JPH0430229B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0430229B2 JPH0430229B2 JP57128435A JP12843582A JPH0430229B2 JP H0430229 B2 JPH0430229 B2 JP H0430229B2 JP 57128435 A JP57128435 A JP 57128435A JP 12843582 A JP12843582 A JP 12843582A JP H0430229 B2 JPH0430229 B2 JP H0430229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- capacitor
- signal
- current source
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
- H04N5/16—Circuitry for reinsertion of DC and slowly varying components of signal; Circuitry for preservation of black or white level
- H04N5/18—Circuitry for reinsertion of DC and slowly varying components of signal; Circuitry for preservation of black or white level by means of "clamp" circuit operated by switching circuit
- H04N5/185—Circuitry for reinsertion of DC and slowly varying components of signal; Circuitry for preservation of black or white level by means of "clamp" circuit operated by switching circuit for the black level
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ビデオカメラなどで使用されるクランプ回路
は、一般に、第1図に示すように構成され、例え
ば第2図Aに示すような輝度信号Syが供給され
るとき、第2図Bに示すようなクランプパルス
Pcが供給されると、トランジスタQaのエミツタ
には、黒レベルが電圧Vcにクランプされた輝度
信号Syが取り出される。
は、一般に、第1図に示すように構成され、例え
ば第2図Aに示すような輝度信号Syが供給され
るとき、第2図Bに示すようなクランプパルス
Pcが供給されると、トランジスタQaのエミツタ
には、黒レベルが電圧Vcにクランプされた輝度
信号Syが取り出される。
しかし、クランプ回路では、IC化する場合、
コンデンサCaが外付けとなるため、ICの外部ピ
ン数が増加してしまう。また、電圧源Vcの出力
インピーダンスは十分に低くなければならず、こ
のためコンデンサなどを必要とするので、やはり
電圧源Vcも外付けとなり、ICの外部ピン数が増
加してしまう。
コンデンサCaが外付けとなるため、ICの外部ピ
ン数が増加してしまう。また、電圧源Vcの出力
インピーダンスは十分に低くなければならず、こ
のためコンデンサなどを必要とするので、やはり
電圧源Vcも外付けとなり、ICの外部ピン数が増
加してしまう。
さらに、信号Syを前段から後段に送るとき、
電流を多く流す必要があり、消費電力の点からも
問題がある。
電流を多く流す必要があり、消費電力の点からも
問題がある。
この発明は、これらの問題点を一掃しようとす
るものである。
るものである。
以下その一例について説明しよう。
第3図において、トランジスタQ1〜Q3のエミ
ツタが、定電流源用のトランジスタQ21〜Q23に
接続されてトランジスタQ1〜Q3はエミツタフオ
ロワとされると共に、輝度信号Syの入力端子T1
がトランジスタQ1のベースに接続され、そのエ
ミツタが抵抗器R1を通じてトランジスタQ2のベ
ースに接続され、そのエミツタがトランジスタ
Q3のベースに接続される。
ツタが、定電流源用のトランジスタQ21〜Q23に
接続されてトランジスタQ1〜Q3はエミツタフオ
ロワとされると共に、輝度信号Syの入力端子T1
がトランジスタQ1のベースに接続され、そのエ
ミツタが抵抗器R1を通じてトランジスタQ2のベ
ースに接続され、そのエミツタがトランジスタ
Q3のベースに接続される。
さらに、端子T1がトランジスタQ11のベースに
接続されると共に、そのエミツタが定電流源用の
トランジスタQ31に接続されてトランジスタQ11
はエミツタフオロワとされる。また、トランジス
タQ11のエミツタが抵抗器R11を通じてトランジ
スタQ12のベースに接続され、トランジスタQ12
のエミツタが、トランジスタQ15のコレクタ・エ
ミツタ間を通じて定電流源用のトランジスタQ32
に接続されると共に、トランジスタQ12のベース
とトランジスタQ32のコレクタとの間に、トラン
ジスタQ16のコレクタ・エミツタ間が接続され
る。従つて、トランジスタQ16がオフで、トラン
ジスタQ15がオンのとき、トランジスタQ12はエ
ミツタフオロワとして働く。
接続されると共に、そのエミツタが定電流源用の
トランジスタQ31に接続されてトランジスタQ11
はエミツタフオロワとされる。また、トランジス
タQ11のエミツタが抵抗器R11を通じてトランジ
スタQ12のベースに接続され、トランジスタQ12
のエミツタが、トランジスタQ15のコレクタ・エ
ミツタ間を通じて定電流源用のトランジスタQ32
に接続されると共に、トランジスタQ12のベース
とトランジスタQ32のコレクタとの間に、トラン
ジスタQ16のコレクタ・エミツタ間が接続され
る。従つて、トランジスタQ16がオフで、トラン
ジスタQ15がオンのとき、トランジスタQ12はエ
ミツタフオロワとして働く。
また、トランジスタQ12のエミツタがトランジ
スタQ13のベースに接続され、このトランジスタ
Q13のエミツタが定電流源用のトランジスタQ23
に接続されてトランジスタQ13はエミツタフオロ
ワとされると共に、トランジスタQ13のベース
が、端子T4を通じてコンデンサC1に接続される。
スタQ13のベースに接続され、このトランジスタ
Q13のエミツタが定電流源用のトランジスタQ23
に接続されてトランジスタQ13はエミツタフオロ
ワとされると共に、トランジスタQ13のベース
が、端子T4を通じてコンデンサC1に接続される。
さらに、トランジスタQ4,Q14のエミツタが定
電流源用のトランジスタQ24に接続され、トラン
ジスタQ4,Q14のコレクタに抵抗器R2,R3が接続
されて差動アンプA1が構成されると共に、トラ
ンジスタQ4のベースがトランジスタQ3のエミツ
タに接続され、トランジスタQ14のベースがトラ
ンジスタQ13のエミツタに接続され、トランジス
タQ4,Q14のコレクタに出力端子T2,T3が接続
される。
電流源用のトランジスタQ24に接続され、トラン
ジスタQ4,Q14のコレクタに抵抗器R2,R3が接続
されて差動アンプA1が構成されると共に、トラ
ンジスタQ4のベースがトランジスタQ3のエミツ
タに接続され、トランジスタQ14のベースがトラ
ンジスタQ13のエミツタに接続され、トランジス
タQ4,Q14のコレクタに出力端子T2,T3が接続
される。
また、トランジスタQ21〜Q24,Q31〜Q33及び
トランジスタQ25,Q26によりカレントミラー回
路A2が構成され、トランジスタQ21〜Q24,Q31〜
Q33に所定のコレクタ電流が流される。
トランジスタQ25,Q26によりカレントミラー回
路A2が構成され、トランジスタQ21〜Q24,Q31〜
Q33に所定のコレクタ電流が流される。
なお、対応する素子は等しい特性とされ、
Q1〜Q4=Q11〜Q14
Q21〜Q23=Q31〜Q33
R1=R11,R2=R3
とされる。
また、インバータA3が構成される。このイン
バータA3は、クランプパルスPcをTTLレベルか
らECLレベル(振幅が0.7V)に変換すると共に、
逆相のパルスを形成するためのものである。
バータA3は、クランプパルスPcをTTLレベルか
らECLレベル(振幅が0.7V)に変換すると共に、
逆相のパルスを形成するためのものである。
すなわち、クランプパルスPcの入力端子T11が
トランジスタQ41を通じてトランジスタQ42のベ
ースに接続されると共に、トランジスタQ42,
Q43のエミツタが定電流源用のトランジスタQ44
に接続されて差動アンプA4が構成される。さら
にトランジスタQ42のコレクタが、トランジスタ
Q51のベースに接続されると共に、そのエミツタ
がレベルシフト用のトランジスタQ52,Q53を通
じて定電流源用のトランジスタQ54に接続されて
トランジスタQ51はエミツタフオロワとされ、ト
ランジスタQ53のエミツタがトランジスタQ16の
ベースに接続される。また、トランジスタQ43の
コレクタがトランジスタQ55のベースに接続され
ると共に、そのエミツタがレベルシフト用のトラ
ンジスタQ56,Q57を通じて定電流源用のトラン
ジスタQ58に接続されてトランジスタQ55はエミ
ツタフオロワとされ、トランジスタQ57のエミツ
タがトランジスタQ15のベースに接続される。
トランジスタQ41を通じてトランジスタQ42のベ
ースに接続されると共に、トランジスタQ42,
Q43のエミツタが定電流源用のトランジスタQ44
に接続されて差動アンプA4が構成される。さら
にトランジスタQ42のコレクタが、トランジスタ
Q51のベースに接続されると共に、そのエミツタ
がレベルシフト用のトランジスタQ52,Q53を通
じて定電流源用のトランジスタQ54に接続されて
トランジスタQ51はエミツタフオロワとされ、ト
ランジスタQ53のエミツタがトランジスタQ16の
ベースに接続される。また、トランジスタQ43の
コレクタがトランジスタQ55のベースに接続され
ると共に、そのエミツタがレベルシフト用のトラ
ンジスタQ56,Q57を通じて定電流源用のトラン
ジスタQ58に接続されてトランジスタQ55はエミ
ツタフオロワとされ、トランジスタQ57のエミツ
タがトランジスタQ15のベースに接続される。
さらに、トランジスタQ44,Q54,Q58及びトラ
ンジスタQ45,Q46によりカレントミラー回路A5
が構成される。
ンジスタQ45,Q46によりカレントミラー回路A5
が構成される。
このような構成によれば、端子T11のクランプ
パルスPcが“0”レベルのときには(輝度信号
Syが黒レベルではないとき)、トランジスタQ41
がオンなので、トランジスタQ42がオフとなつて
トランジスタQ51がオンとなり、トランジスタ
Q53のエミツタは“1”レベルとなる。また、パ
ルスPcが“1”レベルのときには(信号Syが黒
レベルのとき)、トランジスタQ41がオフとなる
ので、トランジスタQ42がオンとなつてトランジ
スタトランジスタQ53のエミツタは“0”レベル
となる。従つてトランジスタQ53のエミツタに
は、第2図Cに示すようにパルスPcとは逆相の
パルスが得られる。
パルスPcが“0”レベルのときには(輝度信号
Syが黒レベルではないとき)、トランジスタQ41
がオンなので、トランジスタQ42がオフとなつて
トランジスタQ51がオンとなり、トランジスタ
Q53のエミツタは“1”レベルとなる。また、パ
ルスPcが“1”レベルのときには(信号Syが黒
レベルのとき)、トランジスタQ41がオフとなる
ので、トランジスタQ42がオンとなつてトランジ
スタトランジスタQ53のエミツタは“0”レベル
となる。従つてトランジスタQ53のエミツタに
は、第2図Cに示すようにパルスPcとは逆相の
パルスが得られる。
また、トランジスタQ43は、トランジスタQ42
とは逆相でオンオフされると共に、その出力でト
ランジスタQ55がドライブされるので、トランジ
スタQ57のエミツタには、パルスとは逆相のパ
ルス、すなわち、パルスPcが得られる(実際に
はトランジスタQ41〜Q57は、飽和領域には入ら
ない。) そして、このパルスPc,がトランジスタ
Q15,Q16に供給されるので、輝度信号Syが黒レ
ベルのとき(Pc=“1”)、トランジスタQ15がオ
ンとなると共に、トランジスタQ16がオフとな
る。従つて、トランジスタQ12は、トランジスタ
Q32を定電流源としてエミツタフオロワとして働
くので、端子T1に輝度信号Syが供給されると、
この信号Syは、端子T1→トランジスタQ11→抵抗
器R11→トランジスタQ12→コンデンサC1の信号
ラインを通じてコンデンサC1に供給され、コン
デンサC1は、信号Syの黒レベルまで充電される。
とは逆相でオンオフされると共に、その出力でト
ランジスタQ55がドライブされるので、トランジ
スタQ57のエミツタには、パルスとは逆相のパ
ルス、すなわち、パルスPcが得られる(実際に
はトランジスタQ41〜Q57は、飽和領域には入ら
ない。) そして、このパルスPc,がトランジスタ
Q15,Q16に供給されるので、輝度信号Syが黒レ
ベルのとき(Pc=“1”)、トランジスタQ15がオ
ンとなると共に、トランジスタQ16がオフとな
る。従つて、トランジスタQ12は、トランジスタ
Q32を定電流源としてエミツタフオロワとして働
くので、端子T1に輝度信号Syが供給されると、
この信号Syは、端子T1→トランジスタQ11→抵抗
器R11→トランジスタQ12→コンデンサC1の信号
ラインを通じてコンデンサC1に供給され、コン
デンサC1は、信号Syの黒レベルまで充電される。
そして信号Syが黒レベルではないときには
(Pc=“0”)、トランジスタQ15がオフとなると共
に、トランジスタQ16がオンとなる。従つて、ト
ランジスタQ32のコレクタ電流(吸い込み型の定
電流)をI32とすれば、この電流I32はトランジス
タQ16を通じて抵抗器R11を流れるので、抵抗器
R11にR11×I32の大きさの電圧降下を生じ、これ
によりトランジスタQ12はオフとなる。従つて、
このとき、コンデンサC1は充電されなくなる。
(Pc=“0”)、トランジスタQ15がオフとなると共
に、トランジスタQ16がオンとなる。従つて、ト
ランジスタQ32のコレクタ電流(吸い込み型の定
電流)をI32とすれば、この電流I32はトランジス
タQ16を通じて抵抗器R11を流れるので、抵抗器
R11にR11×I32の大きさの電圧降下を生じ、これ
によりトランジスタQ12はオフとなる。従つて、
このとき、コンデンサC1は充電されなくなる。
すなわち、コンデンサC1は輝度信号Syが黒レ
ベルのときだけ、その黒レベルに充電される。
ベルのときだけ、その黒レベルに充電される。
従つて、コンデンサC1には信号Syの黒レベル
がサンプリングホールドされ、コンデンサC1の
端子電圧V1は、信号Syの黒レベルを示している
ことになる。
がサンプリングホールドされ、コンデンサC1の
端子電圧V1は、信号Syの黒レベルを示している
ことになる。
そして、このコンデンサC1の黒レベルを示す
電圧V1が、トランジスタQ13により取り出されて
トランジスタQ14に供給されると共に、端子T1の
信号Syが、端子T1→トランジスタQ1→抵抗器R1
→トランジスタQ2→トランジスタQ3→トランジ
スタQ4の信号ラインを通じてトランジスタQ4に
供給される。従つて、差動アンプA1において輝
度信号Syが、その黒レベルを示す電圧V1と電圧
比較されることになるので、端子T2,T3には、
黒レベルが一定レベルにクランプされた輝度信号
Syが取り出される。なお、この取り出された輝
度信号Syの黒レベルは、 Vcc−1/2×R Vcc:電源電圧 I24:トランジスタQ24のコレクタ電流 R=R2=R3 である。
電圧V1が、トランジスタQ13により取り出されて
トランジスタQ14に供給されると共に、端子T1の
信号Syが、端子T1→トランジスタQ1→抵抗器R1
→トランジスタQ2→トランジスタQ3→トランジ
スタQ4の信号ラインを通じてトランジスタQ4に
供給される。従つて、差動アンプA1において輝
度信号Syが、その黒レベルを示す電圧V1と電圧
比較されることになるので、端子T2,T3には、
黒レベルが一定レベルにクランプされた輝度信号
Syが取り出される。なお、この取り出された輝
度信号Syの黒レベルは、 Vcc−1/2×R Vcc:電源電圧 I24:トランジスタQ24のコレクタ電流 R=R2=R3 である。
こうして、端子T2,T3に黒レベルが所定のレ
ベルにクランプされた輝度信号Syを得ることが
できるが、この場合、特にこの発明によれば、
IC化するとき、コンデンサC1だけを外付けとし
てIC化することができ、よけいに必要な外部端
子は端子T4だけとなる。従つて、外部端子の数
が少なく、しかも、外付け部品の数も少ないので
IC化に有利であると共に、その効果が大きい。
ベルにクランプされた輝度信号Syを得ることが
できるが、この場合、特にこの発明によれば、
IC化するとき、コンデンサC1だけを外付けとし
てIC化することができ、よけいに必要な外部端
子は端子T4だけとなる。従つて、外部端子の数
が少なく、しかも、外付け部品の数も少ないので
IC化に有利であると共に、その効果が大きい。
また、トランジスタのベース・エミツタ間降下
電圧VBEは温度により変化するが、第3図からも
明らかなように、輝度信号Syの信号ライン(端
子T1→トランジスタQ1→抵抗器R1→トランジス
タQ2→トランジスタQ3→トランジスタQ4の信号
ライン)と、黒レベルを示す電圧V1の信号ライ
ン(端子T1→トランジスタQ11→抵抗器R11→ト
ランジスタQ12→トランジスタQ13→トランジス
タQ14の信号ライン)とは、直流的に構成が等し
いので、電圧VBEが温度により変化しても、端子
T2,T3の輝度信号Syの黒レベルが変化すること
がない。
電圧VBEは温度により変化するが、第3図からも
明らかなように、輝度信号Syの信号ライン(端
子T1→トランジスタQ1→抵抗器R1→トランジス
タQ2→トランジスタQ3→トランジスタQ4の信号
ライン)と、黒レベルを示す電圧V1の信号ライ
ン(端子T1→トランジスタQ11→抵抗器R11→ト
ランジスタQ12→トランジスタQ13→トランジス
タQ14の信号ライン)とは、直流的に構成が等し
いので、電圧VBEが温度により変化しても、端子
T2,T3の輝度信号Syの黒レベルが変化すること
がない。
さらに、ICにおいては、2つの信号ラインを
同じ定数で同じ形式に形成することは、きわめて
容易であるから、この点からもIC化に適してい
る。また、前段の回路と直結できると共に、電流
を多く流す必要もなく、消費電力も少ない。
同じ定数で同じ形式に形成することは、きわめて
容易であるから、この点からもIC化に適してい
る。また、前段の回路と直結できると共に、電流
を多く流す必要もなく、消費電力も少ない。
第4図に示す例においては、構成を簡略化した
場合であり、端子T11からのクランプパルスPc
が、エミツタフオロワのトランジスタQ61を通じ
て取り出されると共に、トランジスタQ63,Q64
とQ16とによりカレントミラー回路が構成され
る。
場合であり、端子T11からのクランプパルスPc
が、エミツタフオロワのトランジスタQ61を通じ
て取り出されると共に、トランジスタQ63,Q64
とQ16とによりカレントミラー回路が構成され
る。
そして、Pc=“1”のときには、トランジスタ
Q62がオンとなつてトランジスタQ64がオフとな
るので、トランジスタQ16もオフとなると共に、
トランジスタQ32がオンとなる。従つて、トラン
ジスタQ12は、エミツタフオロワとして働くの
で、コンデンサC1は、信号Syの黒レベルまで充
電される。
Q62がオンとなつてトランジスタQ64がオフとな
るので、トランジスタQ16もオフとなると共に、
トランジスタQ32がオンとなる。従つて、トラン
ジスタQ12は、エミツタフオロワとして働くの
で、コンデンサC1は、信号Syの黒レベルまで充
電される。
また、Pc=“0”のときには、トランジスタ
Q62がオフとなつてトランジスタQ64がオンとな
るので、トランジスタQ16には、抵抗器R11を通
じてトランジスタQ63のコレクタ電流に等しいコ
レクタ電流が流れ、トランジスタQ12はオフとな
る。そして、トランジスタQ32もオフとなる。
Q62がオフとなつてトランジスタQ64がオンとな
るので、トランジスタQ16には、抵抗器R11を通
じてトランジスタQ63のコレクタ電流に等しいコ
レクタ電流が流れ、トランジスタQ12はオフとな
る。そして、トランジスタQ32もオフとなる。
従つて、コンデンサC1には、信HSyの黒レベ
ルを示す電圧V1がサンプリングホールドされ、
この電圧V1と信号Syとが差動アンプA1で比較さ
れるので、端子T2には黒レベルが一定レベルに
クランプされた輝度信号Syが取り出される。
ルを示す電圧V1がサンプリングホールドされ、
この電圧V1と信号Syとが差動アンプA1で比較さ
れるので、端子T2には黒レベルが一定レベルに
クランプされた輝度信号Syが取り出される。
第1図、第2図はこの発明を説明するための
図、第3図、第4図はこの発明の一例の接続図で
ある。 T1は入力端子、T2,T3は出力端子である。
図、第3図、第4図はこの発明の一例の接続図で
ある。 T1は入力端子、T2,T3は出力端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 直流的に互いに等しく構成されるとともに入
力信号が共通に供給される第1及び第2の信号ラ
インと、 該第1及び第2の信号ラインの出力端が一方及
び他方の入力端にそれぞれ接続された差動アンプ
と、 上記第2の信号ラインに設けられたホールド用
コンデンサを有するホールド回路と、 該ホールド用コンデンサに接続されるとともに
クランプパルスによりオン/オフ制御される充放
電用電流源と、 上記クランプパルスにより導通可能状態になる
とともに入出力間に所定の電位差が生じた時に導
通する単方向スイツチを有し上記第2の信号ライ
ンに設けられたサンプリング回路とを有し、 クランプパルスが一方のレベルのとき、上記サ
ンプリング回路の上記単方向スイツチが導通可能
状態になるとともに上記充放電用電流源が動作し
入力信号がサンプリングされて上記コンデンサに
ホールドされ上記単方向スイツチが導通状態に無
いとき上記充放電用電流源により上記コンデンサ
が充放電され、 上記クランプパルスが他方のレベルのとき、上
記単方向スイツチが不動作状態になるとともに上
記充放電用電流源も不動作となり上記コンデンサ
のホールド出力が上記差動アンプの他方の入力端
に供給されて上記差動アンプから上記入力信号が
クランプされてとりだされるクランプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128435A JPS5919469A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128435A JPS5919469A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クランプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919469A JPS5919469A (ja) | 1984-01-31 |
| JPH0430229B2 true JPH0430229B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=14984668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128435A Granted JPS5919469A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クランプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919469A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846115B2 (ja) * | 1977-12-27 | 1983-10-14 | 松下電器産業株式会社 | クランプ回路 |
| JPS57207483A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Clamp circuit |
| JPS5888972A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-27 | Toshiba Corp | 直流分再生回路 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57128435A patent/JPS5919469A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5919469A (ja) | 1984-01-31 |
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