JPH0218767B2 - - Google Patents
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- JPH0218767B2 JPH0218767B2 JP15246583A JP15246583A JPH0218767B2 JP H0218767 B2 JPH0218767 B2 JP H0218767B2 JP 15246583 A JP15246583 A JP 15246583A JP 15246583 A JP15246583 A JP 15246583A JP H0218767 B2 JPH0218767 B2 JP H0218767B2
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- substrate
- dust
- pyroelectricity
- pure water
- surface acoustic
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は高歩留りを得ることのできる表面弾性
波デバイスの製造方法に関するものである。
波デバイスの製造方法に関するものである。
（従来技術）
表面弾性波（以下SAWと略す）を利用したデ
バイスの開発はフイルタ、共振器、タツプ付遅延
線などで盛んに行われている。これらSAWデバ
イスの特長としては小型、軽量であり、耐振動
性、耐衝撃性に優れ信頼性が高い点が挙げられ
る。SAWデバイスはLiNbO3などの圧電基板を
用いて製造するが、圧電基板は基板温度の上昇な
どにより焦電気（もしくは帯電）を生ずる。この
基板の昇温は基板上にSAWデバイスを作成する
上で避けられない。SAWフイルタデバイスの製
造を例にとれば、アルミニウム、金などのくし形
電極の形成にはフオトリソの工程が必須であり、
基板の乾燥、レジストのプリベーク、ポストベー
ク、ドライエツチングの時に基板の温度が上が
り、焦電気（もしくは帯電）を生ずることにな
る。このようにして生じた電荷はゴミなどを吸着
し、基板の汚れの原因になる。基板の汚れは電極
の欠陥につながり、デバイス製造の歩留りを低下
させる。
バイスの開発はフイルタ、共振器、タツプ付遅延
線などで盛んに行われている。これらSAWデバ
イスの特長としては小型、軽量であり、耐振動
性、耐衝撃性に優れ信頼性が高い点が挙げられ
る。SAWデバイスはLiNbO3などの圧電基板を
用いて製造するが、圧電基板は基板温度の上昇な
どにより焦電気（もしくは帯電）を生ずる。この
基板の昇温は基板上にSAWデバイスを作成する
上で避けられない。SAWフイルタデバイスの製
造を例にとれば、アルミニウム、金などのくし形
電極の形成にはフオトリソの工程が必須であり、
基板の乾燥、レジストのプリベーク、ポストベー
ク、ドライエツチングの時に基板の温度が上が
り、焦電気（もしくは帯電）を生ずることにな
る。このようにして生じた電荷はゴミなどを吸着
し、基板の汚れの原因になる。基板の汚れは電極
の欠陥につながり、デバイス製造の歩留りを低下
させる。
上記のようなことを防ぐために、ゴミの少ない
クリーンルームやクリーンベンチで作業し、ゴミ
の付着を防ぐ方法がある。しかし、焦電気（もし
くは帯電）によるゴミの吸着は非常に大きいもの
で、クリーンルーム中で作業してもゴミの付着を
大幅に改善することはできないのが現状である。
クリーンルームやクリーンベンチで作業し、ゴミ
の付着を防ぐ方法がある。しかし、焦電気（もし
くは帯電）によるゴミの吸着は非常に大きいもの
で、クリーンルーム中で作業してもゴミの付着を
大幅に改善することはできないのが現状である。
（発明の目的）
本発明ではゴミの付着を防ぎ高歩留りを得るた
めに焦電気（もしくは帯電）により基板に生じた
電荷を純水に浸せきさせることによつて除去する
方法を確立したものである。
めに焦電気（もしくは帯電）により基板に生じた
電荷を純水に浸せきさせることによつて除去する
方法を確立したものである。
（発明の構成）
すなわち、圧電基板にレジストを皮膜させ、パ
ターンを転写後、エツチングを行ない基板にレジ
ストパターンが形成された後、基板を電解質溶液
中に浸せきしてから、洗滌乾燥し、Alを蒸着さ
せるなどしてデバイスを完成させる。
ターンを転写後、エツチングを行ない基板にレジ
ストパターンが形成された後、基板を電解質溶液
中に浸せきしてから、洗滌乾燥し、Alを蒸着さ
せるなどしてデバイスを完成させる。
ここで圧電基板としてはLiNbO3、LiTaO3な
どが利用できる。
どが利用できる。
（実施例）
次に実施例について説明する。
LiNbO3の基板上にキノンジアジドスルホン酸
エステルをスピンコーテイングにより0.5μｍ厚に
皮膜した。60℃で30分プリベーク後、500WのXe
−HgランプにてSAWフイルタの電極パターンを
密着露光により転写した。露光時間は12秒であつ
た。酢酸イソアミル溶液で現像後、平行平板型プ
ラズマエツチング装置にて50W、50Pa、
20SCCM（標準状態で気体が１分間に流れるCC
数）の条件でO2プラズマにより３分エツチング
し、基板を洗浄した。オーバーハング形状をもつ
たSAWフイルタのレジストパターンが形成でき
た。基板を純水中に30秒浸せきし、N2ブロアに
て基板を乾燥させた。この基板をウエハートレー
上に24時間放置して顕微鏡にて観察したところ、
ゴミの付着はほとんどなかつた。一方、純水に浸
せきする工程以外へは同じ工程で作つた基板を顕
微鏡で観察したところ繊維状の付着物が全面に見
られた。その後、ゴミの付着のほとんどない基板
を真空蒸着装置によりAlを0.1μｍ蒸着し、ジメチ
ルホルムアミドでリフトオフを行い、AlのSAW
フイルタのくし型電極を良好に得ることができ
た。
エステルをスピンコーテイングにより0.5μｍ厚に
皮膜した。60℃で30分プリベーク後、500WのXe
−HgランプにてSAWフイルタの電極パターンを
密着露光により転写した。露光時間は12秒であつ
た。酢酸イソアミル溶液で現像後、平行平板型プ
ラズマエツチング装置にて50W、50Pa、
20SCCM（標準状態で気体が１分間に流れるCC
数）の条件でO2プラズマにより３分エツチング
し、基板を洗浄した。オーバーハング形状をもつ
たSAWフイルタのレジストパターンが形成でき
た。基板を純水中に30秒浸せきし、N2ブロアに
て基板を乾燥させた。この基板をウエハートレー
上に24時間放置して顕微鏡にて観察したところ、
ゴミの付着はほとんどなかつた。一方、純水に浸
せきする工程以外へは同じ工程で作つた基板を顕
微鏡で観察したところ繊維状の付着物が全面に見
られた。その後、ゴミの付着のほとんどない基板
を真空蒸着装置によりAlを0.1μｍ蒸着し、ジメチ
ルホルムアミドでリフトオフを行い、AlのSAW
フイルタのくし型電極を良好に得ることができ
た。
以上説明したように酸素プラズマエツチング
後、純水に基板を浸漬すれば24時間放置してもゴ
ミの付着がほとんどないのは次の様に考えられ
る。
後、純水に基板を浸漬すれば24時間放置してもゴ
ミの付着がほとんどないのは次の様に考えられ
る。
プラズマエツチングによる基板温度の上昇及
び、プラズマ荷電粒子の基板への衝突により基板
は帯電する。そのためそのまま放電すると付着物
ができるが純水に浸漬すれば電荷が除去され、放
置しても付着物はできないと考えられる。
び、プラズマ荷電粒子の基板への衝突により基板
は帯電する。そのためそのまま放電すると付着物
ができるが純水に浸漬すれば電荷が除去され、放
置しても付着物はできないと考えられる。
（発明の効果）
本発明は圧電基板に生じる焦電気（もしくは帯
電）によるゴミ等の付着を電解質溶液に浸せきす
るという簡単な工程で防止するため、圧電基板を
用いる表面弾性波デバイスの製造に利用できる。
電）によるゴミ等の付着を電解質溶液に浸せきす
るという簡単な工程で防止するため、圧電基板を
用いる表面弾性波デバイスの製造に利用できる。
Claims (1)
- １ 圧電体を基板とする表面弾性波デバイスの製
造方法において、前記基板にレジストパターンを
形成後、電極パターンを形成する前行程として、
純水中に浸せきすることにより、焦電気を除去す
る工程を備えていることを特徴とする表面弾性波
デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15246583A JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15246583A JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046108A JPS6046108A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0218767B2 true JPH0218767B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15541101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15246583A Granted JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046108A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340510A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15246583A patent/JPS6046108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6046108A (ja) | 1985-03-12 |
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