JPH02185047A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02185047A
JPH02185047A JP1005190A JP519089A JPH02185047A JP H02185047 A JPH02185047 A JP H02185047A JP 1005190 A JP1005190 A JP 1005190A JP 519089 A JP519089 A JP 519089A JP H02185047 A JPH02185047 A JP H02185047A
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JP
Japan
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bonding
pad electrode
ribbon
bonding pad
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP1005190A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Takeuchi
洋 竹内
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にリードフレームと半導
体チップ上のボンディングパッド電極を接続するボンデ
ィングリボンの改良に関°する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置におけるリードフレームとボ
ンディングパッド電極との接続は、単線ボンディングワ
イヤ、又は複数のボンディングワイヤ、又はボンディン
グリボンが使用されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置において、ボンディングに単
線のボンディングワイヤを使用した場合は、複数のボン
ディングワイヤを使用した場合又はリボンを使用した場
合よりも、インダクタンスが大きくなり、高周波動作時
の半導体装置の電気的特性が低下するという欠点がある
。
また、複数のボンディングワイヤを使用した場合とリボ
ンを使用した場合は、単線のボンディングワイヤを使用
した場合に比べて、広いボンディングパッド電極面積が
必要となり、ボンディングパッド電極の寄生容置が大き
くなり、高周波動作時の半導体装置の電気的特性が低下
するという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため１本発明はリードフレーム上に
固着される半導体チップと、前記半導体チップ上に設け
られるボンディングパッド電極と。
リードフレームの外部リードを接続するボンディングリ
ボンと、前記ボンディングパッド電極を除く前記半導体
チップ表面を被覆するシリコン窒化膜からなるパッジベ
ージ１ン膜と、前記リードフレームを固定するパッケー
ジとからなる半導体装置において、ボンディングリボン
の形状を、接続点で細く中央部で幅広い形状にしたもの
である。
〔実施例〕
次に本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ線断面図である０図において、本実施例に係
る半導体装置はリードフレーム１と。
これにダイボンディングされた半導体チップ２上のボン
ディングパッド電極４と、リードフレーム１の外部リー
ド７とを接続するボンディングリボン５と、シリコン窒
化膜からなるパッシベーション膜３と、パッケージ６と
を含み、ボンディングリボン５の形状を接続点５ａで細
く中央部５ｂで幅広いひし形としたものである。
本実施例によれば、ボンディングリボン５はボンディン
グパッド電極４と外部リード７とのそれぞれの接続点５
ａで単線ボンディングパッド程度の太さであり、ボンデ
ィングリボン５の中央部５ｂでは幅広であるため、ボン
ディングパッド電極４の面積を広げず、かつ寄生容量を
増加することなしに、インダクタンスを低下させること
ができる。
これにより、高周波動作時の半導体装置の電気的特性の
向上が望まれる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はボンディングリボンの形状
を接続点で細く、中央部で幅広にすることにより、ボン
ディングパッド電極面積を単線ボンディングワイヤ使用
時と同程度で、かつリアクタンスを低減できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す要部平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図である。 １・・・リードフレーム　　　２・・・半導体チップ３
・・・シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜４・
・・ボンディングパッド電極 ５・・・ボンディングリボン　６・・・パッケージ７・
・・外部リード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）リードフレーム上に固着される半導体チップと、
    前記半導体チップ上に設けられるボンディングパッド電
    極と、リードフレームの外部リードを接続するボンディ
    ングリボンと、前記ボンディングパッド電極を除く前記
    半導体チップ表面を被覆するシリコン窒化膜からなるパ
    ッシベーシヨン膜と、前記リードフレームを固定するパ
    ッケージとからなる半導体装置において、ボンディング
    リボンの形状を、接続点で細く中央部で幅広い形状にし
    たことを特徴とする半導体装置。
JP1005190A 1989-01-12 1989-01-12 半導体装置 Pending JPH02185047A (ja)

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JP1005190A JPH02185047A (ja) 1989-01-12 1989-01-12 半導体装置

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JP1005190A JPH02185047A (ja) 1989-01-12 1989-01-12 半導体装置

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JP (1) JPH02185047A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03173446A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electron Corp 半導体装置
EP0803907A3 (en) * 1996-04-24 1999-07-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Ribbon, bonding wire and microwave circuit package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03173446A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electron Corp 半導体装置
EP0803907A3 (en) * 1996-04-24 1999-07-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Ribbon, bonding wire and microwave circuit package
US6331806B1 (en) 1996-04-24 2001-12-18 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Microwave circuit package and edge conductor structure

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