JPH02198201A - Ｍｓｗデバイス - Google Patents
ＭｓｗデバイスInfo
- Publication number
- JPH02198201A JPH02198201A JP1837489A JP1837489A JPH02198201A JP H02198201 A JPH02198201 A JP H02198201A JP 1837489 A JP1837489 A JP 1837489A JP 1837489 A JP1837489 A JP 1837489A JP H02198201 A JPH02198201 A JP H02198201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic field
- yig
- magnet
- msw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002223 garnet Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
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- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＭＳＷデバイスに関し、特にたとえば静磁波
を用いた共振器などのようなＭＳＷデバイスに関する。
を用いた共振器などのようなＭＳＷデバイスに関する。
（従来技術）
この発明の背景となる従来のＭＳＷデバイスの一例とし
て、たとえば、Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ５５
（６） 、 １５ Ｍａｒｃｈ １９８４に、Ａ ｎｅ
ｗ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｒｉｎｇｒｅｓｏｎａｔｏ
ｒ ｕｓｉｎｇ ｇｕｉｄｅｄ ｍａｇｎｅｔｏ
ｓｔａｔｉｃ ５ｕｒｆａｃｅｈａｖｅｓが開示され
ている。ここに開示された共振器１は、第３図に示すよ
うに、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネット
）基板２を含み、このＧＧＧ基板２上にＹＩＧ（イツト
リウム、アイアン、ガーネット）薄膜３が形成されてい
る。そして、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜膜上上は、２つの入出力用
アンテナ４．５が形成される。さらに、ＹＩＧｉ膜３の
上方には、ＹＩＧ薄膜３に磁界を与えるための円筒状の
磁石６が形成される。この磁石６は、ＹＩＧ薄膜３側に
おいて、たとえば内側がＮ極となり、外側がＳ極となっ
ている。したがって、この磁石６によって、ＹＩＧ薄膜
３の主面に平行な方向にリング状の磁界が与えられる。
て、たとえば、Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ５５
（６） 、 １５ Ｍａｒｃｈ １９８４に、Ａ ｎｅ
ｗ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｒｉｎｇｒｅｓｏｎａｔｏ
ｒ ｕｓｉｎｇ ｇｕｉｄｅｄ ｍａｇｎｅｔｏ
ｓｔａｔｉｃ ５ｕｒｆａｃｅｈａｖｅｓが開示され
ている。ここに開示された共振器１は、第３図に示すよ
うに、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネット
）基板２を含み、このＧＧＧ基板２上にＹＩＧ（イツト
リウム、アイアン、ガーネット）薄膜３が形成されてい
る。そして、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜膜上上は、２つの入出力用
アンテナ４．５が形成される。さらに、ＹＩＧｉ膜３の
上方には、ＹＩＧ薄膜３に磁界を与えるための円筒状の
磁石６が形成される。この磁石６は、ＹＩＧ薄膜３側に
おいて、たとえば内側がＮ極となり、外側がＳ極となっ
ている。したがって、この磁石６によって、ＹＩＧ薄膜
３の主面に平行な方向にリング状の磁界が与えられる。
このリング状の磁界によって、ＹＩＧｉ膜３には、リン
グ状の静磁波伝搬路７が形成される。
グ状の静磁波伝搬路７が形成される。
この共振器１では、一方のアンテナ４に入力信号を印加
することによって、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜３にＭＳＳＷモード
の静磁波が発生する。この静磁波は、ＹＩＧｉ膜３のリ
ング状の伝搬路７を伝搬し、他方のアンテナ５から出力
信号として取り出される。
することによって、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜３にＭＳＳＷモード
の静磁波が発生する。この静磁波は、ＹＩＧｉ膜３のリ
ング状の伝搬路７を伝搬し、他方のアンテナ５から出力
信号として取り出される。
このとき、静磁波のエネルギは、リング状の伝搬路７内
に閉じ込められるため、挿入損失が小さく、かつＱの大
きい共振器を得ることができる。
に閉じ込められるため、挿入損失が小さく、かつＱの大
きい共振器を得ることができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような共振器では、円筒状の磁石に
よってＹＩＧ薄膜の主面に平行な方向に磁界が与えられ
るため、磁界の強さを大きくするためには大きな磁石が
必要となる。そのため、ＭＳＷデバイスが大型になって
しまう。
よってＹＩＧ薄膜の主面に平行な方向に磁界が与えられ
るため、磁界の強さを大きくするためには大きな磁石が
必要となる。そのため、ＭＳＷデバイスが大型になって
しまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型で、挿入損
失が小さく、かつＱの大きいＭＳＷデバイスを堤供する
ことである。
失が小さく、かつＱの大きいＭＳＷデバイスを堤供する
ことである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＧＧＧ基板と、ＧＧＧ基板上に形成される
ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜上に形成される電極と、電極
に形成され、ＹＩＧ薄膜の一部分を露出させるためのリ
ング状の溝と、ｙｚ：、！膜の主面に直交する方向に磁
界を与えるための磁石とを含む、ＭＳＷデバイスである
。
ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜上に形成される電極と、電極
に形成され、ＹＩＧ薄膜の一部分を露出させるためのリ
ング状の溝と、ｙｚ：、！膜の主面に直交する方向に磁
界を与えるための磁石とを含む、ＭＳＷデバイスである
。
（作用）
ＭＳＷデバイスに電極が形成されているため、溝によっ
て露出されたリング状のＹＩＧＩ膜部分に磁界が印加さ
れる。したがって、ＹＩＧ薄膜上に、リング状の静磁波
伝搬路が形成される。
て露出されたリング状のＹＩＧＩ膜部分に磁界が印加さ
れる。したがって、ＹＩＧ薄膜上に、リング状の静磁波
伝搬路が形成される。
（発明の効果）
この発明によれば、ＹＩＧｉｌ膜上にリング状の伝搬路
が形成されるため、挿入損失が小さくかつＱの大きいＭ
ＳＷデバイスを得ることができる。
が形成されるため、挿入損失が小さくかつＱの大きいＭ
ＳＷデバイスを得ることができる。
しかも、磁界がｙｒｃ薄膜の主面に直交する方向に印加
されるため、ＹＩＧ薄膜の両面を磁石で挟めば、強い磁
界を得ることができる。そのため、磁石を小型化するこ
とができ、それによってＭＳＷデバイスを小型化するこ
とができる。
されるため、ＹＩＧ薄膜の両面を磁石で挟めば、強い磁
界を得ることができる。そのため、磁石を小型化するこ
とができ、それによってＭＳＷデバイスを小型化するこ
とができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である。こ
のＭＳＷデバイス１０は、ＧＧＧ（ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）基板１２を含む。ＧＧＧ基板１２の
一方主面上には、その全面にＹＩＧ （イツトリウム、
アイアン、ガーネット）薄膜１４が形成される。
図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である。こ
のＭＳＷデバイス１０は、ＧＧＧ（ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）基板１２を含む。ＧＧＧ基板１２の
一方主面上には、その全面にＹＩＧ （イツトリウム、
アイアン、ガーネット）薄膜１４が形成される。
さらに、ＹＩＧ薄膜１４上には、電極１６が形成される
。この電極１６には、リング状の溝１８が形成され、こ
の溝１８部分でＹＩＧ薄膜１４が露出している。
。この電極１６には、リング状の溝１８が形成され、こ
の溝１８部分でＹＩＧ薄膜１４が露出している。
また、電極１６上には、入力アンテナ２０および出力ア
ンテナ２２が形成される。これらの入力アンテナ２０お
よび出力アンテナ２２は、互いに対向する位置に形成さ
れ、それぞれ溝１８と交差するように形成される。
ンテナ２２が形成される。これらの入力アンテナ２０お
よび出力アンテナ２２は、互いに対向する位置に形成さ
れ、それぞれ溝１８と交差するように形成される。
さらに、入力アンテナ２０および出力アンテナ２２の上
方およびＧＧＧ基板１２の下方には、磁石２４および２
６が形成される。そして、磁石２４は、その電極１６側
にたとえばＮ極が配置される。また、磁石２６は、その
ＧＧＧ基板１２側にＳ極が配置される。したがって、Ｙ
ＩＧｉ膜１４には、電極１６側からＧＧＧ基板１２側に
向かって磁界が印加される。なお、磁石２４．２６のＮ
極とＳ極との配置は逆になってもよい。
方およびＧＧＧ基板１２の下方には、磁石２４および２
６が形成される。そして、磁石２４は、その電極１６側
にたとえばＮ極が配置される。また、磁石２６は、その
ＧＧＧ基板１２側にＳ極が配置される。したがって、Ｙ
ＩＧｉ膜１４には、電極１６側からＧＧＧ基板１２側に
向かって磁界が印加される。なお、磁石２４．２６のＮ
極とＳ極との配置は逆になってもよい。
このＭＳＷデバイス１０では、入力アンテナ２０に入力
信号が印加される。この人力信号によって、ＹＩＧ￥ｉ
膜１４にはＭＳＦＶＷモードの静磁波（Ｍ Ｓ Ｗ）が
発生する。この静磁波はＹＩＧ薄膜１４を伝搬するが、
ＹＩＧ薄膜１４上には電極１６が形成されているため、
溝１８によって露出されたリング状のＹＩＧＩ膜１４部
分に磁界が印加され、リング状の静磁波伝搬路が形成さ
れる。
信号が印加される。この人力信号によって、ＹＩＧ￥ｉ
膜１４にはＭＳＦＶＷモードの静磁波（Ｍ Ｓ Ｗ）が
発生する。この静磁波はＹＩＧ薄膜１４を伝搬するが、
ＹＩＧ薄膜１４上には電極１６が形成されているため、
溝１８によって露出されたリング状のＹＩＧＩ膜１４部
分に磁界が印加され、リング状の静磁波伝搬路が形成さ
れる。
そのため、静磁波はｖｘＧＩ膜１４のリング状の伝搬路
を伝搬する。そして、この静磁波によって出力アンテナ
２２から出力信号が取り出される。
を伝搬する。そして、この静磁波によって出力アンテナ
２２から出力信号が取り出される。
このＭＳＷデバイス１０では、ＹＩＧ薄膜１４に形成さ
れるリング状の伝搬路に静磁波のエネルギが閉じ込めら
れる。したがって、このＭＳＷデバイス１０では、挿入
損失が小さく、かつＱが大きい。さらに、２つの磁石２
４および２６でＹＩＧ薄膜１４を挟み込むことによって
、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜１４に磁界を与えているため、従来の
リング状の磁石を用いる場合に比べて、小型の磁石で大
きい磁界を得ることができる。そのため、ＭＳＷデバイ
スＩＯを小型化することができる。
れるリング状の伝搬路に静磁波のエネルギが閉じ込めら
れる。したがって、このＭＳＷデバイス１０では、挿入
損失が小さく、かつＱが大きい。さらに、２つの磁石２
４および２６でＹＩＧ薄膜１４を挟み込むことによって
、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜１４に磁界を与えているため、従来の
リング状の磁石を用いる場合に比べて、小型の磁石で大
きい磁界を得ることができる。そのため、ＭＳＷデバイ
スＩＯを小型化することができる。
なお、上述の実施例では、ＹＩＧ薄膜１４に磁界を与え
るために２つの磁石を用いたが、どちらか一方の磁石の
みで、ＹＩＧ薄膜１４の主面に直交する方向に磁界を与
えてもよい。
るために２つの磁石を用いたが、どちらか一方の磁石の
みで、ＹＩＧ薄膜１４の主面に直交する方向に磁界を与
えてもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である
。 第３図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷデバイスと
しての共振器を示す図解図である。 図において、１０はＭＳＷデバイス、１２はＧＧＧ基板
、１４はＹＩＧ薄膜、１６は電極、１８は溝、２０は入
力アンテナ、２２は出力アンテナ、２４および２６は磁
石を示す。
。 第３図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷデバイスと
しての共振器を示す図解図である。 図において、１０はＭＳＷデバイス、１２はＧＧＧ基板
、１４はＹＩＧ薄膜、１６は電極、１８は溝、２０は入
力アンテナ、２２は出力アンテナ、２４および２６は磁
石を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧＧＧ基板、 前記ＧＧＧ基板上に形成されるＹＩＧ薄膜、前記ＹＩＧ
薄膜上に形成される電極、 前記電極に形成され、前記ＹｉＧ薄膜の一部分を露出さ
せるためのリング状の溝、および 前記ＹＩＧ薄膜の主面に直交する方向に磁界を与えるた
めの磁石を含む、ＭＳＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1837489A JPH02198201A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｍｓｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1837489A JPH02198201A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｍｓｗデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198201A true JPH02198201A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11969938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1837489A Pending JPH02198201A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｍｓｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198201A (ja) |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1837489A patent/JPH02198201A/ja active Pending
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