JPH02189947A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
に形成した複数のチップを分離切断する前の状態で、容
易に電気的スクリーニングを行うことを可能にした半導
体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置を高密度実装するために、ＰＬ　ＣＣ
（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａｄｅｄ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒ
ｉｅｒ　）　、或いはＳ　ＯＪ　（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔ
ｌｉｎｅ　Ｊ−Ｌｅａｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の小型パ
ッケージに半導体チップを搭載している。

これらの小型パッケージはユーザに出荷される前に電気
的スクリーニングを行う必要があるが、そのままでは外
部から電気的接続を取ることが困難なため、該小型パッ
ケージを特定のトレー内に実装して外部との電気接続を
取り、この状態で外部からパッケージに電圧を印加して
電気的スクリーニングを行う方法がとられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の電気的スクリーニング方法は、特定のト
レー内に小型パッケージを実装するためにその小型化に
は限界があり、これよりも高密度化が要求される小型の
パッケージではトレー内への実装及びスクリーニングが
困難になる。

一方、近年おいては第５図に示すように、ウェハに折目
状に配置して形成した素子を、個々に切断したパッケー
ジに実装しない状態の半導体チップのままで製品として
出荷されることが多くな−ってきている。この場合、」
二連したトレーを用いたスクリーニング法によって半導
体チップをスクリニングすることができないため、スク
リーニングを行わないで出荷せざるを得ない。

しかしながら、半導体装ツブの初１υｊ不良が十分にス
クリーニングされず出荷されると、半導体装置の不良発
生が顕著なものとなる。即ち、初回不良をスクリーニン
グしておくごとによる効果は、第６図を参照することに
より分かる。半導体装置の不良率の時間依存性は、ハス
クブカーゾと称される第６図に示すような不良率の時間
的推移のモデルで示され、初期不良を除くことにより市
場での不良発生がいかに低減されるかが分かる。

本発明は半導体チップの状態でもスクリーニングを行っ
て出荷することが可能な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成さ
れた複数の半導体装置の第１の引出し電極に接続される
外部電極と、この外部電極の一部に設けた第２の引出し
電極を形成する工程と、この第２の引出し電極にスクリ
ーニング装置の探針を接触させて前記半導体装置に通電
してスクリーニングを行う工程と、少なくとも前記外部
配線を含む領域で前記半導体基板を切断して前記半導体
装置を夫々独立した半導体チップに分離させる工程とを
含んでいる。

〔作用〕

」二連した製造方法では、半導体基板の状態で各半導体
装置のスクリーニングが実現でき、不良発生が抑制され
た信頼性の高い半導体チップを得ることができる。

〔実施例〕

次乙こ、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は半導体基板の一部の平面図であり、枡目状に形
成された半導体装置１の夫々には、電源や接地としての
第１の引出し電極２と、これに接続される外部配線３を
形成している。この外部配線３は、複数個の半導体装置
１に対して並列的に接続され、その一端部にばスクリー
ニング装置の探針５に接触される第２の引出し電極４を
設けている。

第２図は、第１図の一部の拡大平面図であり、この構造
の製造方法を第３図に示す。第３図（ａ）乃至（ｃ）は
第２図のＡ、　−Ａ線に沿う縦断面図である。

先ず、第３図（ａ）のように、通常では半導体基板１１
上に形成された３０００人〜８０００人程度変成化膜に
よる絶縁膜１２上に０．５７／　ｍ　〜］、　、０　／
／　ｍ程度のアルミニウムなどの金属層で第１の引出し
電極２が形成されている。また、第１の引出し電極２以
外の半導体装置表面は、プラズマ窒化膜等の５０００人
〜１００００人程度変成護膜１３が形成されている。

このように、従来と同様に製造された半導体装置１に対
し、第３図（ｂ）のように、全面にフォトレジスト１４
を塗布しかつこれをフ第１・マスクを用いて選択的に露
光しかつ現像して、少なくとも第１の引出し電極２．外
部配線３及び第２の引出し電極４を除く素子領域にのみ
該フォトレジスト１４を残す。その上で、全面に０．５
μｍ〜１．０μｍのアルミニウム薄膜１５を形成し、こ
のアルミニウム薄膜１５を前記第１の引出し電極２に電
気的に接続させる。

しかる」二で、第３図（Ｃ）のように、アルミニウム薄
膜１５の表面上全面に粘着性のテープを張り伺けた後、
テープを剥がすことにより、密着性の弱いフォトレジス
ト１４上のアルミニウム薄膜１５を除去する。その後、
フオＩ・レジスト１４を除去することにより、第１図及
び第２図の構造が得られる。

しかる」二で、第１図に示すように、第２の引出し電極
４ａ（ｖｎｎ）と４ｂ　（ＧＮＤ）に、探針５を接触さ
せ、バイアスを印加する。この際、半導体基板ば１２５
°Ｃ〜１５０°Ｃ程のステージに置いて加熱する。この
状態で２ｈｒ〜１０ｈｒ程度ノ＼イアスを印加しつづけ
ることにより第６図に示す初期不良をスクリーニングす
ることが可能となる。

このスクリーニングが終了した後に、第２図に示す切断
領域において半導体基板を切断することにより個々の半
導体装置１を切断分離し、第５図に示した従来と同じ半
導体チップを得ることができる。

この切断により第１の引出し電極２は外部配線３及び第
２の引出し電極４から分離されることは言うまでもない
。

なお、本実施例で第２の引き出し電極と外部配線はアル
ミニウム薄膜を用いたが、チタンと金の二層構造（Ｔｉ
５００〜１０００人、　Ａｕ　０．３〜１．０ｕｍ或い
はＴｉ−Ｐｂ−Ａｕ）を用いることにより、第１の引き
出し電極表面をより耐湿性の優れた状態にすることが可
能となる。

第４図は本発明の他の実施例を示しており、第２図のＡ
−Ａ線に相当する箇所の縦断面図である。

この実施例では、第１の引出し電極２を形成する際に、
同時に外部配線３と第２の引出し電極４を形成している
。

したがって、この構成では、フォトレジストを用いた製
造方法を用いることなく、外部配線と第２の引出し電極
を製造することが可能となる。

この実施例においても、外部配線と第２の引出し電極を
利用して半導体チップのスクリーニングを行い、かつそ
の後に切断して個々の半導体チップを得ることは前記実
施例と同じである。

なお、上述した各図に示す切断領域幅は他の領域に比べ
拡大して表しである。通常、半導体チップの一辺は、Ｌ
Ｓ　Ｉ、超ＬＳＩだと５ｍｍ以上あり、第１の引出し電
極の一辺は１００μｍ前後である。

第２の引出し電極は、−辺１ｍｍ以上にすることが可能
となり、探針等を外部から容易に接続することができる
。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体基板を高温状態に
設定した上で半導体装置に通電してスクリーニングを実
現することができ、初期不良を除去した半導体チップを
製造することができる。因みに、本発明方法で製造した
半導体チップの不良発生は、摩耗領域に達しない限りで
は１０−２〜１０−３倍程度不良発生を低減することが
可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１１６発明の一実施例の要部の平面図、第２図は第１
図の一部の拡大平面図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）は第２
図の構造を製造する方法を工程順に示す第２図のＡ−Ａ
線に沿う箇所の縦断面図、第４図は本発明の他の実施例
を示す第３図と同様の縦断面図、第５図は従来の製造方
法で得られる半導体チップの構造を示す平面図、第６・
図はパスタブカーブである。 ■・・・半導体チップ、２・・・第１の引出し電極、３
・・・外部配線、４・・・第２の引出し電極、５・・・
探針、１１・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３
・・・保護膜、１４・・・フォトレジスト、１５・・・
アルミニウム薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基板に形成された複数の半導体装置の第１の
   引出し電極に接続される外部電極と、この外部電極の一
   部に設けた第２の引出し電極を形成する工程と、この第
   ２の引出し電極にスクリーニング装置の探針を接触させ
   て前記半導体装置に通電してスクリーニングを行う工程
   と、少なくとも前記外部配線を含む領域で前記半導体基
   板を切断して前記半導体装置を夫々独立した半導体チッ
   プに分離させる工程とを含むことを特徴とする半導体装
   置の製造方法。