JPS6237953A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS6237953A JPS6237953A JP17737085A JP17737085A JPS6237953A JP S6237953 A JPS6237953 A JP S6237953A JP 17737085 A JP17737085 A JP 17737085A JP 17737085 A JP17737085 A JP 17737085A JP S6237953 A JPS6237953 A JP S6237953A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- manufacturing
- manufacture
- etching
- cleaning
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は特にリードフレームの表面にアルミニウム皮膜
を蒸着（以下Ａ１蒸着と略記する）する一般に、半導体
デバイス等に用いるり一１′フレームの製造方法におい
てフォトエツチングによって形状加工されたリードフレ
ームの表面にワイヤボンディングを良好にするためアル
ミニウム皮１％を蒸着するようにしたリードフレームの
製造人θには知られている。
を蒸着（以下Ａ１蒸着と略記する）する一般に、半導体
デバイス等に用いるり一１′フレームの製造方法におい
てフォトエツチングによって形状加工されたリードフレ
ームの表面にワイヤボンディングを良好にするためアル
ミニウム皮１％を蒸着するようにしたリードフレームの
製造人θには知られている。
このようなり−１フレームの製造方法についてさらに詳
細に説明すると、先ず、フォトエツチング処理は次のよ
うに行う。例えば板厚０．２５ｍｍの４２アロイ材の平
板を用意し、この平板の表面を跣ｌγ１するとともにレ
ジスｌ−股の塗布、乾燥を行い、さらにリードフレーム
パターンの焼付け、現像等の処理を行う。このｌ＆塩化
第二鉄液を主成分とする腐蝕液でエツチングを行い、水
洗い、レジスｌ−膜の剥離、純水洗い等を経て水切り乾
燥を行う。
細に説明すると、先ず、フォトエツチング処理は次のよ
うに行う。例えば板厚０．２５ｍｍの４２アロイ材の平
板を用意し、この平板の表面を跣ｌγ１するとともにレ
ジスｌ−股の塗布、乾燥を行い、さらにリードフレーム
パターンの焼付け、現像等の処理を行う。このｌ＆塩化
第二鉄液を主成分とする腐蝕液でエツチングを行い、水
洗い、レジスｌ−膜の剥離、純水洗い等を経て水切り乾
燥を行う。
そして、このようにして得たリードフレームへワイヤボ
ンディングエリアを含むゼ・要な部分に、Ａｌ蒸着を行
うための基板（冶具）を取付け、真空蒸着法、スパッタ
リング法等の成欣法によりＡ７！蒸着を行う。
ンディングエリアを含むゼ・要な部分に、Ａｌ蒸着を行
うための基板（冶具）を取付け、真空蒸着法、スパッタ
リング法等の成欣法によりＡ７！蒸着を行う。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上述した従来におけるリードフレームの製造方
法は次のような問題点がある。
法は次のような問題点がある。
つまり、フォトエツチングにより形４ノＪ加−Ｆされた
リート”フレームの表面はウェソＥプロセスであるため
エツチング液、レタスｌ−１１１剥１ｉ１ｉ１１液等に
直接触れており、異物等が残留する。これを除去するた
め各工程ごとに、洗浄、さらには純水洗い等を行ってい
る。
リート”フレームの表面はウェソＥプロセスであるため
エツチング液、レタスｌ−１１１剥１ｉ１ｉ１１液等に
直接触れており、異物等が残留する。これを除去するた
め各工程ごとに、洗浄、さらには純水洗い等を行ってい
る。
このような洗浄を行っても異物等の残留は完全に除去で
きず、水洗いの場合、洗浄時間や乾燥方法等の条件によ
って錆等の変質（変色）が生じ、また、純水洗いの場合
であっても洗浄水の水りＪり時までにリードフレームを
損傷させない配慮から水切り方法が制限され水切りが部
分的に不完全になりしみ等が生じてしまう。さらにエツ
チング時に生ずる微小ピンホール等の四部には液溜りや
異物の残留が生し７、これを有効に防止する手段がない
のが実情である。
きず、水洗いの場合、洗浄時間や乾燥方法等の条件によ
って錆等の変質（変色）が生じ、また、純水洗いの場合
であっても洗浄水の水りＪり時までにリードフレームを
損傷させない配慮から水切り方法が制限され水切りが部
分的に不完全になりしみ等が生じてしまう。さらにエツ
チング時に生ずる微小ピンホール等の四部には液溜りや
異物の残留が生し７、これを有効に防止する手段がない
のが実情である。
なお、このよ・うな問題はリードフレームのように後工
程でＡｐ落着し、しかも高精度、高純度を要求される半
導体装置用部品にとってはアルミニウム皮膜の膨れや密
着不良等の原因となり、半導体デバイス等にとって致命
的な不良を招いてしまう。
程でＡｐ落着し、しかも高精度、高純度を要求される半
導体装置用部品にとってはアルミニウム皮膜の膨れや密
着不良等の原因となり、半導体デバイス等にとって致命
的な不良を招いてしまう。
（問題点を解決するための手段）
本発明は」二連した従来の方法における問題点を解決し
たリードフレームの製造方法であり、次の手段によって
達成することができる。
たリードフレームの製造方法であり、次の手段によって
達成することができる。
つまり、図面に示すようにフォトエツチング工程八によ
って成形（形状加工）したリート−フレームの表面にＡ
ｎ蒸着工工程にてＡｆｆｉ着を施すようにしたリードフ
レームの製造方法において、上記エツチング液稈ＡとＡ
ｐ蒸着Ｚ「程りの間に、高温下の水素を含む雰囲気中に
一定時間リードフレームを放置する浄化工程Ｂを含むよ
うにしたこと、を特徴とする。
って成形（形状加工）したリート−フレームの表面にＡ
ｎ蒸着工工程にてＡｆｆｉ着を施すようにしたリードフ
レームの製造方法において、上記エツチング液稈ＡとＡ
ｐ蒸着Ｚ「程りの間に、高温下の水素を含む雰囲気中に
一定時間リードフレームを放置する浄化工程Ｂを含むよ
うにしたこと、を特徴とする。
（作用）
次に、本発明の作用について説明する。
上述した浄化工程Ｂにおいて、リードフレームの錆等の
変質は水素による還元作用によで回復され、また付着し
た異物は高温下による燃焼気化によって除去される。こ
の場合トライプロセスのため水分に基づく後発の変質や
異物残留は全くなく完全に浄化することができる。
変質は水素による還元作用によで回復され、また付着し
た異物は高温下による燃焼気化によって除去される。こ
の場合トライプロセスのため水分に基づく後発の変質や
異物残留は全くなく完全に浄化することができる。
（実施例）
以下には本発明に係る好適な実施例を図面に基づき詳述
する。
する。
図面は本発明に係るリードフレームの製造方法の工程図
である。
である。
なお、図面に示す工程（Ａ）〜（Ｄ）はリードフレーム
を製造する主要工程を示しており、この工程中において
特に本発明は浄化工程Ｂを新に付加又は他の洗浄工程等
と入れ替えてなることを特徴とするものである。
を製造する主要工程を示しており、この工程中において
特に本発明は浄化工程Ｂを新に付加又は他の洗浄工程等
と入れ替えてなることを特徴とするものである。
次に、同図に従って各工程について順次説明する。
前述したように、４２アロイ材等の平板を洗浄し、レジ
スト膜の塗布、乾燥を行うとともにリードフレームパタ
ーンの焼付け、現像等の処理を行う。
スト膜の塗布、乾燥を行うとともにリードフレームパタ
ーンの焼付け、現像等の処理を行う。
この後、塩化第二鉄液を主成分とする腐食液でエツチン
グし、レジスト皮膜除去、洗浄等を行いリードフレーム
の形状を完成させる。
グし、レジスト皮膜除去、洗浄等を行いリードフレーム
の形状を完成させる。
リードフレームの表面は本発明に従って設けられた浄化
工程によって浄化される。
工程によって浄化される。
前述のフォトエツチング工程Ａにおける洗浄は完全では
ないがほぼ異物の除去が行われる。しかし微細な残留異
物や表面の変質等は除去できないため本工程Ｂによって
表面の完全な浄化を行う。
ないがほぼ異物の除去が行われる。しかし微細な残留異
物や表面の変質等は除去できないため本工程Ｂによって
表面の完全な浄化を行う。
本工程Ｂは下記の条件の雰囲気中にリードフレームを放
置することにより行われる。
置することにより行われる。
温度 ：約５００℃
時間 ；約 １０分
通流ガス
Ｈバ水素ガス）：Ｎ、（窒素ガス）−１１の混合ガスを
流す。
流す。
なお、温度は４００℃程度以上であれば十分効果のある
ことが確認された。また通流ガスは混合ガスを用いるこ
とができるし、他の不活性ガスが混入していてもよい。
ことが確認された。また通流ガスは混合ガスを用いるこ
とができるし、他の不活性ガスが混入していてもよい。
なお、この場合還元作用を行わしめるため酸素の混入は
避けるべきである。
避けるべきである。
上記Ｔ稈Ｂによって表面が浄化されたり一部フレームに
番才Ａ１Ｍ着すべきエリアが露出し、他の残部が覆いｌ
！」されるような所定の基板（治具）に取付けられる。
番才Ａ１Ｍ着すべきエリアが露出し、他の残部が覆いｌ
！」されるような所定の基板（治具）に取付けられる。
これにより、ワイヤボンディングに必要な領域やガラス
封止等を考慮した必要部分にのみＡρ蒸着されるように
する。
封止等を考慮した必要部分にのみＡρ蒸着されるように
する。
［Ａｌ！茎着工程Ｄ］
り記工程Ｃにおいて基板により部分的にマスクされたり
一部フレームには真空蒸着法などの成膜性によりＡ１皮
膜を３μｍ程度施し、所望のリードフレームを完成する
。
一部フレームには真空蒸着法などの成膜性によりＡ１皮
膜を３μｍ程度施し、所望のリードフレームを完成する
。
以上、実施例について詳細に説明したが、本発明はこの
ような実施例に限定されるものではなく、細部の構成、
手順、処理方法、数値等において本発明の精神を逸脱し
ない範囲で任意に変更実施することができる。
ような実施例に限定されるものではなく、細部の構成、
手順、処理方法、数値等において本発明の精神を逸脱し
ない範囲で任意に変更実施することができる。
（発明の効果）
このように、本発明に係るリードフレームの製造方法は
フォ１エソチング工程とアルミニうム芸着工程の間に、
高温下の水素を含む雰囲気中に一定時間リードフレーム
を放置する浄化工程を含むようにしてなるため、リード
フレームから異物や変質を完全に除去してアルミニウム
蒸着工程に臨ませることができ、このような異物等に起
因する障害、例えばアルミニウム蒸着皮膜の剥離や膨れ
（密着性不良）、さらにワイヤボンディング不良等の半
導体装Ｗ製造工程での致命的不良を著しく減少させるこ
とができる。特にドライプロセスのため、容易に安定し
た処理を行うことができる。
フォ１エソチング工程とアルミニうム芸着工程の間に、
高温下の水素を含む雰囲気中に一定時間リードフレーム
を放置する浄化工程を含むようにしてなるため、リード
フレームから異物や変質を完全に除去してアルミニウム
蒸着工程に臨ませることができ、このような異物等に起
因する障害、例えばアルミニウム蒸着皮膜の剥離や膨れ
（密着性不良）、さらにワイヤボンディング不良等の半
導体装Ｗ製造工程での致命的不良を著しく減少させるこ
とができる。特にドライプロセスのため、容易に安定し
た処理を行うことができる。
図面は本発明に係るリードフレームの製造方法を示す工
程図。 尚図面中、Ａ・・・エソチング工程、 Ｂ・・・浄化工程、 Ｄ・・・Ａρ茎着二１程。
程図。 尚図面中、Ａ・・・エソチング工程、 Ｂ・・・浄化工程、 Ｄ・・・Ａρ茎着二１程。
Claims (1)
- １、フォトエッチングにより成形したリードフレームの
表面にアルミニウム皮膜を蒸着するようにしたリードフ
レームの製造方法において、前記フォトエッチング工程
とアルミニウム蒸着工程の間に、高温下の水素を含む雰
囲気中に一定時間リードフレームを放置する浄化工程を
含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737085A JPS6237953A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737085A JPS6237953A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237953A true JPS6237953A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16029766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17737085A Pending JPS6237953A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237953A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128555A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH01140750A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH01253947A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの前処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53133371A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Nec Corp | Lead frame of plastic package for integrated circuit |
| JPS5983764A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Nisshin Steel Co Ltd | 真空蒸着鉛めつき鋼板の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17737085A patent/JPS6237953A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53133371A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Nec Corp | Lead frame of plastic package for integrated circuit |
| JPS5983764A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Nisshin Steel Co Ltd | 真空蒸着鉛めつき鋼板の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128555A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH01140750A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH01253947A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの前処理方法 |
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