JPH0219922B2 - - Google Patents
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- JPH0219922B2 JPH0219922B2 JP55155595A JP15559580A JPH0219922B2 JP H0219922 B2 JPH0219922 B2 JP H0219922B2 JP 55155595 A JP55155595 A JP 55155595A JP 15559580 A JP15559580 A JP 15559580A JP H0219922 B2 JPH0219922 B2 JP H0219922B2
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- Japan
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- core
- cladding
- fiber
- ionic
- crystal
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/008—Polycrystalline optical fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/0128—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from pulverulent glass
- C03B37/01288—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from pulverulent glass by extrusion, e.g. of glass powder and binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/84—Halide glasses other than fluoride glasses, i.e. Cl, Br or I glasses, e.g. AgCl-AgBr "glass"
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はコア−クラツド型のイオン結晶光フ
アイバの製造方法に関するものである。
アイバの製造方法に関するものである。
アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金
属のハロゲン化物、銅族元素のハロゲン化物およ
び亜鉛族元素のハロゲン化物からなるイオン結晶
で形成された光フアイバは赤外域で低損失であ
り、光フアイバ通信用、レザーエネルギーなどの
パワー伝送用等の用途が考えられている。
属のハロゲン化物、銅族元素のハロゲン化物およ
び亜鉛族元素のハロゲン化物からなるイオン結晶
で形成された光フアイバは赤外域で低損失であ
り、光フアイバ通信用、レザーエネルギーなどの
パワー伝送用等の用途が考えられている。
ところで、これらイオン結晶を用いたコア−ク
ラツド構造を有する光フアイバの製造方法として
は、従来単結晶タイプのものでは溶融塩からの二
重引き上げ法などが、多結晶タイプのものでは二
重押出し法などがあるが、これらの製造方法にお
いては、コアとクラツドの形成を同時に行わね
ば、平滑で均一なコア−クラツド界面が得られ
ず、損失の少ないイオン結晶光フアイバが製造す
ることができなかつたり、また、コアとクラツド
とを同時形成する方法では、用いられるイオン結
晶の種類が制限され、例えば二重引き上げ法にあ
つてはコアとクラツドのイオン結晶の融点が近い
温度域にあつて、且つコアのイオン結晶の融点が
クラツドのそれよりも高くなければならないなど
が問題があつた。
ラツド構造を有する光フアイバの製造方法として
は、従来単結晶タイプのものでは溶融塩からの二
重引き上げ法などが、多結晶タイプのものでは二
重押出し法などがあるが、これらの製造方法にお
いては、コアとクラツドの形成を同時に行わね
ば、平滑で均一なコア−クラツド界面が得られ
ず、損失の少ないイオン結晶光フアイバが製造す
ることができなかつたり、また、コアとクラツド
とを同時形成する方法では、用いられるイオン結
晶の種類が制限され、例えば二重引き上げ法にあ
つてはコアとクラツドのイオン結晶の融点が近い
温度域にあつて、且つコアのイオン結晶の融点が
クラツドのそれよりも高くなければならないなど
が問題があつた。
この発明の上記事情に鑑みてなされたもので、
上記欠点を解消して、コアとクラツドの密着性が
よく、コアとクラツドとの界面が平滑で且つ均一
であり、イオン結晶の材料面の制約のないコア−
クラツド型イオン結晶光フアイバの製造方法を提
供することを目的とし、あらかじめイオン結晶で
形成された単結晶または多結晶のコアフアイバに
クロスヘツドダイを有する押出機を用いてイオン
結晶の単結晶あるいは多結晶のクラツドを形成
し、クロスヘツドダイのマンドレルとコアフアイ
バとの間隙を真空吸引して減圧することを特徴と
するものである。
上記欠点を解消して、コアとクラツドの密着性が
よく、コアとクラツドとの界面が平滑で且つ均一
であり、イオン結晶の材料面の制約のないコア−
クラツド型イオン結晶光フアイバの製造方法を提
供することを目的とし、あらかじめイオン結晶で
形成された単結晶または多結晶のコアフアイバに
クロスヘツドダイを有する押出機を用いてイオン
結晶の単結晶あるいは多結晶のクラツドを形成
し、クロスヘツドダイのマンドレルとコアフアイ
バとの間隙を真空吸引して減圧することを特徴と
するものである。
以下、この発明を詳しく説明する。まず、コア
となるイオン結晶のフアイバを作る。これに用い
られるイオン結晶としては、LiF、NaF、NaCl、
KCl、KBr、KI、CsBr、CaIなどのアルカリ金属
のハロゲン化物、CaF2、BaF2、MgF2などのア
ルカリ土類金属のハロゲン化物、CuCl2、AgCl、
AgBrなどの銅族元素のハロゲン化物、ZnCl2な
どの亜鉛族元素のハロゲン化物、TlCl、TlBr、
TlIなどのタリウムのハロゲン化物からなる群か
ら選ばれたすくなくとも１種以上のイオン結晶が
用いられる。このイオン結晶を精製高純化したも
のを原料として単結晶フアイバあるいは多結晶フ
アイバが既知の方法で製造される。単結晶フアイ
バを得る場合は溶融塩からの引上げ法や多結晶プ
リフオームのゾーンメルト法などによつて多結晶
フアイバを得る場合にはプリフオームの押し出法
などによつて製造される。
となるイオン結晶のフアイバを作る。これに用い
られるイオン結晶としては、LiF、NaF、NaCl、
KCl、KBr、KI、CsBr、CaIなどのアルカリ金属
のハロゲン化物、CaF2、BaF2、MgF2などのア
ルカリ土類金属のハロゲン化物、CuCl2、AgCl、
AgBrなどの銅族元素のハロゲン化物、ZnCl2な
どの亜鉛族元素のハロゲン化物、TlCl、TlBr、
TlIなどのタリウムのハロゲン化物からなる群か
ら選ばれたすくなくとも１種以上のイオン結晶が
用いられる。このイオン結晶を精製高純化したも
のを原料として単結晶フアイバあるいは多結晶フ
アイバが既知の方法で製造される。単結晶フアイ
バを得る場合は溶融塩からの引上げ法や多結晶プ
リフオームのゾーンメルト法などによつて多結晶
フアイバを得る場合にはプリフオームの押し出法
などによつて製造される。
以上のようにして得れたイオン結晶からなるコ
アフアイバはついで、クロスヘツドダイを有する
押出機を用いてイオン結晶からなるクラツドを設
ける。このクラツドの形成にあたつては、各種の
クロスヘツドダイを有する押出機を用いることが
できるが、その代表例を第１図および第２図に示
す。第１図において、繰り出し機（図示せず）か
ら繰り出される前記コアフアイバ１は押出機２の
クロスヘツドダイ３の中心部に設けられたマンド
レル４の貫通孔５に導びかれる。一方、押出機２
のバレル６内にはクラツドとなる精製されたイオ
ン結晶粉末７が充填されている。このイオン結晶
としては、前記したアルカリ金属のハロゲン化
物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、銅族元素
のハロゲン化物、亜鉛族元素のハロゲン化物、タ
リウムのハロゲン化物からなる群から選ばれた１
種以上のイオン結晶で、屈折率がコアのイオン結
晶のそれよりも低いものが用いられる。このイオ
ン結晶粉末７はヒータ８で、その融点以下に加熱
され、かつラム９で押圧されて加圧され可塑化さ
れ、更にラム９の押圧により、バレル６の先端か
らクロスヘツドダイ３内に流入され、クロスヘツ
ドダイ３のリツプ１０部にて貫通孔５から導びか
れたコアフアイバ１の外周に付着せしめられ、ク
ラツド１１となる。クラツド１１を設けられて仕
上げられたコア−クラツド型イオン結晶光フアイ
バ１２は図示しない巻取機によつて一定速度で巻
き取られる。このクラツド形成の際、押出機２内
のイオン結晶粉末７の温度を押出機２およびクロ
スヘツドダイ３全体にわたつてクラツドとなるイ
オン結晶７の融点よりも少し低い温度に保てば多
結晶のクラツド１１が生成し、リツプ１０部分を
融点に、クロスヘツドダイ３を融点よりもわずか
に低く保ち、且つコア−クラツド型イオン結晶光
フアイバ１２の巻取り速度およびラム９の押圧速
度を調節することに単結晶のクラツド１１が生成
する。また、マンドレル４の一端を管１３を経て
真空ポンプ１４に接続し、マンドレル４内を減圧
下にすることによりコアフアイバ１とクラツド１
１との密着性が向上し、平滑な界面を得ることが
できるとともにコアフアイバ１にゴミなどが付着
することも防止でき、界面が一層均一となる。
アフアイバはついで、クロスヘツドダイを有する
押出機を用いてイオン結晶からなるクラツドを設
ける。このクラツドの形成にあたつては、各種の
クロスヘツドダイを有する押出機を用いることが
できるが、その代表例を第１図および第２図に示
す。第１図において、繰り出し機（図示せず）か
ら繰り出される前記コアフアイバ１は押出機２の
クロスヘツドダイ３の中心部に設けられたマンド
レル４の貫通孔５に導びかれる。一方、押出機２
のバレル６内にはクラツドとなる精製されたイオ
ン結晶粉末７が充填されている。このイオン結晶
としては、前記したアルカリ金属のハロゲン化
物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、銅族元素
のハロゲン化物、亜鉛族元素のハロゲン化物、タ
リウムのハロゲン化物からなる群から選ばれた１
種以上のイオン結晶で、屈折率がコアのイオン結
晶のそれよりも低いものが用いられる。このイオ
ン結晶粉末７はヒータ８で、その融点以下に加熱
され、かつラム９で押圧されて加圧され可塑化さ
れ、更にラム９の押圧により、バレル６の先端か
らクロスヘツドダイ３内に流入され、クロスヘツ
ドダイ３のリツプ１０部にて貫通孔５から導びか
れたコアフアイバ１の外周に付着せしめられ、ク
ラツド１１となる。クラツド１１を設けられて仕
上げられたコア−クラツド型イオン結晶光フアイ
バ１２は図示しない巻取機によつて一定速度で巻
き取られる。このクラツド形成の際、押出機２内
のイオン結晶粉末７の温度を押出機２およびクロ
スヘツドダイ３全体にわたつてクラツドとなるイ
オン結晶７の融点よりも少し低い温度に保てば多
結晶のクラツド１１が生成し、リツプ１０部分を
融点に、クロスヘツドダイ３を融点よりもわずか
に低く保ち、且つコア−クラツド型イオン結晶光
フアイバ１２の巻取り速度およびラム９の押圧速
度を調節することに単結晶のクラツド１１が生成
する。また、マンドレル４の一端を管１３を経て
真空ポンプ１４に接続し、マンドレル４内を減圧
下にすることによりコアフアイバ１とクラツド１
１との密着性が向上し、平滑な界面を得ることが
できるとともにコアフアイバ１にゴミなどが付着
することも防止でき、界面が一層均一となる。
第２図に示したものは、この発明の光フアイバ
の製造方法において用いられる別のタイプのクロ
スヘツドダイを有する押出機で、この押出機で
は、マンドレル４を二重構造とし、各々のマンド
ル４ａ，４ｂについて真空ポンプによる吸引を行
うことにより、コアフアイバ１とクラツド１１と
の密着性がより向上し、より平滑な界面を得るこ
とができ、また、可塑化されたクラツドとなるイ
オン結晶７の熱がコアフアイバ１に伝わりにくい
ので、コアフアイバ１の融点がクラツドとなるイ
オン結晶７の融点よりも低い場合であつても、良
好にクラツド１１を形成せしめることができる。
なお、第２図において第１図と同一構成部分には
同一符号を付し、その説明を省略した。
の製造方法において用いられる別のタイプのクロ
スヘツドダイを有する押出機で、この押出機で
は、マンドレル４を二重構造とし、各々のマンド
ル４ａ，４ｂについて真空ポンプによる吸引を行
うことにより、コアフアイバ１とクラツド１１と
の密着性がより向上し、より平滑な界面を得るこ
とができ、また、可塑化されたクラツドとなるイ
オン結晶７の熱がコアフアイバ１に伝わりにくい
ので、コアフアイバ１の融点がクラツドとなるイ
オン結晶７の融点よりも低い場合であつても、良
好にクラツド１１を形成せしめることができる。
なお、第２図において第１図と同一構成部分には
同一符号を付し、その説明を省略した。
以下、実施例を示してこの発明を具体的に説明
する。
する。
〔実施例 １〕
溶融塩からの引き上げ法により、直径0.6mmの
AgBrの単結晶からなるコアフアイバを作成し
た。このコアフアイバ１を第２図に示した二重マ
ンドレル構造を有し、ダイリツプ１０の内径が２
mmのクロスヘツドダイ押出機１の内部マンドレル
４ａの貫通孔５に挿通した。この押出機２のバレ
ル６内に精製したAgCl粉末を供給し、ヒータ８
で350℃に加熱し、ラム９で加圧し、可塑化して
クロスヘツドダイ３に送り込み、管１３を介して
マンドレル４ａ，４ｂを20l／分のロータリー真
空ポンプで真空吸引し、減圧とし、AgBrのコア
フアイバ１の外周にAgClのクラツド１１を形成
した。この時の巻き取り速度は400mm／分であつ
た。このようにして得られたコア−クラツド型イ
オン結晶光フアイバの外径は1.5mmで、コアが
AgBrの単結晶、クラツドがAgClの多結晶からな
り損失はλ＝106μmで10mあたり0.7dBであつた。
AgBrの単結晶からなるコアフアイバを作成し
た。このコアフアイバ１を第２図に示した二重マ
ンドレル構造を有し、ダイリツプ１０の内径が２
mmのクロスヘツドダイ押出機１の内部マンドレル
４ａの貫通孔５に挿通した。この押出機２のバレ
ル６内に精製したAgCl粉末を供給し、ヒータ８
で350℃に加熱し、ラム９で加圧し、可塑化して
クロスヘツドダイ３に送り込み、管１３を介して
マンドレル４ａ，４ｂを20l／分のロータリー真
空ポンプで真空吸引し、減圧とし、AgBrのコア
フアイバ１の外周にAgClのクラツド１１を形成
した。この時の巻き取り速度は400mm／分であつ
た。このようにして得られたコア−クラツド型イ
オン結晶光フアイバの外径は1.5mmで、コアが
AgBrの単結晶、クラツドがAgClの多結晶からな
り損失はλ＝106μmで10mあたり0.7dBであつた。
〔実施例 ２〕
溶融塩からの引き出し法により、外径0.6mmの
TlBr42wt％とTlI58wt％とからなるイオン結晶
混合物（以下、KRS−５という。）の単結晶のコ
アフアイバを製造した。このコアフアイバ１を第
１図に示したダイリツプ１０の内径が２mmのクロ
スヘツドダイ押出機３のマンドレル４内に挿通し
た。バレル６内にTlBr40wt％とTlCl60wt％とか
らなるイオン結晶混合物（以下、KRS−６とい
う。）を充填し、ヒータ８でラム９部分を350℃
に、クロスヘツドダイ３部分を410℃に、ダイリ
ツプ１０部分を424℃（KRS−６の融点）に保
ち、ラム９で押圧して可塑化してクロスヘツドダ
イ３に送り込み、管１３を介してマンドレル４を
20l／分のロータリー真空ポンプで真空吸引し減
圧とし、KRS−５のコアにKRS−６のクラツド
を形成した。この時の巻き取り速度は150mm／分
で、押出されたKRS−６は単結晶として生長し
た。このようにして得られたコア−クラツド型イ
オン結晶光フアイバは外径が1.8mmで、コアが
KRS−５の単結晶、クラツドがKRS−６の単結
晶からなり、その損失はλ＝106μmで10m当り
0.3dBであつた。
TlBr42wt％とTlI58wt％とからなるイオン結晶
混合物（以下、KRS−５という。）の単結晶のコ
アフアイバを製造した。このコアフアイバ１を第
１図に示したダイリツプ１０の内径が２mmのクロ
スヘツドダイ押出機３のマンドレル４内に挿通し
た。バレル６内にTlBr40wt％とTlCl60wt％とか
らなるイオン結晶混合物（以下、KRS−６とい
う。）を充填し、ヒータ８でラム９部分を350℃
に、クロスヘツドダイ３部分を410℃に、ダイリ
ツプ１０部分を424℃（KRS−６の融点）に保
ち、ラム９で押圧して可塑化してクロスヘツドダ
イ３に送り込み、管１３を介してマンドレル４を
20l／分のロータリー真空ポンプで真空吸引し減
圧とし、KRS−５のコアにKRS−６のクラツド
を形成した。この時の巻き取り速度は150mm／分
で、押出されたKRS−６は単結晶として生長し
た。このようにして得られたコア−クラツド型イ
オン結晶光フアイバは外径が1.8mmで、コアが
KRS−５の単結晶、クラツドがKRS−６の単結
晶からなり、その損失はλ＝106μmで10m当り
0.3dBであつた。
以上説明したようにこの発明のイオン結晶光フ
アイバの製造方法は、あらかじめイオン結晶で形
成された単結晶または多結晶のコアフアイバに、
クロスヘツドダイを有する押出機を用いてイオン
結晶で形成された単結晶または多結晶のクラツド
を形成し、クロスヘツドダイのマンドレルとコア
フアイバとの間隙を真空吸引するものであるか
ら、用いるイオン結晶の融点や屈折率の制約を受
けることが少なく、多結晶、単結晶のいずれタイ
プの光フアイバが容易に得られ、真空吸引してい
るので、コアとクラツドとの密着性が向上し、コ
ア／クラツドの界面が均一かつ平滑となり、また
界面にゴミ等が残ることがなく、損失の少ない光
フアイバが得られるなどの利点がある。
アイバの製造方法は、あらかじめイオン結晶で形
成された単結晶または多結晶のコアフアイバに、
クロスヘツドダイを有する押出機を用いてイオン
結晶で形成された単結晶または多結晶のクラツド
を形成し、クロスヘツドダイのマンドレルとコア
フアイバとの間隙を真空吸引するものであるか
ら、用いるイオン結晶の融点や屈折率の制約を受
けることが少なく、多結晶、単結晶のいずれタイ
プの光フアイバが容易に得られ、真空吸引してい
るので、コアとクラツドとの密着性が向上し、コ
ア／クラツドの界面が均一かつ平滑となり、また
界面にゴミ等が残ることがなく、損失の少ない光
フアイバが得られるなどの利点がある。
第１図および第２図はこの発明に用いられるク
ロスヘツドダイを有する押出機の概略説明図で、
第１図は一重マンドレル構造を、第２図は二重マ
ンドレル構造を有するものである。 １……コアフアイバ、２……押出機、３……ク
ロスヘツドダイ、４……マンドレル、１１……ク
ラツド、１２……コア−クラツド型イオン結晶光
フアイバ。
ロスヘツドダイを有する押出機の概略説明図で、
第１図は一重マンドレル構造を、第２図は二重マ
ンドレル構造を有するものである。 １……コアフアイバ、２……押出機、３……ク
ロスヘツドダイ、４……マンドレル、１１……ク
ラツド、１２……コア−クラツド型イオン結晶光
フアイバ。
Claims (1)
- １ イオン結晶からなるコアフアイバを押出機の
クロスヘツドダイのマンドレル内に送り込み、押
出機のバレルからクロスヘツドダイに供給される
イオン結晶を上記コアフアイバの外周に付着せし
めてイオン結晶からなるクラツドを形成するとと
もにマンドレルとコアフアイバとの間隙を真空吸
引して減圧することを特徴とするイオン結晶光フ
アイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55155595A JPS5778507A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of ion crystal optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55155595A JPS5778507A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of ion crystal optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778507A JPS5778507A (en) | 1982-05-17 |
| JPH0219922B2 true JPH0219922B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=15609457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55155595A Granted JPS5778507A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of ion crystal optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5778507A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654237A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of optical fiber for infrared |
-
1980
- 1980-11-05 JP JP55155595A patent/JPS5778507A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5778507A (en) | 1982-05-17 |
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