JPH02192145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02192145A JPH02192145A JP1124289A JP1124289A JPH02192145A JP H02192145 A JPH02192145 A JP H02192145A JP 1124289 A JP1124289 A JP 1124289A JP 1124289 A JP1124289 A JP 1124289A JP H02192145 A JPH02192145 A JP H02192145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- wiring
- insulating film
- area
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ヒユーズ内蔵型半導体装置に関し、特に第１
アルミ配線層と第２アルミ配線層間に形成する、多結晶
シリコン配線からなるヒユーズの構造に関する。
アルミ配線層と第２アルミ配線層間に形成する、多結晶
シリコン配線からなるヒユーズの構造に関する。
従来、内部の抵抗などをトリミングするためのヒユーズ
や冗長回路を内蔵したヒユーズ内蔵型半導体装置は、多
結晶シリコン配線からなるヒュズを第１アルミ配線間に
設け、さらに熱による破壊を防ぐため、ヒユーズ上部の
層間絶縁膜、及びパッシベーション膜を、一部除いて窓
を設けた構造となっていた。
や冗長回路を内蔵したヒユーズ内蔵型半導体装置は、多
結晶シリコン配線からなるヒュズを第１アルミ配線間に
設け、さらに熱による破壊を防ぐため、ヒユーズ上部の
層間絶縁膜、及びパッシベーション膜を、一部除いて窓
を設けた構造となっていた。
上述した従来のヒユーズ内蔵型半導体装置は、第２図（
ａ）、（ｂ）に示すように、フィールド絶縁膜５上に多
結晶シリコン配線３からなるヒユーズを第１アルミ配線
２間に設け、コンタクト７を介して接続している、さら
に熱による破壊を防ぐため、ヒユーズ上部の層巻絶縁膜
４及びパッシベーション膜９を一部除いて窓８を設けた
構造となっている。この構造では、ヒユーズを形成して
いる部分の第１アルミ配線２間、第１アルミ配線２と窓
８間の距離を離す必要がある。さらにコンタクト７が必
要なため、チップ内における面積の制圧が大きくなると
いう欠点が有る。
ａ）、（ｂ）に示すように、フィールド絶縁膜５上に多
結晶シリコン配線３からなるヒユーズを第１アルミ配線
２間に設け、コンタクト７を介して接続している、さら
に熱による破壊を防ぐため、ヒユーズ上部の層巻絶縁膜
４及びパッシベーション膜９を一部除いて窓８を設けた
構造となっている。この構造では、ヒユーズを形成して
いる部分の第１アルミ配線２間、第１アルミ配線２と窓
８間の距離を離す必要がある。さらにコンタクト７が必
要なため、チップ内における面積の制圧が大きくなると
いう欠点が有る。
さらに、窓８は層間絶縁膜４の破壊を防ぐ効果は有るが
フィールド絶縁５の破壊による絶縁不良を防止できない
という欠点が有る。
フィールド絶縁５の破壊による絶縁不良を防止できない
という欠点が有る。
本発明のヒユーズ内蔵型半導体装置は、半導体基板の一
主面上に形成された第１アルミ配線層と、第２アルミ配
線層間に、多結晶シリコン配線からなる電流で溶断する
ヒユーズを設けた構造を有している。
主面上に形成された第１アルミ配線層と、第２アルミ配
線層間に、多結晶シリコン配線からなる電流で溶断する
ヒユーズを設けた構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例の平面図、第１図（
ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。多結
晶シリコン配線３からなるヒユーズは、層間絶縁膜４上
に形成された、第１アルミ配線２上に形成し、層間絶縁
膜４上に形成された、第２アルミ配線１に接続する。し
たがってヒユーズ形成部の面積は、多結晶シリコン配線
３よりもやや広く形成した、第１アルミ配線２．第２ア
ルミ配線１の面積となり従来より小さくできる。さらに
半導体基板上方向にヒユーズを第１アルミ配線２と第２
アルミ配線１がはさむように形成しているため、ヒユー
ズ上、下部の破壊による絶縁不良を防止することができ
る。
ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。多結
晶シリコン配線３からなるヒユーズは、層間絶縁膜４上
に形成された、第１アルミ配線２上に形成し、層間絶縁
膜４上に形成された、第２アルミ配線１に接続する。し
たがってヒユーズ形成部の面積は、多結晶シリコン配線
３よりもやや広く形成した、第１アルミ配線２．第２ア
ルミ配線１の面積となり従来より小さくできる。さらに
半導体基板上方向にヒユーズを第１アルミ配線２と第２
アルミ配線１がはさむように形成しているため、ヒユー
ズ上、下部の破壊による絶縁不良を防止することができ
る。
以上説明したように本発明は、第１アルミ配線層と第２
アルミ配線層間に、多結晶シリコン配線からなるヒユー
ズを設けることにより、ヒユーズ形成部分のチップ内に
しめる面積を小さくでき、かつ層間絶縁膜やフィールド
絶縁膜の破壊による絶縁不良を防止できる効果がある。
アルミ配線層間に、多結晶シリコン配線からなるヒユー
ズを設けることにより、ヒユーズ形成部分のチップ内に
しめる面積を小さくでき、かつ層間絶縁膜やフィールド
絶縁膜の破壊による絶縁不良を防止できる効果がある。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す半導体チップ
の平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ′線
断面図、第２図（ａ）は、従来例を示す半導体チップの
平面図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−Ａ’断面
図である。 １・・・・・・第２アルミ配線、２・・印・第１アルミ
配線、３・・・・・・多結晶シリコン配線、４・・・・
・・層間絶縁膜、５・・・・・・フィールド絶縁膜、６
・・・・・・半導体基板、７・・・・・・コンタクト、
８・・・・・・窓、９・・・・・・パッシベーション膜
。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＼
の平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ′線
断面図、第２図（ａ）は、従来例を示す半導体チップの
平面図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−Ａ’断面
図である。 １・・・・・・第２アルミ配線、２・・印・第１アルミ
配線、３・・・・・・多結晶シリコン配線、４・・・・
・・層間絶縁膜、５・・・・・・フィールド絶縁膜、６
・・・・・・半導体基板、７・・・・・・コンタクト、
８・・・・・・窓、９・・・・・・パッシベーション膜
。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＼
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に形成された第１アルミ配線層と
第２アルミ配線層間に、設けられた多結晶シリコン配線
からなる電流で溶断するヒューズを有することを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124289A JPH02192145A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124289A JPH02192145A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192145A true JPH02192145A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11772466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124289A Pending JPH02192145A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192145A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353311A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nec Corp | 半導体装置、フューズの切断方法 |
| JP2007081152A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1124289A patent/JPH02192145A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353311A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nec Corp | 半導体装置、フューズの切断方法 |
| JP2007081152A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100393140B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2000299381A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3572738B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3584928B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6248892B2 (ja) | ||
| TWI405300B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| JPH02192145A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60161637A (ja) | 電子装置 | |
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2833275B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20190051573A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0233949A (ja) | 半導体ヒューズ素子 | |
| JPS62104138A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0519303B2 (ja) | ||
| JP2003332397A (ja) | 半導体装置および特性評価装置 | |
| JP3039163B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09270425A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6043845A (ja) | 多層配線部材の製造方法 | |
| KR0167291B1 (ko) | 반도체소자의 전극배선 | |
| JP2002299445A (ja) | ヒューズ素子構造及びその製造方法 | |
| JPH04162529A (ja) | 多層配線半導体集積回路 | |
| JPS63260149A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1167764A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0467656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0936229A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |