JPS6046108A - 表面弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
表面弾性波デバイスの製造方法Info
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- JPS6046108A JPS6046108A JP15246583A JP15246583A JPS6046108A JP S6046108 A JPS6046108 A JP S6046108A JP 15246583 A JP15246583 A JP 15246583A JP 15246583 A JP15246583 A JP 15246583A JP S6046108 A JPS6046108 A JP S6046108A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 10
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- -1 quinonediazide sulfonic acid ester Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は高歩留りを得ることのできる表面弾性波デバイ
スの製造方法に関するものである。
スの製造方法に関するものである。
（従来技術）
表面弾性波（以下ＳＡＷと略す）を利用したデバイスの
開発はフィルタ、共振器、タップ付遅延線などで盛んに
行われている。これらＳＡＷデバイスの特長としては小
型、軽量であり、耐振動性、耐衝撃性に優れ信頼性が高
い点が挙げられる。ＳＡＷデバイスはＬ ｌＮｂ０３々
どの圧電基板を用いて製造するが、圧電基板は基板温度
の上昇などにより焦電気（もしくは帯電）を生ずる。こ
の基板の昇温は基板上にＳＡＷデバイスを作成する上で
避けられ々い。ＳＡＷフィルタデバイスの製造を例にと
れば、アルミニウム、金などのくし形電極の形成にはフ
ォトリソの工程が必須であり、基板の乾燥、レジストの
シリベーク、ポストベーク、ドライエツチングの時に基
板の温度が上がり、焦電気（もしくは帯電）を生ずるこ
とになる。このようにして生じた電荷はゴミなどを吸着
し、基板の汚れの原因に々る。基板の汚れは電極の欠陥
につ々がり、デバイス製造の歩留りを低下させる。
開発はフィルタ、共振器、タップ付遅延線などで盛んに
行われている。これらＳＡＷデバイスの特長としては小
型、軽量であり、耐振動性、耐衝撃性に優れ信頼性が高
い点が挙げられる。ＳＡＷデバイスはＬ ｌＮｂ０３々
どの圧電基板を用いて製造するが、圧電基板は基板温度
の上昇などにより焦電気（もしくは帯電）を生ずる。こ
の基板の昇温は基板上にＳＡＷデバイスを作成する上で
避けられ々い。ＳＡＷフィルタデバイスの製造を例にと
れば、アルミニウム、金などのくし形電極の形成にはフ
ォトリソの工程が必須であり、基板の乾燥、レジストの
シリベーク、ポストベーク、ドライエツチングの時に基
板の温度が上がり、焦電気（もしくは帯電）を生ずるこ
とになる。このようにして生じた電荷はゴミなどを吸着
し、基板の汚れの原因に々る。基板の汚れは電極の欠陥
につ々がり、デバイス製造の歩留りを低下させる。
上記のようなことを防ぐために、ゴミの少ないクリーン
ルームやクリーンベンチで作業し、コゝミの付着を防ぐ
方法がある。しかし、焦電気（もしくは帯電）によるコ
ゝミの吸着は非常に大きいもので、クリーンルーム中で
作業してもゴミの付着を大幅に改善することはできない
のが現状である。
ルームやクリーンベンチで作業し、コゝミの付着を防ぐ
方法がある。しかし、焦電気（もしくは帯電）によるコ
ゝミの吸着は非常に大きいもので、クリーンルーム中で
作業してもゴミの付着を大幅に改善することはできない
のが現状である。
（発明の目的）
本発明ではゴミの付着を防ぎ高歩留りを得るために焦電
気（もしくは帯電）により基板に生じた電荷を純水に浸
せきさせることによって除去する方法を確立したもので
ある。
気（もしくは帯電）により基板に生じた電荷を純水に浸
せきさせることによって除去する方法を確立したもので
ある。
（発明の構成）
すなわち、圧電基板にレジストを皮膜させ、・ヤターン
を転写後、エツチングを行ない基板にレジストパターン
が形成された後、基板を電解質溶液中に受せきしてから
、洗滌乾燥し、Ａｔを蒸着させるなどしてデバイスを完
成させる。
を転写後、エツチングを行ない基板にレジストパターン
が形成された後、基板を電解質溶液中に受せきしてから
、洗滌乾燥し、Ａｔを蒸着させるなどしてデバイスを完
成させる。
ここで圧電基板としてはＬ＋ＮｂＯ３＋ ＬｉＴａＯ３
などが利用できる。
などが利用できる。
（実施例）
次に実施例について説明する。
Ｌｉ Ｎｂ ０３の基板」二にキノンジアジドスルホン
酸エステルをスピンコーティングにより ０．５μｍ厚
に皮膜した。６０Ｃで３０分シリベーク後、５００Ｗの
Ｘｅ −１１ｇランプにてＳＡＷフィルタの電極ｉ？タ
ーンを密着露光により転写した。露光時間は１２秒であ
った。酢酸イソアミル溶液で現像後、平行平板型プラズ
マエツチング装置にて５０Ｗ、 ５０ Ｐａ。
酸エステルをスピンコーティングにより ０．５μｍ厚
に皮膜した。６０Ｃで３０分シリベーク後、５００Ｗの
Ｘｅ −１１ｇランプにてＳＡＷフィルタの電極ｉ？タ
ーンを密着露光により転写した。露光時間は１２秒であ
った。酢酸イソアミル溶液で現像後、平行平板型プラズ
マエツチング装置にて５０Ｗ、 ５０ Ｐａ。
２０ ＳＣＣＭ （標準状態で気体が１分間に流れるＣ
Ｃ数）の条件で０２プラズマにより３分エッチンクシ、
基板を洗浄した。オーバーハング形状をもったＳＡＷフ
ィルタのレジスト）９ターンが形成できた。
Ｃ数）の条件で０２プラズマにより３分エッチンクシ、
基板を洗浄した。オーバーハング形状をもったＳＡＷフ
ィルタのレジスト）９ターンが形成できた。
基板を純水中に３０秒浸せきし、Ｎ２ブロアにて基板を
乾燥させた。この基板をウェハートレー上に２４時間放
置して顕微鏡にて観察したところ、ゴミの付着はほとん
どなかった。一方、純水に浸せきする工程以外は同じ工
程で作った基板を顕微鏡で観察したところ繊維状の付着
物が全面に見られた。その後、ゴミの付着のほとんどな
い基板を真空蒸着装置によりＡｔを０．１μｍ蒸着し、
ジメチルホルムアミドでリフトオフを行い、ＡｔのＳＡ
Ｗフィルタのくし型電極を良好に得ることができだ。
乾燥させた。この基板をウェハートレー上に２４時間放
置して顕微鏡にて観察したところ、ゴミの付着はほとん
どなかった。一方、純水に浸せきする工程以外は同じ工
程で作った基板を顕微鏡で観察したところ繊維状の付着
物が全面に見られた。その後、ゴミの付着のほとんどな
い基板を真空蒸着装置によりＡｔを０．１μｍ蒸着し、
ジメチルホルムアミドでリフトオフを行い、ＡｔのＳＡ
Ｗフィルタのくし型電極を良好に得ることができだ。
以上説明したように酸素プラズマエツチング後、純水に
基板を浸漬すれば２４時間放置してもゴミの付着がほと
んどな“のは次の様に考えられる・ Ｉプラズマエツチ
ングによる基板温度の上昇及び、１プラズマ荷電粒子の
基板への衝突により基板は帯電する。そのためそのまま
放置すると付着物ができるが純水に浸漬すれば電荷が除
去され、放置しても利着物はできないと考えられる。
基板を浸漬すれば２４時間放置してもゴミの付着がほと
んどな“のは次の様に考えられる・ Ｉプラズマエツチ
ングによる基板温度の上昇及び、１プラズマ荷電粒子の
基板への衝突により基板は帯電する。そのためそのまま
放置すると付着物ができるが純水に浸漬すれば電荷が除
去され、放置しても利着物はできないと考えられる。
（発明の効果）
本発明は圧電基板に生じる焦電気（もしくは帯電）にＪ
：るコ゛ミ等の旧著を電解質溶液に浸せきするという簡
単な工程で防止するため、圧電基板を用いる表面弾性波
デバイスの製造に利用できる。
：るコ゛ミ等の旧著を電解質溶液に浸せきするという簡
単な工程で防止するため、圧電基板を用いる表面弾性波
デバイスの製造に利用できる。
特許出願人 沖電気工業株式会社
（５）
手続補正書（峠）
５８、’＋２、１
昭和 年 月 日
特許庁長官 殿
■、事件の表示
昭和５８年 特 許 願第１５２４６５号２、発明の名
称 表面弾性波デバイスの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号名称（０２９） ”、中電気工業署末式会社代表者
取締役社長橋本南海男 ４、代理人
称 表面弾性波デバイスの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号名称（０２９） ”、中電気工業署末式会社代表者
取締役社長橋本南海男 ４、代理人
Claims (1)
- 圧電体を基板とする表面弾性波デバイスの製造方法にお
いて、前記基板にレジストパターンを形成後、電極・母
ターンを形成する前行程として、純水中に浸せきするこ
とによシ、焦電気を除去する工程を備えていることを特
徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15246583A JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15246583A JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046108A true JPS6046108A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0218767B2 JPH0218767B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15541101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15246583A Granted JPS6046108A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061870A (en) * | 1989-07-06 | 1991-10-29 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15246583A patent/JPS6046108A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061870A (en) * | 1989-07-06 | 1991-10-29 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218767B2 (ja) | 1990-04-26 |
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