JPH02193209A - メモリカード用電源装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、メモリカードて総称される携帯形半導体メモ
リ装置の電源装置に関するものであり、特に電源として
使用される一次電池のスペースを小さくしたメモリカー
ドの電源装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のメモリカード用電源装置を示す。

同図て、（１）はスタチックＲＡＭのような揮発性半導
体メモリで、（２）はそのアドレスバス、（３）はデー
タバス、（４）はチップイネーブル信号路、（５）は書
込みイネーブル信号路、（６）は出力イネ−ツル信号路
である。（７）は外部電源入力ラインて、タイオード（
８）を経てメモリ（１）の電源端子（９）に接続されて
いる。（１０）はメモリ（１）の内部電源装置て、起電
圧Ｅ、ボルトの一次電池を２個直列接続してなる主一次
電池（１１）と、同しく起電圧Ｅ、ボルトの１個の一次
電池からなるメモリ（１）の記憶維持用の補助一次電池
（１２）とを含んでいる。主一次電池（１１）は限流抵
抗（１３）とダイオード（１４）とを経てメモリ（１）
の電源端子（９）に接続され、補助一次電池（１２）は
同様に限流抵抗（１５）とダイオード（１６）とを経て
、上記電源端子（９）に接続されている。（１７）は主
一次電池（１１）の電圧か所定値以下に低下したとき、
これを検出して表示させる信号を取出す電池モニタ信号
路である。

上記のような従来のメモリカード用電源装置において、
外部電源としては５．主一次電池（ＩＩ）より高い電圧
の電源が使用される。このため外部電源が使用されると
きはタイオード（８）はオン、ダイオード（１４）、（
１６）は共にオフて、メモリ（１）は上記外部電源によ
り所要の動作を行なう。外部電源が無いときはダイオー
ド（１４）がターンオンし、メモリ（１）は主一次電池
（１１）によって記憶データの保持、あるいは記憶デー
タの保持を含む所要の動作を行なう。このとき、図示の
ように限流抵抗（１３）とダイオード（１４）における
合計の降下電圧をｖ、、ボルトとすれば、主一次電池（
１１）によって電源端子（９）に与えられる電圧は２Ｅ
、−Ｖ、ボルトである。従って、この場合は補助一次電
池（１２）側のダイオード（１６）はオフで、該補助一
次電池（１２）か放電することはない。

電池モニタ信号路（１７）により主−・次電圧（１１）
が交換を要する程度に消耗したことが検知されると、２
個の一次電池からなる主一次電池（１１）を交換する。

電池の交換中はダイオード（１６）がターンオンし、起
電圧Ｅ１ボルトの補助一次電池（１２）より限流抵抗（
１５）およびダイオード（１６）を経てメモリ（１）の
電源端子（９）にＥ、−Ｖ２ボルトの電圧が供給される
。メモリ（１）はＥ　１Ｖ　ｚボルトの電圧でも充分に
その記憶を維持するように設計されており、主一次電池
（１１）の交換中は上記補助一次電池（１２）から供給
される電圧によってメモリ（＋）中の記憶データは保持
される。なお、外部電源入力ライン（７）に接続された
ダイオード（８）は、外部電源かないとき、あるいは何
等かの原因で外部電源の電圧か内部電源装置（ｌＯ）の
電圧よりも低くなったときオフになって、内部電源装置
（１０）から外部電源入力ライン（７）に電流が流れる
のを防止するために挿入されている。

〔発明か解決しようとする課題〕

メモリカードは例えば幅５４ｍｍ、長さ８６ｍｍ、厚み
２〜４■程度の非常に薄く小形であるため、上記のよう
な従来のメモリカード用電源装置のように、主一次電池
（１１）としてメモリカードの実装面積の中で大きな比
率を占める一次電池を２個も使用することはメモリ（＋
）の実装数を下げることになり、メモリカードの大容量
化の大きな妨げになっていた。

この発明は、主一次電池の占める面積を小さくしてメモ
リ（１）の実装数を引上げ、メモリカードの大容量化が
可能なメモリカード用電源装置を提供することを目的と
する。

（課題を解決するための手段） この発明のメモリカード用電源装置においては、１個の
主一次電池と１個の補助一次電池とが使用され、上記補
助一次電池によってメモリに与えられる電圧が上記主一
次電池によって上記メモリに与えられる電圧よりも低く
なるように設定されている。

〔作用〕

外部電源が無いときは、メモリは主一次電池によって記
憶データの保持、あるいは記憶データの保持を含む所要
の動作を行なう。この間は補助一次電池は放電しない。

主一次電池が消耗し、これを交換するときは、上記補助
一次電池によりメモリの記憶は維持され、記憶データが
消えることはない。また、主一次電池は１個で済むから
その占有面積は従来の半分になり、その分メモリの実装
数を大きくすることができる。

（実施例） 第１図はこの発明によるメモリカード用電源装置の一実
施例を示し、同図において、（１）は揮発性半導体メモ
リ、（２）はアドレスバス、（３）はデータバス、（４
）はチップイネーブル信号路、（５）は書込みイネーブ
ル信号路、（６）は出力イネーブル信号路、（７）は外
部電源入力ライン、（８）はダイオード、（９）はメモ
リ（１）の電源端子、（１０）はメモリ（１）の内部電
源装置、（１３）、（１５）は限流抵抗、（１４）、（
１６）はダイオード、（１７）は電池モニタ信号路で、
これらは第２図について説明した従来の装置と全く同様
に接続されている。この発明の装置では、内部電源装置
（１０）中の主一次電池（２１）として、例えば公称起
電圧Ｅ１；３ボルトのりチューム電池が１個たけ使用さ
れる。主一次電池（２１）が消耗して交換を要するとき
の最終電圧Ｅ１２を例えば２．５ボルトとすると、補助
一次電池（２２）として公称起電圧Ｅ２＝２．５ボルト
の一次電池な１個使用する。

上記の電源装置において、外部電源が使用されるときは
タイオード（８）はオン、ダイオード（１４）、（１６
）はオフて、メモリ（１）は上記外部電源により所要の
動作をする。外部電源か無いときはダイオード（１４）
はターンオンし、メモリ（１）は主一次電池（２１）か
ら供給される電圧によって記憶データの保持、あるいは
記憶データの保持を含む所要の動作を行なう。このとき
タイオード（１６）はオフ状態て補助一次電池（２２）
は消耗しない。主一次電池として上記のように公称起電
圧Ｅ１＝３ボルトのものを使用する場合は、メモリ（１
）は２ボルトで充分に記憶を維持し、実質的に１．５ボ
ルトでも記憶な維持てきるように設計されている。メモ
リ（１）の消費電力は極めて小さいことから、限流抵抗
（１３）、（１５）の電圧降下は極めて小さく、ダイオ
ード（１４）、（１６）　ノ順方向電圧降下Ｖ、′＝＝
０．３ボルトに比して無視することがてきる。よって、
般にＶ、　共０．３ボルトとしてよい。

主一次電池（２１）の電圧が２．５ボルトまで低下した
ことか電池モニタ信号路（１７）によって検知されると
、主一次電池（２１）を交換する。このときダイオード
（１６）はターンオンし、メモリ（１）の電源端子（９
）には補助一次電池（２２）よりＥ２　（２，５ボルト
）−ＶＺ（約０．３ボルト）＝２．２ボルトの電圧が供
給され、メモリ（１）は充分にその記憶を維持して記憶
データを保持することかできる。

なお、補助一次電池（２２）はその用途上永久組込み式
とされるが、この補助一次電池についても交換可能にし
てもよい。

上記の実施例ては、主一次電池（２１）として補助一次
電池（Ｚ２）よりも高い起電圧のものを使用したが、主
一次電池（２１）、補助一次電池（２２）として同じ起
電圧のものを使用し、限流抵抗（１３）として限流抵抗
（１５）より小さな値のものを使用してもよい。

（効果） この発明によれば、補助一次電池（２２）によってメモ
リ（１）に与えられる電圧が主一次電池（２１）によっ
てメモリ（１）に与えられる電圧よりも低くなるように
することにより、１個の主一次電池で２個の主一次電池
を使用した従来の電源装置と同し機能をもたせることが
できる。従って、主一次電池の占める面積か従来の半分
ですみ、その分メモリカードの実装面積を大きくして、
内部半導体メモリの数を増してメモリ容量を大きくする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明によるメモリカード用電源装置の一実
施例を示す図、第２図は従来のメモリカード用電源装置
の一例を示す図である。 図において、（１０）・・・・内部電源装置、（１）・
・・メモリ、（２１）・・・・主一次電池、（２２）・
・・・補助一次電池。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）メモリカードの内部電源として１個の主一次電池
   と１個の補助一次電池とを使用し、上記補助一次電池に
   よって上記メモリカードのメモリに与えられる電圧が上
   記主一次電池によって上記メモリに与えられる電圧より
   も低くなるように設定したことを特徴とするメモリカー
   ド用電源装置。