JPH03123063A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03123063A JPH03123063A JP1260883A JP26088389A JPH03123063A JP H03123063 A JPH03123063 A JP H03123063A JP 1260883 A JP1260883 A JP 1260883A JP 26088389 A JP26088389 A JP 26088389A JP H03123063 A JPH03123063 A JP H03123063A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- gap
- semiconductor element
- leads
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置（以下ＩＯと呼ぶ）用リードフレ
ームに関し、特に多ビン化・微細ピッチ化されているク
ワッドフラットパッケージ（以下ＱＦＰと呼ぶ）と共に
用いられる工Ｃ用リードフレームの形状とその製造方法
に関する。
ームに関し、特に多ビン化・微細ピッチ化されているク
ワッドフラットパッケージ（以下ＱＦＰと呼ぶ）と共に
用いられる工Ｃ用リードフレームの形状とその製造方法
に関する。
［従来の技術］
従来の工０用リードフレームの一般的な製造方法として
は、リードフレーム素材を写真手法により腐食処理する
エツチング加工又はプレス型を用いてプレス打抜するプ
レス加工が知られている。
は、リードフレーム素材を写真手法により腐食処理する
エツチング加工又はプレス型を用いてプレス打抜するプ
レス加工が知られている。
前記エツチング加工はリードフレーム素材を腐食加工す
る為手間がかかり、プレス加工に比べて大量生産には不
向きであるが、プレス加工に比べ初期投資額が少な（て
済む利点があり、一般には製品品質の安定状態や生産量
によって使い分けられている。リード成型寸法において
は面加工方式共に使用される板厚の８０％程度のスキマ
しか製造出来ず、その理由は、プレス加工の場合現在使
われているリードフレーム厚０．１５Ｒｎ〜０．１２５
ｒｒｒ！ｎの８０％というとスキマは０．１２ｆｉ〜０
．１聴となり、このスキマを抜く為のパンチがプレス圧
に耐えきれず折れてしまう。又折れな（ても大きな加工
歪が発生する。又、エツチング加工の場合、効率の良い
両面からのエツチングで行なっても、断面方向の中央部
が残ってつながるか、それを無理にエツチングで分離さ
せようとすれば、両横のリード部が必要以上にエツチン
グされ形状不良となってしまう。従ってこれらでは安定
した方式といえない。
る為手間がかかり、プレス加工に比べて大量生産には不
向きであるが、プレス加工に比べ初期投資額が少な（て
済む利点があり、一般には製品品質の安定状態や生産量
によって使い分けられている。リード成型寸法において
は面加工方式共に使用される板厚の８０％程度のスキマ
しか製造出来ず、その理由は、プレス加工の場合現在使
われているリードフレーム厚０．１５Ｒｎ〜０．１２５
ｒｒｒ！ｎの８０％というとスキマは０．１２ｆｉ〜０
．１聴となり、このスキマを抜く為のパンチがプレス圧
に耐えきれず折れてしまう。又折れな（ても大きな加工
歪が発生する。又、エツチング加工の場合、効率の良い
両面からのエツチングで行なっても、断面方向の中央部
が残ってつながるか、それを無理にエツチングで分離さ
せようとすれば、両横のリード部が必要以上にエツチン
グされ形状不良となってしまう。従ってこれらでは安定
した方式といえない。
［発明が解決しようとする課題］
前記リード間スキマ寸法をいかに狭（、かつ安定した品
質でｄｉ出米るかが、ＱＦＰの多ビン化の為の大きな課
題と１ヨる。Ｑ、ＦＰにおいて出力ピンを増やす方法は
次の２通りある。１つは外部リードピッチを固定させピ
ン数を増やす方法。しかしこの方法では５００ピン前後
でＱＦＰを正方形で見た場合４０ｗＸ４０ｍｍの寸法と
なり、さらにピン数を増やそうとしても、モールドレジ
ンの内部応力や重量増によるハンドリング・輸送問題さ
らにはハンダ付けされる回路基板の高集積化を妨げる事
になり、現実的な方法ではない。もう１つの方法は、パ
ッケージ外形寸法を固定し、外部リードピッチを狭（し
ていく方法で、この方法を採用すれば前述の問題点はほ
ぼ解決される。しかしこの場合でも下記の点が解決しな
ければ多ビン化が可能と言えない。
質でｄｉ出米るかが、ＱＦＰの多ビン化の為の大きな課
題と１ヨる。Ｑ、ＦＰにおいて出力ピンを増やす方法は
次の２通りある。１つは外部リードピッチを固定させピ
ン数を増やす方法。しかしこの方法では５００ピン前後
でＱＦＰを正方形で見た場合４０ｗＸ４０ｍｍの寸法と
なり、さらにピン数を増やそうとしても、モールドレジ
ンの内部応力や重量増によるハンドリング・輸送問題さ
らにはハンダ付けされる回路基板の高集積化を妨げる事
になり、現実的な方法ではない。もう１つの方法は、パ
ッケージ外形寸法を固定し、外部リードピッチを狭（し
ていく方法で、この方法を採用すれば前述の問題点はほ
ぼ解決される。しかしこの場合でも下記の点が解決しな
ければ多ビン化が可能と言えない。
■内部リードと半導体素子を接続する金属細線のたるみ
が生じない様に細線長さを３Ｍ以内にする必要があり、
その為に内部リードと子導体累子を近すげる事。
が生じない様に細線長さを３Ｍ以内にする必要があり、
その為に内部リードと子導体累子を近すげる事。
■内部リード部に安定したワイヤーボンディングが出来
る様に約１００μｍの平担部を保有する事。
る様に約１００μｍの平担部を保有する事。
■半導体素子と接続されたすべてのインナーリードを外
部リードとし℃外部へ接続出来る様にする事。
部リードとし℃外部へ接続出来る様にする事。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記課題をすべて解決するリードフレームを提
供するもので、内部リード間スキマなリードフレーム厚
の７０％以下にする事により、前記平担部寸法約１００
ｐ ｍを確保したまま、半導体素子寸法を大きくする
事な（内部リードと半導体素子を近ずける事が出来、外
部リード間スキマをリードフレーム厚の７０％以下にす
る事により内部リードと同じ本数を外部リードとして外
部接続出来る様になる。そしてこれらのリードフレーム
はレーザービーム加工によって製造される。
供するもので、内部リード間スキマなリードフレーム厚
の７０％以下にする事により、前記平担部寸法約１００
ｐ ｍを確保したまま、半導体素子寸法を大きくする
事な（内部リードと半導体素子を近ずける事が出来、外
部リード間スキマをリードフレーム厚の７０％以下にす
る事により内部リードと同じ本数を外部リードとして外
部接続出来る様になる。そしてこれらのリードフレーム
はレーザービーム加工によって製造される。
［実施例］
第１図は、本発明の実施例を示すリードフレームの平面
形状図であり、半導体素子取付部１に半導体素子が搭載
され、その半導体素子は内部リード部２と結線される。
形状図であり、半導体素子取付部１に半導体素子が搭載
され、その半導体素子は内部リード部２と結線される。
内部リード部２は外部リード部３に接続され、外部リー
ド部３は外枠４及び保持部５と連結されている。本発明
においてはこれらの形状すべてをレーザービームを用い
て加工してもよいが、加工時間やコスト的に見て得策と
は言えない。本発明の効果を最も高める加工を第２図に
示す。第２図は半導体取付部１及び内部リード部２の実
施例の拡大図である。レーザービーム加工方式が従来の
エツチングやスタンピング方式と比べてリード間スキマ
６及び７の加工を内部リード部２への機械的歪を与える
事な（加工出来る事は衆知である。従ってリード間スキ
マ６は一般的に使用されるリードフレーム材料厚に依存
する事な（、おそら（１μｍの加工も可能となり、内部
リード間ピッチＰは格段に小さくする事が出来る。もっ
と経済的にレーザービーム加工を利用しようとすると、
リード間スキマ７の様な広いスキマや全体の形状形成を
従来技術であるエツチングやスタンピングで行ない、従
来技術では出来ないリード間スキマ６をレーザービーム
加工０工で追加工すれば良い。外部リード部についても
、従来の加工技術において出来なかった外部リード間ピ
ンチを得る為には本発明による加工方式を適用すれば容
易に小さな外部リード間ピッチのリードフレームを得る
事が可能な事は明白である。又、レーザービーム加工を
用いると、従来方式では出来ない複雑な形状のリードフ
レームを製造出来るメリットや第３図、第４図の実施例
に示す様な加工方式にも利用出来る。第３図及び第４図
は内部リード部を形成する時の実施例で、内部リード部
が途中工程で曲げられたりしない様に第５図では接続帯
８、第４図では半導体取付部１で固定されている。リー
ドフレーム加工最終段階で各々に内部リード部を分離す
る時、分離部９をレーザービームで加工する事により従
来方式よりはるかに少ないダメージで内部リード部先端
を曲げる事なく加工出来る。
ド部３は外枠４及び保持部５と連結されている。本発明
においてはこれらの形状すべてをレーザービームを用い
て加工してもよいが、加工時間やコスト的に見て得策と
は言えない。本発明の効果を最も高める加工を第２図に
示す。第２図は半導体取付部１及び内部リード部２の実
施例の拡大図である。レーザービーム加工方式が従来の
エツチングやスタンピング方式と比べてリード間スキマ
６及び７の加工を内部リード部２への機械的歪を与える
事な（加工出来る事は衆知である。従ってリード間スキ
マ６は一般的に使用されるリードフレーム材料厚に依存
する事な（、おそら（１μｍの加工も可能となり、内部
リード間ピッチＰは格段に小さくする事が出来る。もっ
と経済的にレーザービーム加工を利用しようとすると、
リード間スキマ７の様な広いスキマや全体の形状形成を
従来技術であるエツチングやスタンピングで行ない、従
来技術では出来ないリード間スキマ６をレーザービーム
加工０工で追加工すれば良い。外部リード部についても
、従来の加工技術において出来なかった外部リード間ピ
ンチを得る為には本発明による加工方式を適用すれば容
易に小さな外部リード間ピッチのリードフレームを得る
事が可能な事は明白である。又、レーザービーム加工を
用いると、従来方式では出来ない複雑な形状のリードフ
レームを製造出来るメリットや第３図、第４図の実施例
に示す様な加工方式にも利用出来る。第３図及び第４図
は内部リード部を形成する時の実施例で、内部リード部
が途中工程で曲げられたりしない様に第５図では接続帯
８、第４図では半導体取付部１で固定されている。リー
ドフレーム加工最終段階で各々に内部リード部を分離す
る時、分離部９をレーザービームで加工する事により従
来方式よりはるかに少ないダメージで内部リード部先端
を曲げる事なく加工出来る。
［発明の効果コ
本発明は多ピンＱＦＰを得る為の構成部品であるリード
フレームを得る事を目的としているので効果については
Ｑ、ＦＰで述べる。
フレームを得る事を目的としているので効果については
Ｑ、ＦＰで述べる。
前述の如（ＱＦＰの組立において安定生産する為に金属
細線の長さは５ｒｒａｎ以内にする必要がある。第２図
で示した内部リード間ピッチＰと金属細線長さＬの関係
を第５図に示す。条件としてパッケージは１９６Ｐ工Ｎ
ＱＦＰ、ポンディングパッドピッチは１５０μｍ、半導
体素子のサイズはパッドリミットである。図から、例え
ば１９６Ｐ工ＮのＱＦＰを得る為内部リード間ピッチは
Ｌを３．０聴以下にする為に１５０μｍ以下にする必要
があるが、内部リードの平担部は約１００μｍの広さが
必要の為内部リード間スキマは５０μｍしか取れた（１
、従来の加工方式ではほぼ無理である。
細線の長さは５ｒｒａｎ以内にする必要がある。第２図
で示した内部リード間ピッチＰと金属細線長さＬの関係
を第５図に示す。条件としてパッケージは１９６Ｐ工Ｎ
ＱＦＰ、ポンディングパッドピッチは１５０μｍ、半導
体素子のサイズはパッドリミットである。図から、例え
ば１９６Ｐ工ＮのＱＦＰを得る為内部リード間ピッチは
Ｌを３．０聴以下にする為に１５０μｍ以下にする必要
があるが、内部リードの平担部は約１００μｍの広さが
必要の為内部リード間スキマは５０μｍしか取れた（１
、従来の加工方式ではほぼ無理である。
さらに多ビンのＱＦＰを得る為にはスキマを減少しな（
てはならず、本発明の加工方式はそれが可能となる。以
上述べた様に本発明は従来の加工方式では実現しえない
リードフレームを供給するものであり、合わせてリード
フレームに曲り等のダメージを与えない加工方法である
。
てはならず、本発明の加工方式はそれが可能となる。以
上述べた様に本発明は従来の加工方式では実現しえない
リードフレームを供給するものであり、合わせてリード
フレームに曲り等のダメージを与えない加工方法である
。
第１図は本発明の実施例の平面形状図。
第２図は第１図の部分拡大平面図。
第３図及び第４図は他の加工内容の実施例図。
第５図は内部リード間ピッチと金属細線長の関係図であ
る。 １・・・・・・・・・半導体素子取付部２・・・・・・
・・・内部リード部 ３・・・・・・・・・外部リード部 ４・・・・・・・・・外 枠 ５・・・・・・・・・保持部 ６・・・・・・・・・リード間スキマ ７・・・・・・・・・リード間スキマ ８・・・・・・・・・接続帯 ９・・・・・・・・・分離部 Ｐ・・・・・・・・・内部リード間ピッチＬ・・・・・
・・・・金属細線長さ 以上 ｌＪ１人 セイコーエプソン株式会社
る。 １・・・・・・・・・半導体素子取付部２・・・・・・
・・・内部リード部 ３・・・・・・・・・外部リード部 ４・・・・・・・・・外 枠 ５・・・・・・・・・保持部 ６・・・・・・・・・リード間スキマ ７・・・・・・・・・リード間スキマ ８・・・・・・・・・接続帯 ９・・・・・・・・・分離部 Ｐ・・・・・・・・・内部リード間ピッチＬ・・・・・
・・・・金属細線長さ 以上 ｌＪ１人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）半導体素子取付部、内部リード部、外部リード部
、外枠及びそれらを保持する保持部を有するリードフレ
ームにおいて、前記内部リード間のスキマが前記リード
フレーム厚の７０％以下である事を特徴とする半導体装
置用リードフレーム。 - （２）請求項１記載のリードフレームにおいて、前記外
部リード部のリード間のスキマが前記リードフレーム厚
の７０％以下である事を特徴とする半導体装置用リード
フレーム。 - （３）請求項１及び２のリードフレームにおいて、所定
の形状に形成する際に、全形状又は一部の形状加工及び
切断等にレーザービーム加工工程を有する事を特徴とす
る半導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260883A JPH03123063A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260883A JPH03123063A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123063A true JPH03123063A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17354075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260883A Pending JPH03123063A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03123063A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406700A (en) * | 1990-11-20 | 1995-04-18 | Seiko Epson Corporation | Method for producing pin integrated circuit lead frame |
| EP0623957A4 (en) * | 1992-11-24 | 1995-04-19 | Hitachi Construction Machinery | MANUFACTURING METHOD FOR A LADDER FRAME. |
| US5580466A (en) * | 1993-04-14 | 1996-12-03 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal plate processing method, lead frame processing method, lead frame, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
| US5632083A (en) * | 1993-08-05 | 1997-05-27 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254756A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | New Japan Radio Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02224362A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP1260883A patent/JPH03123063A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254756A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | New Japan Radio Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02224362A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406700A (en) * | 1990-11-20 | 1995-04-18 | Seiko Epson Corporation | Method for producing pin integrated circuit lead frame |
| EP0623957A4 (en) * | 1992-11-24 | 1995-04-19 | Hitachi Construction Machinery | MANUFACTURING METHOD FOR A LADDER FRAME. |
| US5548890A (en) * | 1992-11-24 | 1996-08-27 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Lead frame processing method |
| US5580466A (en) * | 1993-04-14 | 1996-12-03 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal plate processing method, lead frame processing method, lead frame, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
| US5632083A (en) * | 1993-08-05 | 1997-05-27 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus |
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