回路は典型的にはクロンクシグナルにより駆動さ
れるパルス幅変調(PWM)コントロールループを含み
、これは外部負荷を通って流れる電流とコントロール参
照電圧の検出値の関数として出カバワースイツチングト
ランジスタに供給されるドライビングシグナルの「衝撃
係数」をコントロールする。
この種の集積回路は当業者に周知で、あるB様の下で多
少なりとも利点を有する異なった形態を取るが、これは
実質的にはPWMコントロールループに基づくものであ
る。これらのタイプの回路の中で特に有利なものは、パ
リ条約による優先権の日付として1987年10月5日
を主張し1988年10月4日に出願された特願昭63
−250737号に記載された電流保有原理に基づくコ
ントロール回路であり、ここでは外部負荷を通って流れ
る電流用の単一電流検出抵抗を使用することにより、「
デユーアルハーフブリッジ」スキームに従って、又は「
ユニポーラ−モータ」接続スキームに従って接続された
2個の外部負荷を通って流れる電流を独立して調整する
ことが可能になる。このようなスイッチングコントロー
ル回路の記載は本明細書中に含まれる。他方ユニポーラ
−モータ、又は1又は2以上の単方向性モータ、ソレノ
イド等のいずれで表されるとしても集積回路により駆動
されるべきこの種の外部誘導負荷は、駆動されるべき外
部負荷の特定の駆動コンフィギユレーション又は接続ス
キームと互換性の集積スイッチングコントロール回路の
特別の設計を必要とする。添付図面の第1a図、第1b
図、第1c図及び第1d図中には、ブリッジ、デユーア
ルハーフブリッジ、電磁石及びユニポーラモータ駆動コ
ンフィギユレーションに従った誘導負荷(L)のための
いくつかの周知の駆動スキームがそれぞれ示されている
。これらの例のうち、H3D 1、H3D2  (つま
り2個のハイサイドドライバ)、LSDI、LSD2、
LSD3及びLSD4 (つまり4個のローサイドドラ
イバ)で示される6個のパワースイッチングトランジス
タがそれぞれ示され、それぞれにはその外部誘導負荷り
の放電電流の再循環のためのパワーダイオードが装着さ
れている。第1c図に示した電磁石の駆動の場合には、
当業者には周知であるように、集積回路は2個の付加的
な再循環ダイオードD1及びD2を有することがある。
全ての例において、仮想グラウンドノードとサプライ回
路の真のグラウンド間に接続されている単一の検出抵抗
(Rsence )が示されている。第1b図の回路つ
まり2個の外部負荷り及びL°用のデユーアルハーフブ
リッジ駆動コンフィギユレーションの場合は、前述の出
願で述べたように、2個の負荷の個々のコントロールが
望ましいときは、電流を保有する種類のスイッチングコ
ントロール回路が必然的に必要となる。
従来技術によると、スイッチングをコントロールする集
積回路は、実質的に例えばブリッジタイプの用途(第1
a図)、ユニポーラモータの用途(第1d図)等のよう
に意図する用途用として特別に設計しなければならない
。
従って、外部接続された負荷の可能な多数の駆動スキー
ム間から選択出来る駆動スキーム用に使用出来るように
内部的に形成出来る、外部誘導負荷(単一又は複数の負
荷)を通る駆動電流のスイッチングをコントロールする
ための集積デバイスの有効性が確認できれば非常に利用
価値が増大する。
(発明の目的と発明の概要) 本発明の主目的は、集積回路の出力ターミナルを好適に
ブリッジしそれに外部負荷を接続することにより実施さ
れる該外部負荷のある種のドライビングスキームに機能
的に適したコントロール回路を形成するために使用者に
よりコントロールできる選択論理手段により内部的に形
成できる、スイッチングをコントロールするための集積
回路を提供することである。
この目的及び引き続く説明で明らかになるであろう他の
目的及び利点は本発明のスイッチングモードの駆動回路
により達成され、これは、4個の「ローサイドドライバ
」が接続された仮想グラウンドノードとサプライ回路の
真のグラウンド間に接続された単一の検出抵抗を利用し
、かつその「衝撃係数」がクロックシグナル及び参照電
圧により決定されるコントロールシグナルを少なくとも
発生できる単一のPWMコントロールループを都合良く
使用できる。PWMコントロールループにより発生する
このコントロールシグナルは、読み出し専用メモリ (
ROM)及び/又は類似のプログラムできる論理アレイ
 (PLA)及び好適な選択レジスタ(プログラミング
レジスタ)を含んで成る形成可能な論理回路の入力へ実
質的に供給される。この形成できる論理回路は、実施さ
れる選択されたドライビングスキームと適合するよう使
用される出カバワースイツチングトランジスタ(つまり
4個の「ローサイドドライバ」及び単一の又は2個の「
ハイサイドドライバ」)と同数のドライビングシグナル
を生成する。
本発明の好ましい実施例によると、比較的遅いROM又
はPLA、つまり比較的長いアクセスタイムを有するR
OM又はPLAの使用を、外部負荷のスイッチングモー
ドにおける正確な駆動への負の効果を有するプログラム
できる論理回路のこのようなスピードの制限なしに、可
能にする。
(図面の簡単な説明) 第1a図、第1b図、第1C図及び第1d図は、上述の
通り従来技術に通常採用される1又は2以上の外部負荷
の駆動スキーム、第2図は、本発明実施例の集積駆動回
路の基本ブロックダイアグラム、第3図は、比較的長い
アクセスタイムを有するプログラムできるデバイスを利
用するために好適な本発明実施例のブロックダイアグラ
ムであり、第4図は、第3図のブロックダイアグラムの
1つの回路ダイアダラムであり、第5図は、本発明実施
例の回路のより詳細な機能的なブロックダイアグラムで
ある。
(好ましい態様の説明) 本発明実施例の集積駆動回路の基本的なブロックダイア
グラムが第2図に示されている。サプライレールVsに
接続された2個のパワーデバイスつまり2個の「ハイサ
イドドライバーJH3DI及びH3D2、及び出力サブ
ライ回路の仮想グラウンドノードVGに接続された4個
のパワーデバイスつまり4個の「ローサイドドライバー
JLSD1、LSD2、LSD3及びLSD4が、全体
として6個の別個の出力ターミナルH3D1、H3D2
、LSDl・・・LSD4を有するブロックで示された
「パワードライバー」により表され、ここでは第1a図
から第1d図までに示された単−又は複数の負荷のため
のサプライスキームの任意のものの使用が意図されてい
る。第2図に示された特別な例では、意図されるサプラ
イスキームが電磁石をコントロールするために使用され
るものであることが容易に認識される。負荷りは、それ
ぞれが示されたような外部接続により並列に接続された
2個の「ハイサイドドライバー」と4個の「ローサイド
ドライバー」間に接続されている。
この集積デバイスは、好ましくは前記したような仮想グ
ラウンドターミナルVGと真のグラウンド間に、前記外
部負荷りにパワーを与える外部検出抵抗R5enceの
接続を許容する外部ターミナルVGを有している。
一般に前記6個のパワースイッチングデバイスは、通常
は第1a図、第1b図、第1C図及び第1d図に示すよ
うに、再循環用の集積ダイオードを有している。
検出抵抗R5enceを横切る電圧シグナルはpwMブ
ロックに供給され、そこでこのようなシグナルは検出さ
れかつコントロール参照電圧Vrefと比較され、パル
ス幅変調コントロール回路は、その周波数及び「衝撃係
数」が前記コントロール参照電圧Vref及びクロック
シグナルにより調節されるコントロールシグナルINI
を少なくとも発生させる。該シグナル(又は前に引用し
た出願明細書中に記述したように、2個の別個の負荷の
ためのデユーアル・ハーフ・ブリッジサプライスキーム
、又は単一の検出抵抗と単一のPWMコントロールルー
プを利用するユニポーラモータ用のサプライスキームの
場合に必要とされる2個の重ならないドライビングシグ
ナルが使用される)は直接供給されるのでもインバータ
ーを通って6個の出カバワースイツチングデバイスのそ
れぞれのドライビングターミナルに供給されるのでもな
く、このようなドライビングシグナル(又は2個の重な
らないドライビングシグナル)はプログラミングにより
形成され、かつPWMコントロールループにより発生す
るこのような単一シグナルINIく又は2個の重ならな
いシグナル)のレプリカ又は反転シグナルであるシグナ
ルを少なくともその6個の出力ターミナル上に発生する
ROM−PLAと表示される論理回路の入力に供給され
る。形成できる論理回路(ROM−PLA)の出力シグ
ナル(CA、CB、Co、CI、C2及びC3)は、出
カバワードライバーの6個のドライビングターミナルに
それぞれ供給される。形成できる論理回路(ROM−P
LA)は、少なくとも集積回路のそれぞれの出力ターミ
ナルに接続された(明らかなように選択されたコンフィ
ギユレーションと適合するように)外部負荷のドライビ
ングコンフィギユレーションの選択のための第1のレジ
スターR1と、このように接続された負荷のドライビン
グ条件をコントロールするための第2のレジスターR2
と、好ましくは2個のレジスターのデータを記憶できる
読み出し専用メモリ (ROM)及び/又はそのコンフ
ィギユレーションがプログラムされた(PLA)論理回
路アレイ及び/又は等価の組み合わせ論理回路を含み、
前記2個のレジスターR1及びR2に記憶されたデータ
に適合する前記6個の出力シグナルのコンフィギユレー
ションを決定する。
比較的長いアクセスタイムを有するROM及び/又はP
LAを使用する場合には特に、プログラムできる回路の
アクセスタイムに起因する遅れが外部負荷のスイッチン
グモードの正確なドライビングの障害になるという事実
を考慮すると、ROM用及びPLA用の比較的長いアク
セスタイムを決定するような製造技術の場合に特に好適
な第3図及び第4図に示された態様が好ましい。
第3図に概略的に示したように、形成できる論理回路の
6個の出力ターミナルCA、CB、CO。
CI C2及びC3のコンフィギユレーションを選択す
る機能は、それぞれHl、R2、Ll・・・R4で特定
される6個の「スピードアップ」回路を利用することに
より行うことができる。各ブロックは、第4図に示すよ
うに、ANDゲートとそれにM< EX−ORゲートに
より形成される。
ROMから来るシグナル対の第1のシグナルはそれぞれ
の論理状態の「強制」シグナルとしてスピードアップ回
路のANDゲートの入力ターミナルに供給され、第2の
シグナルは「反転選択」シグナルとして前記スピードア
ップ回路のEX−ORゲートの入力ターミナルに供給さ
れる。この好ましい態様によると、本実施例の集積回路
の読み出し専用機能を実施するための比較的遅いプログ
ラム可能なアレイの使用が可能になる。
本発明のこのような特別に好ましい態様の回路のより詳
細なダイアグラムが第5図に示されている。
第5図に示した実施例では、それぞれに再循環ダイオー
ドが装着された6個の集積パワースイッチングデバイス
H3D1、H5D2、LSDl、LSD2、LSD3及
びLSD4が明確に示されている。各パワースイッチン
グデバイスはそれぞれの出力ターミナルをサプライレー
ルVs又は仮想グラウンドノードVGのいずれかにコミ
ュートする。図示の実施例では、単一の外部検出抵抗R
5enceが仮想グラウンドノードVGと、選択された
サプライスキームに従って適切な出力ターミナルに接続
される1又は2以上の外部負荷(図示せず)のサプライ
回路のグラウンド間に接続されている。明示されている
ように、各パワースイッチングデバイスは、それぞれプ
ログラム可能な論理回路の出力ターミナルCA、CB、
Co5C1、C2及びC3から来るシグナルにより駆動
される。
図示の接続により検出抵抗R5enceを横切って存在
する電圧シグナル、及びコントロールシグナルVref
及びクロックは実質的に通常タイプのPWMコントロー
ル回路に供給される。PWMコントロール回路により生
成するコントロールシグナルINIはスピードアップ「
フレキシビリティブリッジ」回路BFGの入力に供給さ
れ、該回路の一機能はブリッジコンフィギユレーション
にありそれらの間で最終的にカップリングしている多数
のハーフブリッジ回路をコントロールすることを許容す
ることであり、例えば単一の左側のハーフブリッジ(第
1b図に示されるようにスキームのH3D1、LSDl
及びLSD2により形成される)を考慮することにより
コントロールシグナルILは常にシグナルINI又はそ
の反転の関数でありつまり常に「ハイ」又は常に「ロー
」であるため、これにより単一のコントロールシグナル
IL又はJRによるドライビングのコントロールを許容
しく当業者により容易に理解できるように、「ローサイ
ドドライバー」はそれぞれの「ハイサイドドライバー」
に対して常に反転すると仮定する)、従ってBFG回路
のANDゲート及びそれに続< EX−ORゲートは、
ROMから来るそれぞれの左フェーズ(P L)及び左
反転(XL)シグナルを通して関数: IL=S (I
NI)をコントロールする。明らかなように、同じタイ
プのコントロールが、最後の右側のハーフブリッジ(第
1b図のH3D2、H3D3及びLSD4から形成され
る)用のIRドライビングシグナルを発生させるために
ROMから来るそれぞれのPR及びXRシグナルを通し
てBFG回路により複製される。このような解決法の利
点は、二重のハーフブリッジコントロールを実施するた
めに必要な素子数を少なくすること、及び第3図及び第
4図のより一般的なスキームに関連して見てきた通りP
WMコントロール回路により発生するシグナルIN1及
びコントロールシグナルIL及び/又はIR間の遅れが
常に極端に小さく維持されるため非常に遅いROMを使
用する可能性を提示できることである。
当業者には明らかな通り、「フルブリッジ」サプライス
キームが利用される場合には、「電流保有JCSブロッ
クの機能は最早必要とされず、ROMから来る「C8使
用禁止」シグナルはCSブロックの2個のOR出力ゲー
トを使用禁止にするように「1」に等しい論理値を有し
ている。「デユーアルハーフブリッジ」又は「ユニポー
ラモータ」サプライスキームが選択される場合には、r
cs使用禁止」シグナルは「φ」論理値を有し、電流保
有コントロール回路rC3CJの2個の出力シグナルr
IL使用可能」及びrlR使用可能」シグナルは2個の
ANDゲートのそれぞれの入力へ供給される。実質的に
1988年9月16日提出の特願昭63−245657
号の第4図に示された回路のシグナルPA及びPBに実
質的に対応するつまり「■L使用可能」及びrlR使用
可能」シグナルである、2個のANDゲートの出力シグ
ナルIL及びIRはその回路の2個のシグナルQz及び
Qzに実質的に対応している。
ブリッジスキームが選択された場合には、2個のAND
ゲートの2個の出力シグナルIL及びIRはリブリカ及
び反転の形態で図示のインバーターを通して、ラグタイ
ム発生回路rRTLJへつまり正のランプの移動のある
遅れを決定できる回路へ供給され、該回路は通常の技術
に従って「ハイサイドドライバー」及び「ローサイドド
ライバー」の同時導電を積極的に除外する機能を有する
。
シグナル対IL’及びIL’  IR’及びIR”はそ
れぞれ続いて説明するように、マルチプレクサrMXJ
を通してパワースイッチングデバイスのそれぞれのドラ
イビングターミナルへ供給される。
ユニポーラモータモードの動作がレジスターR1により
選択された場合は(第1d図のスキーム)、4個のコン
トロールフェーズ(フェーズ1.2.3及び4〉がレジ
スターR2によりセットされ、図示の接続を通してこれ
らのシグナルはマルチプレクサMXのそれぞれの入力に
供給され、該入力には前述したようにPWMコントロー
ル回路、C8電流保有回路及びBFG回路で発生した2
個のコントロールシグナルIR及びILも供給される。
ROMから来る「ユニポーラ/ブリッジ選択」シグナル
によりマルチプレクサは予備設定され、それぞれ6個の
パワースイッチングデバイス用の6個のドライビングシ
グナルCA、CB、C3、C2、C1及びCOはROM
から来るそれぞれ「R使用可能」及び「L使用可能」で
ある2個の使用可能/使用禁止シグナルにより使用可能
にされ、それらはマルチプレクサMXの6個の出力上に
接続された6個のANDゲートにより、ドライビングシ
グナルをオフ状態(使用禁止)にすることを許容する。
マルチプレクサの使用は、互いに大きく異なったブリッ
ジタイプ及びユニポーラ−モータータイプのサプライス
キーム間の選択を実施するために特に効果的であり、こ
れは本発明実施例の集積デバイスで使用されるプログラ
ム可能な論理回路を動作させるために必要な素子の数を
減少させることを可能にする。
ブリッジタイプサプライスキーム又はソレノイドコント
ロールの実施に関するドライビングシグナルは、第5図
中に「ブリッジドライブシグナル」と表示されて分類さ
れ、一方ユニボーラモータサプライスキームの実施に関
するドライビングシグナルの全体は同じ第5図のダイア
グラムに「ユニポーラドライブシグナル」として表示さ
れている。
ROMが使用される僅かな本発明の実施例のみを例示し
たが、ROMは例えばプログラム可能な論理アレイ (
PLASPAL等)又は等価な組み合わされた論理回路
のような等価な論理回路と置換できることが当業者には
明らかであろう。更に本発明は、純粋に例示の目的で説
明した実施例に関して修正した異なった態様で実施する
こともできる。
【図面の簡単な説明】
第1a図、第1b図、第1c図及び第1d図は、従来技
術に通常採用される1又は2以上の外部負荷のドライビ
ングスキーム、第2図は、本発明実施例の集積駆動回路
の基本ブロックダイアグラム、第3図は、比較的長いア
クセスタイムを有するプログラムできるデバイスを利用
するために好適な本発明実施例のブロックダイアグラム
であり、第4図は、第3図のブロックダイアグラムの1
つの回路ダイアグラムであり、第5図は、本発明実施例
の回路のより詳細な機能的なブロックダイアグラムであ
る。 特許出願人 工ッセヂエッセートムソンマイクロエレク
トロニクス エッセ・エツジ・エツジ FIG、4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)集積回路のサプライレールに接続された共通のポー
    ルを有する少なくとも1個あるいは2個でも良いハイサ
    イドドライバパワースイッチング集積デバイス、集積回
    路の仮想グラウンドノードに接続された共通ポールを有
    する4個のローサイドドライバパワースイッチング集積
    デバイス、集積回路の同数の出力ターミナルの1つにそ
    れぞれ接続された前記集積パワースイッチングデバイス
    のそれぞれの第2のポール、前記仮想グラウンドノード
    とサプライ回路の真のグラウンドノード間に接続された
    外部検出抵抗、前記検出抵抗を横切って存在するシグナ
    ルを検出しコントロール参照電圧と比較する手段、クロ
    ックシグナルと前記コントロール参照電圧によりそれぞ
    れコントロールされる周波数と衝撃係数を有する少なく
    とも1個の実質的な方形波コントロールシグナルを発生
    出来るパルス幅変調コントロール回路を含んで成り、前
    記集積パワースイッチングデバイスのそれぞれがドライ
    ビングシグナルが供給されるドライビングターミナルを
    有し、かつ集積回路の出力ターミナルにサプライスキー
    ムに従って接続された1又は2以上の外部負荷をスイッ
    チングモードで駆動する集積回路であって、 プログラミングにより形成できかつ前記パルス幅変調コ
    ントロール回路により発生する前記コントロールシグナ
    ルを少なくとも1個のその入力ターミナルを通して受け
    入れることができ、かつ異なったブリッジ及びユニポー
    ラモータタイプの接続スキーム間から選択された集積回
    路の前記出力ターミナルへの外部負荷の接続のサプライ
    スキームに適合する前記出力のコンフィギュレーション
    に従って、その出力ターミナルを通し前記集積パワース
    イッチングデバイスに向けて前記コントロールシグナル
    の関数であるドライビングシグナルをアドレスできる少
    なくとも1個の論理回路を含む集積回路。 (2)PWMコントロール回路が2個の重ならない方形
    波コントロールシグナルを発生し、形成できる論理回路
    が2個のその入力ターミナルを通して前記2個の重なら
    ないコントロールシグナルを受け取る請求項1に記載の
    集積回路。 (3)形成できる集積回路が、 集積回路の出力ターミナルを通して選択されたスキーム
    に適合するように接続された外部負荷の接続スキームを
    選択するための第1のレジスタ、前記外部接続された負
    荷の駆動条件をコントロールするための第2のレジスタ
    、 前記第1及び第2のレジスタに記憶されたデータと適合
    する組み合わされた論理回路の条件を調節するために出
    力シグナルのコンフィギュレーションを適切に生成する
    読み出し専用メモリ又は等価の論理回路、 パルス幅変調コントロール回路により発生する前記コン
    トロールシグナルと前記読み出し専用メモリにより生成
    する条件調節シグナルを受け入れ、かつ前記パルス幅変
    調コントロール回路により発生する前記コントロールシ
    グナルの関数としてかつ前記読み出し専用メモリにより
    生成する出力シグナルのコンフィギュレーションに適合
    するようドライビングシグナルを生成するために適した
    組み合わされた論理回路、 前記読み出し専用メモリにより発生する条件調節シグナ
    ルの関数としてブリッジタイプ及びユニポーラモータタ
    イプドライビングモータの間から選択し、かつ前記組み
    合わされた論理回路により発生し、マルチプレクサ回路
    の入力ターミナルに供給される前記ドライビングシグナ
    ルを、前記読み出し専用メモリにより生成する使用可能
    /使用禁止シグナルによりコントロールされる使用可能
    /使用禁止手段を通して前記集積されたパワースイッチ
    ングデバイスのドライビングターミナルに接続されてい
    るその出力ターミナル上に再生するために適した少なく
    とも1個のマルチプレクサとを含んで成る請求項1に記
    載の集積回路。 (4)マルチプレクサの出力の使用可能/使用禁止手段
    が、そこからそれぞれカスケードされた同数の論理AN
    Dゲートを含み、それぞれが第1の入力ターミナルを通
    してマルチプレクサ回路の出力ターミナルの1つから来
    るドライビングシグナルを、そして第2の入力ターミナ
    ルを通してROMから来る使用可能/使用禁止シグナル
    を受け入れることが出来、そして使用可能条件下で出力
    ターミナル上にそれぞれの集積パワースイッチングデバ
    イスのドライビングターミナルに供給されるドライビン
    グシグナルを生成出来る請求項3に記載の集積回路。
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