JPH02186629A - 強誘電体膜の製造方法 - Google Patents
強誘電体膜の製造方法Info
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- JPH02186629A JPH02186629A JP1005808A JP580889A JPH02186629A JP H02186629 A JPH02186629 A JP H02186629A JP 1005808 A JP1005808 A JP 1005808A JP 580889 A JP580889 A JP 580889A JP H02186629 A JPH02186629 A JP H02186629A
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Landscapes
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体集積回路装置基板上に形成する強誘電
体膜の製造方法に関する。
体膜の製造方法に関する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、多結晶強誘電体膜の強
誘電体特性に再現性が無（、劣化すると云う課題があっ
た。
誘電体特性に再現性が無（、劣化すると云う課題があっ
た。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、再現性良く
、劣化の無い強誘電体特性を実現する半導体集積回路装
置基板上への強誘電体膜の製造方法を提供する事を目的
とする。
、劣化の無い強誘電体特性を実現する半導体集積回路装
置基板上への強誘電体膜の製造方法を提供する事を目的
とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、強誘電体膜の製
造方法に関し、半導体基板表面にはモリブデン酸ガドリ
ウムや鉛−ジルコニウム−チタン酸化物等の強誘電体単
結晶膜をエピタキシャル成長させる手段を取る。
造方法に関し、半導体基板表面にはモリブデン酸ガドリ
ウムや鉛−ジルコニウム−チタン酸化物等の強誘電体単
結晶膜をエピタキシャル成長させる手段を取る。
［従来の技？４ｔｉｌ
従来、半導体集積回路装置基板上に形成する強誘電体膜
は、スパッタ法で多結晶膜が形成されるのが通例であっ
た。
は、スパッタ法で多結晶膜が形成されるのが通例であっ
た。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置
基板表面への強誘電体単結晶膜の形成法を示す工程順の
要部の断面図である。
基板表面への強誘電体単結晶膜の形成法を示す工程順の
要部の断面図である。
すなわち、（Ａ）Ｓｉ単結晶から成る８１基板１の表面
にはフィールド酸化膜２及び拡散層６が形成され、次で
、（Ｂ）強誘電体膜４がガス・ソースによるＣＶＤ法や
、スパッタ法等により形成され、前記拡散層６上の強誘
電体膜は、強誘電体単結晶膜５として、単結晶膜がエピ
タキシャル成長されて成る。以後は、ホト・エツチング
により強誘電体膜４を処理し強誘電体単結晶膜５等の要
部を残して、該、強誘電体単結晶膜５の表面には電極が
形成されて成る強誘電体単結晶膜のＳ１車、結晶基板上
の成長を、スパッタ法で行なう場合にはターゲットに所
望成分の強誘電体を用い、酸素プラズマやアルゴン・プ
ラズマ等の高周波励起ガス・プラズマを該ターゲットに
照射すると共に、ターゲットと８１単結晶基板間に、比
較的低い（２００■以下）静電界を印加すると共に基板
を比較的低温（３００℃〜６００℃）に加熱することに
より、第１図（Ｂ）の如く、強訴電体単結晶膜５が部分
的に形成される事となる。
にはフィールド酸化膜２及び拡散層６が形成され、次で
、（Ｂ）強誘電体膜４がガス・ソースによるＣＶＤ法や
、スパッタ法等により形成され、前記拡散層６上の強誘
電体膜は、強誘電体単結晶膜５として、単結晶膜がエピ
タキシャル成長されて成る。以後は、ホト・エツチング
により強誘電体膜４を処理し強誘電体単結晶膜５等の要
部を残して、該、強誘電体単結晶膜５の表面には電極が
形成されて成る強誘電体単結晶膜のＳ１車、結晶基板上
の成長を、スパッタ法で行なう場合にはターゲットに所
望成分の強誘電体を用い、酸素プラズマやアルゴン・プ
ラズマ等の高周波励起ガス・プラズマを該ターゲットに
照射すると共に、ターゲットと８１単結晶基板間に、比
較的低い（２００■以下）静電界を印加すると共に基板
を比較的低温（３００℃〜６００℃）に加熱することに
より、第１図（Ｂ）の如く、強訴電体単結晶膜５が部分
的に形成される事となる。
尚、強誘電体単結晶膜のエピタキシャル成長法としては
、上記スパッタ法の他、ＣＶＤ法や、レーザー・アニー
ル法、あるいは固相エピタキシャル法等の他の方法で行
なっても良い事は云うまでもない。
、上記スパッタ法の他、ＣＶＤ法や、レーザー・アニー
ル法、あるいは固相エピタキシャル法等の他の方法で行
なっても良い事は云うまでもない。
［発明の効果］
本発明により、半導体基板上に結晶欠陥の少ない、又、
当然の事ながら結晶粒界の無い強誘電体単結晶膜が形成
できる事となり、結晶欠陥や結晶粒界に帰因する強誘電
体特性の劣化や再現性の無さを克服することができ、長
寿命で、きれいな強誘電体特性を得る事ができる効果が
あり、半導体集積回路装置基板上に強誘電体素子を形成
した、強誘電体集積回路装置の歩留シ向上や高信頼度化
を計ることができる効果がある。
当然の事ながら結晶粒界の無い強誘電体単結晶膜が形成
できる事となり、結晶欠陥や結晶粒界に帰因する強誘電
体特性の劣化や再現性の無さを克服することができ、長
寿命で、きれいな強誘電体特性を得る事ができる効果が
あり、半導体集積回路装置基板上に強誘電体素子を形成
した、強誘電体集積回路装置の歩留シ向上や高信頼度化
を計ることができる効果がある。
路装置基板表面への強誘電体単結晶膜の形成法を示す工
程順の要部の断面図である。
程順の要部の断面図である。
１・・・・・・・・・Ｓｉ基板
２・・・・・・・・・フィールド酸化膜３・・・・・・
・・・拡散層 ４・・・・・・・・・強誘電体膜 ５・・・・・・・・・強誘電体単結晶膜（ａ） 以上
・・・拡散層 ４・・・・・・・・・強誘電体膜 ５・・・・・・・・・強誘電体単結晶膜（ａ） 以上
Claims (1)
- 半導体基板表面にはモリブデン酸ガドリウムや鉛−ジル
コニウム−チタン酸化物等の強誘電体単結晶膜がエピタ
キシャル成長されて成る事を特徴とする強誘電体膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005808A JPH02186629A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 強誘電体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005808A JPH02186629A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 強誘電体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186629A true JPH02186629A (ja) | 1990-07-20 |
Family
ID=11621385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005808A Pending JPH02186629A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 強誘電体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02186629A (ja) |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1005808A patent/JPH02186629A/ja active Pending
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