JPH02201725A

JPH02201725A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH02201725A
Application number: JP1019497A
Authority: JP
Inventors: Atsunori Yaguchi; 矢口　敦則; Keisuke Funaki; 圭介舟木
Original assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Priority date: 1989-01-31
Filing date: 1989-01-31
Publication date: 1990-08-09
Anticipated expiration: 2011-08-14
Also published as: JP2523846B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気記録媒体に関し、詳しくは磁気テープ、磁
気カードおよび磁気ディスクなどとして利用する耐久性
、耐熱性等にすぐれた磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕一般に
、ビデオ用磁気テープ、録音用磁気テープ、コンピュー
ター用磁気テープ、磁気ディスク磁気ドラム、磁気カー
ドなどの磁気記録媒体は、γ−酸化鉄などの磁性体を含
む磁性組成物をプラスチックフィルム、ディスク、カー
ドなどの支持体に塗布して、その表面に磁性層を形成す
ることにより製造されている。

これらの支持体としては、従来ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルムが使用されているが、耐熱性が
充分でなく、支持体の変形（伸び）により媒体中の情報
を取り出せなくなることがある。

また、テープ支持体に対する要求の一つに機械的強度が
ある。テープレコーダのテープ走行系の信軌性が高まる
につれ、またテープの全厚が減少してくるにつれ、また
記録密度が高密度、狭トラツク化するにつれ、テープ支
持体に対する機械的強度の向上がより強く要求されてく
る。特に、走行性、耐実用性を考慮すると、テープ自身
の“こし°”、すなわち弾性率に関する特性と、支持体
自体の摩擦を低減するための表面硬度が重要であるが、
従来のＰＥＴフィルムを支持体とするものは、このよう
な特性が充分ではなく、その改良が望まれている。

また、磁性組成物中には、磁性体を支持体に密着（接着
）させるために、バインダーが配合されている。このよ
うなバインダーとしては、従来からアクリル系樹脂、エ
ステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、イソ
シアネート系樹脂あるいはシリコーン系樹脂などが知ら
れているが、これらのバインダーを配合して形成した磁
性層は、支持体との密着性（接着性）が不充分であるの
みならず、耐久性や耐摩耗性も充分でなく、しかも耐溶
剤性に劣るという欠点があった。

本発明者らは、耐熱性、支持体との密着性２耐久性、耐
摩耗性などの諸性能において優れた磁気記録媒体を開発
すべく鋭意研究を重ねた。

〔課題を解決するための手段〕

その結果、主としてシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体が耐熱性および機械的強度にすぐれた支
持体として磁気記録媒体に好適であること、および重合
硬化性基を有する特定のホスファゼン化合物が、バイン
ダーとして目的とする諸性能をすべて満足しうるちので
あることを見出した。本発明はかかる知見に基いて完成
したものである。

すなわち本発明は、主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体からなる支持体上に、バインダ
ーとして硬化性ホスファゼン化合物を含む磁性層を有す
ることを特徴とする磁気記録媒体を提供するものである
。

本発明の磁気記録媒体においては、主としてシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体からなる支持体
を用いる。ここで主としてシンジオタクチック構造とは
、立体化学構造が主としてシンジオタクチック構造、即
ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して側鎖であ
るフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置
する立体構造を存するものであり、そのタフティシティ
−は同位体炭素による核磁気共鳴法（１″Ｃ−ＮＭＲ法
）により定量される。”Ｃ−ＮＭＲ法により測定される
タフティシティ−は、連続する複数個の構成単位の存在
割合、例えば２個の場合はダイアツド、３個の場合はト
リアット、５個の場合はペンタッドによって示すことが
できるが、本発明に言う主としてシンジオタクチック構
造を有するスチレン系重合体とは、連室ばダイアツドで
７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはペンタッ
ド（ラセミペンタッド）で３０％以上、好ましくは５０
％以上のシンジオタクテイシテイ−を有するポリスチレ
ン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチ
レン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安
息香酸エステル）およびこれらの混合物、あるいはこれ
らを主成分とする共重合体を指称する。なお、ここでポ
リ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレ
ン）ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチ
レン）　ポリ（ターシャリ−ブチルスチレン）などがあ
り、ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロ
ロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フルオ
ロスチレン）などがある。また、ポリ（アルコキシスチ
レン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エ
トキシスチレン）などがある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ　（
ｐ−メチルスチレン）　ポリ（ｍ−メチルスチレン）、
ポリ（ｐ−ターシャリ−ブチルスチレン）、ポリ（ｐク
ロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）ポリ（ｐ
−フルオロスチレン）、更にはスチレンとｐ−メチルス
チレンとの共重合体をあげることができる（特開昭６１
−１８７７０８号公報）。

また、本発明に用いるスチレン系重合体は、分子量につ
いては制限はないが、重量平均分子量が５０．０００以
上のものが好ましく、とりわけ１００．０００以上のも
のが最適である。さらに、分子量分布についてもその広
狭は制約がなく、様々なものを充当することが可能であ
る。この主としてシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体は、融点が１６０〜３１０°Ｃであって、
従来のアククチツク構造のスチレン系重合体に比べて耐
熱性が格段に優れている。

このような主としてシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体は、例えば不活性炭化水素溶媒中または
溶媒の不存在下に、チタン化合物、及び水とトリアルキ
ルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、スチレン系
単量体（上記スチレン系重合体に対応する単量体）を重
合することにより製造することができる。

このスチレン系重合体には、一般に使用されている熱可
塑性樹脂、無機充填剤、酸化防止剤、核剤、可塑剤、相
溶化剤１着色剤、帯電防止剤などを添加することができ
る。

ここで酸化防止剤としては様々なものがあるが、特にト
リス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト
、トリス（モノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファイ
ト等のモノホスファイトやジホスファイト等のリン系酸
化防止剤およびフェノール系酸化防止剤が好ましい。ジ
ホスファイトとしては、一般式〔式中、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜２ｏのアルキ
ル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基あるいは炭素
数６〜２０のアリール基を示す。〕で表わされるリン系
化合物を用いることが好ましい。

上記一般式で表わされるリン系化合物の具体例としでは
、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト；
ジオクチルペンタエリスリトールジホスファイト；ジフ
ェニルペンタエリスリトールジホスファイト；ビス（２
，４−ジーＬ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト；ビス（２，６−ジーｔ−ブチル−４−
メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト
；ジシクロへキシルペンタエリスリトールジホスファイ
トなどが挙げられる。

また、フェノール系酸化防止剤としては既知のものを使
用することができ、その具体例としては、２．６−ジー
も一ブチルー４−メチルフェノール；２．６−ジフェニ
ル−４−メトキシフェノール；２．２゛−メチレンビス
（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）；２，２’
−メチレンビス（６−Ｌ−ブチル−４−メチルフェノー
ル）；２゜２”−メチレンビス〔４−メチル−６−（α
−メチルシクロヘキシル）フェノール〕　１ｌｌ−ビス
（５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）ブタン；２，２°−メチレンビス（４−メチル−６
−シクロヘキジルフエノール）；２．２”−メチレンビ
ス−（４−メチル−６−ツニルフエノール）；Ｌ　　ｔ
、３−）リス−（５−ｔ−７”チル−４−ヒドロキシ−
２−メチルフェニル）ブタン；２，２−ビス−（５−ｔ
−ブチル４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−
ｎドデシルメルカプトブタン；エチレングリコール−ビ
ス〔３，３−ビス（３−も−ブチル−４ヒドロキシフエ
ニル）ブチレート）ｉｌ−１−ビス（３，５−ジメチル
−２−ヒドロキシフェニル）３−（ｎ−ドデシルチオ）
−ブタン；４，４”チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メ
チルフェノール）、１，３．５−）リス（３，５−ジー
ｔブチルー４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６トリ
メチルベンゼン；２，２−ビス（３，５ジーｔ−ブチル
−４−ヒドロキシベンジル）マロン酸ジオクタデシルエ
ステル；ｎ−オクタデシル３−（４−ヒドロキシ−３，
５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート；テトラ
キス〔メチレン（３，５−ジーも−ブチル−４−ヒドロ
キシハイドロシンナメート）〕メタンなどが挙げられる
。

上記の酸化防止剤は、前記の主としてシンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体１００重量部に対し、
０．０００１〜２重量部、好ましくは０．００１〜１重
量部の割合で配合される。

ここで酸化防止剤の配合割合が０．０００１重量部未満
であると分子量低下が著しく、一方、２重量部を超える
と機械的強度に影響があるため、いずれも好ましくない
。

また、熱可塑性樹脂としては、例えばアククチツク構造
のポリスチレン、アイツタクチ・ツク構造のポリスチレ
ン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂などのスチレン系重合体をは
しめ、ポリエチレンテレツクレートなどのポリエステル
、ポリカーボネート。

ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホンなどのポリエーテル、ポリアミド、ポリフェ
ニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリオキシメチレンなど
の縮合系重合体、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エス
テル、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系重合
体、ポリエチレン　ポリプロピレン　ポリブテン　ポリ
４−メチルペンテン−１，エチレン−プロピレン共重合
体などのポリオレフィン、あるいはポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリ弗化ビニリデンなどの含ハロ
ゲンビニル化合物重合体などが挙げられる。

さらに無機充填剤としては、繊維状のものであると、粒
状、粉状のものであるとを問わない。繊維状無機充填剤
としてはガラス繊維、炭素繊維。

アルミナ繊維等が挙げられる。一方、粒状、粉状無機充
填材としてはタルク、カーボンブラック。

グラファイト、二酸化チタン１　シリカ、マイカ炭酸カ
ルシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム炭酸マグネシ
ウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、オキシサルフ
ェート、酸化スズ、アルミナカオリン、炭化ケイ素、金
属粉末等が挙げられる。

これらの無機充填剤は、その粒子の形状、粒径等により
フィルム表面に著しく影響を及ぼすので、通常は、粒径
がフィルムの厚みの１／１０以下、好ましくは１／２０
以下で、かつ目的に応じた表面持性及び物性になるよう
に選定することが好ましく、二種以上混合して用いるご
ともできる。

本発明に用いる支持体は、上記スチレン系重合体あるい
は該重合体と必要に応じて各種の添加剤を含む組成物を
フィルム、テープ、ディスク、カード等の形状に成形し
て得られる。これらの支持体の厚さは、目的に応じて適
宜選定することができるが、支持体がフィルム状である
場合には、般に１〜１００μｍ１好ましくは３〜８０μ
ｍの厚さを有する。また、このフィルムは、延伸成形さ
れたものでも、そうでないものでもよい。延伸成形され
たものについては、多量の無機充填剤。

非相溶性樹脂あるいはゴムを含むものは好ましくない。

一方、延伸成形せずに用いる場合には、力学的性質、耐
熱性を考慮し、無機充填剤、樹脂。

ゴム等を充分に配合することが好ましい。

延伸フィルムは、例えば特願昭６３−３８４７号明細書
に記載の方法、具体的には主としてシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を融点以上の温度で融解
した後急冷して非晶性原反シートを作成し、次いで該シ
ートをガラス転移温度以上融点以下の温度で延伸するこ
とによって得られる。この際の急冷速度は、特に制限は
ないが、一般には２００°Ｃ／秒〜３°Ｃ／秒、好まし
くは２００°Ｃ／秒〜５°Ｃ／秒の範囲で定める。また
、この延伸フィルムは、ガラス転移温度以上融点以下の
温度で熱処理することによって、寸法安定性耐熱性を更
に向上させることができる。ここで熱処理する時間、温
度は、延伸体の延伸倍率、厚み。

組成、また、目的とする用途、物性等を考慮して適宜選
択することができる。一般には、ガラス転移温度以上、
融点以下で１秒〜１００時間が可能であるが、ガラス転
移温度より２０°Ｃ高い温度から融点より５°Ｃ低い温
度で、５秒〜３０分の範囲が好適である。ガラス転移温
度未満では熱処理効果がなく、融点を超えると熱処理時
にフィルムの一部あるいは全部が溶融してしまう。

この延伸時の延伸倍率は、フィルムの力学的物性を考慮
して、面積比（即ち、原反シートに対する延伸後のフィ
ルムの面積比率）で３倍以上が好ましく、さらに６倍以
上がより好適である。

また、象、冷して得られる非晶性原反は、円筒状平面状
のいずれでもよく、気体により（すなわちインフレーシ
ョン、ブロー成形）あるいはテンターにより同時あるい
は逐次に延伸される。

また、円筒ダイを用いる場合は、溶融後直ちにガラス転
移温度以上、融点以下の温度で延伸することもできる。

本発明の磁気記録媒体は、上記のような支持体上に、バ
インダーとして硬化性ホスファゼン化合物を含む磁性層
を有するものである。

硬化性ホスファゼン化合物としては、一般弐％　Ｎ　Ｐ
　（Ｘ）ｐ（Ｙ）ｑ→−・・・　〔Ｉ］（式中、ｐ、ｑ
はｐ＞０．ｑ＞０であり、かつｐ＋ｑ＝２を満たす実数
を示し、Ｘは重合硬化性基を示し、Ｙは重合硬化性基あ
るいは非重合硬化性基を示す。Ｘ、Ｙは同一であっても
異なってもよい。）で表わされる繰返し単位を有し、重合度が３以上である
ホスファゼン化合物が好適である。ここで一般式〔Ｉ〕
は、単一の化合物を表示するものではなく、数種の化合
物の混合物の平均値としての表示である。したがって、
各基の数を示すｐおよびｑは必ずしも整数に限定されず
小数をも含む実数である。また、重合度についても同様
に３以上の整数のみならず、小数をも含む実数である。

上記一般式〔■〕の繰返し単位を−もつホスファゼン化
合物は、各置換基の種類により様々なものがある。式中
、Ｘは重合硬化性基を示すが、この重合硬化性基とは紫
外線や電子線の照射、化学的硬化剤の使用あるいは加熱
等により反応して硬化する官能基を意味し、通常は反応
性二重結合を有する基である。この反応性二重結合を有
する基としては、各種のものがあるが、例えばアクリル
基。

メタクリル基、ビニル基あるいはアリル基を含む官能基
、好ましくはアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオ
キシ基を含む官能基をあげることができる。

このようなアクリロイルオキシ基やメタクリロイルオキ
シ基を含む官能基は、アクリロイルオキシ基、メタクリ
ロイルオキシ基そのもののほか、その代表例を一般式で
示せば〔式中、Ｒ３は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ４は
炭素数１〜１２（好ましくは１〜３）のアルキレン基（
分岐アルキレン基を含む）を示す。〕で表わされるものである。この一般式〔■〕で表わされ
る基の具体例としては、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート　２−ヒドロキシエチルメタクリレート　２−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート　３−ヒドロキシブチル
メタクリレート　４ヒドロキシブチルメタクリレート　
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、６−ヒドロキ
シ３−メチルへキシルメタクリレート、５−ヒドロキシ
へキシルメタクリレート、３−ヒドロキシ２−ｔ−ブチ
ルプロピルメタクリレート　３−ヒドロキシ−２２−ジ
メチルへキシルメタクリレート、３−ヒドロキシ−２−
メチル−２−エチルプロピルメタクリレートおよびＴ２
−ヒドロキシドデシルメタクリレートなどのメタクリレ
ート類中の水酸基から水素原子を除いた残基、並びに２
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート　２−ヒドロキシブチルアクリレート　
３−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブ
チルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレー
ト、６−ヒドロキシ３−メチルへキシアクリレート、５
−ヒドロキシへキシルアクリレート、３−ヒドロキシ−
２ｔ−ブチルプロピルアクリレート　３−ヒドロキシ−
２，２−ジメチルへキシルアクリレート　３ヒドロキシ
−２−メチル−２−エチルプロピルアクリレートおよび
１２−ヒドロキシドデシルアクリレートなどのアクリレ
ート類中の水酸基から水素原子を除いた残基を挙げるこ
とができる。特に好ましい基は、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート残基および２−ヒドロキシエチルアクリ
レート残基である。

また、アリル基を含む官能基としては、アリル基そのも
ののほか、例えばアリルオキシ基（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ
２０−）やアリルアミノ基（ＣＨ２＝　ＣＨＣＨ２Ｎ　
Ｈ）などがある。ビニル基を含む官能基としては、ビニ
ルフェノール。

ビニルスルホンアミドなどのビニル基を含む化合物中の
水酸基やアミド基から水素原子を除いた残基などがある
。

一方、一般式（Ｉ）中のＹは、重合硬化性基あるいは非
重合硬化性基を示す。ここで、Ｙが重合硬化性基を示す
場合、この重合硬化性基としては前述と同様のもの（但
し、Ｘと同一のものでなくとも可）があげられる。また
、Ｙが非重合硬化性基を示す場合、この非重合硬化性基
としては様々なものがあり、特に制限はない。具体的に
はハロゲン原子（塩素原子、臭素原子など）、フェノキ
シ基、ハロゲン化フェノキシ基（ｐ−クロロフェノキシ
基など）、炭素数１〜１ｏのアルコキシ基（メトキシ基
、エトキシ基など）、炭素数１〜１゜のハロゲン化アル
コキシ基（クロロメトキシ基。

クロロエトキシ基など）、アミノ基、水酸基　ニトロ基
などがあげられる。

本発明の磁気記録媒体において、バインダーとして用い
るホスファゼン化合物は、上述の一般式（１）の繰返し
単位を有するものであるが、その重合度は３以上、好ま
しくは３〜１８の範囲、特に好ましくは３または４であ
る。また、一般式（１）の繰返し単位が鎖状に結合（重
合）したものもあるが、好ましくは環状に結合（重合）
したものである。

この一般式ＣＩ）の繰返し単位をもつホスファゼン化合
物の具体例をあげると、で表わされる環状化合物。

で表わされる環状化合物式％式％で表わされる環状化合物。

式％式％）で表わされる環状化合物式％式％）で表わされる環状化合物式％式％）］で表わされる環状化合物。

式テｆｉわされる環状化合物などがある。

以上の如きホスファゼン化合物は、様々な方法により製
造することができる。例えば、一般式％式％（式中、Ｒ’、Ｒ’は前記と同じ。）で表わされるヒド
ロキシアルキル（メタ）アクリレートとホスホニトリル
クロリド（クロロボスファゼン；式（Ｎ　Ｐ　Ｃｆｉ　
２）。で表わされる環状化合物あるいは式ｃｚ４ｐ・（
Ｎ　Ｐ　Ｃｊ２２）、１−Ｉ　Ｎ　Ｐ　Ｃｌ　３表わさ
れる鎖状化合物、ｎは３以上）とを反応させることによ
り、ホスホニトリルクロリド中は全部を上記ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート
の残基で置換されたホスファゼン化合物を得ることがで
きる。

また、上記ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの
代わりに、あるいはこれとともにアリルアルコール　ア
リルフェノール　アクリルアミドｂ　などを用いること
もできる。

さらに、一般式（１）におけるＹが非重合硬化性基であ
るものを得るには、例えばＹが塩素原子のときには、上
述の反応で塩素原子の一部が残留したものとすればよい
。また、Ｙが塩素原子以外の非重合硬化性基であるもの
については、上述の反応においてフェノール類、アルコ
ール類あるいはアミン等の、ホスホニトリルクロリド中
のリン原子に結合している塩素原子と置換しうる官能基
を有する化合物を存在させることにより製造することが
できる。

なお、上記の反応にあたっては、第三級アミン等の脱ハ
ロゲン化水素剤を用いることが好ましい。

この第三級アミンとしては、たとえば、トリメチルアミ
ン　トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン　トリ
ーｎ−プロピルアミン、トリーｎブチルアミン、ピリジ
ンおよびＮ、Ｎ、Ｎ−テトラエチレンジアミンなどをあ
げることができ、この中でもピリジンやトリエチルアミ
ンが好適である。

また、この反応は通常は水を含まない有機溶媒中で行わ
れる。用いる有機溶媒としては、ヘンゼン、トルエン、
キシレン、クロロホルム、シクロヘキサン、塩化メチレ
ン、テトラヒドロフランをあげることができる。これら
を単独であるいは組合せて使用することができる。

本発明の磁気記録媒体は、上述の如くして得られた一般
式〔Ｉ〕の繰返し単位を有するホスファゼン化合物をバ
インダーとして使用するものである。このバインダーを
用いて磁気記録媒体を製造するには、公知の方法によれ
ばよい。例えば、鉄酸化物（Ｔ−酸化鉄、四三酸化鉄な
ど）、コバルト含有Ｔ−酸化鉄、クロム酸化物、純鉄、
鉄系合金（コバルト−鉄−ニッケル合金など）あるいは
ニッケルーコバルト合金等の磁性体１００重量部に、上
述のバインダー１０〜５０重量部およびベンゼン、トル
エン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アルコ
ールなどの適当な溶剤（希釈剤）を１００〜３００重量
部加え、さらに必要に応じて帯電防止剤２〜１５重量部
、潤滑剤２〜１５重量部、研磨剤２〜７重量部９分散剤
５〜１０重量部を加えて、これをボールミル等で充分に
混練し、得られた磁性組成物（磁性塗料）を上記のよう
な支持体（フィルム、テープ、カード。

ディスク等）に塗布して、活性エネルギー線（紫外線、
可視光線、電子線、Ｘ線、γ線など）を照射したり加熱
するなどして硬化させ磁性層を形成する。

なお、上記活性エネルギー線を用いた硬化方法を利用す
る場合は、反応開始剤（光増感剤）を用いることもでき
るが、ここで使用できるものの例−２４＝としでは、■−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケト
ン、ジベンゾイル、ベンゾイル、ベンゾイルメチルエー
テル、ベンゾイルエチルエーテル。

ｐ−クロロベンゾフェノン、ｐ−メトキシベンゾフェノ
ン、ベンゾイルパーオキサイド２　ジーｔブチルパーオ
キサイドおよびカンフアキノンをあげることができ、こ
れらを単独であるいは組合せて使用することができる。

この場合、反応開始剤の使用量は、ホスファゼン化合物
１００重量部に対して通常は０．０５〜５．０重量部の
範囲で選定すればよい。

また、加熱硬化あるいは常温硬化の方法による場合は、
重合開始剤として通常は過酸化物系の化合物およびアミ
ン系の化合物を単独あるいは組合せて使用する。過酸化
物系の化合物の例としては、ベンゾイルパーオキサイド
；ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド；２．４−ジク
ロロベンゾイルパーオキサイド；ｔ−ブチルヒドロパー
オキサイド；ジーも一ブチルパーオキサイド；ジクミル
パーオキサイド；ｔ−ブチルパーオキシアセテート；ｔ
−ブチルパーオキシベンゾエートなどを挙げることがで
きる。また、アミン系の化合物の例としては、Ｎ、Ｎ−
ジェタノール−ｐ＋−）シイジン；ジメチル−ｐ−トル
イジン；Ｐ−）シイジン；メチルアミン；ｔ−ブチルア
ミン；メチルエチルアミン；ジフェニルアミン；４，４
′−ジニトロジフェニルアミン；０−ニトロアミン；ｐ
−ブロモアニリン、２，４．６−）リブロモアニリンな
どを挙げることができる。

この場合、過酸化物系の化合物およびアミン系の化合物
の合計の使用量は、ホスファゼン化合物１００重量部に
対して、通常は０．０５〜５．０重量部の範囲で選定す
ればよい。

さらに、上記磁性組成物には、他の反応硬化性化合物を
含有させてもよい。ここで使用しうる反応硬化性化合物
としては、例えばメチルアクリレート；ヒドロキシエチ
ルアクリレート；エチレングリコールジアクリレート；
ジエチレングリコールジアクリレート；トリエチレング
リコールジアクリレートおよびテトラエチレングリコー
ルジアクリレートとメタクリレートとの混合物ニゲリシ
ジルアクリレート、２．２’−ビス（アクリロキシフェ
ニル）プロパン、２．２’−ビス〔４（３−メタクリロ
キシ）−２−ヒドロキシプロポキシフェニル〕プロパン
；カルボン酸のビニルエステル類（酢酸ビニル、ステア
リン酸ビニルなど）およびエチレン系不飽和ジカルボン
酸類（フマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコ
ン酸無水イタコン酸など）を挙げることができる。

このようにして得られた本発明の磁気記録媒体は、耐熱
性に優れ、磁性層と支持体との密着性が良いなど様々な
長所を有する。なお、この磁気記録媒体には、所望によ
りバックコート層を設けることもできる。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく
説明する。

製造例１（ホスファゼン化合物の製造）２Ｉ！、容のフ
ラスコ内でヘキサクロロシクロトリホスファゼン（式（
ＮＰＣｎｚ）＋の環状化合物）８６．８ｇを脱水したベ
ンゼン３３８ｇに溶解した。

このベンゼン溶液に炭酸ナトリウム１１０　ｇ、　　ピ
リジン１５５ｇおよびヒドロキノン０．２３　ｇを加え
、窒素気流中で撹拌した。

別に２−ヒドロキシエチルメタクリレート２００ｍ２を
ベンゼン２３１ｍ１に溶解し、この溶液を上記のフラス
コ中に滴下し、５０°Ｃで６時間かけて反応させた。反
応後、濾過してピリジンの塩酸塩および炭酸ナトリウム
を除去した。

濾液を水洗し、次いで芒硝を用いて乾燥させ、減圧蒸留
により溶剤を除去して、粘稠性の１．１゜３．３，５．
５−ヘキサ（メタクリロイルエチレンジオキシ）シクロ
トリホスファゼン　Ｈ３（式　（ＮＰ　（ＯＣ，Ｈ４０□ＣＣ＝ＣＨ２）２）３
で表わされる環状ホスファゼン化合物）２００ｇ（収率
８８．３％）を得た。

製造例２（シンジオタクチック構造を有するポリスチレ
ン（ＳＰＳ）の製造）反応容器に、溶媒としてトルエン２１と触媒酸＝２８分としてシクロペンタジェニルチタニウムトリクロリド
１ミリモルおよびメチルアルミノキサンをアルミニウム
原子として０．８モル加え、２０°Ｃにおいてこれにス
チレン３．６２を加え、１時間重合反応を行なった。

反応終了後、生成物を塩酸−メタノール混合液で洗浄し
、触媒成分を分解除去した。ついで乾燥し、スチレン系
重合体（ポリスチレン、ｓｐｓ）３３０ｇを得た。次に
、この重合体をメチルエチルケトンを溶媒としてソック
スレー抽出し、抽出残分９５重量％を得た。このものの
重量平均分子量は２９０，０００、数平均分子量は１５
８，０００であり、融点は２７０°Ｃであった。また、
この重合体は、Ｉ３０−ＮＭＲによる分析（溶媒＝１．
２ジクロロベンゼン）から、シンジオタクチック構造に
基因する１４５．３５ｐｐｍに吸収が認められ、そのピ
ーク面積から算出したラセミペンタッドでのシンジオタ
クテイシテイ−は９６％であった。製造例３　（ＳＰＳ
からなるフィルムの製造）上記参考例２で得られたＳＰ
Ｓに、酸化防止剤として、ビス（２４−ジーし一ブチル
フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト及びテ
トラキス〔メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシハイドロシンナメート）〕メタンをおのおの０
．１重量部ずつ混合し、直径４０ｍｍの一軸押出機にて
押出して、ペレット化した。

得られたペレットを、直径４０髄の一軸押出機の先端に
Ｔダイを取り付けた装置に供給し、シリンダー温度３０
０°Ｃ，Ｔグイ温度３１０°Ｃの条件で押出し、肉厚２
５０μｍのシートを得た。このとき、シートの冷却用ロ
ールは表面温度３０°Ｃであった。

このようにして得られた延伸用原反シートは、透明で密
度１．０４　ｇ／ｃｎｔ、ガラス転移温度１００°Ｃ結
晶化度２％であった。

次いでこのシートを、延伸温度１２０°Ｃで縦横に３．
５倍ずつ同時延伸を行った。得られた延伸フィルムを格
子状の固定具に固定し、２５０°Ｃで３０秒間熱処理し
た。この時のフィルムの厚さは２０μｍであった。

実施例１ γ−酸化鉄（γ−Ｆｅｚｅ３）粉末４００重量部製造例
１で得られたホスファゼン化合物１５０重量部、カーボ
ンブラック４重量部、シリコーンオイル１０重量部、レ
シチン６重量部、メチルエチルケトン４５０重量部およ
びトルエン４５０重量部をボールミルにて５０時間混練
して磁性組成物を得、これを製造例３で得られた厚さ２
０μｍのＳＰＳフィルム上に、乾燥後の膜厚が５μｍと
なるように塗布して磁性層を形成した。

次に、９０°Ｃで乾燥後、２００キロ電子ボルト（Ｋｅ
Ｖ）、６メガラド（Ｍｒａｄ）の照射量を持つ電子線を
照射し、磁性層を硬化させて磁性記録媒体を製造した。

得られた磁性記録媒体の各種物性を測定した。

結果を第１表に示す。

比較例１実施例１におけるＳＰＳフィルムの代わりに厚さ２０μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた以外
は、実施例１と同様の操作により磁気記録媒体を得た。

各種物性の測定結果を第１表に示す。

比較例２（１）１．４−ブタンジオールとアジピン酸を原料とし
てポリエステルジオール（数平均分子量２５００、ＯＨ
価４８．３）を得、これにトリレンジイソシアネートを
反応させてウレタンポリマーとし、さらに２−ヒドロキ
シエチルアクリレートを付加反応させて重合体（数平均
分子１ｔ２８０００）を得た。

（２）実施例１において、上記（１）で得られた重合体
を製造例１のホスファゼン化合物に代えて用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を第１表に
示す。

（以下余白）＊　１＊２＊３＊　４＊５テープ表面にセロファンテープを付着させた後に、真上
に強く剥離させたときの状態で評価。

○　・・・剥離なし、　△・・・一部剥離ガーゼにメチ
ルエチルケトンをしみ込ませ、支持体が現れるまで擦っ
た回数で評価。

ＪＩＳ　　Ｋ　　７２０４に準拠し、摩耗輪により表面
を擦り、その前後の重量差で評価した。

走査型電子顕微鏡を用いて２０００倍で磁性層の表面状
態を観察した。

◎・・・非常に良い、　○・・・良い気温８０°Ｃ５温度８０％の環境に５０００時間放置し
た後の状態を観察した。

○・・・伸び、しわ、縮みなし。

×・・・伸び、縮みあり〔発明の効果〕叙上の如く、主としてシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体からなる支持体上に、磁性体に硬化性
ホスファゼン化合物をバインダーとして配合して形成し
た磁性層を設けることにより、支持体との接着力が非常
に大きく、また、引張弾性率が高く、耐熱性、耐摩耗性
ならびに耐溶剤性にすぐれており、しかも、磁性体成分
の分散性にもすぐれた磁気記録媒体が得られる。

したがって、本発明の磁気記録媒体は、長寿命であると
ともに、走行安定性、Ｓ／’Ｎ比等の性能においてもす
ぐれたものとなる。

それ故、本発明の磁気記録媒体は、各種のエレクトロニ
クス材料分野、磁気記録材料分野に幅広くかつ有効に利
用される。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体からなる支持体上に、バインダーとして硬化
性ホスファゼン化合物を含む磁性層を有することを特徴
とする磁気記録媒体。
（２）ホスファゼン化合物が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｐ，ｑはｐ＞０，ｑ＞０であり、かつｐ＋ｑ＝
２を満たす実数を示し、Ｘは重合硬化性基を示し、Ｙは
重合硬化性基あるいは非重合硬化性基を示す。Ｘ，Ｙは
同一であっても異なってもよい。）で表わされる繰返し単位を有し、重合度が３以上である
請求項１記載の磁気記録媒体。
（３）ホスファゼン化合物が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｐ，ｑ、ＸおよびＹは前記と同じである。）で表わされる繰返し単位が環状に結合したものである請
求項１記載の磁気記録媒体。