JPH02192019A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非磁性支持体と磁性層からなる磁気記録媒体に
関するものであり、特に重層構成の磁性層を有する磁気
記録媒体に関するものである。
関するものであり、特に重層構成の磁性層を有する磁気
記録媒体に関するものである。
近年、磁気記録の発展にともない、より高画質、高音質
の要請が高い。この要請に答えるために磁気記録媒体は
これまで強磁性粉末の微粒子化、磁気記録媒体の高密度
化が進められてきた。また、磁気記録媒体が大量に消費
されてきて、メディアとして大量に消費されるようにな
ってくるとより安価でできることが要求される。その技
術として重層化が上げられる。それは上層で高画質用の
特性をもたせ、下層で高音質用の特性をもたせるため適
切な強磁性粉末が使用できるからである。また重層化は
、その層によって適性な材質を使えるために安価なコス
トで作製できる特徴も同時に持つ。−力筒画質、高音質
を達成するためには電磁変換特性、特にRf比出力上げ
、ノイズを下げてS/Nを向上させる必要がある。
の要請が高い。この要請に答えるために磁気記録媒体は
これまで強磁性粉末の微粒子化、磁気記録媒体の高密度
化が進められてきた。また、磁気記録媒体が大量に消費
されてきて、メディアとして大量に消費されるようにな
ってくるとより安価でできることが要求される。その技
術として重層化が上げられる。それは上層で高画質用の
特性をもたせ、下層で高音質用の特性をもたせるため適
切な強磁性粉末が使用できるからである。また重層化は
、その層によって適性な材質を使えるために安価なコス
トで作製できる特徴も同時に持つ。−力筒画質、高音質
を達成するためには電磁変換特性、特にRf比出力上げ
、ノイズを下げてS/Nを向上させる必要がある。
このためには、強磁性粉末を小さくして単位体積中の強
磁性粉末の数を増す必要がある。しかし、単位体積中の
強磁性粉末の数を単に増すために強磁性粉末の比表面積
を増しても、強磁性粉末の表面に空孔があいたりしてい
て、実際の粒子サイズは小さくなっていなかったり、短
軸と長袖の軸比が小さくなったりすると、上記の目的を
達成することが困難であった。
磁性粉末の数を増す必要がある。しかし、単位体積中の
強磁性粉末の数を単に増すために強磁性粉末の比表面積
を増しても、強磁性粉末の表面に空孔があいたりしてい
て、実際の粒子サイズは小さくなっていなかったり、短
軸と長袖の軸比が小さくなったりすると、上記の目的を
達成することが困難であった。
すなわち、空孔が生ずると磁性率の損失が大きくなり、
また強磁性粉末と軸比が小さくなると磁気記録媒体の製
造時における強磁性粉末の配向性が悪くなる等の問題が
あった。
また強磁性粉末と軸比が小さくなると磁気記録媒体の製
造時における強磁性粉末の配向性が悪くなる等の問題が
あった。
また、強磁性粉末を小さくすると、低抗磁力の成分が増
すためか、転写特性が悪化して実用に供しなくなるとい
う問題があった。
すためか、転写特性が悪化して実用に供しなくなるとい
う問題があった。
そこでこれらの問題を解決するために、特開昭63−1
87419号では最上層に平均長軸粒子長が0.25μ
m未満、X線回折法による結晶子サイズが300人未満
で最上層以外の強磁性粉末の平均長軸粒子長が0.25
μm以上、結晶子サイズが300Å以上である重層磁性
層を用いることを提案した。しかしながらVH3やβな
どシステムのビデオテープでは上層の磁性層のHcが6
50Oe以上1000Oe以下で、かつ下層の磁性層の
Hcは上層の0.6〜1.0倍であるような範囲が好ま
しいことがわかった。
87419号では最上層に平均長軸粒子長が0.25μ
m未満、X線回折法による結晶子サイズが300人未満
で最上層以外の強磁性粉末の平均長軸粒子長が0.25
μm以上、結晶子サイズが300Å以上である重層磁性
層を用いることを提案した。しかしながらVH3やβな
どシステムのビデオテープでは上層の磁性層のHcが6
50Oe以上1000Oe以下で、かつ下層の磁性層の
Hcは上層の0.6〜1.0倍であるような範囲が好ま
しいことがわかった。
しかし下層の平均長軸径が0.25μm以上の強磁性粉
末を用いると、低域でのノイズが上がりS/Nが大幅に
低下することがわかった。又、下層の長軸径が0.25
μm以上では表面性が十分に平滑となっておらず、Y−
3,Y−3/Nも低下する。即ち、本発明の目的は高域
及び低域の全帯域において出力及びS/Nが高く、かつ
転写特性も良好なビデオ用磁気記録媒体を提供すること
にある。
末を用いると、低域でのノイズが上がりS/Nが大幅に
低下することがわかった。又、下層の長軸径が0.25
μm以上では表面性が十分に平滑となっておらず、Y−
3,Y−3/Nも低下する。即ち、本発明の目的は高域
及び低域の全帯域において出力及びS/Nが高く、かつ
転写特性も良好なビデオ用磁気記録媒体を提供すること
にある。
本発明は非磁性支持体に酸化鉄もしくはコバルト含有酸
化鉄よりなる強磁性粉末を結合剤中に分散させてなる磁
性層を重層構成にして設けてなる磁気記録媒体において
、上層の磁性層のHcが650Oe以上1000Oe以
下で上層の磁性層に含まれる強磁性粉末のX線回折法に
よる結晶子サイズが500人未満でかつ平均長軸径が0
. 1μm以上0.25μm未満であり、下層の磁性層
のHcは上層の0.6〜1.0倍で下層の磁性層に含ま
れる強磁性粉末の結晶子サイズは500Å以下の範囲で
上層より大きく、平均長軸径は0゜1μmより大きく、
0.25μm未満の範囲で上層より大きいことを特徴と
する磁気記録媒体であり、これにより上記課題を解決し
、本目的を達成することができる。
化鉄よりなる強磁性粉末を結合剤中に分散させてなる磁
性層を重層構成にして設けてなる磁気記録媒体において
、上層の磁性層のHcが650Oe以上1000Oe以
下で上層の磁性層に含まれる強磁性粉末のX線回折法に
よる結晶子サイズが500人未満でかつ平均長軸径が0
. 1μm以上0.25μm未満であり、下層の磁性層
のHcは上層の0.6〜1.0倍で下層の磁性層に含ま
れる強磁性粉末の結晶子サイズは500Å以下の範囲で
上層より大きく、平均長軸径は0゜1μmより大きく、
0.25μm未満の範囲で上層より大きいことを特徴と
する磁気記録媒体であり、これにより上記課題を解決し
、本目的を達成することができる。
ビデオ用磁気記録媒体、例えばVH3、βなどのシステ
ムでは上層の磁性層のHcは650Oe以上1000O
e以下、好ましくは75’OOe〜950Oeの範囲で
ある。Hcが650Oe未満では高域の出力、S/Nが
劣る。Hcが1000Oeより大きいと顕著に低域の出
力、S/Nが低下する。又下層の磁性層のHcが上層の
0.6〜1.0の値に比べ小さすぎると顕著に転写特性
が劣化する。
ムでは上層の磁性層のHcは650Oe以上1000O
e以下、好ましくは75’OOe〜950Oeの範囲で
ある。Hcが650Oe未満では高域の出力、S/Nが
劣る。Hcが1000Oeより大きいと顕著に低域の出
力、S/Nが低下する。又下層の磁性層のHcが上層の
0.6〜1.0の値に比べ小さすぎると顕著に転写特性
が劣化する。
下層のHcは上層のHeの0.6〜1. 0倍が好まし
く、特に0.8〜1.0倍が好ましく、600Oe〜8
50Oeが最も好ましい。約1.1倍以上では長波長域
の電磁変換特性が劣り、約0.5倍以下では転写特性が
劣るので好ましくない。
く、特に0.8〜1.0倍が好ましく、600Oe〜8
50Oeが最も好ましい。約1.1倍以上では長波長域
の電磁変換特性が劣り、約0.5倍以下では転写特性が
劣るので好ましくない。
このようなHcのシステムにおいては、強磁性粉末の結
晶子サイズ、平均長軸径が高域、低域の出力、S/N及
び転写特性に大きく影響を及ぼすことがわかった。
晶子サイズ、平均長軸径が高域、低域の出力、S/N及
び転写特性に大きく影響を及ぼすことがわかった。
すなわち上層の強磁性粉末の結晶子サイズは500人未
満で好ましくは200人〜400人、特に好ましくは3
00人〜360人の範囲である。
満で好ましくは200人〜400人、特に好ましくは3
00人〜360人の範囲である。
500Å以上では高域の出力、S/N、及び低域の出力
、S/Nが低下する。このように上層の強磁性粉末の結
晶子サイズが大きすぎると単に高域のみならず低域の出
力、S/Nにも影響する。下層の強磁性粉末の結晶子サ
イズは500Å以下であり、好ましくは300人〜48
0人、特に好ましくは400人〜450人の範囲であり
、かつ上層の強磁性粉末の結晶子サイズより大きいこと
が必要である。下層の結晶サイズが小さすぎると分散性
が低下し、表面性が悪化するため高域、低域の出力、S
/Nが低下する。
、S/Nが低下する。このように上層の強磁性粉末の結
晶子サイズが大きすぎると単に高域のみならず低域の出
力、S/Nにも影響する。下層の強磁性粉末の結晶子サ
イズは500Å以下であり、好ましくは300人〜48
0人、特に好ましくは400人〜450人の範囲であり
、かつ上層の強磁性粉末の結晶子サイズより大きいこと
が必要である。下層の結晶サイズが小さすぎると分散性
が低下し、表面性が悪化するため高域、低域の出力、S
/Nが低下する。
次に上層の強磁性粉末の平均長軸径は0.1μm以上0
.25μm未満であり、好ましくは0゜1μm〜0.2
μmの範囲である。平均長軸径が0.1μm未満では配
向性が劣り、Brが低下するため高域の出力、S/Nが
低下する。0.25μm以上だと高域でのノイズが上が
り、S/Nが低下しやすい。
.25μm未満であり、好ましくは0゜1μm〜0.2
μmの範囲である。平均長軸径が0.1μm未満では配
向性が劣り、Brが低下するため高域の出力、S/Nが
低下する。0.25μm以上だと高域でのノイズが上が
り、S/Nが低下しやすい。
一方下層の強磁性粉末の平均長軸径は0.1μmより大
きく、0.25μm未満、好ましくは0゜15μm〜0
.24μmの範囲で上層より大きいことが必要である。
きく、0.25μm未満、好ましくは0゜15μm〜0
.24μmの範囲で上層より大きいことが必要である。
0.1μm未満では転写特性が劣化する。又0.25μ
m以上だと低域の出力、S/Nが顕著に劣化しやすく、
又高域の出力、S/Nも劣化しやすい。
m以上だと低域の出力、S/Nが顕著に劣化しやすく、
又高域の出力、S/Nも劣化しやすい。
本発明においては上層の磁性層のHcを650Oe以上
1000Oe以下にすることによって高、低域の出力、
S/Nが向上する。又下層の磁性層のHcを上層の0.
6〜1.0倍にすることにより、低域の出力、S/Nが
向上すると共に転写特性も改良される。上層の強磁性粉
末の結晶子サイズを500人未満とすることにより低域
及び高域のS/Nが改良される。下層の結晶子サイズは
500Å以下の範囲で上層より大きくすることにより表
面性が向上し、高低域の出力、S/Nが顕著に改善され
る。父上層の強磁性粉末の平均長軸径は0.1μm以上
0.25μm未満とすることにより高域、低域の出力、
S/Nがかなり改良される。下層の平均長軸径は0.1
μmより大きく、0.25μm未満の範囲で上層より大
きくすることにより低域の出力、S/Nが顕著に改良さ
れる。
1000Oe以下にすることによって高、低域の出力、
S/Nが向上する。又下層の磁性層のHcを上層の0.
6〜1.0倍にすることにより、低域の出力、S/Nが
向上すると共に転写特性も改良される。上層の強磁性粉
末の結晶子サイズを500人未満とすることにより低域
及び高域のS/Nが改良される。下層の結晶子サイズは
500Å以下の範囲で上層より大きくすることにより表
面性が向上し、高低域の出力、S/Nが顕著に改善され
る。父上層の強磁性粉末の平均長軸径は0.1μm以上
0.25μm未満とすることにより高域、低域の出力、
S/Nがかなり改良される。下層の平均長軸径は0.1
μmより大きく、0.25μm未満の範囲で上層より大
きくすることにより低域の出力、S/Nが顕著に改良さ
れる。
このような特定の範囲の組み合せにより高域、低域の出
力、S/N及び転写特性が改良されることは予期せぬ結
果であった。
力、S/N及び転写特性が改良されることは予期せぬ結
果であった。
本発明で用いた強磁性粉末の結晶子サイズはX線回折法
で(1,1,0)面で測定し、Hallの式により求め
られたものである。又平均長軸径は透過型電子顕微鏡に
よって測定したものである。
で(1,1,0)面で測定し、Hallの式により求め
られたものである。又平均長軸径は透過型電子顕微鏡に
よって測定したものである。
又、本発明に使用する強磁性微粉末としては酸化鉄(α
Fezes 、Feze4.FeOx (x−1,3
3〜1.50)等)もしくはCO含有酸化鉄(Co−α
FezO+ 、Co Fe304Co−FeOx
(x=1.33〜1.50)等)など公知の強磁性粉末
が使用できる。尚、前記CO含有酸化鉄とは、COドー
プもしくは固溶酸化鉄、Co被着酸化鉄等のCO変性酸
化鉄等を包含するものである。特に好ましいのは、上層
、下層共にCO−γ−Fezesである。
Fezes 、Feze4.FeOx (x−1,3
3〜1.50)等)もしくはCO含有酸化鉄(Co−α
FezO+ 、Co Fe304Co−FeOx
(x=1.33〜1.50)等)など公知の強磁性粉末
が使用できる。尚、前記CO含有酸化鉄とは、COドー
プもしくは固溶酸化鉄、Co被着酸化鉄等のCO変性酸
化鉄等を包含するものである。特に好ましいのは、上層
、下層共にCO−γ−Fezesである。
また、−船釣な針状酸化鉄製造では、硫酸第1鉄水溶液
にNaOH等のアルカリを加えpHを10以上に調整し
ながら加熱し、空気を反応系に吹き込んで酸化を続けて
αFe0OHを生成する。
にNaOH等のアルカリを加えpHを10以上に調整し
ながら加熱し、空気を反応系に吹き込んで酸化を続けて
αFe0OHを生成する。
ここでpHの値を大きくするとαFe0OHの結晶子サ
イズは大きくなる。そのαFe0OHを次工程で処理す
ることで、本発明で用いる磁性体の結晶子サイズをコン
□トロールできる。(T−酸化鉄の製造方法は特別なも
のでなく、既知ものと同様。) 本発明の磁性層あるいは所望により設けられるバック層
に使用されるバインダーとしては従来公知の熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂やこれらの混合物が使用
される。
イズは大きくなる。そのαFe0OHを次工程で処理す
ることで、本発明で用いる磁性体の結晶子サイズをコン
□トロールできる。(T−酸化鉄の製造方法は特別なも
のでなく、既知ものと同様。) 本発明の磁性層あるいは所望により設けられるバック層
に使用されるバインダーとしては従来公知の熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂やこれらの混合物が使用
される。
熱可塑性樹脂としては軟化温度が150℃以下、平均分
子量が10000〜aooooo、重合度が約50〜2
000程度のもので、例えば塩化ビニル酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン
共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、アク
リル酸エステルアクリロニトリル共重合体、アクリル酸
、エステル塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステ
ルスチレン共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニ
トリル共重合体、メタクリル酸エステル塩化ビニリデン
共重合体、メタクリル酸エステルスチレン共重合体、ウ
レタンエラストマー、ナイロンシリコン系樹脂、ニトロ
セルロース−ポリアミド樹脂、ポリフッカビニル、塩化
ビニリデンアクリロニトリル共重合体、ブタジェンアク
リロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブ
チラ−ル、セルロース誘導体(セルロースアセテートブ
チレート、セルロースダイアセテート、セルローストリ
アセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、メチルセルロース、プロピル
セルロース、メチルエチルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロース、アセチルセルロース等)、スチレンブタ
ジェン共重合体、ポリエステル樹脂、クロロビニルエー
テルアクリル酸エステル共重合体、アミノ樹脂、各種の
合成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの混合物等が使用
される。
子量が10000〜aooooo、重合度が約50〜2
000程度のもので、例えば塩化ビニル酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン
共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、アク
リル酸エステルアクリロニトリル共重合体、アクリル酸
、エステル塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステ
ルスチレン共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニ
トリル共重合体、メタクリル酸エステル塩化ビニリデン
共重合体、メタクリル酸エステルスチレン共重合体、ウ
レタンエラストマー、ナイロンシリコン系樹脂、ニトロ
セルロース−ポリアミド樹脂、ポリフッカビニル、塩化
ビニリデンアクリロニトリル共重合体、ブタジェンアク
リロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブ
チラ−ル、セルロース誘導体(セルロースアセテートブ
チレート、セルロースダイアセテート、セルローストリ
アセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、メチルセルロース、プロピル
セルロース、メチルエチルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロース、アセチルセルロース等)、スチレンブタ
ジェン共重合体、ポリエステル樹脂、クロロビニルエー
テルアクリル酸エステル共重合体、アミノ樹脂、各種の
合成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの混合物等が使用
される。
熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては塗布液の状態では
200000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に加熱
することにより、縮合、付加等の反応により分子量は無
限大のものとなる。又、これらの樹脂のなかで、樹脂が
熱分解するまでの間に軟化又は溶融しないものが好まし
い。具体的には例えばフェノール樹脂、フェノキシ樹脂
、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリ
ル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、ニトロセル
ロースメラミン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソ
シアネートプレポリマーの混合物、メタクリル酸塩共重
合体とジイソシアネートプレポリマーの混合物、ポリエ
ステルポリオールとポリイソシアネートとの混合物、尿
素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリコール/高分子
量ジオール/トリフェニルメクントリイソシアネートの
混合物、ポリアミン樹脂、ポリイミン樹脂及びこれらの
混合物等である。
200000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に加熱
することにより、縮合、付加等の反応により分子量は無
限大のものとなる。又、これらの樹脂のなかで、樹脂が
熱分解するまでの間に軟化又は溶融しないものが好まし
い。具体的には例えばフェノール樹脂、フェノキシ樹脂
、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリ
ル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、ニトロセル
ロースメラミン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソ
シアネートプレポリマーの混合物、メタクリル酸塩共重
合体とジイソシアネートプレポリマーの混合物、ポリエ
ステルポリオールとポリイソシアネートとの混合物、尿
素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリコール/高分子
量ジオール/トリフェニルメクントリイソシアネートの
混合物、ポリアミン樹脂、ポリイミン樹脂及びこれらの
混合物等である。
これらの結合剤の単独又は組合わされたものが使われ、
ほかに添加剤が加えられる。磁性層の強磁性粉末と結合
剤との混合割合は重量比で強磁性微粉末100重量部に
対して結合剤5〜300重量部、好ましくは10〜10
0重量部、より好ましくは20〜40重量部の範囲で使
用される。バック層の微粉末と結合剤の混合割合は重量
比で微粉末100重量部に対して結合剤30〜300重
量部、好ましくは40〜150重量部の範囲で使用され
る。添加剤は分散剤、潤滑剤、研磨剤、帯電防止剤、酸
化防止剤、溶剤等がくわえられる。
ほかに添加剤が加えられる。磁性層の強磁性粉末と結合
剤との混合割合は重量比で強磁性微粉末100重量部に
対して結合剤5〜300重量部、好ましくは10〜10
0重量部、より好ましくは20〜40重量部の範囲で使
用される。バック層の微粉末と結合剤の混合割合は重量
比で微粉末100重量部に対して結合剤30〜300重
量部、好ましくは40〜150重量部の範囲で使用され
る。添加剤は分散剤、潤滑剤、研磨剤、帯電防止剤、酸
化防止剤、溶剤等がくわえられる。
これらの熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂は、
主たる官能基以外に官能基よしてカルボン酸、スルフィ
ン酸、スルフェン酸、スルホン酸、燐酸、硫酸、ホスホ
ン、ホスフィン、ホウ酸、硫酸エステル基、燐酸エステ
ル基、これらのアルキルエステル基等の酸性基(これら
の酸性基は、Na塩などの形でもよい)、アミノ酸類;
アミノスルホン酸類、アミノアルコールの硫酸または燐
酸エステル類、アルキルベタイン型等の両性類基、アミ
ノ基、イミノ基、イミド基、アミド基、エポキシ基、等
また、水酸基、アルコキシル基、チオール基、ハロゲン
基、シリル基、シロキサン基を通常1種以上6種以内含
み、各々の官能基は樹脂1gあたりlXl0−’e(1
〜1×1O−2eq含む事が好ましい。
主たる官能基以外に官能基よしてカルボン酸、スルフィ
ン酸、スルフェン酸、スルホン酸、燐酸、硫酸、ホスホ
ン、ホスフィン、ホウ酸、硫酸エステル基、燐酸エステ
ル基、これらのアルキルエステル基等の酸性基(これら
の酸性基は、Na塩などの形でもよい)、アミノ酸類;
アミノスルホン酸類、アミノアルコールの硫酸または燐
酸エステル類、アルキルベタイン型等の両性類基、アミ
ノ基、イミノ基、イミド基、アミド基、エポキシ基、等
また、水酸基、アルコキシル基、チオール基、ハロゲン
基、シリル基、シロキサン基を通常1種以上6種以内含
み、各々の官能基は樹脂1gあたりlXl0−’e(1
〜1×1O−2eq含む事が好ましい。
本発明にもちいるポリイソシアネートとしては、トリレ
ンジイソシアネート、4.4’ −ジフェニルメタンジ
イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート、ナフチレン−1,5−ジイ
ソシアネート、0−トルイジンジイソシアネート、イソ
ホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソ
シアネート、イソホロンジイソシアネート等のイソシア
ネート類、又当該イソシアネート類とポリアルコールと
の生成物、又イソシアネート類の縮合に依って生成した
2〜15量体のポリイソシアネート等を使用することが
できる。これらポリイソシアネート類の平均分子量は、
100〜20000のものが好適である。これらポリイ
ソシアネートの市販されている商品名としては、コロネ
ート上1コロネートHL、コロネート2030、コロネ
ート2031、ミリオネートMR、ミリオネートMTL
(日本ポリウレタン■製)、タケネートD−102、タ
ケネートD−11ON、タケネートD−200、タケネ
ートD−202、タケネート300S、タケネート50
0(武田薬品■製)、スミジュールT−80、スミジュ
ール44S、スミジュールPF、スミジュールL2スミ
ジュールN、デスモジュールL1デスモジュールIL、
デスモジニールN1デスモジユールHL、デスモジユー
ルT65、デスモジュール15、デスモジュールR1デ
スモジュールRF、デスモジュールR1デスモジュール
Z4273 (住友バイエル社製)等があり、これらを
単独若しくは硬化反応性の差を利用して二つ若しくはそ
れ以上の組み合わせによって使用することができる。又
、硬化反応を促進する目的で、水酸基(ブタンジオール
、ヘキサンジオール、分子量が1000〜10000の
ポリウレタン、水 等)、アミノ基(モノメチルアミン
、ジメチルアミン、トリメチルアミン等)を有する化合
物や金属酸化物の触媒を併用する事も出来る。
ンジイソシアネート、4.4’ −ジフェニルメタンジ
イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート、ナフチレン−1,5−ジイ
ソシアネート、0−トルイジンジイソシアネート、イソ
ホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソ
シアネート、イソホロンジイソシアネート等のイソシア
ネート類、又当該イソシアネート類とポリアルコールと
の生成物、又イソシアネート類の縮合に依って生成した
2〜15量体のポリイソシアネート等を使用することが
できる。これらポリイソシアネート類の平均分子量は、
100〜20000のものが好適である。これらポリイ
ソシアネートの市販されている商品名としては、コロネ
ート上1コロネートHL、コロネート2030、コロネ
ート2031、ミリオネートMR、ミリオネートMTL
(日本ポリウレタン■製)、タケネートD−102、タ
ケネートD−11ON、タケネートD−200、タケネ
ートD−202、タケネート300S、タケネート50
0(武田薬品■製)、スミジュールT−80、スミジュ
ール44S、スミジュールPF、スミジュールL2スミ
ジュールN、デスモジュールL1デスモジュールIL、
デスモジニールN1デスモジユールHL、デスモジユー
ルT65、デスモジュール15、デスモジュールR1デ
スモジュールRF、デスモジュールR1デスモジュール
Z4273 (住友バイエル社製)等があり、これらを
単独若しくは硬化反応性の差を利用して二つ若しくはそ
れ以上の組み合わせによって使用することができる。又
、硬化反応を促進する目的で、水酸基(ブタンジオール
、ヘキサンジオール、分子量が1000〜10000の
ポリウレタン、水 等)、アミノ基(モノメチルアミン
、ジメチルアミン、トリメチルアミン等)を有する化合
物や金属酸化物の触媒を併用する事も出来る。
これらの水酸基やアミノ基を有する化合物は多官能であ
る事が望ましい。これらのポリイソシアネートはバイン
ダー総量の5〜40wt%、好ましくは20〜40wt
%の範囲で用いられる。
る事が望ましい。これらのポリイソシアネートはバイン
ダー総量の5〜40wt%、好ましくは20〜40wt
%の範囲で用いられる。
本発明に使用する分散剤としては、カプリル酸、カプリ
ン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エライジン酸、リノ
ール酸、リルン酸、ステアロール酸等の炭素数10〜2
6個の脂肪酸(R。
ン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エライジン酸、リノ
ール酸、リルン酸、ステアロール酸等の炭素数10〜2
6個の脂肪酸(R。
C0OH,R,は炭素数9〜25個のアルキル基)、前
記の脂肪酸のアルカリ金属(L i、Na、K、NH,
+等)またはアルカリ土類金属(Mg、Ca、Ba等)
、Cu、Pb等から成る金属石鹸、上記脂肪酸の脂肪酸
アミド;レシチン等が使用される。
記の脂肪酸のアルカリ金属(L i、Na、K、NH,
+等)またはアルカリ土類金属(Mg、Ca、Ba等)
、Cu、Pb等から成る金属石鹸、上記脂肪酸の脂肪酸
アミド;レシチン等が使用される。
この他に炭素数4以上の高級アルコール(ブタノール、
オクチルアルコール、ミリスチルアルコール、ステアリ
ルアルコール)及びこれらの硫酸エステル、燐酸エステ
ル、アミン化合物等も使用可能である。また、ポリアル
キレンオキサイド及びこれらの硫酸エステル、燐酸エス
テル、アミン化合物等やスルホ琥珀酸、スルホ琥珀酸エ
ステル等も使用可能である。これらの化合物にはバイン
ダーとの相溶性や特性を変えるためにSi、Fの置換基
を導入することも可能である。これらの分散剤は通常一
種類以上で用いられ、一種類の分散剤は結合剤100重
量部に対して0.005〜20重量部の範囲で添加され
る。これら分散剤の使用方法は、強磁性微粉末や非磁性
微粉末の表面に予め被着させても良く、また分散途中で
添加してもよい。
オクチルアルコール、ミリスチルアルコール、ステアリ
ルアルコール)及びこれらの硫酸エステル、燐酸エステ
ル、アミン化合物等も使用可能である。また、ポリアル
キレンオキサイド及びこれらの硫酸エステル、燐酸エス
テル、アミン化合物等やスルホ琥珀酸、スルホ琥珀酸エ
ステル等も使用可能である。これらの化合物にはバイン
ダーとの相溶性や特性を変えるためにSi、Fの置換基
を導入することも可能である。これらの分散剤は通常一
種類以上で用いられ、一種類の分散剤は結合剤100重
量部に対して0.005〜20重量部の範囲で添加され
る。これら分散剤の使用方法は、強磁性微粉末や非磁性
微粉末の表面に予め被着させても良く、また分散途中で
添加してもよい。
このほかに分散剤として好ましい化合物としては、カル
ボン酸、燐酸エステル等の界面活性剤やフッ素系界面活
性剤フロラード(fluorad)Fe12、FCl2
9、Fe430、Fe231を用いる事ができる。
ボン酸、燐酸エステル等の界面活性剤やフッ素系界面活
性剤フロラード(fluorad)Fe12、FCl2
9、Fe430、Fe231を用いる事ができる。
本発明の磁性層あるいはバック層に使用される潤滑剤と
しては、二硫化モリブデン、窒化硼酸、弗化黒鉛、炭酸
カルシウム、硫酸バリウム、酸化ケイン、酸化チタン、
酸化亜鉛、酸化錫、二硫化タングステン等の無機微粉末
、アクリルスチレン系樹脂微粉末、ベンゾグアナミン系
樹脂微粉末、メラミン系樹脂微粉末、ポリオレフィン系
樹脂微粉末、ポリエステル系樹脂微粉末、ポリアミド系
樹脂微粉末、ポリイミド系樹脂微粉末、ポリ弗化エチレ
ン系樹脂微粉末等の樹脂微粉末、シリコンオイル、脂肪
酸変性シリコンオイル、グラファイト、弗化アルコール
、ポリオレフィン(ポリエチレンワックス等)、ポリグ
リコール(ポリエチレンオキシドワックス等)、テトラ
フルオロエチレンオキシドワックス、ポリテトラフルオ
ログリコール、パーフルオロ脂肪酸、パーフルオロ脂肪
酸エステル、パーフルオロアルキル硫酸エステル、パー
フルオロアルキル燐酸エステル、アルキル燐酸エステル
、ポリフェニルエーテル、炭素数10〜20の一塩基性
脂肪酸と炭素数3〜12個の一価のアルコールもしくは
二価のアルコール、三価のアルコール、四価のアルコー
ル、六価のアルコールのいずれか1つもしくは2つ以上
とから成る脂肪酸エステル類、炭素数10個以上の一塩
基性脂肪酸と該脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が11
〜28個と成る一価〜六価のアルコールから成る脂肪酸
エステル類等の有機化合物潤滑剤が使用できる。又、炭
素数8〜22の脂肪酸或いは脂肪酸アミド、脂肪族アル
コールも使用できる。これら有機化合物潤滑剤の具体的
な例としては、カプリル酸ブチル、カプリル酸オクチル
、ラウリン酸エチル、ラウリン酸ブチル、ラウリン酸オ
クチル、ミリスチン酸エチル、ミリスチン酸ブチル、ミ
リスチ酸オクチル、パルミチン酸エチル、パルミチン酸
ブチル、パルミチン酸オクチル、ステアリン酸エチル、
ステアリン酸ブチル、ステアリン酸オクチル、ステアリ
ン酸アミル、アンヒドロソルビタンモノステアレート、
アンヒドロソルビクンジステアレート、アンヒドロソル
ビタントリステアレート、アンヒドロソルビタントリス
テアレート、アンヒドロソルビタンエチレンオキシドモ
ノステアレート、オレイルオレート、オレイルアルコー
ル、ラウリルアルコール等が有り単独若しくは組合わせ
て使用出来る。また本発明に使用される潤滑剤としては
所謂潤滑油添加剤も単独若しくは組合わせて使用出来、
酸化防止剤(アルキルフェノール等)、錆どめ剤(ナフ
テン酸、アルケニルコハク酸、ジラウリルフォスフェー
ト等)、油性剤(ナタネ油、ラウリルアルコール等)、
極圧剤(ジベンジルスルフィド、トリクレジルフォスフ
ェート、トリブチルホスファイト等)、清浄分散剤、粘
度指数向上剤、流動点降下剤、泡どめ剤等がある。これ
らの潤滑剤は結合剤100重量部に対して0.05〜2
0重量部の範囲で添加される。
しては、二硫化モリブデン、窒化硼酸、弗化黒鉛、炭酸
カルシウム、硫酸バリウム、酸化ケイン、酸化チタン、
酸化亜鉛、酸化錫、二硫化タングステン等の無機微粉末
、アクリルスチレン系樹脂微粉末、ベンゾグアナミン系
樹脂微粉末、メラミン系樹脂微粉末、ポリオレフィン系
樹脂微粉末、ポリエステル系樹脂微粉末、ポリアミド系
樹脂微粉末、ポリイミド系樹脂微粉末、ポリ弗化エチレ
ン系樹脂微粉末等の樹脂微粉末、シリコンオイル、脂肪
酸変性シリコンオイル、グラファイト、弗化アルコール
、ポリオレフィン(ポリエチレンワックス等)、ポリグ
リコール(ポリエチレンオキシドワックス等)、テトラ
フルオロエチレンオキシドワックス、ポリテトラフルオ
ログリコール、パーフルオロ脂肪酸、パーフルオロ脂肪
酸エステル、パーフルオロアルキル硫酸エステル、パー
フルオロアルキル燐酸エステル、アルキル燐酸エステル
、ポリフェニルエーテル、炭素数10〜20の一塩基性
脂肪酸と炭素数3〜12個の一価のアルコールもしくは
二価のアルコール、三価のアルコール、四価のアルコー
ル、六価のアルコールのいずれか1つもしくは2つ以上
とから成る脂肪酸エステル類、炭素数10個以上の一塩
基性脂肪酸と該脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が11
〜28個と成る一価〜六価のアルコールから成る脂肪酸
エステル類等の有機化合物潤滑剤が使用できる。又、炭
素数8〜22の脂肪酸或いは脂肪酸アミド、脂肪族アル
コールも使用できる。これら有機化合物潤滑剤の具体的
な例としては、カプリル酸ブチル、カプリル酸オクチル
、ラウリン酸エチル、ラウリン酸ブチル、ラウリン酸オ
クチル、ミリスチン酸エチル、ミリスチン酸ブチル、ミ
リスチ酸オクチル、パルミチン酸エチル、パルミチン酸
ブチル、パルミチン酸オクチル、ステアリン酸エチル、
ステアリン酸ブチル、ステアリン酸オクチル、ステアリ
ン酸アミル、アンヒドロソルビタンモノステアレート、
アンヒドロソルビクンジステアレート、アンヒドロソル
ビタントリステアレート、アンヒドロソルビタントリス
テアレート、アンヒドロソルビタンエチレンオキシドモ
ノステアレート、オレイルオレート、オレイルアルコー
ル、ラウリルアルコール等が有り単独若しくは組合わせ
て使用出来る。また本発明に使用される潤滑剤としては
所謂潤滑油添加剤も単独若しくは組合わせて使用出来、
酸化防止剤(アルキルフェノール等)、錆どめ剤(ナフ
テン酸、アルケニルコハク酸、ジラウリルフォスフェー
ト等)、油性剤(ナタネ油、ラウリルアルコール等)、
極圧剤(ジベンジルスルフィド、トリクレジルフォスフ
ェート、トリブチルホスファイト等)、清浄分散剤、粘
度指数向上剤、流動点降下剤、泡どめ剤等がある。これ
らの潤滑剤は結合剤100重量部に対して0.05〜2
0重量部の範囲で添加される。
本発明に用いる磁性層あるいはバンク層の研磨剤として
は一般に使用される研磨作用若しくは琢磨作用をもつ材
料で、α−アルミナ、γ−アルミナ、熔融アルミナ、炭
化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、コランダム、人
造ダイヤモンド、α酸化鉄、ザクロ石、エメリー(主成
分:コランダムと磁鉄t)、ガーネット、ケイ石、窒化
ケイ素、窒化硼素、炭化モリブデン、炭化硼素、炭化タ
ングステン、チタンカーバイド、クォーツ、トリポリ、
ケイソウ土、ドロマイト等で、主としてモース硬度8以
上より好ましくはモース硬度8以上の材料が1内至4種
迄の組合わせで使用される、これらの研磨剤は平均粒子
サイズが0.005〜5ミクロンの大きさのものが使用
され、特に好ましくは0.01〜2ミクロンである。こ
れらの研磨剤は結合剤100重量部に対して0.01〜
20重量部、好ましくは1〜15重量部の範囲で添加さ
れる。
は一般に使用される研磨作用若しくは琢磨作用をもつ材
料で、α−アルミナ、γ−アルミナ、熔融アルミナ、炭
化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、コランダム、人
造ダイヤモンド、α酸化鉄、ザクロ石、エメリー(主成
分:コランダムと磁鉄t)、ガーネット、ケイ石、窒化
ケイ素、窒化硼素、炭化モリブデン、炭化硼素、炭化タ
ングステン、チタンカーバイド、クォーツ、トリポリ、
ケイソウ土、ドロマイト等で、主としてモース硬度8以
上より好ましくはモース硬度8以上の材料が1内至4種
迄の組合わせで使用される、これらの研磨剤は平均粒子
サイズが0.005〜5ミクロンの大きさのものが使用
され、特に好ましくは0.01〜2ミクロンである。こ
れらの研磨剤は結合剤100重量部に対して0.01〜
20重量部、好ましくは1〜15重量部の範囲で添加さ
れる。
本発明の分散、混練、塗布の際に使用する有機溶媒とし
ては、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン
、テトラヒドロフラン等のケトン系;メタノール、エタ
ノール、プロパツール、ブタノール、イソブチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノ
ールなどのアルコール系;酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エ
チル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエステル
系;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、グリコー
ルジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、
ジオキサンなどのエーテル系;ベンゼン、トルエン、キ
シレン、クレゾール、クロルベンゼン、スチレンなどの
タール系(芳香族炭化水素);メチレンクロライド、エ
チレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレ
ンクロルヒドリン、ジクロルヘンゼン等の塩素化炭化水
素、N、N−ジメチルホルムアルデヒド、ヘキサン等の
ものが使用できる。
ては、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン
、テトラヒドロフラン等のケトン系;メタノール、エタ
ノール、プロパツール、ブタノール、イソブチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノ
ールなどのアルコール系;酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エ
チル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエステル
系;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、グリコー
ルジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、
ジオキサンなどのエーテル系;ベンゼン、トルエン、キ
シレン、クレゾール、クロルベンゼン、スチレンなどの
タール系(芳香族炭化水素);メチレンクロライド、エ
チレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレ
ンクロルヒドリン、ジクロルヘンゼン等の塩素化炭化水
素、N、N−ジメチルホルムアルデヒド、ヘキサン等の
ものが使用できる。
混練の方法には特に制限はなく、また各成分の添加順序
などは適宜設定することができる。磁性塗料およびバッ
ク層塗料の調製には通常の混練機、例えば、二本ロール
ミル、三本ロールミル、ボールミル、ペブルミル、トロ
ンミル、サンドグラインダー、ゼグバリ(Szegva
ri)、アトライター、高速インペラー、分散機、高速
ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイスパー、ニーダ−
高速ミキサー、リボンブレンダー、コニーダーインテン
シブミキサー、タンブラ−、ブレンダーディスパーザー
、ホモジナイザー、単軸スクリュー押し出し機、二軸ス
クリュー押し出し機、及び超音波分散機などを用いるこ
とができる。混線分散に関する技術の詳細は、T、C,
FATTON著(チー、シー、パラトン) ” Pa
1nt Flow andPigment Dispe
rsion” (ペイント フロー アンド ピグメン
ト ディスバージョン>1964年John Wile
y & 5ons社発行(ジョン ウィリーアンド サ
ンズ)や田中信−著「工業材料」25巻37 (197
7年)などや当該書籍の引用文献に記載されており、連
続処理の為これらの混線分散機を適宜組み合わせ送液し
塗布する。また、米国特許第2581414号及び同第
2855156号などの明細書にも記載がある。本発明
においても上記の書籍や当該書籍の引用文献などに記載
された方法に準じて混線分散を行い磁性塗料およびバッ
ク層塗料を調製することができる。
などは適宜設定することができる。磁性塗料およびバッ
ク層塗料の調製には通常の混練機、例えば、二本ロール
ミル、三本ロールミル、ボールミル、ペブルミル、トロ
ンミル、サンドグラインダー、ゼグバリ(Szegva
ri)、アトライター、高速インペラー、分散機、高速
ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイスパー、ニーダ−
高速ミキサー、リボンブレンダー、コニーダーインテン
シブミキサー、タンブラ−、ブレンダーディスパーザー
、ホモジナイザー、単軸スクリュー押し出し機、二軸ス
クリュー押し出し機、及び超音波分散機などを用いるこ
とができる。混線分散に関する技術の詳細は、T、C,
FATTON著(チー、シー、パラトン) ” Pa
1nt Flow andPigment Dispe
rsion” (ペイント フロー アンド ピグメン
ト ディスバージョン>1964年John Wile
y & 5ons社発行(ジョン ウィリーアンド サ
ンズ)や田中信−著「工業材料」25巻37 (197
7年)などや当該書籍の引用文献に記載されており、連
続処理の為これらの混線分散機を適宜組み合わせ送液し
塗布する。また、米国特許第2581414号及び同第
2855156号などの明細書にも記載がある。本発明
においても上記の書籍や当該書籍の引用文献などに記載
された方法に準じて混線分散を行い磁性塗料およびバッ
ク層塗料を調製することができる。
磁性層の形成は上記の組成などを任意に組合せて有機溶
媒に溶解し、塗布溶液として支持体上に塗布・乾燥する
。テープとして使用する場合には支持体の厚み2.5〜
100ミクロン程度、好ましくは3〜70ミクロン程度
が良い。ディスクもしくはカード状の場合は厚みが0.
03〜10mm程度であり、ドラムの場合は円筒状で用
いる事も出来る。素材としてはポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン、ポリエチレン等ポリオレフィン類、セ
ルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等
のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等のビニル系樹脂類、ポリカーボネート、ポリアミ
ド、ポリスルホン等のプラスチックのほかにアルミニウ
ム、銅等の金属、ガラス等のセラミックス等も使用出来
る。これらの支持体は塗布に先立って、コロナ放電処理
、プラズマ処理、下塗処理、熱処理、除塵埃処理、金属
蒸着処理、アルカリ処理をおこなってもよい。
媒に溶解し、塗布溶液として支持体上に塗布・乾燥する
。テープとして使用する場合には支持体の厚み2.5〜
100ミクロン程度、好ましくは3〜70ミクロン程度
が良い。ディスクもしくはカード状の場合は厚みが0.
03〜10mm程度であり、ドラムの場合は円筒状で用
いる事も出来る。素材としてはポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン、ポリエチレン等ポリオレフィン類、セ
ルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等
のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等のビニル系樹脂類、ポリカーボネート、ポリアミ
ド、ポリスルホン等のプラスチックのほかにアルミニウ
ム、銅等の金属、ガラス等のセラミックス等も使用出来
る。これらの支持体は塗布に先立って、コロナ放電処理
、プラズマ処理、下塗処理、熱処理、除塵埃処理、金属
蒸着処理、アルカリ処理をおこなってもよい。
支持体上へ前記の磁性層ならびにバック層を塗布する方
法としてはエアードクターコート、ブレードコート、エ
アナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバー
スロールコート、トランスファーロールコート、グラビ
アコート、キスコート、キャストコート、スプレィコー
ト、バーコード、スピンコード等が利用出来、その他の
方法も可能であり、これらの具体的説明は浅倉書店発行
の「コーティング工業」253頁〜277頁(昭和46
.3.20.発行)に詳細に記載されている。
法としてはエアードクターコート、ブレードコート、エ
アナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバー
スロールコート、トランスファーロールコート、グラビ
アコート、キスコート、キャストコート、スプレィコー
ト、バーコード、スピンコード等が利用出来、その他の
方法も可能であり、これらの具体的説明は浅倉書店発行
の「コーティング工業」253頁〜277頁(昭和46
.3.20.発行)に詳細に記載されている。
特に、本発明の場合、下層用塗布液と上層用塗布液を湿
潤状態で重畳して塗布するいわゆるウェットオンウェッ
ト塗布方式が好ましい。
潤状態で重畳して塗布するいわゆるウェットオンウェッ
ト塗布方式が好ましい。
ウェットオンウェット方式としては特開昭611399
29号公報に記載の塗布方法を用いることができる。
29号公報に記載の塗布方法を用いることができる。
また、上記の強磁性粉末と結合剤の分散方法および支持
体への塗布方法などの詳細は特開昭5446011号お
よび同54−21805号等の各公報に記載されている
。
体への塗布方法などの詳細は特開昭5446011号お
よび同54−21805号等の各公報に記載されている
。
このような方法により、支持体上に塗布された磁性層は
必要により層中の磁性粉末を直ちに乾燥しながら所望の
方向へ配向させる処理を施したのち、形成した磁性層を
乾燥する。このときの支持体の搬送速度は、通常10m
/分〜1000m/分でおこなわれ、乾燥温度が20°
C−130°Cで制御される。又必要により、例えば、
米国特許第3473960号明細書に記載の表面平滑化
加工を施したり、所望の形状に裁断したりして、本発明
の磁気記録体を製造する。これらの製造方法はフィラー
の表面処理、混練・分散、塗布、熱処理、カレンダー1
、放射線照射(EB)処理、表面研磨処理、裁断の工程
を連続して行う事が好ましい。
必要により層中の磁性粉末を直ちに乾燥しながら所望の
方向へ配向させる処理を施したのち、形成した磁性層を
乾燥する。このときの支持体の搬送速度は、通常10m
/分〜1000m/分でおこなわれ、乾燥温度が20°
C−130°Cで制御される。又必要により、例えば、
米国特許第3473960号明細書に記載の表面平滑化
加工を施したり、所望の形状に裁断したりして、本発明
の磁気記録体を製造する。これらの製造方法はフィラー
の表面処理、混練・分散、塗布、熱処理、カレンダー1
、放射線照射(EB)処理、表面研磨処理、裁断の工程
を連続して行う事が好ましい。
また必要に応じて幾つか、に工程を分ける事ができこれ
らの工程においては、温度、湿度が制御され、温度は1
0°C〜130°C1湿度は空気中の水分量で表すと、
5mg/nf〜20mg/n?である。
らの工程においては、温度、湿度が制御され、温度は1
0°C〜130°C1湿度は空気中の水分量で表すと、
5mg/nf〜20mg/n?である。
これらは、例えば、特公昭40−23625号公報、特
公昭39−28368号公報、米国特許第347396
0号明細書、等にしめされている。
公昭39−28368号公報、米国特許第347396
0号明細書、等にしめされている。
又、特公昭41−13181号公報にしめされる方法は
この分野における基本的、且つ重要な技術と考えられて
いる。
この分野における基本的、且つ重要な技術と考えられて
いる。
以下に本発明を実施例により更に具体的に説明する。こ
こに示す成分、割合、操作順序等は本発明の精神から逸
脱しない範囲において変更しうるものであることは本業
界に携わるものにとっては容易に理解されることである
。
こに示す成分、割合、操作順序等は本発明の精神から逸
脱しない範囲において変更しうるものであることは本業
界に携わるものにとっては容易に理解されることである
。
従って、本発明は下記の実施例に制限されるべきではな
い。尚、実施例及び比較例中の部は重量部をしめす。
い。尚、実施例及び比較例中の部は重量部をしめす。
(実施例)
Co−FeOx (x=1.45、He、結晶子すイズ
、平均長軸径については表−1) 100部 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(スルホン酸基0.25
%含有、重合度400) 15部ポリエステ
ルポリウレタン(スルホン酸基0.1%含有)
5部ポリイソシアネート(コロ
ネート L)6.7部導電性カーボン(10mμ)
10部オレイン酸
2部酢酸ブチル
20部MEK 80部上記
の組成で調液した塗布液を、単層及び重層塗布をおこな
った。ここで単層の膜厚は4μ、重層では上層0.5μ
、下層3.5μとした。また使用した支持体は14μ厚
のPETとした。
、平均長軸径については表−1) 100部 塩化ビニル酢酸ビニル共重合体(スルホン酸基0.25
%含有、重合度400) 15部ポリエステ
ルポリウレタン(スルホン酸基0.1%含有)
5部ポリイソシアネート(コロ
ネート L)6.7部導電性カーボン(10mμ)
10部オレイン酸
2部酢酸ブチル
20部MEK 80部上記
の組成で調液した塗布液を、単層及び重層塗布をおこな
った。ここで単層の膜厚は4μ、重層では上層0.5μ
、下層3.5μとした。また使用した支持体は14μ厚
のPETとした。
得られた試料の各特性を下記の方法により評価し、その
結果を表−1に記載した。
結果を表−1に記載した。
y−s (高域変換特性)−−・50%wh r t
eの映像信号を基準録画電流で記録し、その再生出力の
エンベロープの平均値をオシロスコープで測定し、(1
)式により算出した。
eの映像信号を基準録画電流で記録し、その再生出力の
エンベロープの平均値をオシロスコープで測定し、(1
)式により算出した。
C−S (低域変換特性)・・・カラー−色信号の映像
信号を基準録画電流で記録し、上記と同様な方法で算出
した。
信号を基準録画電流で記録し、上記と同様な方法で算出
した。
再生出力感度(dB) −20log+oV/V。
・・・ (1)
■:平均値 ■。:比較例7−1の平均値Y−3/N
・・・シバツク製ノイズメーター(925R)を使用し
、基準テープを比較例7−1とし、S/N比の差を求め
た。
・・・シバツク製ノイズメーター(925R)を使用し
、基準テープを比較例7−1とし、S/N比の差を求め
た。
バイパスフィルター10KHz、ローパスフィルター4
.2MHzでノイズレベルを測定した。使用したVTR
は検子NV−8200である。
.2MHzでノイズレベルを測定した。使用したVTR
は検子NV−8200である。
C−3/N・・・シバツク製ノイズメーター(925R
)を使用し、バイパスフィルター10KHz、ローパス
フィルター500KHzAMでおこなった。VTRは検
子NV−8200を使用した。比較例7−1を基準(O
dB)として比較した。
)を使用し、バイパスフィルター10KHz、ローパス
フィルター500KHzAMでおこなった。VTRは検
子NV−8200を使用した。比較例7−1を基準(O
dB)として比較した。
S/P (転写特性)・・・規定入力レベルより10d
B高いレベルで1kHzの正弦波信号を無信号、1kH
z、無信号(リール約10回転)、1kHz(リール1
回転以内)、無信号の順で数回くり返す 要領で録音し、温度30+0.5°Cで48時間放置し
た。その再生出力レベルと、1kHzの帯域フィルタを
通した無信号部分の最大転写信号レベルを、それぞれ測
定して、次式により算出した。
B高いレベルで1kHzの正弦波信号を無信号、1kH
z、無信号(リール約10回転)、1kHz(リール1
回転以内)、無信号の順で数回くり返す 要領で録音し、温度30+0.5°Cで48時間放置し
た。その再生出力レベルと、1kHzの帯域フィルタを
通した無信号部分の最大転写信号レベルを、それぞれ測
定して、次式により算出した。
転写(dB)=A−B
A:録音した1kHzの再生出力レベル(dBs)
B:最大転写信号レベル(dBs)
上表より明らかなごとく、高域の感度、出力に影響する
のは主に上層の強磁性粉末であるが、Hcが小さすぎた
り、結晶子サイズ、平均長軸径が大きすぎると劣化しや
すい。しかし特に著しいのは上層の磁性層のHcが大き
すぎる場合であり、このような効果は従来あまり考えら
れなかったものである。
のは主に上層の強磁性粉末であるが、Hcが小さすぎた
り、結晶子サイズ、平均長軸径が大きすぎると劣化しや
すい。しかし特に著しいのは上層の磁性層のHcが大き
すぎる場合であり、このような効果は従来あまり考えら
れなかったものである。
低域の出力、感度に主に影響するのは下層の強磁性粉末
であり、Hcが大きすぎたり、結晶子サイズ、平均長軸
径が大きすぎたりすると顕著に劣化する。逆に言えば本
発明の範囲で顕著に改良されるということである。又こ
れは単に下層のみならず、上層の強磁性粉末のHc、結
晶子サイズ、平均長軸径も大きすぎると劣化しやすい傾
向があり、本発明の範囲内では上層の強磁性粉末も低域
の出力、感度の改良効果があり、従来知られていなかっ
た効果である。
であり、Hcが大きすぎたり、結晶子サイズ、平均長軸
径が大きすぎたりすると顕著に劣化する。逆に言えば本
発明の範囲で顕著に改良されるということである。又こ
れは単に下層のみならず、上層の強磁性粉末のHc、結
晶子サイズ、平均長軸径も大きすぎると劣化しやすい傾
向があり、本発明の範囲内では上層の強磁性粉末も低域
の出力、感度の改良効果があり、従来知られていなかっ
た効果である。
又転写効果に対しては従来微粒子にすると劣化すること
が知られており、本発明においても上層、下層の強磁性
粉末の結晶子サイズや平均長軸径を小さくシ女ぎると劣
化しやすい。しかし、意外にも転写特性に大きく影響す
るのは下層の磁性層のHcが小さすぎる場合であり、本
発明の範囲の顕著な改良効果が明白である。
が知られており、本発明においても上層、下層の強磁性
粉末の結晶子サイズや平均長軸径を小さくシ女ぎると劣
化しやすい。しかし、意外にも転写特性に大きく影響す
るのは下層の磁性層のHcが小さすぎる場合であり、本
発明の範囲の顕著な改良効果が明白である。
Claims (1)
- 非磁性支持体に酸化鉄もしくはコバルト含有酸化鉄より
なる強磁性粉末を結合剤中に分散させてなる磁性層を重
層構成にして設けてなる磁気記録媒体において、上層の
磁性層のHcが650Oe以上1000Oe以下で上層
の磁性層に含まれる強磁性粉末のX線回折法による結晶
子サイズが500Å未満でかつ平均長軸径が0.1μm
以上0.25μm未満であり、下層の磁性層のHcは上
層の0.6〜1.0倍で下層の磁性層に含まれる強磁性
粉末の結晶子サイズは500Å以下の範囲で上層より大
きく、平均長軸径は0.1μmより大きく、0.25μ
m未満の範囲で上層より大きいことを特徴とする磁気記
録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260998A JP2900169B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-05 | 磁気記録媒体 |
| US07/424,004 US5051303A (en) | 1988-10-19 | 1989-10-19 | Magnetic recording medium |
| DE3934897A DE3934897C2 (de) | 1988-10-19 | 1989-10-19 | Magnetaufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26157688 | 1988-10-19 | ||
| JP63-261576 | 1988-10-19 | ||
| JP1260998A JP2900169B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192019A true JPH02192019A (ja) | 1990-07-27 |
| JP2900169B2 JP2900169B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=26544856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260998A Expired - Fee Related JP2900169B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051303A (ja) |
| JP (1) | JP2900169B2 (ja) |
| DE (1) | DE3934897C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547772A (en) * | 1991-04-19 | 1996-08-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US7585576B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-09-08 | Sony Corporation | Magnetic recording medium with dual magnetic layers including specific resins |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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