JPH021992A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （０産業上の利用分野 本毎明は太陽電池等の光起電力装置のＦＡ遣方法に関す
る。

（ｎｌ　ＩＸ＝米の技術 −最に光起電力装置は、所定の電力を得るため、複数の
光起電力素子を直列接続している。

第７図乃至第１０図は特開昭６２−３３４７７号公報に
示された従来の光起電力装置の製造方法を示す断面図で
ある。

第７図に示す如く、ガラス等の絶縁性かつ透光性の基板
（１１）上に第１電極膜としての透明電極膜を被着した
１褒、レーザビーム（ＬＩ３）を照射して紙面垂直方向
に分離溝（ａｂ）を形成することにより、個別の透明型
ｆｓＩｆｉ（１２ａ）（１２ｂ）か分雛形成される。

次に、第８図に示す如く、透明電極膜（１２ａ）シリコ
ン￥の半導体に活性層（１５）及び第２電極膜（１３）
及び帯状絶縁部材（！４）とχ・を向する位置で半導体
光活性層（１５）及び金属電極膜（１６）の表面から第
１及び第２のレーザビーム（ＬＢＩ）（ＬＢ２）を照射
する。これにより、帯状導電部材（１３）と対向する位
置では、金属型（ｉＪＩ！（１６ｉ及び半導体光活性Ｉ
Ｐ１（＋５１が溶融して帯状導電部材（１３）と当接し
て電気的に連なり、また、帯状絶縁部材（１４）と対向
する位置では、金属電極膜（１６）及び半導体光活性Ｊ
Ａ（１５）が除去される。

材（１３）及び５ｉｎ２ベースト″Ｉｒ＝念用いた帯状
絶縁部材（１４）が焼成して並列に形成される。

更に、第９図に示す如く、帯状導電部材（１３）、帯状
絶縁部材（１４）を含む透明電極膜（１２ａ）（１２ｂ
）の表面、並びに分Ｉ４講（ａｂ）に露出する基板（１
１）の表面にわたる全面にアモルファス材（１３）を止
して他方の光電変（Ｑ領域（１７ｂ）の透明電極１ｆ５
Ｉ（１２ｂ　）と接続され、直列接続された光電変１１
２＋Ｍ域（１７ａ＞（１７ｂ）が形成される。

（ハ）弁明が解決しようとする課題 ところで、上述の如き方法にあっては、第７］図に示−
４゛如くレーザビーム（ＬＩ３＞を用いた透明型ｆＦＩ
ｆｉ（１２ａ＞（１２ｂ）の形成時において、分離溝（
ａｂ）内に透明電極膜材料の飛散物（１８）が多数残留
する、この飛散物（１８）は帯状導電部材（１３）及び
帯状絶縁部材（１４）の焼成形成時に軟化して相互に接
触し、分雛したはずの透明電極膜（１２ａ＞（１２ｂ）
が電気的に接続させることがあり、特性低下の要因の１
つとなっている。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明による光起電力装置の第１の製造方法は、基板の
絶縁表面に第１の帯状絶縁部材を形成する工程と、この
第１の帯状絶縁部材の表面を含んで上記基板の絶縁表面
上に第１電陛膜を形成する工程と、上記第１電極膜上に
一１上記第１の帯状絶縁部材と近接して第２の帯状絶縁
部材及びこれと第１の帯状絶縁部材との間に位置する帯
状導電部材を・１Ｕ列形成する工程と、上記第１電極１
Ｍを上記第１の帯状絶縁部材と対応する位置で分雛する
工程と、上記帯状導電部材及び第２の帯状絶縁部材のに
面を含んて上記第１電極膜の表面に半導体光と第し；Ｉ
ｃ極膜とを−に気的に接続すると共に上記第２の帯状絶
縁部材と対応する位置で上記第２電横膜及び半導体光活
性層を分雅する工程とを備えたことを特徴とする。

また、第２の製造方法は、基板の絶縁表面に第１の帯状
絶縁部材及び帯状導電部材を形成する工程と、これら第
１の帯状絶縁部材及び帯状導電部材のに面を含んで上記
基板の絶縁表面」二に第１電（重膜を形成する工程と、
上記第１電極膜上にＨ記帯状導電部材と近接してこれを
第１の帯状絶縁部材と共に挾むように第２の帯状絶縁部
材を形成する工程と、上記第１電極膜を上記第１の帯状
絶縁部材とｋ・［応する位置で分離する工程と、」−２
第２の帯状絶縁部材の表面を含んで一ヒ記第１の電極膜
ゾＪｋ面に半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成−
ｒる工程と、上記帯状導電部材と対応する位置で上記第
２電優膜と第１電極膜とを電気的に接続すると共に上記
第２の帯状絶縁部材と対応する位置でＦ、２第２電極膜
及び半導体光活性層を分離する工程とを（Ｍえたことを
特徴とする。

（ホ）作　用 本発明によれば、第１の帯状絶縁部材か第１電極膜の分
離を容易なものとし、また、第２の帯状絶縁部材は第２
電極膜の分離に際し、第２電極膜と第１電極膜との不所
望な短絡を防止する。

更に、これら帯状絶縁部材及び帯状導電部材は、第１電
極膜の形成に先立って行なわれ、これら部材の熱処理に
よる悪影響が第１電極ｌ模に及ばない９（へ）実施例 第１図乃至第５図は本弁明の第１の製造方法を工程別に
示す断面図である。

第１図に示す工程では、ガラス、耐熱プラスチック等の
基板（１）の表面に第１の帯状絶縁部材（２）か並列形
成される。断る第１の帯状絶縁部材（２）は５ｉｎ２ペ
ーストやその他の無機材料ペーストをスクリーン印刷手
法により所定の箇所にバターニングされた後、約５５０
−〇の温度にて焼成される。更に、第１の帯状絶縁部材
（２）の表面を象んてＶ　Ｗ、　（ｌ　ｉの略全面に、
ＳｎＯ，、、Ｉｎ２Ｏ，、Ｉ　Ｔ　ＯＹの透光性導電酸
化物（ＴＣＯ＞から成る第１電極＋１５！　（３）が形
成される９第２１７１に示す工程では、第１電極膜（３
）上に、第１の帯状絶縁部材（２）と近接して第２の帯
状絶縁部材（・１）及びこれと第１の帯状絶縁部材（２
）との間に位置する帯状導電部材（５）が並列形成され
る。第２の帯状絶縁部材ｊ、ｌ）は、上述の第１の帯状
絶縁部材（２）と同様に形成され、また帯状導電部材（
５）は、Ａｇペーストやその池の金属ペーストから成つ
、Ｌ述Ｊ＋５ｉｏｚペーストと同様にス２り一ン印刷手
法によりバターニングされて約５５０°Ｃの温度て焼成
される、 第３１４に示す工程ては、第１の帯状絶縁部材（２：Ｉ
のに面Ｆに位置−（る第１電僅膜（３）十に第１のレー
ザビーム（ＬＢ、）　　か照射され、第１電極膜（３）
はｆｌＡＩ別の第１電％膜（３ａ）（３ｂ）に分シリさ
れる。

第４図に示す工程では、第２の帯状絶縁部材（４）およ
び帯状導電部材（５）を含んで第１電僅膜（３ａ）（３
ｂ）の表面に、内部に膜面に平行なｐｉｎ、ｐｎ接合等
の接合を皓えたａ−３ｉｙＦ、のアモルファスシリコン
系の半導体光活性層（６）が形成され、更に、半導体光
活性Ｊｔ４＋６１上に、Ａｇ等の金属から成る第２電極
膜（７）が積層形成される。

最後に、第５図に示す工程では、第２の帯状絶縁部材（
４）及び帯状導電部材（う）の表面上に位置する半導体
光活性層（６）及び第２電極膜（７）の積ノ一部分に夫
々適宜のエネルギー密度を有する第２、第３のレーザビ
ーム（ＬＢ２）（ＬＢ、）が照射される。これによって
、第２グ）帯状絶縁部材＋４１上の積層部分は除去され
、半導体光活性層（６）及び第２電＋ｙ４ＷＡｆ　７　
）は、夫々個別の半導体光活性層（６ａ）（６ｂ）及び
第２電極膜（７ａ）＜７ｂ）に分別される。また、帯状
絶縁部材（５）上の積層し 部分は溶笹搏で帯状導電部材（５）と当接して電気的に
連なる。

このようにして、半導体光活性層（６ａ）（６ｂ）及び
第２電極膜（７ａ）（７ｂ）の分割と共に第２電極膜（
７ａ）と第１電極膜（３ｂ）との１し気的接続が行なわ
れる。その結果、隣接する光電変ＩＱ　ｉｉ域（８ａ　
＞　　（８ｂ　）　＃’電ｉ的ニ直列接４される。。

第６図は本発明の第２グ）製造方法を説明するための断
面図である。

断る製造方法では、帯状導電部材（５）が第１電極膜（
３ａ）＜３ｂ）の形成に先立って第１の帯、１ｆ、絶縁
部材（２）と共にＴ−、板（１）トに並列形成さ！こる
点て、第１の製造方法と異なる。

（ト）発明の効果 本発明によれは、第１及び第２の帯状絶縁部材、帯状導
電部材の焼成を第１電極膜のバターニングに先）′１．
って行なうので、バターニングの際に生じる飛散物か第
１電極膜の短絡を招くことはない また。第２４電極膜の分離位置には、第１電極膜との間
に第２の帯状絶縁部材が介在するため、これら電極膜の
短絡は確実に防止される。

、：ｌ　、　Ｉ’２１面の簡単な５ｊと明第１図乃至第
５図は本発明の第１の製造方法を工程順に示す断面し］
、第６図は本発明の第２の製造方法を説明するための断
面図、第７図乃至第１Ｕ図はｔｉｅ来σ）製造方法を示
す断面図である。

（１）・・・基板、（２）・・・第１の帯４１縁部材、
（３ａ）（３ｂ）・・・第１電極膜、（４）・・・第２
の帯状絶縁部材、（５）・・・帯状導電部材、（６ａ＞
（６ｂ＞・・・半導体光活性層、（７ａ＞（７ｂ）・・
・第２電極膜。

第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の絶縁表面に第１の帯状絶縁部材を形成する
   工程と、この第１の帯状絶縁部材の表面を含んで上記基
   板の絶縁表面上に第１電極膜を形成する工程と、上記第
   １電極膜上に上記第１の帯状絶縁部材と近接して第２の
   帯状絶縁部材及びこれと第１の帯状絶縁部材との間に位
   置する帯状導電部材を並列形成する工程と、上記第１電
   極膜を上記第１の帯状絶縁部材と対応する位置で分離す
   る工程と、上記帯状導電部材及び第２の帯状絶縁部材の
   表面を含んで上記第１電極膜の表面に半導体光活性層及
   び第２電極膜を積層形成する工程と、上記帯状導電部材
   と対応する位置で上記第２電極膜と第１電極膜とを電気
   的に接続すると共に上記第２の帯状絶縁部材と対応する
   位置で上記第２電極膜及び半導体光活性層を分離する工
   程とを備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法
   。
2. （２）基板の絶縁表面に第１の帯状絶縁部材及び帯状導
   電部材を形成する工程と、これら第１の帯状絶縁部材及
   び帯状導電部材の表面を含んで上記基板の絶縁表面ｈに
   第１電極膜を形成する工程と、上記第１電極膜上に上記
   帯状導電部材と近接してこれを第１の帯状絶縁部材と共
   に挟むように第２の帯状絶縁部材を形成する工程と、上
   記第１電極膜を上記第１の帯状絶縁部材と対応する位置
   で分離する工程と、上記第２の帯状絶縁部材の表面を含
   んで上記第１電極膜の表面に半導体光活性層及び第２電
   極膜を積層形成する工程と、上記帯状導電部材と対応す
   る位置で上記第２電極膜と第１電極膜とを電気的に接続
   すると共に上記第２の帯状絶縁部材と対応する位置で上
   記第２電極膜及び半導体光活性層を分離する工程とを備
   えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。