JPH02185708A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録再生装置に使用する薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、情報産業等、磁気記録分野における記録密度の向
上に伴い、トラック幅の短縮化およびマルチトランク化
に対応するために薄膜磁気ヘッドが多く用いられている
。上記薄膜磁気ヘッドは、薄膜形成技術およびフォトリ
ソグラフィ技術を駆使して製造したもので、構造として
は、高透磁率強磁性体基板と磁性層とで形成されたリン
グ状コアに薄膜コイルを数回巻いたものとなっている。

上記薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法を第４図を参照し
て説明する。第４図には上記薄膜磁気ヘッドのテープ摺
動面に対して垂直な切断面が示されている。第４図にお
いて、１は高透磁率強磁性体基板、２は上部磁性層、３
は薄膜コイル（以下「コイル３」という、）、３ａはコ
イル用薄膜、４はスルーホール、５はリード線、６は絶
縁層、７はコイル絶縁層、８はギャップ層、９はバック
ギャップ部である。以下第４図ｆａｔ〜ｆｇｌを順に参
照して従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明を行う。

第４図（ａｌに高透磁率強磁性体基板ｌ上に絶縁層６と
コイル用薄１ｇ３ａを形成した状態を、第４図中）に前
記コイル用薄膜３ａをイオンミリング法等で微細エツチ
ングしてコイル３のパターン形成ヲ行った状態をそれぞ
れ示す。次にコイル３上にコイル絶縁ＦＪ７を形成し、
このコイル絶縁層７にフォトリソグラフィ技術、および
イオンミリング法等のエツチング技術を用いて平坦化加
工を施す。

この状態が第４図（Ｃ１に示されている。

前記コイル絶縁層７の平坦化加工は、高効率薄膜磁気ヘ
ッドを製造するための重要なプロセスの一つである。な
ぜならば、前記平坦化加工を行わずにプロセスを進める
と、コイル３の段差がコイル絶縁層７および上部磁性層
２の形成時に転写された状態になり、透磁率の劣化から
記録再生効率の劣化の主要因となるからである。

上記平坦化加工法にはエッチバック法を応用しており、
第５図にはこの平坦化加工法の詳細が示されている。第
５図中、］１はコイル絶縁層７のコイル３による段差を
縮小せしめるためのフォトレジストであり、第４図の各
部に対応するものは同一の参照符号を付した。第５図ｆ
ａ＋は高ｉ３１．ｆｔ率強磁性体基板１上に絶縁１１６
およびコイル３を形成した状態を示しており、第４図中
）図示の状態と同等である。第５図（ｂｌにはコイル３
上にコイル絶縁層７を形成した状態が示されており、コ
イル絶縁層７表面はコイル３の段差がそのまま転写され
凸凹状となっている。第５図ｆｃｌではコイル絶縁Ｎ７
の段差を平坦、縮小せしめるためのフズトレジス）１１
をスピンコードによって形成している。第５図（ｄｌは
コイル絶縁Ｎ７に、その膜厚が所定の値となるまでイオ
ンミリング法を用いてエツチングを行った状態を示して
いる。

以下にエツチング条件について詳細を記す、上記フォト
レジスト１１は、スピンコード後コイル３の段差を完全
に平坦化するには至らない。上記フォトレジスト１１表
面の段差をＲ６、コイル３の段差を８１フオトレジスト
１１およびコイル絶縁Ｎ７のエツチングレート比をｒ　
ｏ／　ｒ　３としたときにエツチング後のコイル絶縁層
７表面の段差を零とするための一般的な関係式は、 ｒｏ／　１３　＝Ｉ　　　Ｒ（／Ｓ　　　・・・（１１
となる。この第＋１１式に各測定値Ｒ６，Ｓを代入して
上記エツチングレート比ｒ　（１／　ｒ　３を算出し第
６図に示すエツチングレート比の試料角度依存性の特性
図より条件を求め、エツチングを行う。

前記コイル絶縁Ｎ７の平坦化加工の後には、第４図（ｄ
ｌに示すようにコイル絶縁層７にスルーホール４を形成
する。そして第４図（ｅｌに示すようにリード線５をコ
イル３と同様にイオンミリング法等で微細エツチング加
工を行ってパターン形成する。

さらにギャップ層８およびバックギャップ部９の形成を
行って第４図（ｆ１図示の状態となり、ギャップ層８上
に上部磁性Ｎ２を形成して第４図（ｇ１図示の状態とな
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述のような薄膜磁気ヘッドの製造プロセスでは、コイ
ル絶縁層７にイオンミリング法を用いて平坦化加工を施
しているため、フォトレジスト１１およびコイル絶縁１
ｉｉ７のエツチングは時間制御で行うことになる。イオ
ンミリング法によるエッチングでは、基本的に物質の制
限なしにエツチングが可能であり、加工精度が高く、イ
ンライン化も可能である。これはエツチング条件を電気
的に容易に制御できるためであるが、その反面、装置の
初期特性維持の調整が複雑でもある。すなわち、エツチ
ング条件は、イオンミリング装置の真空槽内におけるプ
ラズマの発生状態に依存することろが大きく、ガス圧を
はじめとして、イオン源のカソード、グリッド等への印
加電流、印加電圧を考慮しながら、フォトレジスト１１
およびコイル絶縁層７のエツチング時間を算出しなけれ
ばならず作業が繁雑になるという問題があった。

この発明の目的は、作業性が向上されるとともに、薄膜
磁気ヘッドの信頼性を向上することができるＦｉｔ　ｎ
’Ａ　ｉｎ気ヘッドの製造方法を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

請求項（１１の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に
導電体薄膜をパターン形成して薄膜コイルを形成し、 この薄膜コイルを形成した前記基板上に前記薄膜コイル
の膜厚に略等しい膜厚を有するコイル絶縁層を形成し、 このコイル絶縁層表面にエツチングストッパ用金属膜を
形成し、 前記薄膜コイル上の前記コイル絶縁層表面に生じている
凸部の立上がり部の前記エツチングストッパ用金属膜を
エツチング除去し、 この後に前記コイル絶縁層の凸部に化学エツチングを施
すことを特徴とする。

また、請求項（２）の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
板上に導電体薄膜を形成し、 この導電体Ｆｌ膜表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層表
面にメタルマスクをパターン形成し、 前記絶縁層および導電体薄膜にエツチングを施して、前
記導電体薄膜を薄膜コイルとし、前記絶縁層および薄膜
コイルが形成された基板表面に、前記薄膜コイルと前記
絶縁層との各膜厚の合計に略等しい膜厚を有するコイル
絶縁層を形成し、 このコイル絶縁層にエツチングストッパ用金属膜を形成
し、 前記薄膜コイル上の前記コイル絶縁層表面に生じている
凸部の立上がり部の前記エツチングストッパ用金属膜を
エツチング除去し、 この後に前記コイル絶縁層の凸部に化学エツチングを施
すことを特徴とする。

〔作　用〕

請求項＋１１のｙｉＭ磁気ヘッドの製造方法によれば、
基板上に導電体薄膜をパターン形成するようにして薄膜
コイルが形成され、この薄膜コイルを形成した前記基板
表面にコイル絶縁層が形成される。

このコイル絶縁層はその膜厚が前記薄膜コイルの膜厚に
略等しく選ばれる。このため、薄膜コイルが形成されて
いない部分の前記基板表面では、前記コイル絶縁層表面
は薄膜コイル表面と略同−平面内に存在することになり
、また前記薄膜コイル上には前記平面からの高さが薄膜
コイルの膜厚にほぼ等しい凸部が形成されることになる
。

前記コイル絶縁層の形成の後には、このコイル絶縁層表
面にエツチングストッパ用金属膜が形成される。そして
、このエツチングストッパ用金属膜は前記凸部の立上が
り部表面の部分が除去され、この後に前記コイル′ｌＪ
Ａ縁層の凸部の化学エツチングが行われる。このとき、
前記エツチングストッパ用金属膜の働きによって、薄膜
コイルが形成されていない基板表面に形成されたコイル
絶縁層は侵されず、前記凸部のみがエツチングされる。

すなわちコイル絶縁層のＴＩ！：！厚は前述のように薄
膜コイルの膜厚に略等しいので、前記凸部以外の部分の
コイル絶縁層は前記エツチングストッパ用金属膜下にい
わば埋没している状態であり、このため前記凸部のみが
エツチングされることになる。このようにして、ｆｌ！
磁気ヘッド表面の平坦化が達成される。

請求項（２）の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基板上
に導電体薄膜および絶縁層を形成し、この絶縁層表面に
メタルマスクをパターン形成して、前記絶縁層および導
電体薄膜を共通にエツチングして、この絶縁層および導
電体Ｆｌ　ｌ！に共通にパターニングが施される。そし
てパターニングされた前記導電体ｆｉ膜が′＠膜ココイ
ルされる。

前記絶縁層および薄膜コイルが形成された基板上には、
コイル絶縁層が形成される。このコイル絶縁層の膜厚は
、前記絶縁層および薄膜コイルの各膜厚の合計に等しく
選ばれ、したがって薄膜コイルが形成されていない部分
の基板上では、前記コイル絶縁層表面と前記絶縁層表面
とは略同−表面に存在することになり、また前記薄膜コ
イルが形成されている部分のコイル絶縁層には、前記平
面からの高さが、前記絶縁層および薄膜コイルの各膜厚
の合計に略等しい凸部が形成されることになる。

したがって、前記コイル絶縁層表面にエツチングストッ
パ用金属膜を形成した後に、前記凸部の立上がり部の前
記エツチングストッパ用金属膜をエツチング除去し、さ
らに前記凸部に化学エツチングを施すことによって、薄
膜コイル上に絶縁層を形成した状態で薄膜磁気ヘッドの
平坦化が達成される。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明を行う。

第１！ｉｉＱは本発明の第１実施例の薄膜磁気ヘッドの
製造方法におけるコイルおよびコイル絶縁層の平坦化加
工法の詳細を示す断面図である。この第１図において、
前述の第４図に示された各部と同等の部分には同一の参
照符号を付して示す。第１図中、１は高透磁率強磁性体
基板、３ａはコイル用薄膜、３は薄膜コイル（以下「コ
イル３」という）、６は絶縁層、１０はメタルマスク、
１３は金属膜、１４は絶縁層である。以下、本実施例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法について、第１図ｆａｌ〜（
幻を順に参照して説明を行う。

第１図ｆａ＋には高透磁率ｌｌＡｌ磁性体基板ｌ上に、
５ｉ０２からなる絶縁層６およびＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等か
らなるコイル用薄膜３ａを形成し、このコイル用薄膜３
ａ上にメタルマスク１０を形成した状態が示されている
。このメタルマスク１０は、その材料に、イオンミリン
グ法によるエツチングレートが低いこと、フン酸を用い
ないエツチング液が存在すること等から、Ｔａ、Ｗ等の
金属が選ばれ、フォトリソグラフィ技術によって形成さ
れる。

第１図（ｂｌには、コイル用薄膜３ａに対して上記メタ
ルマスク１０を用いてイオンミリング法、或いはケミカ
ルエツチングで微細加工を行ってパターニングを施して
コイル３を形成した状態が示されている。

次いでコ１ル３上にコイル３と略等しい膜厚のコイル絶
縁層１２を形成した状態が第１図ｔｅｌに示されている
。前記コイル絶縁１！１２の膜厚の制御は、水晶振動子
を用い、この水晶振動子上に膜が付着することにより生
じる水晶振動子の発振周波数の変化を利用して行う、さ
らに第１図（ｃ＋に示す状態ではエツチングストッパ用
金属膜１３（以下「金属膜１３」という）としてＣｕ、
Ｃｒ等も形成されている。上記金属膜１３には、コイル
絶縁１１２のエツチング液でエツチングされず、かつ後
述する平坦化終了工程において、上記金属１１１１３を
エツチングする時にコイル３までエツチングが行われな
い条件を成立させるために、コイル３とは異なる金属が
用いられる。

第２図は、第１図（Ｃ１の状態におけるコイル３の近傍
部分を拡大して示す断面図である。第２図に示す状態で
、コイル絶縁Ｘ１１２のエツチング液に浸漬してもコイ
ル絶縁層１１１２の凸部１２３の立上がり部における金
属膜１３の参照符号１３ａで示す部分が妨げとなりコイ
ル３上を平坦にすることができない、そこで、コイル絶
縁Ｎ１２の凸部１２ａの立上がり部の金属１１＊１３の
膜厚を算出し、上記膜厚針のみケミカルエツチングを行
う。第２図中、θはコイル絶縁Ｎ１２凸部１２ａのテー
パー角、Ｘは同凸部１２ａのテーパーにおける金属膜１
３の膜厚、ｄは金属１１４１３の形成膜厚であり、上記
Ｘは以下のように表される。

Ｘコｄ叩θ　・・・（２） たとえば、コイル３のテーパー角θを８０度に設定し、
金属膜１３の形成膜厚ｄを１　（μｍ）とするとコイル
絶縁層１２の凸部１２ａの立上がり部における金属膜１
３の膜厚Ｘは約０．１７（μｍ）程であり、上記立上が
り部表面を Ｎ　ａ　ＯＨ＋　Ｈ２０（Ｔ　ａのエツチング液）、Ｈ
２０２＋　Ｈ２０（Ｗ（７）工７チンダ液）等の工・ノ
チング液を用い、コイル絶縁層１２が露出するまで完全
エツチングを行っても、コイル絶縁Ｎ１２表面上の参照
符号１３ｂで示す部分の金属膜１３は残り、エツチング
ストッパとしての役割を果たす。また後述するが、金属
膜１３と上記コイル絶縁１！ｔ１２のエツチング液は共
ｉＪ］ｌであってはならないため、金属ｌ１ｆｉ１３、
メタルマスク１０の使用材料は注意しなければならない
、上記したケミカルエツチングの他に、ドライエツチン
グ、たとえばイオンエツチング等を用いてコイル絶縁層
１２の凸部１２ａ立上がり部の金属膜１３を除去する方
法もある。上記の状態を第１図（ｄ＋に示す。

第１図ｆｅ）はコイル絶縁層１２の凸部１２ａを、フン
酸等のエツチング液を用いて除去した状態を示す、また
第１図（ｆ）には、メタルマスク１０および金属膜１３
を、凸部１２ａの立上がり部の金属膜１３の除去の際に
用いた上述のエツチング液で完全除去をし、コイル３の
上面が完全平坦になった状態が示されている。このとき
、金属膜１３゜メタルマスク１０．およびコイＪＬ／客
色縁層１２のエツチング液が共通であると、コイル３上
面が完全平坦にならない、第１図（ｇｌにはコイル３上
に、所定膜厚の絶縁［１４を形成した状態が示されてい
る。

従来のイオンミリング法を用いた場合と比較すると、コ
イル絶縁層１２における平坦化加工で、以下の項目で有
意性がある。第１にイオンミリング装置におけるプラズ
マ発生状況に関わる諸条件の調整如何によるエツチング
レート誤差の考慮が不必要であり、コイル絶縁層１２の
膜厚制御のみ考慮すれば良い。第２に第１の項目に関し
て、コイル絶縁ＩＪ１２の形成膜厚がコイル３の膜厚と
略等しいので比較的小さく、このコイル絶縁層１２の形
成時間が短い。第３にコイル３上における絶縁層１４の
膜厚の制御が容易である。以上の理由により、薄膜磁気
ヘッドの製造の作業性が向上し、上記第３の項目から寸
法加工精度が向上することができるので薄膜磁気ヘッド
の信頼性の向上をも実現できる。

上記した平坦化加工を行った後の工程は、従来と同様で
あり、前述の第４図を参照しながら説明を行う、すなわ
ち、コイル絶縁層１２の平坦化加工以降は、第４図（ｄ
）に示したようにスルーホール４を形成し、そして第４
図＋０１に示すようにリードｖＡ５を形成する。さらに
第４図（ｆｌに示すようにギャップ層８およびバックギ
ヤツブ部９を形成し、第４図（ｇ）に示すようにギャッ
プ［８上にＣＯ系アモルファス金属薄膜を記録磁束によ
り飽和磁化されない程度の膜ｒ￥（６〜１０（μｍ））
で形成し微細エツチング加工により上部磁性Ｊ！２を形
成する。

以上の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、コイル絶縁Ｊｉ
１２の平坦化加工でコイル３と同膜厚のコイル絶縁層１
２を形成し、コイル絶縁層１２上にエツチングストッパ
用金属膜１３を形成後、コイルｉ縁７１１２の凸部１２
ａの立上がり部の金属膜１３およびコイル絶縁Ｆ！１１
２の化学エツチングを行っており、したがって従来のイ
オンミリング装置を用いる方法のようにエツチングレー
ト誤差等を考慮する必要がないので、上記平坦化加工工
程における作業性が向上され、また加工精度をも向上す
ることができるので、薄膜磁気ヘッドの信頼性向上が実
現できる。

第３図は本発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法におけるコイルおよびコイル絶縁層の平坦化加工法の
詳細を示す断面図である。この第３図において前述の第
１図に示された各部と同等の部分には同一の参照符号を
付して示す。第３図中、１は高透磁率強磁性体基板、３
ａはＡｕ。

Ａｌ、Ｃｕ等からなるコイル用薄膜、３はコイル、６は
絶縁層、１０はメタルマスク、１３はエツチングストッ
パ用金属膜、１５は絶縁層、１６はコイル絶縁層である
。

以下、本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について第
３図ｔａｌ〜（ｆｌを順に参照しながら説明を行う。

第３図（８）に高透磁率強磁性体基板１上に５ｉ０２か
らなる絶縁Ｎ６およびＡｕ、Ｃｕ等のコイル用ｍ膜３ａ
ｓさらニＳ　ｉ　Ｏ２からなる絶縁Ｊ！１５゜メタルマ
スクｌＯを形成した状態を示す、メタルマスク１０は、
絶縁層６，１５．１６の材料であるＳｉＯ□のエツチン
グ液であるフッ酸等にエツチングされないＣｒ、Ｃｕ等
の金属を下地層とし、イオンミリングによるエツチング
レートが低いこと、フン酸を用いないエツチング液が存
在するという条件から表面にＴａ、Ｗを形成した２Ｎ金
属膜で構成され、フォトリソグラフィ技術によって形成
するものである。第３図ｆｂｌには、コイル３と、この
コイル３上の絶縁層１５とを、上記メタルマスク１０を
用いて、イオンミリング法、或いはケミカルエツチング
で微細加工を行いパターン形成した状態が示されている
０次いでコイル３および絶縁［１５上にコイル３および
絶縁層１５の各膜厚の合計値に略等しい膜厚のコイル絶
縁層１６を形成し、第３図（Ｃ）に示す状態となる。コ
イル絶縁層１６の膜厚制御は水晶振動子を用いた膜厚計
で行っている。さらに、第３図ｆｃ）図示の状態では、
メタルマスクＩＯの下地層と同じ材料を用いて金属膜１
３が形成されている。

コイル絶縁層１６における凸部１６ａの立上がり部の金
属膜１３の膜厚は、前述の第１の実施例で説明したと同
様である。第３図（ｄ）には、コイル化に！Ｎ　１６の
凸部１６ａの立上がり部における金属膜１３をＮ　ａ　
ＯＨ＋　Ｈ２０（Ｔ　ａのエツチング液）、ｌＩ２０□
十夏（２０（Ｗのエツチング液）、Ｋ３　Ｆｅ　（ＣＮ
）６＋ＮａＯＨ＋Ｈ２０（ＣｒのエツチングＩ）、Ｉ２
０＋ＨＣ１＋ＦｅＣｌ３　　（Ｃｕのエツチング液）等
のエツチング液に浸漬して除去した状態が示されている
。また第３図（ｅｌには、コイル絶縁ＩＨｓの凸部１６
ａをフッ酸等のエツチング液を用いて除去した状態が示
されている。

このときＴｉ、Ｍｏ等の金属はフン酸により腐食される
可能性が生じるため、メタルマスクｌＯの下地層である
Ｃｕ、Ｃｒ等の金属が有効になる。

第３図ｆｆｌにメタルマスク１０および金属膜１３を各
々エツチング液で除去し、コイル絶縁Ｍ１６および絶縁
層１５上面が完全平坦になったプロセスを示す。

この実施例によれば、従来のイオンミリング法を用いた
平坦化加工の場合と比較を行うと、以下の項目について
有意性がある。第１にイオンミリング装置におけるプラ
ズマの発生状況に関わる諸条件の調整如何によるエツチ
ングレート誤差の考慮が不必要であり、コイル絶縁層１
６の膜厚制御のみ考慮すれば良い。第２にコイル絶縁Ｎ
１６の形成膜厚がコイル３およびコイル絶縁ＪＩＪ１５
の各膜厚の合計に略等しい膜厚であり、上記合計膜厚は
、イオンミリングを用いた場合におけるエツチングレー
ト誤差分を含めた形成膜厚よりも少ないため、形成時間
が縮小される。第３に絶縁層６、コイル用Ｆｆｌ１９３
ａ、コイル３上における所定膜厚の絶縁［１５およびメ
タルマスク１０材を同時に形成するため、薄膜形成装置
等の真空槽内に入れる回数を削減することができる。第
４にコイル３上における絶縁［１５の膜厚制御が容易で
あるや以上の理由により、薄膜磁気ヘッド製造の作業性
が向上し、上記第４の項目から寸法加工精度が向上する
ことから薄膜磁気ヘッドの信鯨性の向上をも実現できる
。

上記した平坦化加工を行った後の工程は、従来と同様で
ある。

以上の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、コイル３および
コイル３上所定膜厚形成した絶縁ＦＪ１５を合ａ１シた
膜厚と略同−の膜厚形成を行ったコイル絶縁Ｎ１６の凸
部１６ａを、金属膜１３を形成した上で、ケミカルエツ
チングのみで除去し、コイル３上を完全平坦化を行い、
かつコイル３上に所定膜厚の絶縁層１５が形成された状
態とすることで、薄膜磁気ヘッドの製造における作業性
の向上、また加工精度の向上により信転性向上が実現で
きる。

なお、前述の第１および第２実施例では、単体の高透磁
率強磁性体基板を用いているが、基板として非磁性基板
上に高透磁率強磁性体基板を形成したものを用いてもよ
い、また、非Ｓ′ＩＪｌ性基板を用いる場合には、この
非導電性基板表面に直接にコイル用導電体薄膜を形成し
てもよい。

〔発明の効果〕

請求項ｆｌｌの薄Ｗｊ１．Ｍ１気ヘッドの製造方法によ
れば、薄膜磁気ヘッドの平坦化処理を化学エツチングに
よって達成するようにしているので、従来のイオンミリ
ング装置を用いる方法のように、エツチングレートの誤
差等の考慮の必要がなく、したがって前記平坦処理が容
易になり、したがって製造時の作業性が向上される。ま
た、前記平坦化処理後に薄膜コイルおよびコイル絶縁層
表面にさらに絶縁層を形成した場合に、この絶縁層の膜
厚を正確に把握することができるようになるので、′ｒ
ｉｉ膜磁気ヘッドの信頼性が格段に向上する。

請求項（２）の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、導電体
薄膜のパターニングは、この導電体薄膜表面に絶縁層を
形成した後に行われ、そしてコイル絶縁層の膜厚は前記
導電体薄膜および絶縁層の各膜厚の合計に略等しく選ば
れるので、平坦化処理後のコイル絶縁層表面と前記絶縁
層表面とが略同−表面に存在するようになる。このよう
にして、前記請求項ｆｌ＋の薄膜磁気へノドの製造方法
におけるコイル絶縁層表面にさらに絶縁層を形成したと
等価な構成が、比較的簡易に得られるようになる。

すなわち、ぶ電体薄膜とコイル絶縁層とは、基板を薄膜
形成装置等の真空槽等に入れた状態で、いわば連続的に
形成することができるので、前記真空槽等に基板を出し
入れする回数を低減することができる。このようにして
、さらに作業性を向上することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１実施例のｍ　ｎｌ　Ｌｉｔ気ヘ
ッドの製造方法を説明するための断面図、第２図はコイ
ル３の近傍部分の構成を拡大して示す断面図、第３図は
この発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説
明するための断面図、第４図および第５図は従来の薄膜
磁気ヘッドの製造方法を説明するための断面図、第６図
はイオンミリングにおけるエツチングレート比の角度依
存性を示す特性図である。 ｌ・・・基板、３・・・薄膜コイル、３ａ・・・コイル
用薄膜（導電体薄膜）、１０・・・メタルマスク、１２
１６・・・コイル絶縁層、１２ａ、１６ａ・・・凸部、
１３・・・エツチングストッパ用金属膜、１５・・・絶
縁層 第１図 ビ←へ）ｓｐ−１，Ｑ（辻ぐ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に導電体薄膜をパターン形成して薄膜コイ
   ルを形成し、 この薄膜コイルを形成した前記基板上に前記薄膜コイル
   の膜厚に略等しい膜厚を有するコイル絶縁層を形成し、 このコイル絶縁層表面にエッチングストッパ用金属膜を
   形成し、 前記薄膜コイル上の前記コイル絶縁層表面に生じている
   凸部の立上がり部の前記エッチングストッパ用金属膜を
   エッチング除去し、 この後に前記コイル絶縁層の凸部に化学エッチングを施
   すことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. （２）基板上に導電体薄膜を形成し、 この導電体薄膜表面に絶縁層を形成し、 前記絶縁層表面にメタルマスクをパターン形成前記絶縁
   層および導電体薄膜にエッチングを施して、前記導電体
   薄膜を薄膜コイルとし、 前記絶縁層および薄膜コイルが形成された基板表面に、
   前記薄膜コイルと前記絶縁層との各膜厚の合計に略等し
   い膜厚を有するコイル絶縁層を形成し、 このコイル絶縁層にエッチングストッパ用金属膜を形成
   し、 前記薄膜コイル上の前記コイル絶縁層表面に生じている
   凸部の立上がり部の前記エッチングストッパ用金属膜を
   エッチング除去し、 この後に前記コイル絶縁層の凸部に化学エッチングを施
   すことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。