JPH0219345A - アルコキシ安息香酸誘導体及び液晶組成物 - Google Patents
アルコキシ安息香酸誘導体及び液晶組成物Info
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- JPH0219345A JPH0219345A JP63169951A JP16995188A JPH0219345A JP H0219345 A JPH0219345 A JP H0219345A JP 63169951 A JP63169951 A JP 63169951A JP 16995188 A JP16995188 A JP 16995188A JP H0219345 A JPH0219345 A JP H0219345A
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- acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、新規なアルコキシ安息香酸誘導体及びそれ
を含有してなる液晶組成物に関する。
を含有してなる液晶組成物に関する。
（ロ）従来の技術
現在液晶表示素子では液晶のネマチック相を利用したち
のが主流を占めているが、近年ではこれに加えてスメク
チック相をｆｌｌ用した種々の表示モードの研究も盛ん
に行われている。特にカイラルなスメクチックＣ相を利
用した強誘電性液晶組成物による液晶表示は、大容量表
示が可能な点及び視覚が広い点から有望視されている。
のが主流を占めているが、近年ではこれに加えてスメク
チック相をｆｌｌ用した種々の表示モードの研究も盛ん
に行われている。特にカイラルなスメクチックＣ相を利
用した強誘電性液晶組成物による液晶表示は、大容量表
示が可能な点及び視覚が広い点から有望視されている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上記強誘電性液晶組成物には、まず室温付近を中心に広
い温度範囲でスメクチックＣ相を示すことか要求される
。また、大容量表示を行うためにはデバイス特性として
高速応答性が必要で、この観点から、かかる液晶組成物
には高い自発分極と低い粘性とが要求される。さらに液
晶セルに適用した場合良好な配向性と双安定性とを得る
ため、Ｃ）という相系列を示すことが必要となり、かつ
ネマチック相及びスメクチックＣ相での螺旋ピッチが十
分長いことが必要である。
い温度範囲でスメクチックＣ相を示すことか要求される
。また、大容量表示を行うためにはデバイス特性として
高速応答性が必要で、この観点から、かかる液晶組成物
には高い自発分極と低い粘性とが要求される。さらに液
晶セルに適用した場合良好な配向性と双安定性とを得る
ため、Ｃ）という相系列を示すことが必要となり、かつ
ネマチック相及びスメクチックＣ相での螺旋ピッチが十
分長いことが必要である。
現在のところこれらの条件を総て満たす単一液晶化合物
はなく、通常、複数の化合物を混合して液晶組成物とし
て実用に供するわけであるが、液晶組成物が満たすべき
条件が多岐にわたるため性能の良い液晶組成物を作製す
るためには、液晶相を示さない光学活性化合物と液晶化
合物とをブレンドする必要がある場合も生じてくる。
はなく、通常、複数の化合物を混合して液晶組成物とし
て実用に供するわけであるが、液晶組成物が満たすべき
条件が多岐にわたるため性能の良い液晶組成物を作製す
るためには、液晶相を示さない光学活性化合物と液晶化
合物とをブレンドする必要がある場合も生じてくる。
しかしながら、上に述べた条件のうち高速応答性を除く
条件は従来のブレンド技術で実現可能であるが、高速応
答性に関しては現状では不十分であった。ことに強誘電
性液晶組成物は、通常、低粘性のベース液晶組成物に光
学活性化合物を添加して調製されるが、現在のところ上
記高速応答性を満足する液晶組成物は知られていない。
条件は従来のブレンド技術で実現可能であるが、高速応
答性に関しては現状では不十分であった。ことに強誘電
性液晶組成物は、通常、低粘性のベース液晶組成物に光
学活性化合物を添加して調製されるが、現在のところ上
記高速応答性を満足する液晶組成物は知られていない。
そのため、高速応答性を実現化さける一つの手段として
、大きな自発分極を誘起させる新たな光学活性化合物の
開発も切望されている。
、大きな自発分極を誘起させる新たな光学活性化合物の
開発も切望されている。
この発明は、かかる状況下なされたものであり、強誘電
性液晶組成物の液晶応答性を著しく向上可能な新規化合
物及びそれを含有してなるスメクチック液晶組成物を提
供しようとするものである。
性液晶組成物の液晶応答性を著しく向上可能な新規化合
物及びそれを含有してなるスメクチック液晶組成物を提
供しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用かくしてこの
発明によれば、下記一般式（）： （式中、Ｒ８とＲ２は、それぞれ同一または異なって、
直鎖状又は分岐状で炭素数１−１２のアルキル基を示す
） で表されるアルコキシ安息香酸誘導体が提供される。
発明によれば、下記一般式（）： （式中、Ｒ８とＲ２は、それぞれ同一または異なって、
直鎖状又は分岐状で炭素数１−１２のアルキル基を示す
） で表されるアルコキシ安息香酸誘導体が提供される。
上記式（１）の化合物は、文献未記載の化合物である。
上記式（１）の定義における用語“直鎖状又は分枝状で
炭素数１〜１２のアルキル基“とは、メチル、エチル、
プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉブチル、ｔ−ブチ
ル、ペンチル、２−メチルブチル、２．２−ジメチルプ
ロピル、ヘキシル、２−又は３−メチルペンチル、２．
２−ジメチルブチル、４−メチルヘキシル、２−又は３
−メチルヘプチル、６−メチルオクチル、ｎ−へブチル
、２．２−ジメチルペンチル、３．３＝トリメチルペン
チル、２．４−ジメチルペンチル、ｎオクチル、２，２
Ｊ、３−テトラメチルブチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシルなどが含まれる。
炭素数１〜１２のアルキル基“とは、メチル、エチル、
プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉブチル、ｔ−ブチ
ル、ペンチル、２−メチルブチル、２．２−ジメチルプ
ロピル、ヘキシル、２−又は３−メチルペンチル、２．
２−ジメチルブチル、４−メチルヘキシル、２−又は３
−メチルヘプチル、６−メチルオクチル、ｎ−へブチル
、２．２−ジメチルペンチル、３．３＝トリメチルペン
チル、２．４−ジメチルペンチル、ｎオクチル、２，２
Ｊ、３−テトラメチルブチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシルなどが含まれる。
これらのアルキル基中で炭素鎖に不斉炭素が含まれてい
てもよい。
てもよい。
これらのうち好ましい化合物としては、（４−ｎペンチ
ルオキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）エチルエ
ステル、４−ｎ−ペンチルオキシ安息香酸α−（４−ｎ
−オクチルフェニル）エチルエステル、４ｎ−オクチル
オキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）エチルエス
テル、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸α−（４−ｎ−
オクチルフェニル）エチルエステル、４−ｎ−オクチル
オキシ安息香酸α−（４−ドデシルフェニル）エチルエ
ステル、４−ローデシルオキシ安息香酸α−（４−ｎ−
オクチルフェニル）エチルエステル、４−（２−メチル
ヘプチル）オキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）
エチルエステル、４−（２＝メチルへブチル）オキシ安
息香酸α−（４−ｎ−オクチルフェニル）エチルエステ
ル、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸α−［４−（２−
メチルヘプチル）フェニル１エチルエステル、等が挙げ
られる。
ルオキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）エチルエ
ステル、４−ｎ−ペンチルオキシ安息香酸α−（４−ｎ
−オクチルフェニル）エチルエステル、４ｎ−オクチル
オキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）エチルエス
テル、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸α−（４−ｎ−
オクチルフェニル）エチルエステル、４−ｎ−オクチル
オキシ安息香酸α−（４−ドデシルフェニル）エチルエ
ステル、４−ローデシルオキシ安息香酸α−（４−ｎ−
オクチルフェニル）エチルエステル、４−（２−メチル
ヘプチル）オキシ安息香酸α−（４−メチルフェニル）
エチルエステル、４−（２＝メチルへブチル）オキシ安
息香酸α−（４−ｎ−オクチルフェニル）エチルエステ
ル、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸α−［４−（２−
メチルヘプチル）フェニル１エチルエステル、等が挙げ
られる。
この発明の式（１）の化合物は、たとえば、般式（［）
： で表わされる４−アルコキシ安息香酸と、一般式（■）
： で表されるα−（４−アルキルフェニル）エチルアルコ
ールとを反応させろことにより製造することができる。
： で表わされる４−アルコキシ安息香酸と、一般式（■）
： で表されるα−（４−アルキルフェニル）エチルアルコ
ールとを反応させろことにより製造することができる。
上記の反応は、通常式（ＩＩ）のカルボン酸を反応性誘
導体たとえばクロリドやプロミドのような酸ハライドの
形態に変換して用いるのが好ましい。
導体たとえばクロリドやプロミドのような酸ハライドの
形態に変換して用いるのが好ましい。
また反応は、通常、トルエン、キシレンなどの不活性な
有機溶媒中、加熱下に行われる。式（ＩＩ）のカルボン
酸の酸ハライドとして用いられた場合、ピリジンのよう
な脱ハロゲン化剤の存在下で反応を行うことができる。
有機溶媒中、加熱下に行われる。式（ＩＩ）のカルボン
酸の酸ハライドとして用いられた場合、ピリジンのよう
な脱ハロゲン化剤の存在下で反応を行うことができる。
なお、上記式（ＩＩ）のカルボン酸は、たとえば、中国
一部、拙文−「液晶の製法と応用」幸書房（１９７４）
６４頁に記載された方法に準じてｐ−ヒドロキシ安息
香酸から合成することかでき、式（ＩＩＩ）のアルコー
ルは、たとえば、ｐ−アルキルアセトンフェノンの還元
により合成することができる。
一部、拙文−「液晶の製法と応用」幸書房（１９７４）
６４頁に記載された方法に準じてｐ−ヒドロキシ安息
香酸から合成することかでき、式（ＩＩＩ）のアルコー
ルは、たとえば、ｐ−アルキルアセトンフェノンの還元
により合成することができる。
上記式（Ｉ［Ｉ）のアルコールはα位に不斉炭素を有す
るため、このアルコールとして光学活性物（ｄ−又はＱ
一体）を用いれば、対応する光学活性を有する式（１）
の化合物を得ることができる。
るため、このアルコールとして光学活性物（ｄ−又はＱ
一体）を用いれば、対応する光学活性を有する式（１）
の化合物を得ることができる。
ただし、ラセミ体を用いれば対応する光学不活性な式（
１）の化合物を得ることもできる。この発明のアルコキ
シ安息香酸誘導体には、このようなｄ一体、ａ一体、ラ
セミ体等がすべて含まれる。このようなこの発明の化合
物のうち、光学活性な形態のものは、液晶組成物への添
加剤として有用である。すなわち、式（１）の化合物は
不斉炭素原子がエステル基に隣接しており、かつ不斉炭
素原子の両側に立体的に大きなフェニル環が存在する構
造を有している。このため光学活性体として用いれば、
エステル基及び不斉炭素原子の周辺の自由回転が規制を
受け、大きな自発分極が期待できるので、それ自身は液
晶相を示さないが、液晶組成物への添加成分として用い
るのに有用である。
１）の化合物を得ることもできる。この発明のアルコキ
シ安息香酸誘導体には、このようなｄ一体、ａ一体、ラ
セミ体等がすべて含まれる。このようなこの発明の化合
物のうち、光学活性な形態のものは、液晶組成物への添
加剤として有用である。すなわち、式（１）の化合物は
不斉炭素原子がエステル基に隣接しており、かつ不斉炭
素原子の両側に立体的に大きなフェニル環が存在する構
造を有している。このため光学活性体として用いれば、
エステル基及び不斉炭素原子の周辺の自由回転が規制を
受け、大きな自発分極が期待できるので、それ自身は液
晶相を示さないが、液晶組成物への添加成分として用い
るのに有用である。
ことに、この化合物は、スメクチックＣ相を呈ずろ液晶
化合物に添加された際に強い自発分極誘起作用を発現し
、従来調製が困難であった応答性の高い強誘電性液晶組
成物を提供するものである。
化合物に添加された際に強い自発分極誘起作用を発現し
、従来調製が困難であった応答性の高い強誘電性液晶組
成物を提供するものである。
しかしてこの発明によれば、スメクチックＣ相を呈する
液晶化合物に式（１）のアルコキシ安い、香酸誘導体の
少なくと乙１種を添加してなる液晶組成物が提供される
。
液晶化合物に式（１）のアルコキシ安い、香酸誘導体の
少なくと乙１種を添加してなる液晶組成物が提供される
。
ここで添加対象となるスメクチックＣ相を呈する液晶化
合物としては、当該分野で知られた種々のスメクチック
液晶を用いることかできる。その具体例としては、下式
（ＩＶ）、（Ｖ）及び（Ｖｌ）で示される化合物が挙げ
られる。
合物としては、当該分野で知られた種々のスメクチック
液晶を用いることかできる。その具体例としては、下式
（ＩＶ）、（Ｖ）及び（Ｖｌ）で示される化合物が挙げ
られる。
・・・・・・（ＩＶ）
・・・・・・（Ｖ）
（式中、Ａ及びＢは、それぞれ単結合または−ＣＯＯ−
−０ＣＯ−−ＣＩｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−−０ＣＯ−ＣＨ＝
ＣＨ−−０−−３−−０ＣＯＯ−らしくは−〇〇−の基
を示す。Ｄ及びＥは、それぞれ単結合又は−ＣＯＯ−−
０ＣＯ−−ＣＩ＝Ｎ−−Ｎ＝Ｃ）！−−ＣＩｌ＝ＣＨ−
−（：＝（ニー −ＣＩｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−−０ＣＯ
−Ｃ１ｌ＝ＣＩ＋−−（Ｈ，ＣＨ，−−０ＣＨ，−−Ｃ
Ｉｌ、Ｏ−−Ｃ０５＝らしくは一３ＯＣ−の基を示す。
−０ＣＯ−−ＣＩｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−−０ＣＯ−ＣＨ＝
ＣＨ−−０−−３−−０ＣＯＯ−らしくは−〇〇−の基
を示す。Ｄ及びＥは、それぞれ単結合又は−ＣＯＯ−−
０ＣＯ−−ＣＩ＝Ｎ−−Ｎ＝Ｃ）！−−ＣＩｌ＝ＣＨ−
−（：＝（ニー −ＣＩｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−−０ＣＯ
−Ｃ１ｌ＝ＣＩ＋−−（Ｈ，ＣＨ，−−０ＣＨ，−−Ｃ
Ｉｌ、Ｏ−−Ｃ０５＝らしくは一３ＯＣ−の基を示す。
■、＜Ｅ＞および◇◇は、それぞれ独立して、ベンゼン
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジ
ン環、ピペラジン環、シクロヘキサン環、ビラン環、ジ
オキサシクロヘキサン環、チアピラン環、ジチアン環、
チアジアジン環、ビシクロ［２，２，２］オクタン環、
テトラジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水
素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基
、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は重
水素（Ｄ）で置換されていてもよい。Ｒ５及びＲ４はそ
れぞれ独立して、直鎖状又は分枝状で炭素数Ｉ〜１２の
アルキルもしくはアルコキシ基を示す。
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジ
ン環、ピペラジン環、シクロヘキサン環、ビラン環、ジ
オキサシクロヘキサン環、チアピラン環、ジチアン環、
チアジアジン環、ビシクロ［２，２，２］オクタン環、
テトラジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水
素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基
、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は重
水素（Ｄ）で置換されていてもよい。Ｒ５及びＲ４はそ
れぞれ独立して、直鎖状又は分枝状で炭素数Ｉ〜１２の
アルキルもしくはアルコキシ基を示す。
ｐはｌ又は２の整数を示す。）
もちろん、これらは２種以上混合して用いることができ
る。
る。
実用上、これらのスメクチック液晶化合物は、室温附近
でスメクチックＣ相を呈しかつＩＡＣやＩＮＡＣ等の相
系列を有するように適宜混合して用いるのが適している
。
でスメクチックＣ相を呈しかつＩＡＣやＩＮＡＣ等の相
系列を有するように適宜混合して用いるのが適している
。
また、液晶組成物中の式（［）の化合物の混合量は、通
常、０．５〜２０重量％とするのが適しており、１〜１
０重量％とするのか好ましい。０．５重量％未満では、
スメクチック液晶化合物の応答性の向上効果が不充分で
あり、２０重量％を越えるとスメクチックＣ泪の熱安定
性が不充分となる点で適さない。
常、０．５〜２０重量％とするのが適しており、１〜１
０重量％とするのか好ましい。０．５重量％未満では、
スメクチック液晶化合物の応答性の向上効果が不充分で
あり、２０重量％を越えるとスメクチックＣ泪の熱安定
性が不充分となる点で適さない。
以下実施例によりこの発明の詳細な説明するが、これに
よりこの発明は限定されるものではない。
よりこの発明は限定されるものではない。
（ホ）実施例
実施例！
４−ｎ−デシルオキシ安息香酸α−（４−オクチルフェ
ニル）エチルエステルの製造 ４−ｎ−デシルオキシ安息香酸１．０ｇ（０，００３６
モル）に五塩化リン０．８０ｇ（０，００３８モル）を
加え、約８０℃で加熱して反応させる。減圧蒸留によっ
てＰＯＣｌ３及び過剰の五塩化リンを完全に除去し、４
−ｎ−デシルオキシ安息香酸クロリドを得た。これをト
ルエン１０ｉｆ２に溶解し°、Ｒ−（＋）−α−（４−
ｎ−オクチルフェニル）エチルアルコールｏ、８４９（
０，００３６モル）とピリジン（脱塩化水素剤）１１と
を加える。室温で１０時間放置した後、６０℃に加温し
、そのまま３時間保ってから冷却する。その後塩酸に加
え、エーテルで抽出する。エーテル層をＮａＨＣＯ＊水
溶液、次いで水で洗い、Ｎ ａ ２３０４で乾燥する。
ニル）エチルエステルの製造 ４−ｎ−デシルオキシ安息香酸１．０ｇ（０，００３６
モル）に五塩化リン０．８０ｇ（０，００３８モル）を
加え、約８０℃で加熱して反応させる。減圧蒸留によっ
てＰＯＣｌ３及び過剰の五塩化リンを完全に除去し、４
−ｎ−デシルオキシ安息香酸クロリドを得た。これをト
ルエン１０ｉｆ２に溶解し°、Ｒ−（＋）−α−（４−
ｎ−オクチルフェニル）エチルアルコールｏ、８４９（
０，００３６モル）とピリジン（脱塩化水素剤）１１と
を加える。室温で１０時間放置した後、６０℃に加温し
、そのまま３時間保ってから冷却する。その後塩酸に加
え、エーテルで抽出する。エーテル層をＮａＨＣＯ＊水
溶液、次いで水で洗い、Ｎ ａ ２３０４で乾燥する。
エーテルを留去し、残留物をカラムクロマトグラフィー
（溶媒；クロロホルム）で精製し、目的とする４−ｎ−
デシルオキシ−安息香酸α−（４−オクチルフェニル）
エチルエステルを得た。この化合物の赤外スペクトルを
第１図に示す。この化合物は液晶相を示さず、室温で液
体であった。また、旋光度［α］ｆは−２６，０°（溶
媒：クロロホルム）であった。
（溶媒；クロロホルム）で精製し、目的とする４−ｎ−
デシルオキシ−安息香酸α−（４−オクチルフェニル）
エチルエステルを得た。この化合物の赤外スペクトルを
第１図に示す。この化合物は液晶相を示さず、室温で液
体であった。また、旋光度［α］ｆは−２６，０°（溶
媒：クロロホルム）であった。
実施例２
実施例１で製造した４−ｎ−デシルオキシ安息香酸α−
（４−ｎ−オクチルフェニル）エチルエステルを用いて
、強誘電性液晶組成物を作製した。作製した液晶組成物
の組成を［第１表コに示す。
（４−ｎ−オクチルフェニル）エチルエステルを用いて
、強誘電性液晶組成物を作製した。作製した液晶組成物
の組成を［第１表コに示す。
（以下余白）
［第１表］
この組成物の相転移温度は以下のとおりである。
この液晶組成物はＩＡＣ相系列を有しているため、液晶
セルに適用した場合容易に良好な配向を得ることができ
、かつ室温で強誘電性のスメクチックＣ液晶相を示した
。
セルに適用した場合容易に良好な配向を得ることができ
、かつ室温で強誘電性のスメクチックＣ液晶相を示した
。
なお、ネマチック（Ｎ）相、スメクチックＡ（ＳＡ）相
、スメクチックＣ（ＳＣ）相等の液晶用の同定は、ホッ
トステージ付偏光顕微鏡による組織観察及び既知液晶化
合物の液晶相との相溶性を確認するための二成分系の相
図作成によって行った。
、スメクチックＣ（ＳＣ）相等の液晶用の同定は、ホッ
トステージ付偏光顕微鏡による組織観察及び既知液晶化
合物の液晶相との相溶性を確認するための二成分系の相
図作成によって行った。
実施例３
実施例２で作製した液晶組成物を用いて液晶表示装置を
作製した。２枚のガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、ナ
イロン膜を塗布しラビングする。
作製した。２枚のガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、ナ
イロン膜を塗布しラビングする。
次にこの２枚のガラス基板をラビング方向が同一になる
ようにしてセル厚２μｍで張り合わせる。このセルに実
施例２で作製した液晶組成物を注入した。注入後−旦液
晶組成物が等方性液体に変化する７５℃にセルを加熱し
、その後１’Ｃ／ｍｉｎで室温まで冷却することにより
良好な配向を得た。この液晶素子を２枚の直交する偏光
子の間に設置し、電界を印加し、透過光強度の変化を観
察した。
ようにしてセル厚２μｍで張り合わせる。このセルに実
施例２で作製した液晶組成物を注入した。注入後−旦液
晶組成物が等方性液体に変化する７５℃にセルを加熱し
、その後１’Ｃ／ｍｉｎで室温まで冷却することにより
良好な配向を得た。この液晶素子を２枚の直交する偏光
子の間に設置し、電界を印加し、透過光強度の変化を観
察した。
Ｖ ｐ−ｐ＝ ２０Ｖの電界を２５℃で印加した時の透
過光強度の変化より応答速度を求めたところ、２６３μ
ｓｅｃの高速応答性が得られた。
過光強度の変化より応答速度を求めたところ、２６３μ
ｓｅｃの高速応答性が得られた。
従って、式（１）の化合物は、少量の添加においてら強
誘電性液晶組成物の応答性の向上に極めて有効であるこ
とが判る。
誘電性液晶組成物の応答性の向上に極めて有効であるこ
とが判る。
（へ）発明の効果
この発明のアルコキン安息香酸誘導体は、高い自発分極
を誘起するものであり、その性質を利用して、種々の用
途に有用であり、ことに液晶組成物の応答性改善に有用
である。
を誘起するものであり、その性質を利用して、種々の用
途に有用であり、ことに液晶組成物の応答性改善に有用
である。
そして、この化合物が混合されたスメクチック液晶組成
物は、無添加や他の光学活性化合物を用いたものに比し
て、応答性が改善されており、適切なスメクチック液晶
化合物を選択することにより、理想的な強誘電性液晶組
成物を得ることが可能となる。
物は、無添加や他の光学活性化合物を用いたものに比し
て、応答性が改善されており、適切なスメクチック液晶
化合物を選択することにより、理想的な強誘電性液晶組
成物を得ることが可能となる。
第１図は、この発明の一実施例のアルコキシ安息香酸誘
導体の赤外吸収スペクトル図である。 ヒ゛−２′１−リ
導体の赤外吸収スペクトル図である。 ヒ゛−２′１−リ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （式中、Ｒ＿１とＲ＿２は、それぞれ同一または異なっ
て、直鎖状又は分岐状で炭素数１〜１２のアルキル基を
示す） で表されるアルコキシ安息香酸誘導体。 ２、スメクチックＣ相を呈する液晶化合物に請求項１の
アルコキシ安息香酸誘導体の少なくとも１種を添加して
なる液晶組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169951A JPH0219345A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | アルコキシ安息香酸誘導体及び液晶組成物 |
| DE19893907507 DE3907507A1 (de) | 1988-03-10 | 1989-03-08 | (alpha)-(4-substituiert-phenyl)-ethylalkohol-derivate und sie enthaltende fluessigkristall-zubereitungen |
| GB8905403A GB2216371B (en) | 1988-03-10 | 1989-03-09 | Derivatives of alpha-(4-substituted phenyl)ethyl alcohols and liquid crystal compositions containing the same |
| US07/815,580 US5209867A (en) | 1988-03-10 | 1991-12-30 | Derivatives of α-(4-substituted phenyl)ethyl alcohols and liquid crystal compositions containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169951A JPH0219345A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | アルコキシ安息香酸誘導体及び液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219345A true JPH0219345A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15895888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169951A Pending JPH0219345A (ja) | 1988-03-10 | 1988-07-06 | アルコキシ安息香酸誘導体及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0219345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565485A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Sharp Corp | 強誘電性液晶組成物および液晶素子 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63169951A patent/JPH0219345A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565485A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Sharp Corp | 強誘電性液晶組成物および液晶素子 |
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