JPH021952Y2 - - Google Patents
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- JPH021952Y2 JPH021952Y2 JP4216784U JP4216784U JPH021952Y2 JP H021952 Y2 JPH021952 Y2 JP H021952Y2 JP 4216784 U JP4216784 U JP 4216784U JP 4216784 U JP4216784 U JP 4216784U JP H021952 Y2 JPH021952 Y2 JP H021952Y2
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- JP
- Japan
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- frequency
- attenuation
- correction
- attenuation amount
- amount
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、プログラマブルアツテネータ、特に
周波数特性とは無関係に設定された減衰量につい
て、設定された使用周波数にそれぞれ対応した補
正値で周波数特性を補正し、より精度の高い減衰
量が設定されるようにした高確度なプログラマブ
ルアツテネータに関するものである。
周波数特性とは無関係に設定された減衰量につい
て、設定された使用周波数にそれぞれ対応した補
正値で周波数特性を補正し、より精度の高い減衰
量が設定されるようにした高確度なプログラマブ
ルアツテネータに関するものである。
アツテネータの主要機能の１つに減衰量確度
（誤差）があり、例えば500MHzまでは±0.3dBの
如く規定し、設定された減衰量に対しプログラマ
ブルアツテネータの減衰量が前記規定値以内に入
るように製作される。この規定の仕方は設定され
た各減衰量についての許容範囲を表わすものであ
る。プログラマブルアツテネータの使用周波数は
直流から高周波に至るまで千差万別であり、設定
された減衰量に対し実際の減衰量は前記規定値以
内には入つているが、周波数特性を有するため使
用周波数によつて減衰量が異なつている。そこで
使用周波数に対しより一層減衰量確度の高いプロ
グラマブルアツテネータの実現が望まれる。
（誤差）があり、例えば500MHzまでは±0.3dBの
如く規定し、設定された減衰量に対しプログラマ
ブルアツテネータの減衰量が前記規定値以内に入
るように製作される。この規定の仕方は設定され
た各減衰量についての許容範囲を表わすものであ
る。プログラマブルアツテネータの使用周波数は
直流から高周波に至るまで千差万別であり、設定
された減衰量に対し実際の減衰量は前記規定値以
内には入つているが、周波数特性を有するため使
用周波数によつて減衰量が異なつている。そこで
使用周波数に対しより一層減衰量確度の高いプロ
グラマブルアツテネータの実現が望まれる。
本考案は上記の点を鑑みなされたものであり、
設定された減衰量に対し、使用周波数によつて減
衰量の補正をなし、周波数特性を考慮したプログ
ラマブルアツテネータを提供することを目的とし
ている。以下図面を参照しながら本考案を説明す
る。
設定された減衰量に対し、使用周波数によつて減
衰量の補正をなし、周波数特性を考慮したプログ
ラマブルアツテネータを提供することを目的とし
ている。以下図面を参照しながら本考案を説明す
る。
第１図は本考案のプログラマブルアツテネータ
の一実施例構成、第２図は周波数特性の補正値が
記憶されている周波数特性メモリの記憶内容説明
図、第３図は補間値の計算の仕方を説明している
説明図、第４図はフローチヤートを示している。
の一実施例構成、第２図は周波数特性の補正値が
記憶されている周波数特性メモリの記憶内容説明
図、第３図は補間値の計算の仕方を説明している
説明図、第４図はフローチヤートを示している。
第１図において、１は可変減衰器であつて複数
個のアツテネータ、例えば設定可能な80，40，
20，10dBの各アツテネータと８，４，２，1dB
の各アツテネータ及び補正用の0.8，0.4，0.2，
0.1dBの各アツテネータがそれぞれ直例に接続さ
れている。各アツテネータの減衰量を挿入するか
スルー側にするかは、減衰量設定回路３に設定さ
れた減衰量に応じ可変減衰器制御回路２からの指
示によつて決定される。減衰量設定回路３には外
部から設定された所望の整数値の減衰量、すなわ
ち前記の設定可能な80，40，20，10dBの各アツ
テネータと８，４，２，1dBの各アツテネータと
によつて設定される減衰量が入力され、周波数設
定回路４には使用周波数が設定される。
個のアツテネータ、例えば設定可能な80，40，
20，10dBの各アツテネータと８，４，２，1dB
の各アツテネータ及び補正用の0.8，0.4，0.2，
0.1dBの各アツテネータがそれぞれ直例に接続さ
れている。各アツテネータの減衰量を挿入するか
スルー側にするかは、減衰量設定回路３に設定さ
れた減衰量に応じ可変減衰器制御回路２からの指
示によつて決定される。減衰量設定回路３には外
部から設定された所望の整数値の減衰量、すなわ
ち前記の設定可能な80，40，20，10dBの各アツ
テネータと８，４，２，1dBの各アツテネータと
によつて設定される減衰量が入力され、周波数設
定回路４には使用周波数が設定される。
周波数特性メモリ５には次のようにして得られ
た各減衰量に対する周波数特性の補正値が記憶さ
れている。すなわち可変減衰器１の或る公称減衰
量Xi（表示部等に示されるおもてむきの減衰量）、
例えばXi＝30dBについて直流0から最大使用周
波数naxに至るまで、ある周波数間隔でその周波
数特性曲線を実験によつて得る。これから公称減
衰量Xi＝30dBについて或る周波数間隔の各周波
数0，1，2，……naxにおける各補正値Siを求
める。このように公称減衰量Xiが0dBから可変減
衰器１に設定される最大減衰量XnaxdBまで1dB
ステツプの各減衰量について各々上記の周波数特
性曲線を実験によつて求める。そして各減衰量ご
とに各周波数0，1，2，……naxにおける補正
値を求め、第２図に示された如く減衰量設定回路
３に設定される公称減衰量を周波数特性メモリ５
のアドレスXi方向にし、かつ周波数設定回路４に
入力される使用周波数0，1，2，……naxを周
波数特性メモリ５のアドレスYi方向にして、対応
した補正値を記憶させる。
た各減衰量に対する周波数特性の補正値が記憶さ
れている。すなわち可変減衰器１の或る公称減衰
量Xi（表示部等に示されるおもてむきの減衰量）、
例えばXi＝30dBについて直流0から最大使用周
波数naxに至るまで、ある周波数間隔でその周波
数特性曲線を実験によつて得る。これから公称減
衰量Xi＝30dBについて或る周波数間隔の各周波
数0，1，2，……naxにおける各補正値Siを求
める。このように公称減衰量Xiが0dBから可変減
衰器１に設定される最大減衰量XnaxdBまで1dB
ステツプの各減衰量について各々上記の周波数特
性曲線を実験によつて求める。そして各減衰量ご
とに各周波数0，1，2，……naxにおける補正
値を求め、第２図に示された如く減衰量設定回路
３に設定される公称減衰量を周波数特性メモリ５
のアドレスXi方向にし、かつ周波数設定回路４に
入力される使用周波数0，1，2，……naxを周
波数特性メモリ５のアドレスYi方向にして、対応
した補正値を記憶させる。
補正データ読出し回路６は、減衰量設定回路３
に設定された減衰量の値と周波数設定回路４へ設
定された使用周波数の値とによつて、上記説明の
周波数特性メモリ５から使用周波数に対する減衰
量の補正値を読出す。減衰量設定回路３に設定さ
れた減衰量の値は、周波数特性メモリ５のアドレ
スXiを指定し、周波数設定回路４に設定された使
用周波数の値は周波数特性メモリ５のアドレスYi
を指定する。ここで減衰量設定回路３に設定され
た減衰量の値は整数値が入力されるので、周波数
特性メモリ５のアドレスXiを必ず指定するが、周
波数設定回路４へ設定された使用周波数の値は周
波数特性メモリ５の容量の関係で或る周波数間隔
で記憶されているが故に、周波数特性メモリ５の
アドレスYiを指定できない場合が起りうる。この
場合は当該周波数設定回路４に設定された使用周
波数の値に近い周波数の２つのアドレスYiとYi+1
とを指定する。すなわち減衰量設定回路３に設定
された減衰量の値と、周波数設定回路４に設定さ
れた使用周波数の値とが周波数特性メモリ５のア
ドレスに対応しているときは、補正データ読出し
回路６はアドレスXiYiで周波数特性メモリ５を読
出す。また減衰量設定回路３に設定された減衰量
の値と周波数設定回路４に設定された使用周波数
の値とが、周波数特性メモリ５のアドレスに対応
していないときは、補正データ読出し回路６は上
記説明の２つのアドレスXiYiとXiYi+1とで周波数
特性メモリ５をそれぞれ読出す。
に設定された減衰量の値と周波数設定回路４へ設
定された使用周波数の値とによつて、上記説明の
周波数特性メモリ５から使用周波数に対する減衰
量の補正値を読出す。減衰量設定回路３に設定さ
れた減衰量の値は、周波数特性メモリ５のアドレ
スXiを指定し、周波数設定回路４に設定された使
用周波数の値は周波数特性メモリ５のアドレスYi
を指定する。ここで減衰量設定回路３に設定され
た減衰量の値は整数値が入力されるので、周波数
特性メモリ５のアドレスXiを必ず指定するが、周
波数設定回路４へ設定された使用周波数の値は周
波数特性メモリ５の容量の関係で或る周波数間隔
で記憶されているが故に、周波数特性メモリ５の
アドレスYiを指定できない場合が起りうる。この
場合は当該周波数設定回路４に設定された使用周
波数の値に近い周波数の２つのアドレスYiとYi+1
とを指定する。すなわち減衰量設定回路３に設定
された減衰量の値と、周波数設定回路４に設定さ
れた使用周波数の値とが周波数特性メモリ５のア
ドレスに対応しているときは、補正データ読出し
回路６はアドレスXiYiで周波数特性メモリ５を読
出す。また減衰量設定回路３に設定された減衰量
の値と周波数設定回路４に設定された使用周波数
の値とが、周波数特性メモリ５のアドレスに対応
していないときは、補正データ読出し回路６は上
記説明の２つのアドレスXiYiとXiYi+1とで周波数
特性メモリ５をそれぞれ読出す。
計算手段７では、周波数特性メモリ５から読出
された補正値が１つの場合はそのまま計算するこ
となく当該補正値を出力するが、周波数特性メモ
リ５から２つの補正値が読出されたとき、次の補
間計算を行い、その計算結果を出力する。すなわ
ち、アドレスXiYiで周波数特性メモリ５を読出し
たときの補正値Si、アドレスXiYi+1で周波数特性
メモリ５を読出したときの補正値をSi+1としたと
き、第３図に示されたように２点（i，Si）、
（i+1，Si+1）を通る予め定められた直線或いは２
次曲線等の補間曲線から周波数設定回路４に設定
された使用周波数kに対する補正値Ｓを計算す
る。そして計算された当該補正値Ｓが計算手段７
から出力される。
された補正値が１つの場合はそのまま計算するこ
となく当該補正値を出力するが、周波数特性メモ
リ５から２つの補正値が読出されたとき、次の補
間計算を行い、その計算結果を出力する。すなわ
ち、アドレスXiYiで周波数特性メモリ５を読出し
たときの補正値Si、アドレスXiYi+1で周波数特性
メモリ５を読出したときの補正値をSi+1としたと
き、第３図に示されたように２点（i，Si）、
（i+1，Si+1）を通る予め定められた直線或いは２
次曲線等の補間曲線から周波数設定回路４に設定
された使用周波数kに対する補正値Ｓを計算す
る。そして計算された当該補正値Ｓが計算手段７
から出力される。
アツテネータ減衰量補正手段８は、計算手段７
から出力された補正値Ｓと、減衰量設定回路３に
設定された減衰量に値に基づき可変減衰器制御回
路２に補正後の減衰量の値を出力する回路であ
り、前記減衰量設定回路３に設定された減衰量を
補正値Ｓの分だけ補正する。これにより可変減衰
器制御回路２の可変減衰器１に対する減衰量が最
終的に設定される。
から出力された補正値Ｓと、減衰量設定回路３に
設定された減衰量に値に基づき可変減衰器制御回
路２に補正後の減衰量の値を出力する回路であ
り、前記減衰量設定回路３に設定された減衰量を
補正値Ｓの分だけ補正する。これにより可変減衰
器制御回路２の可変減衰器１に対する減衰量が最
終的に設定される。
なお、表示装置９には計算手段７から出力され
る補正値Ｓが送込まれ、設定された使用周波数に
対する補正量（値）が表示される。
る補正値Ｓが送込まれ、設定された使用周波数に
対する補正量（値）が表示される。
可変減衰器制御手段１２は前記説明の可変減衰
器制御回路２とアツテネータ減衰量補正手段８と
を備えたものである。
器制御回路２とアツテネータ減衰量補正手段８と
を備えたものである。
次に第４図のフローチヤーチを用いて第１図の
動作を説明する。
動作を説明する。
外部から所望の公称減衰量、例えば30dBを設
定すると、この30dBが減衰量設定回路３に設定
される（ステツプ４１）。外部から使用周波数、
例えば10MHzが設定されたものとする。この10M
Hzが周波数設定回路４に設定される（ステツプ４
２）。減衰量設定回路３に設定された減衰量30dB
と周波数設定回路４に設定された使用周波数10M
Hzとから、補正データ読出し回路６は周波数特性
メモリ５をアクセスするアドレスを発生させる
（ステツプ４３）。この補正データ読出し回路６で
発生したアドレスが第２図に示された周波数特性
メモリ５のアドレスに対応したているときは、当
該アドレスで周波数特性メモリ５をアクセスし、
周波数特性メモリ５から補正値Siを読出す（ステ
ツプ４４，４６）。この読出された補正値Siは、
計算手段７で補間計算されることなくスイツチ１
０を介してアツテネータ減衰量補正手段８へ補正
量Ｓ（＝Si）として入力される（ステツプ４７）。
そして可変減衰器制御回路２により可変減衰器１
内のアツテネータを作動させ、前記減衰量設定回
路３に設定された公称30dBの減衰量に対し、補
正量Ｓだけ補正する（ステツプ４８）。
定すると、この30dBが減衰量設定回路３に設定
される（ステツプ４１）。外部から使用周波数、
例えば10MHzが設定されたものとする。この10M
Hzが周波数設定回路４に設定される（ステツプ４
２）。減衰量設定回路３に設定された減衰量30dB
と周波数設定回路４に設定された使用周波数10M
Hzとから、補正データ読出し回路６は周波数特性
メモリ５をアクセスするアドレスを発生させる
（ステツプ４３）。この補正データ読出し回路６で
発生したアドレスが第２図に示された周波数特性
メモリ５のアドレスに対応したているときは、当
該アドレスで周波数特性メモリ５をアクセスし、
周波数特性メモリ５から補正値Siを読出す（ステ
ツプ４４，４６）。この読出された補正値Siは、
計算手段７で補間計算されることなくスイツチ１
０を介してアツテネータ減衰量補正手段８へ補正
量Ｓ（＝Si）として入力される（ステツプ４７）。
そして可変減衰器制御回路２により可変減衰器１
内のアツテネータを作動させ、前記減衰量設定回
路３に設定された公称30dBの減衰量に対し、補
正量Ｓだけ補正する（ステツプ４８）。
一方補正データ読出し回路６で発生したアドレ
スが周波数特性メモリ５のアドレスに対応してい
ないとき、例えば所望減衰量が30dBで使用周波
数が30MHzのとき、補正データ読出し回路６で発
生した仮のアドレスに近い２つのアドレスが作成
される。すなわち第２図に示されているように減
衰量が30dBで使用周波数が10MHzのアドレスXi
Yi及び減衰量が30dBで使用周波数が50MHzのア
ドレスXiYi+1とが作成される。この２つのアドレ
スで補正データ読出し回路６は周波数特性メモリ
５をそれぞれアクセスし（ステツプ４５）、アド
レスXiYiで周波数特性メモリ５から読出した補正
値Siと、アドレスXiYi+1で周波数特性メモリ５か
ら読出した補正値Si+1とを計算手段７へ送る。計
算手段７では送られてきた２つの補正値Si，Si+1
及びアドレスXiYiとアドレスXiYi+1とから、第３
図に示された２点（i，Si）、（i+1，Si+1）とが求
められ（i＝10MHz，i+1＝50MHz）上記説明し
た様に、当該２点（i，Si）、（（i+1，Si+1）を通
る予め定められた補間曲線に基づく補間計算によ
つて使用周波数30MHzに対する補正量Ｓが計算さ
れる（ステツプ４９）。この補正量Ｓがアツテネ
ータ減衰量補正手段８へ入力され（ステツプ４
７）、可変減衰器制御回路２により、当該補正量
Ｓだけ設定減衰量の量を補正する（ステツプ４
８）。
スが周波数特性メモリ５のアドレスに対応してい
ないとき、例えば所望減衰量が30dBで使用周波
数が30MHzのとき、補正データ読出し回路６で発
生した仮のアドレスに近い２つのアドレスが作成
される。すなわち第２図に示されているように減
衰量が30dBで使用周波数が10MHzのアドレスXi
Yi及び減衰量が30dBで使用周波数が50MHzのア
ドレスXiYi+1とが作成される。この２つのアドレ
スで補正データ読出し回路６は周波数特性メモリ
５をそれぞれアクセスし（ステツプ４５）、アド
レスXiYiで周波数特性メモリ５から読出した補正
値Siと、アドレスXiYi+1で周波数特性メモリ５か
ら読出した補正値Si+1とを計算手段７へ送る。計
算手段７では送られてきた２つの補正値Si，Si+1
及びアドレスXiYiとアドレスXiYi+1とから、第３
図に示された２点（i，Si）、（i+1，Si+1）とが求
められ（i＝10MHz，i+1＝50MHz）上記説明し
た様に、当該２点（i，Si）、（（i+1，Si+1）を通
る予め定められた補間曲線に基づく補間計算によ
つて使用周波数30MHzに対する補正量Ｓが計算さ
れる（ステツプ４９）。この補正量Ｓがアツテネ
ータ減衰量補正手段８へ入力され（ステツプ４
７）、可変減衰器制御回路２により、当該補正量
Ｓだけ設定減衰量の量を補正する（ステツプ４
８）。
このように周波数特性とは無関係に設定された
減衰量が設定された使用周波数に応じて直接或い
は補間計算により得られた値で補正され、より精
度の高い減衰量が自動的に設定される。そしてそ
の補正値Ｓが表示装置９に表示され、また外部へ
出力される。
減衰量が設定された使用周波数に応じて直接或い
は補間計算により得られた値で補正され、より精
度の高い減衰量が自動的に設定される。そしてそ
の補正値Ｓが表示装置９に表示され、また外部へ
出力される。
スイツチ１０は通常オン状態にして使用する
が、設定された使用周波数に応じて可変減衰器１
に設定された公称減衰量に対し補正をする必要が
ないときオフ状態にして使用される。このときア
ツテネータ減衰量補正手段８への入力（補正量
Ｓ）は零となる。また表示装置９は、可変減衰器
１に設定されている公称減衰量が設定された使用
周波数に対しどれほどの誤差となつているかを表
示しており、その誤差、すなわち上記説明の補正
量Ｓが外部へ出力される。
が、設定された使用周波数に応じて可変減衰器１
に設定された公称減衰量に対し補正をする必要が
ないときオフ状態にして使用される。このときア
ツテネータ減衰量補正手段８への入力（補正量
Ｓ）は零となる。また表示装置９は、可変減衰器
１に設定されている公称減衰量が設定された使用
周波数に対しどれほどの誤差となつているかを表
示しており、その誤差、すなわち上記説明の補正
量Ｓが外部へ出力される。
なお周波数特性メモリ５には各減衰量について
の周波数特性の補正値を記憶しているが、この補
正値に換え周波数特性の値そのものを記憶させて
おき、可変減衰器１を設定するようにすることも
できる。
の周波数特性の補正値を記憶しているが、この補
正値に換え周波数特性の値そのものを記憶させて
おき、可変減衰器１を設定するようにすることも
できる。
以上説明した如く、本考案によれば、設定され
た使用周波数に応じて補正された減衰量が自動的
に設定されるプログラマブルアツテネータ、すな
わちより一層減衰量確度の高いプログラマブルア
ツテネータが実現する。そして使用周波数に対し
補正を加えない場合、設定されている公称減衰量
が設定された使用周波数ではどれ程の誤差を包含
しているか表示装置に表示し、或いは外部へ出力
できるようになつているので、データシートが手
元になくてもただちに知ることができる。また任
意の周波数での誤差もただちに得ることができ
る。
た使用周波数に応じて補正された減衰量が自動的
に設定されるプログラマブルアツテネータ、すな
わちより一層減衰量確度の高いプログラマブルア
ツテネータが実現する。そして使用周波数に対し
補正を加えない場合、設定されている公称減衰量
が設定された使用周波数ではどれ程の誤差を包含
しているか表示装置に表示し、或いは外部へ出力
できるようになつているので、データシートが手
元になくてもただちに知ることができる。また任
意の周波数での誤差もただちに得ることができ
る。
第１図は本考案のプログラマブルアツテネータ
の一実施例構成、第２図は周波数特性の補正値が
記憶されている周波数特性メモリの記憶内容説明
図、第３図は補間値の計算の仕方を説明している
説明図、第４図はフローチヤートを示している。 図中、１は可変減衰器、２は可変減衰器制御回
路、３は減衰量設定回路、４は周波数設定回路、
５は周波数特性メモリ、６は補正データ読出し回
路、７は計算手段、８はアツテネータ減衰量補正
手段、９は表示装置、１０はスイツチ、１２は可
変減衰器制御手段を表わしている。
の一実施例構成、第２図は周波数特性の補正値が
記憶されている周波数特性メモリの記憶内容説明
図、第３図は補間値の計算の仕方を説明している
説明図、第４図はフローチヤートを示している。 図中、１は可変減衰器、２は可変減衰器制御回
路、３は減衰量設定回路、４は周波数設定回路、
５は周波数特性メモリ、６は補正データ読出し回
路、７は計算手段、８はアツテネータ減衰量補正
手段、９は表示装置、１０はスイツチ、１２は可
変減衰器制御手段を表わしている。
Claims (1)
- 複数個のアツテネータを組合せて所望の減衰量
を得る可変減衰器１と；外部から所望の減衰量を
設定するための減衰量設定回路３と；周波数を設
定する周波数設定回路４と；前記可変減衰器１の
周波数に対する減衰量の補正データを記憶してい
る周波数特性メモリ５と；減衰量設定回路３に設
定された減衰量と周波数設定回路４に設定された
周波数とから周波数特性メモリ５に記憶されてい
る所望の補正データを読出す補正データ読出し回
路６と；周波数特性メモリ５から読出された減衰
量の補正データに基づき前記周波数に対する減衰
量の補正値を計算する計算手段７と；該計算手段
７で計算された補正値に基づき可変減衰器１の減
衰量が真値になるように前記可変減衰器１の減衰
量を制御する可変減衰器制御手段１２とを備えた
プログラマブルアツテネータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216784U JPS60155219U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | プログラマブルアツテネ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216784U JPS60155219U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | プログラマブルアツテネ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155219U JPS60155219U (ja) | 1985-10-16 |
| JPH021952Y2 true JPH021952Y2 (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=30552665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4216784U Granted JPS60155219U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | プログラマブルアツテネ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60155219U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5973174B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-08-23 | Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 | 高周波帯可変減衰器の調整装置及び調整方法 |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP4216784U patent/JPS60155219U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60155219U (ja) | 1985-10-16 |
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