JPH02190457A - 恒温鍛造用金型の製造方法 - Google Patents
恒温鍛造用金型の製造方法Info
- Publication number
- JPH02190457A JPH02190457A JP666889A JP666889A JPH02190457A JP H02190457 A JPH02190457 A JP H02190457A JP 666889 A JP666889 A JP 666889A JP 666889 A JP666889 A JP 666889A JP H02190457 A JPH02190457 A JP H02190457A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment
- isothermal forging
- ceramic film
- temperature
- manufacture
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、析出強化型合金を用いた恒温鍛造用金型にお
ける熱処理に関するものである。
ける熱処理に関するものである。
恒温鍛造用金型は、鍛造温度によって使い分けが行われ
ており、７００〜８００℃の場合はＮｉ −Ｃｒ −Ｃ
ｏ系の１基合金である旧−−＾５１）（三菱金属の商品
）がよく用いられる０本合金は、８４０℃加熱後、空冷
によりＣｒｔ Ｃｏ＋ Ｍｏの固溶体強化が起こり、更
に７６０℃加熱後空冷により、ＡＺｌ Ｔｉの金属間化
合物を析出し、高温強度を得る析出強化型合金である。
ており、７００〜８００℃の場合はＮｉ −Ｃｒ −Ｃ
ｏ系の１基合金である旧−−＾５１）（三菱金属の商品
）がよく用いられる０本合金は、８４０℃加熱後、空冷
によりＣｒｔ Ｃｏ＋ Ｍｏの固溶体強化が起こり、更
に７６０℃加熱後空冷により、ＡＺｌ Ｔｉの金属間化
合物を析出し、高温強度を得る析出強化型合金である。
したがって、本合金を所定の金型形状に仕上げた後、前
記の固溶体強化処理及び析出強化処理を行い、研磨加工
の後、離型及び潤滑を目的としたセラミックス皮膜を形
成させていた。セラミックス皮膜の形成手段としては、
スパッタ法、イオンブレーティング法等である。
記の固溶体強化処理及び析出強化処理を行い、研磨加工
の後、離型及び潤滑を目的としたセラミックス皮膜を形
成させていた。セラミックス皮膜の形成手段としては、
スパッタ法、イオンブレーティング法等である。
しかし従来の方法では、セラミックス皮膜の形成温度を
、８００℃以上で行うと、析出強化処理によって析出さ
せた金属間化合物がＩｎ大化し強度劣化を起こすため、
セラミックス皮膜の形成温度は７６０℃以下に抑えなけ
ればならず、手段としてはスパッタ法または、イオンブ
レーティング法に限られている。
、８００℃以上で行うと、析出強化処理によって析出さ
せた金属間化合物がＩｎ大化し強度劣化を起こすため、
セラミックス皮膜の形成温度は７６０℃以下に抑えなけ
ればならず、手段としてはスパッタ法または、イオンブ
レーティング法に限られている。
（ｉ！ｇ題を解決するための手段）
上記課題を解決するために本発明は、Ｉｕ４Ａから金型
形状を形成した後、溶体化処理、固溶体化処理、及び析
出強化処理の熱処理工程のいずれかの熱処理工程中で、
セラミックス皮１１１Ａを形成するものである。
形状を形成した後、溶体化処理、固溶体化処理、及び析
出強化処理の熱処理工程のいずれかの熱処理工程中で、
セラミックス皮１１１Ａを形成するものである。
このように本発明方法によれば、セラミックス皮膜の形
成温度を、溶体化処理温度、あるいは固溶体化処理温度
に合わせ、これらの熱処理と同時にセラミックス皮膜を
形成することができる。
成温度を、溶体化処理温度、あるいは固溶体化処理温度
に合わせ、これらの熱処理と同時にセラミックス皮膜を
形成することができる。
すなわち、セラミックス皮膜の形成温度を熱処理温度に
合わせることから、一連の熱処理の効果を何ら１員なう
ことなく、又、熱処理と同時に皮膜形成を行なうので、
工程の省略化が達成されるものである。
合わせることから、一連の熱処理の効果を何ら１員なう
ことなく、又、熱処理と同時に皮膜形成を行なうので、
工程の省略化が達成されるものである。
表−Ｉに、本発明によるＴｉＣコーティングをしたＨＡ
−ＷＡＳＰ材の８００℃における０、２％耐力を示す
。
−ＷＡＳＰ材の８００℃における０、２％耐力を示す
。
表−１
８００℃における０、２％耐力
試料にはφｔｏｘｔｔｏ龍のＨ＾−ＷＡＳｒ’材を用い
た。
た。
試料へは、溶体化処理とＴｉＣコーティング処理を同時
に行ったもので、母材をＴｉｃのＣＶＤ装置内で１０４
０℃４時間加熱後、ＴｉＣコーティングを行い、更に、
真空炉にて固溶体強化処理及び析出強化処理を施したも
のである。試料Ｂは、固溶体強化処理とＴｉＣコーティ
ング処理を同時に行ったもので、母材を真空炉にて溶体
化処理後、プラズマＣＶＤ装置内で８４０℃、 １６時
間加熱後、ＴｉＣコーティングを行い、更に真空炉にて
析出゛強化処理を施したものである。試料Ｃは、試料Ａ
、 Ｂの比較サンプルとしてＴｉＣコーティングは行わ
ずに、ｉ＾−ＷＡＳＰの４１準熱処理（溶体化処理→固
溶体強化処理時析出強化処理）を施したものである。
に行ったもので、母材をＴｉｃのＣＶＤ装置内で１０４
０℃４時間加熱後、ＴｉＣコーティングを行い、更に、
真空炉にて固溶体強化処理及び析出強化処理を施したも
のである。試料Ｂは、固溶体強化処理とＴｉＣコーティ
ング処理を同時に行ったもので、母材を真空炉にて溶体
化処理後、プラズマＣＶＤ装置内で８４０℃、 １６時
間加熱後、ＴｉＣコーティングを行い、更に真空炉にて
析出゛強化処理を施したものである。試料Ｃは、試料Ａ
、 Ｂの比較サンプルとしてＴｉＣコーティングは行わ
ずに、ｉ＾−ＷＡＳＰの４１準熱処理（溶体化処理→固
溶体強化処理時析出強化処理）を施したものである。
表−１より、試料Ａ、Ｂ共に試料Ｃと同等の強度を有し
てお、す、熱処理を兼ねたセラミックス皮膜の成膜処理
が可能である事が確認できた。
てお、す、熱処理を兼ねたセラミックス皮膜の成膜処理
が可能である事が確認できた。
本発明は、以上説明したように金型材料の熱処理と、潤
滑及び離型を目的としたセラミックス皮膜め成膜を同時
に行うため、成膜時に加わる熱による金型の強度低下は
なく成膜処理温度による成ｎ９方式の１１−１約がな４
なり、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ等種々の成膜方式を
適用できるようになった。
滑及び離型を目的としたセラミックス皮膜め成膜を同時
に行うため、成膜時に加わる熱による金型の強度低下は
なく成膜処理温度による成ｎ９方式の１１−１約がな４
なり、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ等種々の成膜方式を
適用できるようになった。
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- 母材に析出強化型Ｎｉ基合金を用い、その表面にセラミ
ックス皮膜を有する恒温鍛造用金型の製造方法において
、母材から金型形状を形成した後、溶体化処理、固溶体
化処理、及び析出強化処理の熱処理工程のいずれかの熱
処理工程中で、前記セラミックス皮膜を形成することを
特徴とする恒温鍛造用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666889A JPH02190457A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 恒温鍛造用金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666889A JPH02190457A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 恒温鍛造用金型の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02190457A true JPH02190457A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=11644753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP666889A Pending JPH02190457A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 恒温鍛造用金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02190457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498340U (ja) * | 1991-01-29 | 1992-08-25 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP666889A patent/JPH02190457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498340U (ja) * | 1991-01-29 | 1992-08-25 |
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