JPS6325951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6325951A JPS6325951A JP16911386A JP16911386A JPS6325951A JP S6325951 A JPS6325951 A JP S6325951A JP 16911386 A JP16911386 A JP 16911386A JP 16911386 A JP16911386 A JP 16911386A JP S6325951 A JPS6325951 A JP S6325951A
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- aluminum
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 34
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止された多層
配線構造を有する半導体装置に関する。
配線構造を有する半導体装置に関する。
近年、半導体チップの小型化及び低価格化の為に樹脂封
止された多層配線構造を有する半導体装置が多く製造さ
れている０次に従来の半導体装置の構造を図面を用いて
説明する。
止された多層配線構造を有する半導体装置が多く製造さ
れている０次に従来の半導体装置の構造を図面を用いて
説明する。
第４図（ａ）〜（ｃ）は、従来の２層配線構造を有する
半導体装置のコナ一部の平面図、Ｄ−Ｄ線の断面図及び
Ｅ−Ｅ’線断面図である。
半導体装置のコナ一部の平面図、Ｄ−Ｄ線の断面図及び
Ｅ−Ｅ’線断面図である。
第４図（ａ）〜（Ｃ）において、半導体基板１上に絶縁
膜２を設け、この絶縁膜２上に下層配線としての第１ア
ルミニウム配線３を設け、次に層間絶縁膜４を設け、そ
の上に上層配線としての第２アルミニウム配線５を設け
、カバー膜として気相成長の酸化シリコン膜６及びプラ
ズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜７を積層する。８は
、半導体チップのスクライブ線である。
膜２を設け、この絶縁膜２上に下層配線としての第１ア
ルミニウム配線３を設け、次に層間絶縁膜４を設け、そ
の上に上層配線としての第２アルミニウム配線５を設け
、カバー膜として気相成長の酸化シリコン膜６及びプラ
ズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜７を積層する。８は
、半導体チップのスクライブ線である。
このように構成された２層配線構造の半導体装置は組立
工程を経て樹脂封止されて完成する。
工程を経て樹脂封止されて完成する。
上述した従来の樹脂封止された多層配線構造を有する半
導体装置は、第４図（ａ）〜（ｃ）に示したように、第
１アルミニウム配線３と第２アルミニウム配線５とが交
叉する領域が生じ、特にその領域の第２アルミニウム配
線５が凸部形状に形成される。このため半導体装置を樹
脂封止し温度サイクル試験を行うとき、熱膨張係数の大
きな封重用樹脂により、第２アルミニウム配線５に応力
が加わる。
導体装置は、第４図（ａ）〜（ｃ）に示したように、第
１アルミニウム配線３と第２アルミニウム配線５とが交
叉する領域が生じ、特にその領域の第２アルミニウム配
線５が凸部形状に形成される。このため半導体装置を樹
脂封止し温度サイクル試験を行うとき、熱膨張係数の大
きな封重用樹脂により、第２アルミニウム配線５に応力
が加わる。
特に半導体装置のコーナー近傍では、半導体装置と封止
用樹脂間で生じる応力が、半導体装置の中央領域での応
力よりも強いので、第１アルミ配線５上の層間絶縁膜４
にクラ・ツクを生じやすく、第１アルミニウム配線３と
第２アルミニウム配線５間の短絡不良、又は第２アルミ
ニウム配線５の断線不良が生じ、信頼性が低下するとい
う問題点がある。
用樹脂間で生じる応力が、半導体装置の中央領域での応
力よりも強いので、第１アルミ配線５上の層間絶縁膜４
にクラ・ツクを生じやすく、第１アルミニウム配線３と
第２アルミニウム配線５間の短絡不良、又は第２アルミ
ニウム配線５の断線不良が生じ、信頼性が低下するとい
う問題点がある。
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とにある。
とにある。
本発明の半導体装置は、半導体チップの少なくともコー
ナー部に２層構造の疑似配線を設けたものである。
ナー部に２層構造の疑似配線を設けたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ′線断面図である。
及びＡ−Ａ′線断面図である。
第１図（ａ＞、（ｂ）において、半導体基板１上に形成
されたＳ、Ｏ２等からなる絶縁膜２上には、第１アルミ
ニウム配線３と、層間絶縁膜４を介して第２アルミニウ
ム配線５とが形成されているが、半導体チップのコーナ
ー部９には、スクライブ線８にほぼ平行に第１の疑似ア
ルミニウム配線３Ａと第２の疑似アルミニウム配線５Ａ
とが網目状に形成されている。尚、６は酸化シリコン膜
、７は窒化シリコン膜である。
されたＳ、Ｏ２等からなる絶縁膜２上には、第１アルミ
ニウム配線３と、層間絶縁膜４を介して第２アルミニウ
ム配線５とが形成されているが、半導体チップのコーナ
ー部９には、スクライブ線８にほぼ平行に第１の疑似ア
ルミニウム配線３Ａと第２の疑似アルミニウム配線５Ａ
とが網目状に形成されている。尚、６は酸化シリコン膜
、７は窒化シリコン膜である。
このように構成された本第１の実施例を組立工程を経て
樹脂封止した場合、第１及び第２の疑似アルミニウム配
線３Ａ、５Ａで形成される凹凸部がコーナー部９におけ
る封止樹脂の応力を弱めるため、第１及び第２アルミニ
ウム配線３．５に加わる応力が小さくなる。従ってアル
ミニウム配線間の短絡やアルミニウム配線の断線は極め
て少いものとなる。
樹脂封止した場合、第１及び第２の疑似アルミニウム配
線３Ａ、５Ａで形成される凹凸部がコーナー部９におけ
る封止樹脂の応力を弱めるため、第１及び第２アルミニ
ウム配線３．５に加わる応力が小さくなる。従ってアル
ミニウム配線間の短絡やアルミニウム配線の断線は極め
て少いものとなる。
第２図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
この第２の実施例においては、コーナー部９に設けた第
１の疑似アルミニウム配線３Ａの幅が広く形成されてい
るため、封止樹脂による応力による疑似配線自体のずれ
が少くなる。
１の疑似アルミニウム配線３Ａの幅が広く形成されてい
るため、封止樹脂による応力による疑似配線自体のずれ
が少くなる。
第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施例の平面図
及びｃ−ｃ’線断面図である。
及びｃ−ｃ’線断面図である。
この第３の実施例においては、第１の疑似アルミニウム
配線３Ａは絶縁膜２に設けられた開孔部１０Ａを通して
半導体基板１に達しており、更に第２の疑似アルミニウ
ム配線５Ａも層間絶縁膜４に設けられた開孔部１０Ｂを
通して第１の疑似アルミニウム配線３Ａに接続している
。このように構成された第１及び第２の疑似アルミニウ
ム配線３Ａ、、５Ａはより強固となって封止樹脂の応力
を抑制することができる。
配線３Ａは絶縁膜２に設けられた開孔部１０Ａを通して
半導体基板１に達しており、更に第２の疑似アルミニウ
ム配線５Ａも層間絶縁膜４に設けられた開孔部１０Ｂを
通して第１の疑似アルミニウム配線３Ａに接続している
。このように構成された第１及び第２の疑似アルミニウ
ム配線３Ａ、、５Ａはより強固となって封止樹脂の応力
を抑制することができる。
尚、上記実施例においては第１及び第２アルミニウム配
線を有する２層構造の場合について説明したが、３層以
上の場合であってもよいことは勿論である。
線を有する２層構造の場合について説明したが、３層以
上の場合であってもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明は、半導体チップの少なくと
もコーナー部に２層構造の疑似配線を設けることにより
、封止樹脂の応力を弱めることができるので、配線間の
短絡や断線の少ない信頼性の高い半導体装置が得られる
。
もコーナー部に２層構造の疑似配線を設けることにより
、封止樹脂の応力を弱めることができるので、配線間の
短絡や断線の少ない信頼性の高い半導体装置が得られる
。
第１図（ａ）、（ｂ）〜第３図（ａ）、（ｂ）は本発明
の第１〜第３の実施例の平面図及び断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）は従来の２層配線構造を有する半導
体装置の平面図及び断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・第１ア
ルミニウム配線、３Ａ・・・第１の疑似アルミニウム配
線、４・・・層間絶縁膜、５・・・第２アルミニウム配
線、５Ａ・・・第２の疑似アルミニウム配線、６・・・
酸化シリコン膜、７・・・窒化シリコン膜、８・・・ス
クライブ線、９・・・コーナー部、ＩＯＡ、ＩＯＢ・・
・開孔部。 代理人 弁理士 内 原 晋７’ ：”、１．、”：
：−く怜 牛ｌ 図 第２ 図 第４ 面
の第１〜第３の実施例の平面図及び断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）は従来の２層配線構造を有する半導
体装置の平面図及び断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・第１ア
ルミニウム配線、３Ａ・・・第１の疑似アルミニウム配
線、４・・・層間絶縁膜、５・・・第２アルミニウム配
線、５Ａ・・・第２の疑似アルミニウム配線、６・・・
酸化シリコン膜、７・・・窒化シリコン膜、８・・・ス
クライブ線、９・・・コーナー部、ＩＯＡ、ＩＯＢ・・
・開孔部。 代理人 弁理士 内 原 晋７’ ：”、１．、”：
：−く怜 牛ｌ 図 第２ 図 第４ 面
Claims (1)
- 半導体チップの少なくともコーナー部に２層構造の疑似
配線を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16911386A JPS6325951A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16911386A JPS6325951A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325951A true JPS6325951A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15880541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16911386A Pending JPS6325951A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325951A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241442U (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-22 | ||
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| JPH1012615A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
| US6870265B2 (en) | 2001-09-11 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006179542A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16911386A patent/JPS6325951A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241442U (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-22 | ||
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| JPH1012615A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
| US6870265B2 (en) | 2001-09-11 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006179542A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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