JPH02201944A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH02201944A JPH02201944A JP2120289A JP2120289A JPH02201944A JP H02201944 A JPH02201944 A JP H02201944A JP 2120289 A JP2120289 A JP 2120289A JP 2120289 A JP2120289 A JP 2120289A JP H02201944 A JPH02201944 A JP H02201944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- resin sealing
- leads
- tie bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特に樹脂
封止してなる半導体装置に用いる半導体装置用リードフ
レームに関する。
封止してなる半導体装置に用いる半導体装置用リードフ
レームに関する。
従来、この種の半導体装置用リードフレームは、第４図
に示すように半導体素子搭載部１の周囲に配置され樹脂
封止領域６内にある複数の内部ｙ−ド２，２′と、内部
リード２，２′に一端が連結され樹脂封止領域６外にあ
る複数の外部リード３．３′と、複数の外部リード３，
３′の他端を結合する外枠部４と、前記複数の外部リー
ドの中間点を相互接続するタイバ一部とが一体に構成さ
れている。そして、外部リード３，３′ タイバ一部１
１．１１’、および樹脂封止領域の端部近傍の内部リー
ド２，２′はそれぞれ半導体素子搭載部の中心線ｘ−ｘ
’およびＹ−Ｙ’ と平行あるいは垂直とな′るように
配置され、外枠部４に、中心線Ｙ−Ｙ’上に中心をもつ
位置決め穴７がリードフレームの各単位胞に１個づつ設
けられている。この位置決め穴７は、半導体素子のマウ
ント工程、ワイヤポンディング工程、樹脂封止工程タイ
バ一部切断工程等の各工程で共通して使用される。
に示すように半導体素子搭載部１の周囲に配置され樹脂
封止領域６内にある複数の内部ｙ−ド２，２′と、内部
リード２，２′に一端が連結され樹脂封止領域６外にあ
る複数の外部リード３．３′と、複数の外部リード３，
３′の他端を結合する外枠部４と、前記複数の外部リー
ドの中間点を相互接続するタイバ一部とが一体に構成さ
れている。そして、外部リード３，３′ タイバ一部１
１．１１’、および樹脂封止領域の端部近傍の内部リー
ド２，２′はそれぞれ半導体素子搭載部の中心線ｘ−ｘ
’およびＹ−Ｙ’ と平行あるいは垂直とな′るように
配置され、外枠部４に、中心線Ｙ−Ｙ’上に中心をもつ
位置決め穴７がリードフレームの各単位胞に１個づつ設
けられている。この位置決め穴７は、半導体素子のマウ
ント工程、ワイヤポンディング工程、樹脂封止工程タイ
バ一部切断工程等の各工程で共通して使用される。
上述した従来の半導体装置用リードフレームは、通常１
７０℃前後の温度で樹脂封止されるため、樹脂封止完了
後室温にもどったときに樹脂およびリードフレームがそ
れぞれの熱膨張係数の温度差分の収縮を生じる。通常、
リードフレームは４２合金等が用いられ、その熱膨張係
数は約４５Ｘ１０−’１／℃である。一方、樹脂の熱膨
張係数は１６０〜２２０Ｘ１０−’１／’Ｃ程度であり
リードフレーの全収縮量が大きくなり、タイバ一部近傍
の変形が無視できない。また、外部リードの隣接するリ
ードとリード間のピッチが小さくなればなるほど樹脂の
収縮によってリード同志が接近するため、タイバ一部５
近傍の変形が無視できなくな、ってきた。そのために、
従来のリードフレームを用いた場合は、タイバ一部５を
切断分離する際に切断用金型の刃先が喰い込みリードに
損傷を与えたり、タイバ一部５の切断分離時の塑性変形
が元に戻らず製品の外観をそこねる等の欠点があった。
７０℃前後の温度で樹脂封止されるため、樹脂封止完了
後室温にもどったときに樹脂およびリードフレームがそ
れぞれの熱膨張係数の温度差分の収縮を生じる。通常、
リードフレームは４２合金等が用いられ、その熱膨張係
数は約４５Ｘ１０−’１／℃である。一方、樹脂の熱膨
張係数は１６０〜２２０Ｘ１０−’１／’Ｃ程度であり
リードフレーの全収縮量が大きくなり、タイバ一部近傍
の変形が無視できない。また、外部リードの隣接するリ
ードとリード間のピッチが小さくなればなるほど樹脂の
収縮によってリード同志が接近するため、タイバ一部５
近傍の変形が無視できなくな、ってきた。そのために、
従来のリードフレームを用いた場合は、タイバ一部５を
切断分離する際に切断用金型の刃先が喰い込みリードに
損傷を与えたり、タイバ一部５の切断分離時の塑性変形
が元に戻らず製品の外観をそこねる等の欠点があった。
本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子搭
載部と、前記搭載部の周囲に配置された複数のリードと
、前記複数のリードを結合する外枠部と、前記外枠部と
樹脂封止領域間に設けられ前記複数のリードを相互に連
結するタイバーとが一体に構成されたものを単位胞とし
、前記単位胞の外枠部に樹脂封止工程及びタイバー切断
工程で共通に使用する位置ぎめ穴を有するリードフレー
ムにおいて、前記位置ぎめ穴を通る基準軸からはかった
前記リードと前記タイバーとの連結部であるタイバー位
置までの距離を、樹脂封止後の該距離の収縮量だけあら
かじめ伸張させて配列したことを特徴とする。
載部と、前記搭載部の周囲に配置された複数のリードと
、前記複数のリードを結合する外枠部と、前記外枠部と
樹脂封止領域間に設けられ前記複数のリードを相互に連
結するタイバーとが一体に構成されたものを単位胞とし
、前記単位胞の外枠部に樹脂封止工程及びタイバー切断
工程で共通に使用する位置ぎめ穴を有するリードフレー
ムにおいて、前記位置ぎめ穴を通る基準軸からはかった
前記リードと前記タイバーとの連結部であるタイバー位
置までの距離を、樹脂封止後の該距離の収縮量だけあら
かじめ伸張させて配列したことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。外枠部４に
は半導体素子搭載部中心１０を通るＹ−Ｙ′線上に中心
をもつ位置決め穴７が設けられている。Ｙ−Ｙ’力方向
配列された複数の外部リード３のタイバー位置５が、樹
脂封止領域６のリード外部引出し位置８および外部リー
ド３のリードフレーム外枠部４との結合位置９よりも半
導体素子搭載部中心１０を通るＹ−Ｙ’線からの距離が
所定量だけ大きい位置にあり、外部リード３はＹ−Ｙ’
線からより外側に広がる方向に傾きを有するように配列
している。そして、リード外部引出し位置８及び外枠部
結合位置９は従来と同じ位置にある。−例として、第２
図（ａ）に従来のＱＦＰ用リードフレームの平面図、第
２図（ｂ）に第２図（ａ）のリードフレームの各部分の
樹脂封止後の収縮量を示す。第２図（ｂ）に示されるよ
うに、従来リードフレームの場合ＣＩ、ＤＩ、Ｅｌ、Ｆ
ｌの長さ（図中ではＣ１−Ｆｌと表示向、黒丸は平均値
を示す）が約３０μｍ収縮していたため、本発明のリー
ドフレームでは、Ｃ１，ＤＩ、Ｅｌ、Ｆ’１の寸法を従
来より３０μｍ大きくなるようにしてＣ１−Ｆ １に対
する外部リードを配列し、それより内ｍ部リードについ
ては、Ｙ−Ｙ’ 線から各外部リードの位置までの長さ
に比例して大きくなるように補正値をきめ配列している
。
は半導体素子搭載部中心１０を通るＹ−Ｙ′線上に中心
をもつ位置決め穴７が設けられている。Ｙ−Ｙ’力方向
配列された複数の外部リード３のタイバー位置５が、樹
脂封止領域６のリード外部引出し位置８および外部リー
ド３のリードフレーム外枠部４との結合位置９よりも半
導体素子搭載部中心１０を通るＹ−Ｙ’線からの距離が
所定量だけ大きい位置にあり、外部リード３はＹ−Ｙ’
線からより外側に広がる方向に傾きを有するように配列
している。そして、リード外部引出し位置８及び外枠部
結合位置９は従来と同じ位置にある。−例として、第２
図（ａ）に従来のＱＦＰ用リードフレームの平面図、第
２図（ｂ）に第２図（ａ）のリードフレームの各部分の
樹脂封止後の収縮量を示す。第２図（ｂ）に示されるよ
うに、従来リードフレームの場合ＣＩ、ＤＩ、Ｅｌ、Ｆ
ｌの長さ（図中ではＣ１−Ｆｌと表示向、黒丸は平均値
を示す）が約３０μｍ収縮していたため、本発明のリー
ドフレームでは、Ｃ１，ＤＩ、Ｅｌ、Ｆ’１の寸法を従
来より３０μｍ大きくなるようにしてＣ１−Ｆ １に対
する外部リードを配列し、それより内ｍ部リードについ
ては、Ｙ−Ｙ’ 線から各外部リードの位置までの長さ
に比例して大きくなるように補正値をきめ配列している
。
さらに、ｘ−ｘ’方向に配列された複数の外部リード３
′のリードフレーム外枠部４との結合位置９′がそれぞ
れのリードに対応するタイバー位置５′よりもＹ−Ｙ’
力方向おいて位置決め穴７側に位置するように配列して
いる。すなわち、半導体素子搭載部中心１０を通るｘ−
ｘ’線は従来のリードフレームの半導体素子搭載部中心
を通るＸ １−Ｘ １ ’線よりも下方に所定量だけず
れ、外枠部結合位置９′は従来のリードフレームと同じ
位置にある。また、リード外部引出し位置８′ とタイ
バー位置５′は、位置決め穴７を通りＸ−Ｘ′線に平行
な線から等距離にあり、従来のリードフレームに比べて
下方に所定量だけずれている。−例として、第２図（ａ
）、（ｂ）に示されるように、従来リードフレームの場
合Ｇｌ、ＩＩが約２５μｍ、Ｈｌ、Ｊｌが約７５μｍ、
位置決め穴７を基準として収縮していたため、本発明の
リードフレームでは、それぞれＧｌ、ＩＩの寸法を約２
５μｍ％Ｈ１，Ｊ１寸法を約７５μｍ大きくなるように
してＧｌ、Ｉｌ、Ｈｌ、Ｊｌに対応する外部リードを配
列し、その間に設けられている外部リードは、位置決め
穴７から各外部リードまでの長さで補正した値で位置決
めし配列している。
′のリードフレーム外枠部４との結合位置９′がそれぞ
れのリードに対応するタイバー位置５′よりもＹ−Ｙ’
力方向おいて位置決め穴７側に位置するように配列して
いる。すなわち、半導体素子搭載部中心１０を通るｘ−
ｘ’線は従来のリードフレームの半導体素子搭載部中心
を通るＸ １−Ｘ １ ’線よりも下方に所定量だけず
れ、外枠部結合位置９′は従来のリードフレームと同じ
位置にある。また、リード外部引出し位置８′ とタイ
バー位置５′は、位置決め穴７を通りＸ−Ｘ′線に平行
な線から等距離にあり、従来のリードフレームに比べて
下方に所定量だけずれている。−例として、第２図（ａ
）、（ｂ）に示されるように、従来リードフレームの場
合Ｇｌ、ＩＩが約２５μｍ、Ｈｌ、Ｊｌが約７５μｍ、
位置決め穴７を基準として収縮していたため、本発明の
リードフレームでは、それぞれＧｌ、ＩＩの寸法を約２
５μｍ％Ｈ１，Ｊ１寸法を約７５μｍ大きくなるように
してＧｌ、Ｉｌ、Ｈｌ、Ｊｌに対応する外部リードを配
列し、その間に設けられている外部リードは、位置決め
穴７から各外部リードまでの長さで補正した値で位置決
めし配列している。
第３図は、本発明の他の実施例の平面図である。
半導体素子搭載部１を複数有するリードフレームにおい
て、ｘ−ｘ’力方向リードフレーム長さの中心に位置す
る位置決め穴７２の向きにそれぞれの半導体素子搭載部
１に対応する位置決め穴７１゜７３を従来のリードフレ
ームで収縮した長さＡ。
て、ｘ−ｘ’力方向リードフレーム長さの中心に位置す
る位置決め穴７２の向きにそれぞれの半導体素子搭載部
１に対応する位置決め穴７１゜７３を従来のリードフレ
ームで収縮した長さＡ。
Ｂ約９０μｍ（第２図（ａ） 、 （ｂ）参照）分大き
くした。この実施例では、単数ではなく複数の半導体素
子搭載部が連結されたリードフレームに対して、さらに
タイバー切断時の不具合を解消できるという利点がある
。
くした。この実施例では、単数ではなく複数の半導体素
子搭載部が連結されたリードフレームに対して、さらに
タイバー切断時の不具合を解消できるという利点がある
。
以上説明したように本発明は、外部リードとタイバ一部
との連結部のタイバー位置を、リードフレームの単位胞
ごとに設けられた位置ぎめ穴を通る基準軸からはかった
樹脂封止後のタイバー位置の収縮量を打ち消すように、
あらかじめずらせて配列しておくことにより、樹脂封止
後の該位置ぎめ穴で位置ぎめして行なうタイバー切断時
のリードの損傷あるいは塑性変形による外観不良を低減
できる効果がある。
との連結部のタイバー位置を、リードフレームの単位胞
ごとに設けられた位置ぎめ穴を通る基準軸からはかった
樹脂封止後のタイバー位置の収縮量を打ち消すように、
あらかじめずらせて配列しておくことにより、樹脂封止
後の該位置ぎめ穴で位置ぎめして行なうタイバー切断時
のリードの損傷あるいは塑性変形による外観不良を低減
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図（ａ）
は、従来のリードフレームの平面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のリードフレームの各部分の収縮量を示す図
、第３図は本発明の他の実施例を示す平面図、第４図は
従来のリードフレームを示す平面図である。 １・・・・・・半導体素子搭載部、２，２′・・・・・
・内部リード、３，３′・・・・・・外部リード、４・
旧・・外枠部、５．５′・・・・・・タイバー位置、６
・・川・樹脂封止領域、７・・・・・・位置決め穴、８
，８′・・川・リード外部引出し位置、９，９′・・・
・・・外枠部結合位置、１ｏ・・団・半導体素子搭載部
中心、１１．１１’・・・・・・タイバ一部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ５′ダＩＩ＜−右Ｕ醗 第 図
は、従来のリードフレームの平面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のリードフレームの各部分の収縮量を示す図
、第３図は本発明の他の実施例を示す平面図、第４図は
従来のリードフレームを示す平面図である。 １・・・・・・半導体素子搭載部、２，２′・・・・・
・内部リード、３，３′・・・・・・外部リード、４・
旧・・外枠部、５．５′・・・・・・タイバー位置、６
・・川・樹脂封止領域、７・・・・・・位置決め穴、８
，８′・・川・リード外部引出し位置、９，９′・・・
・・・外枠部結合位置、１ｏ・・団・半導体素子搭載部
中心、１１．１１’・・・・・・タイバ一部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ５′ダＩＩ＜−右Ｕ醗 第 図
Claims (1)
- 半導体素子搭載部と、前記搭載部の周囲に配置された複
数のリードと、前記複数のリードを結合する外枠部と、
前記外枠部と樹脂封止領域間に設けられ前記複数のリー
ドを相互に連結するタイバーとが一体に構成されたもの
を単位胞とし、前記単位胞の外枠部に樹脂封止工程及び
タイバー切断工程で共通に使用する位置ぎめ穴を有する
リードフレームにおいて、前記位置ぎめ穴を通る基準軸
からはかった前記リードと前記タイバーとの連結部であ
るタイバーを位置までの距離を、樹脂封止後の該距離の
収縮量だけあらかじめ伸張させて配列したことを特徴と
する半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021202A JP2569782B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021202A JP2569782B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201944A true JPH02201944A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2569782B2 JP2569782B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=12048393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1021202A Expired - Fee Related JP2569782B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569782B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625652U (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-14 | ||
| JPS6218058A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1021202A patent/JP2569782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625652U (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-14 | ||
| JPS6218058A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569782B2 (ja) | 1997-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5614441A (en) | Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package | |
| US5757082A (en) | Semiconductor chips, devices incorporating same and method of making same | |
| US5479050A (en) | Leadframe with pedestal | |
| US5304818A (en) | Lead frame | |
| US4949161A (en) | Interdigitized leadframe strip | |
| JP2687946B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH02201944A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US5437095A (en) | Method of making plastic encapsulated integrated circuit package | |
| US5338972A (en) | Lead frame with deformable buffer portions | |
| JPS60101958A (ja) | ダイオ−ド装置の製造方法 | |
| JP2874435B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
| JPH06196609A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH04255260A (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2634249B2 (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JP3159555B2 (ja) | 電力半導体装置の製造方法 | |
| JPS638143Y2 (ja) | ||
| JP2549634B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| EP0606525B1 (en) | TAB type semiconductor device | |
| JPH01276655A (ja) | トランスファーモールド型集積回路 | |
| JPS63306647A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2737356B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH03163859A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH01270255A (ja) | リードフレーム | |
| JPH03219663A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0685313A (ja) | 光結合装置のリード抜け防止構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |