JPH02196509A - ヒステリシス回路 - Google Patents
ヒステリシス回路Info
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- JPH02196509A JPH02196509A JP1015141A JP1514189A JPH02196509A JP H02196509 A JPH02196509 A JP H02196509A JP 1015141 A JP1015141 A JP 1015141A JP 1514189 A JP1514189 A JP 1514189A JP H02196509 A JPH02196509 A JP H02196509A
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Landscapes
- Processing Of Color Television Signals (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
(以下においてICといら)にて構成された映像機器等
に好適なヒステリシス回路に関する。
るものであり、その−例を第4図について説明する。
給され、非反転入力端子のには、抵抗R1+を介して入
力信号■2が供給される。
、出力信号■。がハイレベル(VH) ドローレベル(
Vt )にレベル変化し、このレベル変化は帰還抵抗R
12を介して非反転入力端子のに伝達される。
。
等を勘案して決定されるのであるが、仮りにv、−v、
=5vと設定した場合、ヒステリシス幅Δ■いを10m
V程度の微小幅に設定しようとすると、RIz/ R+
+= 499にしなければならない。
傾向にあり、ヒステリシス回路も例外ではない。ICの
場合、大きな抵抗比の実現が困難であり、前記のように
抵抗比が499もある抵抗はIC化が困難であった。
C化に際し微小なヒステリシス幅△Vthになすことが
困難であった。
メラについて説明する。
ータから色差信号を得てカラー画像を映し出すと共に、
前記色差信号を積分して得た測光信号によりオートホワ
イトバランス等を制御するように構成したものがある。
るから、例えば赤−色の背景等があると、。
いう)が生じてしまう。測光信号は、色差信号を積分し
たものであるから、強色差信号が生じると積分値、換言
すれば測光13号がレベル変動し、オートホワイトバラ
ンスが誤制御をおこす。
した色差信号から測光信号を得るようにしている。
近傍のノイズ成分による誤動作を防止するため、ヒステ
リシス回路が使用される。
と検出誤差が大になるため、ヒステリシス幅を小にする
ことが望ましい。
化を図ると、前記理由によりヒステリシス幅の微小化に
限界があった。
回路構成を簡略化して周波数応答を高くしなければ、強
色差信号の検出および除去を正確に行うことができない
。
目的は微小なヒステリシス幅の設定が容易である上に、
回路構成が簡単でIC化に適したヒステリシス回路を提
供することにある。
第1および第2の入力端子に供給される入力信号のレベ
ル差を検出して得た出力信号により、例えば負荷を駆動
する出力回路のエミッタ接地トランジスタのベースを駆
動するための動作電流の供給を制御すると共に、例えば
前記動作電流の電流源と前記出力回路との間に形成され
た抵抗によって、出力信号に対応した電圧信号を発生さ
せ、該電圧信号を所望の電流に交換する電圧電流交換手
段を設け、該電圧電流交換手段の出力電流を帰還信号(
電流)として前記差動増幅器の一力の入力端子にヒステ
リシス幅となる電圧差を生しさせるように構成したもの
である。
流の値と、この動作電流が供給される抵抗、及び前記電
圧電流交換手段に用いる抵抗の比により、帰還電流を設
定し、この帰還電流とヒステリシス幅となる電圧差を生
じるための抵抗の値によりヒステリシス幅を容易に設定
することができる。
形成は困難であり、抵抗比の設定にもばらつきが発生し
やすいが、個々の抵抗は同一デバイスプロセスにて形成
されるので、比較的小さな抵抗比は正確に設定し得る。
ステリシス幅を設定する回路構成は、IC化に好適であ
り、他の電子回路と一体にヒステリシス回路をIC化す
ることができる。
図、第2図は入力対出力の関係を示す波形図、第3図は
ヒステリシス特性図である。
スタQ1、Q2、更にカレンミラー回路に構成された能
動負荷として動作するNPN )ランジスタQ3、Q4
等からなる。
なる入力信号■1が供給され、非反転入力端子Φには第
2の入力信号となる基準電圧■、。。
る帰還電流■、が発生していない場合、抵抗R1による
電圧降下を無視できるのでトランジスタQ+のベース電
圧は基準電圧V rafとほぼ同一になる。
レベルとが、■、、。、>V、の関係にあるとすれば、
図示のヒステリシス回路は下記のように動作する。
電流回路C81から供給される電流1皿がトランジスタ
Q4に流れようとする。
スタQコにカレントミラー動作を行うための基準電流が
流れない。従って、トランジスタQ4に前記電流■1が
流れず、該電流11は電流制御手段として設けられたス
イッチトランジスタQ5のベース電流になる。
zから供給される電流I7は、トランジスタQ5のコ
レクターエミッタ間を流れる。尚、前記電流■2は、本
発明でいう動作電流に相当するものである。
ばA点の電圧■1が大幅に低下し、電圧電流交換手段を
構成するトランジスタQ6、更に出力回路を構成するト
ランジスタQ7のベース電圧を動作可能な電圧VB!以
下に低下せしめる。
は0であるので、抵抗R+による電圧降下もなく、トラ
ンジスタQ、のベースは電圧V re(に固定された状
態を維持する。
レクタ電圧は電源VCCと同一になり、出力電圧■。の
電圧レベルはV0=■ccになる。
し、V、6.>V、の場合は位相反転した出力電圧■。
する。
タQ、がオンに動作する。電流I、はトランジスタQ、
を介してトランジスタQ3 、Q4のベース電流になる
。
スタQz 、Q4の電流経路は形成されず、トランジス
タQ、のベース電流も遮断される。
抵抗R2を介してl・ランジスタQ7のベースに供給さ
れる。
R2・I2の電圧降下が発生する。これによりA点には
電圧V、=R2TZ +VIEQ7が発生する。ただし
VllEQ7はQ7のベース・エミッタ間電圧である。
還電流It=Itffiが流れることになる。
VIIEQ&・・・(1)尚、VstQiはトランジ
スタQ6のベース・エミッタ間電圧、R2・I2は電流
I2による抵抗R2の電圧降下分、更にR3・Ifs+
は帰還電流Ifヨによる抵抗R3の電圧降下分である。
ぼ0.7■と一定であり、前記VBEQ6、VIIEQ
4 もほぼ同一と見做し得る。そこで前記(1)式から
帰還電流1.□を求めると、R2・ I2 =R,・
Ifth ・ ・ ・ ・ ・ ・ (2)帰還電
流Itが発生すると、抵抗R3の両端にR2・I1で決
定される電圧降下が発生する。故に、トランジスタQ1
のベース電圧、換言すればヒステリシス動作を行う閾値
Vthは、V Lh”i V ref Rl ’ I
fm ・・・・ (4)で決定される電圧レヘルに
変化する。
電圧■。の電圧レベルは、t1時点以降に示スようにハ
イレベル(■cC)からローレベル(■εEQ、#GN
D)までレベル低下する。
ランジスタQ1のベース電圧が(4)式で示した電圧レ
ベルまで低下した後は、第2図のt2時点に示すように
V、、、>Vえの関係になっても、出力電圧V0は位相
反転しない。
>■1の関係になった時、出力電圧■。がローレベルか
らハイレベルに位相反転する。
明する。
、Y軸に示した帰還電流■、の電流量が急激に増大する
。
V refからVrat R+ ・I tmで決定さ
れる電圧にレベル低下する。
bl HIf >vlになった時点で帰還電流1rが急
激に減少するようになる。
幅へVいのヒステリシス特性が得られる。
れば、各抵抗の抵抗値をR,=300Ω、R2=2にΩ
、Ra=6にΩに設定することにより、(5)式よりΔ
■い一10mVにすることができる。
抵抗であり、しかもヒステリシス幅ΔVLhを10mV
もの低電圧にすることができる。
より決定されるため、きわめて設計が容易である。さら
に通常のIC回路では、電流源はその値が定電圧/抵抗
値によって決まるように構成することができるから、(
5)式より明らかなようにヒステリシス幅を抵抗比のみ
によって決定することができる。したがって本発明によ
るヒステリシス幅△VLhは抵抗のプロセスによるばら
つきや温度変化に対してきわめて安定である。
差信号の検出および除去に用いた場合、ヒステリシス幅
ΔVthが微小である上に、前記理由乙二より安定して
いるので、前記検出を正確に行ない得る。
基準電圧V rafが供給されているが、第1および第
2の入力信号の何れもアナログ信号であってよい。
ノファアンプを設け、該バッファアンプを介し7て差動
増幅器1に入力信号を供給するように構成してよい。
色差信号の検出に使用されるのみではない。例えば、モ
ータの回転位置検出の如く、磁電変換素子から発生した
低レベルの位置検出信号を波形整形する際に好適であり
、IC化に適した回路構成と相俟って、その用途は極め
て広いものである。
動増幅器の出力信号に基づいて供給される動作電流と抵
抗比によって決定される帰還型′流を得ると共に、該帰
還電流により前記差動増幅器の一方の入力端子の端子電
圧を制御し、ヒステリシス特性を得るようにしたもので
ある。
実現できIC化がきわめて容易になる。
定されるのでヒステリシス幅の設定がきわめて容易であ
ると同時に、ばらつき、温度変化などに対し安定である
。
テリシス特性図、 第4図は従来のヒステリシス回路の一例を示す回路図で
ある。 図中の符号 1:差動増幅器 Q+ −Q7 : )ランジスタ R1〜R3:抵抗 ■L :入力信号 ■。:出力信号 V ref :基準電圧 T+ 、Iz :電流 I、:帰還電流。 第 1 図 第 2 図 λカ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1の入力端子に第1の入力信号が供給され、第2の入
力端子に第1の抵抗を介して第2の入力信号が供給され
る差動増幅器と、 前記差動増幅器の出力信号に対応して動作電流の供給を
制御する電流制御手段と、 前記動作電流が第2の抵抗を介してベースに供給される
エミッタ接地トランジスタと、 前記動作電流により、前記第2の抵抗に発生した電圧に
対応した帰還電流を発生させる電圧電流交換手段とを備
え該電圧電流交換手段の出力端子が前記第2の入力端子
に接続されたことを特徴とするヒステリシス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015141A JP2676623B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ヒステリシス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015141A JP2676623B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ヒステリシス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196509A true JPH02196509A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2676623B2 JP2676623B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=11880538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1015141A Expired - Lifetime JP2676623B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ヒステリシス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676623B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592124A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-07 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346660A (en) * | 1976-10-09 | 1978-04-26 | Funai Electric Co | Engaging members |
| JPS637012A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | ヒステリシス内蔵電圧比較器 |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1015141A patent/JP2676623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346660A (en) * | 1976-10-09 | 1978-04-26 | Funai Electric Co | Engaging members |
| JPS637012A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | ヒステリシス内蔵電圧比較器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592124A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-07 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
| US5767538A (en) * | 1995-06-26 | 1998-06-16 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676623B2 (ja) | 1997-11-17 |
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