JPH02189955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02189955A JPH02189955A JP1060589A JP1060589A JPH02189955A JP H02189955 A JPH02189955 A JP H02189955A JP 1060589 A JP1060589 A JP 1060589A JP 1060589 A JP1060589 A JP 1060589A JP H02189955 A JPH02189955 A JP H02189955A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- impurity diffusion
- type impurity
- polycrystalline silicon
- diffusion region
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の構造、特にＮ形エピタキシャル
領域に形成されたＰ形不純物拡散領域と金属配線が交差
する場合に関する。
領域に形成されたＰ形不純物拡散領域と金属配線が交差
する場合に関する。
従来の技術では、第３図に示すようにＰ形不純物拡散領
域１の金属配線２が交差する場合、これらの間には両方
を絶縁するための酸化膜３を有している。この構造にお
いて、第４図で示すような酸化膜を誘電体とし、Ｐ形不
純物拡散領域と金属配線を両極とするコンデンサＣが形
成される。
域１の金属配線２が交差する場合、これらの間には両方
を絶縁するための酸化膜３を有している。この構造にお
いて、第４図で示すような酸化膜を誘電体とし、Ｐ形不
純物拡散領域と金属配線を両極とするコンデンサＣが形
成される。
上述した従来の構造では、酸化膜を誘電体とし、Ｐ形不
純物拡散領域と金属配線をそれぞれ電極とするコンデン
サを形成する為、Ｐ形不純物拡散層と金属配線との間に
不要な信号のもれが生じ、回路動作上の不具合が発生す
る欠点があった。
純物拡散領域と金属配線をそれぞれ電極とするコンデン
サを形成する為、Ｐ形不純物拡散層と金属配線との間に
不要な信号のもれが生じ、回路動作上の不具合が発生す
る欠点があった。
本発明の半導体装置は、Ｐ形不純物拡散層と金属配線が
交差する場合、これらの間に両方に対して絶縁膜によっ
て絶縁され、かつ集積回路上の電源の内、最高または最
低電位以外の電源電位によってバイアスされたＰ形また
はＮ形の多結晶シリコンを有している。
交差する場合、これらの間に両方に対して絶縁膜によっ
て絶縁され、かつ集積回路上の電源の内、最高または最
低電位以外の電源電位によってバイアスされたＰ形また
はＮ形の多結晶シリコンを有している。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
Ｐ形不純物拡散領域１と金属配線２との間に、両者に対
して絶縁膜３および３′によって絶縁されたＮ形または
Ｐ形の多結晶シリコン４を有する。
して絶縁膜３および３′によって絶縁されたＮ形または
Ｐ形の多結晶シリコン４を有する。
またこの多結晶シリコン４は集積回路上における電源の
うち最高または最低電位以外の電源電位でバイアスされ
ている。
うち最高または最低電位以外の電源電位でバイアスされ
ている。
第２図は、本発明によって形成される等何回路で、コン
デンサＣ１は金属配線２．多結晶シリコン４を電極とし
、絶縁膜３′を誘電体としたコンデンサであり、Ｃ２は
Ｐ形不純物拡散領域１．多結晶シリコン４を電極とし、
絶縁膜３を誘電体としたコンデンサである。
デンサＣ１は金属配線２．多結晶シリコン４を電極とし
、絶縁膜３′を誘電体としたコンデンサであり、Ｃ２は
Ｐ形不純物拡散領域１．多結晶シリコン４を電極とし、
絶縁膜３を誘電体としたコンデンサである。
以上、説明したように本発明は、Ｐ形不純物拡散領域と
金属配線が交差する場合、これらの間に絶縁膜によって
絶縁され、かつ集積回路上における低インピーダンスで
ある電源でバイアスされた、Ｐ形またはＮ形の多結晶シ
リコンを形成することにより、Ｐ形不純物拡散領域１と
金属配線２０発生する不用な信号はコンデンサＣ１，Ｃ
２によって、低インピーダンスである電源に接続された
多結晶シリコン４に抜け、Ｐ形不純物拡散領域１と金属
配線２の間におこる信号のもれによる回路動作の不具合
を防ぐ効果がある。
金属配線が交差する場合、これらの間に絶縁膜によって
絶縁され、かつ集積回路上における低インピーダンスで
ある電源でバイアスされた、Ｐ形またはＮ形の多結晶シ
リコンを形成することにより、Ｐ形不純物拡散領域１と
金属配線２０発生する不用な信号はコンデンサＣ１，Ｃ
２によって、低インピーダンスである電源に接続された
多結晶シリコン４に抜け、Ｐ形不純物拡散領域１と金属
配線２の間におこる信号のもれによる回路動作の不具合
を防ぐ効果がある。
第１図は、本発明の縦断面図、第２図は第１図の等価回
路図、第３図は、従来の半導体装置の縦断面図、第４図
は第３図の等価回路図である。 ■・・ ・Ｐ形不純物拡散層、２・・・・・金属配線、
３．３′・・・・・・絶縁膜、ｘ、 ｚ・・・・・・
金属配線電極、ｙ、ｙ’・・・・・・Ｐ形不純物拡散層
電極、Ｃ，ＣＩ。 Ｃ２・・・・・コンデンサ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ひθ、／ 第１ｉ図
路図、第３図は、従来の半導体装置の縦断面図、第４図
は第３図の等価回路図である。 ■・・ ・Ｐ形不純物拡散層、２・・・・・金属配線、
３．３′・・・・・・絶縁膜、ｘ、 ｚ・・・・・・
金属配線電極、ｙ、ｙ’・・・・・・Ｐ形不純物拡散層
電極、Ｃ，ＣＩ。 Ｃ２・・・・・コンデンサ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ひθ、／ 第１ｉ図
Claims (1)
- Ｎ形エピタキシャル領域中に形成されたＰ形不純物拡散
領域と金属配線が交差する場合、これらＰ形不純物拡散
領域と金属配線の間に、両方から、絶縁膜によって絶縁
され、かつ集積回路上における電源のうち、最高または
最低電位以外の電源電位によってバイアスされたＰ形、
またはＮ形の多結晶シリコンを有することを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060589A JPH02189955A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060589A JPH02189955A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189955A true JPH02189955A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11754879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060589A Pending JPH02189955A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189955A (ja) |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1060589A patent/JPH02189955A/ja active Pending
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