JPH02202524A - フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 - Google Patents
フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法Info
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- JPH02202524A JPH02202524A JP1987389A JP1987389A JPH02202524A JP H02202524 A JPH02202524 A JP H02202524A JP 1987389 A JP1987389 A JP 1987389A JP 1987389 A JP1987389 A JP 1987389A JP H02202524 A JPH02202524 A JP H02202524A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フルオロアルキル基含有シリコン系重合体及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
〈従来の技術〉
シリコン系化合物中にフルオロアルキル基が導入された
化合物は、粘度−温度特性、耐熱耐酸化性、耐薬品性、
剪断安定性、撥水撥油性等を有する材料として、特に導
電性材料、レジスト材料として注目されている。そこで
このような材料を分子設計するためには、フルオロアル
キル基がシリコン系化合物中の芳香族環に導入された化
合物を合成することが有効であり、例えばシリコン系化
合物中の芳香族環に、トリフルオロメチル基を導入した
メチルジェトキシ−ｐ−トリプルオロメチルフェニルシ
ランを合成する方法等が提案されている（日本化学会誌
、１８７６ （１９７２））。
化合物は、粘度−温度特性、耐熱耐酸化性、耐薬品性、
剪断安定性、撥水撥油性等を有する材料として、特に導
電性材料、レジスト材料として注目されている。そこで
このような材料を分子設計するためには、フルオロアル
キル基がシリコン系化合物中の芳香族環に導入された化
合物を合成することが有効であり、例えばシリコン系化
合物中の芳香族環に、トリフルオロメチル基を導入した
メチルジェトキシ−ｐ−トリプルオロメチルフェニルシ
ランを合成する方法等が提案されている（日本化学会誌
、１８７６ （１９７２））。
しかしながら、前記方法により合成されたフルオロアル
キル基含有シリコン系化合物は、モノシラン化合物のみ
であり、芳香族環にフルオロアルキル基が導入された二
量体以上のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体及
びその製造方法については知られていないのが現状であ
る。
キル基含有シリコン系化合物は、モノシラン化合物のみ
であり、芳香族環にフルオロアルキル基が導入された二
量体以上のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体及
びその製造方法については知られていないのが現状であ
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は、導電性材料、レジスト材料等に利用可
能である新規なフルオロアルキル基含有シリコン系重合
体を提供することにある。
能である新規なフルオロアルキル基含有シリコン系重合
体を提供することにある。
本発明の別の目的は、反応触媒及び特殊な装置を必要と
せず、容易に、且つ工業的にも有利なフルオロアルキル
基含有シリコン系重合体の製造方法を提供することにあ
る。
せず、容易に、且つ工業的にも有利なフルオロアルキル
基含有シリコン系重合体の製造方法を提供することにあ
る。
〈課題を解決するための手段〉
本発明によれば、一般式（１）
（式中Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、フ
ェニル基又は下記一般式（ｎ） Ｘ（ＣＦｚ）ｎ−へ―／−・・・（■）（式中Ｘは水素
原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、ｎ２は１〜１０
の整数を示す、）で表わされるフルオロアルキルフェニ
ル基を示す、〕で表わされる重合度２〜１０００のフル
オロアルキル基含有シリコン系重合体が提供される。
ェニル基又は下記一般式（ｎ） Ｘ（ＣＦｚ）ｎ−へ―／−・・・（■）（式中Ｘは水素
原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、ｎ２は１〜１０
の整数を示す、）で表わされるフルオロアルキルフェニ
ル基を示す、〕で表わされる重合度２〜１０００のフル
オロアルキル基含有シリコン系重合体が提供される。
また本発明によれば、前記一般式（Ｉ）で表わされる構
成単位と、一般式（ＩＩＩ） （式中Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は
フェニル基を示す、）で表わされる構成単位とを含む重
合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン系
重合体が提供される。
成単位と、一般式（ＩＩＩ） （式中Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は
フェニル基を示す、）で表わされる構成単位とを含む重
合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン系
重合体が提供される。
更に本発明によれば、一般式（ＩＶ）
（式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す、）で表わされるジ（ハロア
シル）ペルオキシドと、前記一般式（ＩＩＩ）で表わさ
れる重合度２〜１０００のシリコン系重合体とを反応さ
せて、前記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位からなる
重合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン
系重合体を製造する方法を提供することにある。
ｎは１〜１０の整数を示す、）で表わされるジ（ハロア
シル）ペルオキシドと、前記一般式（ＩＩＩ）で表わさ
れる重合度２〜１０００のシリコン系重合体とを反応さ
せて、前記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位からなる
重合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン
系重合体を製造する方法を提供することにある。
更に本発明によれば、前記一般式（ＩＶ）で表わされる
ジ（ハロアシル）ペルオキシドと、一般式（ＩＩＩ）で
表わされる重合度２〜１０００のシリコン系重合体とを
反応させて、前記一般式で表わされる構成単位及び、前
記一般式（ｍ）で表わされる構成単位を含む、重合度２
〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体
を製造する方法が提供される。
ジ（ハロアシル）ペルオキシドと、一般式（ＩＩＩ）で
表わされる重合度２〜１０００のシリコン系重合体とを
反応させて、前記一般式で表わされる構成単位及び、前
記一般式（ｍ）で表わされる構成単位を含む、重合度２
〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体
を製造する方法が提供される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体は、
下記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位を必須の構成単
位として含む重合度２〜１０００の重合体である。
下記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位を必須の構成単
位として含む重合度２〜１０００の重合体である。
式中Ｒ□は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基。
フェニル基又は下記一般式（ｎ）
２−へ
Ｘ（ＣＦ２）ｎ−へ―／−
・・・ （ＩＩ）
（式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す、）で表わされるフルオロア
ルキルフェニル基を示す、〕この際Ｒ□が炭素数５以上
のアルキル基の場合、またｎが１０を超える場合には、
製造が困難である。
ｎは１〜１０の整数を示す、）で表わされるフルオロア
ルキルフェニル基を示す、〕この際Ｒ□が炭素数５以上
のアルキル基の場合、またｎが１０を超える場合には、
製造が困難である。
前記一般式（Ｉ）で示されるフルオロアルキル基含有シ
リコン系重合体の構成単位としては、例えば、３−クロ
ロヘキサフルオロプロピルフェニルメチルシラン、ペル
フルオロプロピルフェニルシラン、ペルフルオロヘプチ
ルフェニルシラン、ジベルフルオロプロピルフェニルシ
ラン、ジベルフルオロへブチルシラン、ペルフルオロプ
ロピルフェニル−フェニルシラン、ペルフルオロヘプチ
ルフェニル−フェニルシラン、ペルフルオロプロピルフ
ェニルメチルシラン、ペルフルオロへブチルフェニルメ
チルシラン、ペルフルオロプロピルフェニルエチルシラ
ン、ペルフルオロヘプチルエチルシラン、ペルフルオロ
プロピルフェニルプロピルシラン、ペルフルオロプロピ
ルフェニルブチルシラン、ペルフルオロヘプチルフェニ
ルブチルシラン等を好ましく挙げることができる。
リコン系重合体の構成単位としては、例えば、３−クロ
ロヘキサフルオロプロピルフェニルメチルシラン、ペル
フルオロプロピルフェニルシラン、ペルフルオロヘプチ
ルフェニルシラン、ジベルフルオロプロピルフェニルシ
ラン、ジベルフルオロへブチルシラン、ペルフルオロプ
ロピルフェニル−フェニルシラン、ペルフルオロヘプチ
ルフェニル−フェニルシラン、ペルフルオロプロピルフ
ェニルメチルシラン、ペルフルオロへブチルフェニルメ
チルシラン、ペルフルオロプロピルフェニルエチルシラ
ン、ペルフルオロヘプチルエチルシラン、ペルフルオロ
プロピルフェニルプロピルシラン、ペルフルオロプロピ
ルフェニルブチルシラン、ペルフルオロヘプチルフェニ
ルブチルシラン等を好ましく挙げることができる。
本発明のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体は、
前記一般式（Ｉ）で表わされる必須構成単位の他に、下
記一般式（ＩＩＩ）で表わされる構成単位を組合せるこ
ともできる。
前記一般式（Ｉ）で表わされる必須構成単位の他に、下
記一般式（ＩＩＩ）で表わされる構成単位を組合せるこ
ともできる。
式中Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフ
ェニル基を示す。この際Ｒ２が炭素数５以上のアルキル
基の場合には製造が困難である。
ェニル基を示す。この際Ｒ２が炭素数５以上のアルキル
基の場合には製造が困難である。
本発明のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体は、
前記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位のみからなる重
合体若しくは、該重合体中のベンゼン環の少なくとも一
部にフルオロアルキル基が導入された重合体、即ち該ベ
ンゼン環へのフルオロアルキル化率が１〜１００％未満
の範囲の重合体である。また該重合体の重合度は２〜１
０００の範囲であり、１０００を超える場合には、重合
体の製造が困難となる。
前記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位のみからなる重
合体若しくは、該重合体中のベンゼン環の少なくとも一
部にフルオロアルキル基が導入された重合体、即ち該ベ
ンゼン環へのフルオロアルキル化率が１〜１００％未満
の範囲の重合体である。また該重合体の重合度は２〜１
０００の範囲であり、１０００を超える場合には、重合
体の製造が困難となる。
本発明のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体を製
造するには、特定のジ（ハロアシル）ペルオキシドと、
シリコン系重合体とを反応させることにより得ることが
できる。
造するには、特定のジ（ハロアシル）ペルオキシドと、
シリコン系重合体とを反応させることにより得ることが
できる。
本発明の製造方法において、前記特定のジ（ハロアシル
）ペルオキシドは、下記一般式（１’／）で表わすこと
ができ。
）ペルオキシドは、下記一般式（１’／）で表わすこと
ができ。
式中Ｘはフッ素原子、水素原子又は塩素原子を示し、ｎ
は１〜１０の整数を示す、前記一般式（ＩＶ）で表わさ
れるジ（ハロアシル）ペルオキシド中のフルオロアルキ
ル基（Ｘ （ｃ Ｆ、）１１−３としては１例えばｃ
Ｆ ３− Ｆ（ＣＦ□）ｉ−Ｆ （ｃ Ｆｊ３−Ｆ（
ＣＦ、）４−、Ｆ（ＣＦ、）、−、Ｆ（ＣＦり＠−。
は１〜１０の整数を示す、前記一般式（ＩＶ）で表わさ
れるジ（ハロアシル）ペルオキシド中のフルオロアルキ
ル基（Ｘ （ｃ Ｆ、）１１−３としては１例えばｃ
Ｆ ３− Ｆ（ＣＦ□）ｉ−Ｆ （ｃ Ｆｊ３−Ｆ（
ＣＦ、）４−、Ｆ（ＣＦ、）、−、Ｆ（ＣＦり＠−。
Ｆ（ＣＦ、）？−、ＦＣＣＦ、）、−、Ｆ（ＣＦｚ）ｓ
−２Ｆ （ＣＦ、）□。−＝ ＣＱ （ＣＦｘ）−、Ｃ
ｎ （ＣＦ Ｊａ−ＣＱ （ＣＦａ）ｉ−２ＣΩ（ＣＦ
２）４−ｔ ＣＱ （ＣＦｚ）ｓ−Ｃｆｌ （ＣＦ Ｊ
ｓ−９ＣＱ （ＣＦ ｚ）ｔ−、ＣＱ （ＣＦ １）−
ＣＱ （ＣＦ、）、−、ＣＱ （ＣＦ、）、０−、ＨＣ
Ｆ２−。
−２Ｆ （ＣＦ、）□。−＝ ＣＱ （ＣＦｘ）−、Ｃ
ｎ （ＣＦ Ｊａ−ＣＱ （ＣＦａ）ｉ−２ＣΩ（ＣＦ
２）４−ｔ ＣＱ （ＣＦｚ）ｓ−Ｃｆｌ （ＣＦ Ｊ
ｓ−９ＣＱ （ＣＦ ｚ）ｔ−、ＣＱ （ＣＦ １）−
ＣＱ （ＣＦ、）、−、ＣＱ （ＣＦ、）、０−、ＨＣ
Ｆ２−。
Ｈ（ＣＦ２）２−、Ｈ（ＣＦ、）３−、Ｈ（ＣＦ□）、
−９Ｈ（ＣＦ□＞、−、Ｈ（ＣＦ２）。−、Ｈ（ＣＦり
？−Ｈ（ＣＦ、）、−、Ｈ（ＣＦ、）、−、Ｈ（ＣＦｉ
）ｘａ−等を挙げることができ、ジ（へロアシル）ペル
オキシドとしては、該フルオロアルキル基を含むジ（ハ
ロアシル）ペルオキシドを例示することができる。
−９Ｈ（ＣＦ□＞、−、Ｈ（ＣＦ２）。−、Ｈ（ＣＦり
？−Ｈ（ＣＦ、）、−、Ｈ（ＣＦ、）、−、Ｈ（ＣＦｉ
）ｘａ−等を挙げることができ、ジ（へロアシル）ペル
オキシドとしては、該フルオロアルキル基を含むジ（ハ
ロアシル）ペルオキシドを例示することができる。
本発明の製造方法に用いる前記シリコン系重合体は、前
記一般式（ｍ）で表わされる構成単位からなる重合度２
〜１０００の重合体である。前記一般式（ＩＩＩ）で表
わされるシリコン系重合体の構成単位としては、前記一
般式（Ｉ）で表わされるフルオロアルキル基含有シリコ
ン系重合体の構成単位として例示した構成単位からフル
オロアルキル基を除いた構成単位を好ましく挙げること
ができる。前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる構成単位
から成るシリコン系重合体を製造するには、例えば前記
一般式（Ｉ［［）のジクロロ体 等と、金属ナトリウムとを反応させることにより得るこ
とができる。
記一般式（ｍ）で表わされる構成単位からなる重合度２
〜１０００の重合体である。前記一般式（ＩＩＩ）で表
わされるシリコン系重合体の構成単位としては、前記一
般式（Ｉ）で表わされるフルオロアルキル基含有シリコ
ン系重合体の構成単位として例示した構成単位からフル
オロアルキル基を除いた構成単位を好ましく挙げること
ができる。前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる構成単位
から成るシリコン系重合体を製造するには、例えば前記
一般式（Ｉ［［）のジクロロ体 等と、金属ナトリウムとを反応させることにより得るこ
とができる。
本発明の製造方法において、前記ジ（ハロアシル）ペル
オキシドと、シリコン系重合体とを反応させるには、例
えば常圧にて反応温度０〜１５０℃、特に好ましくはＯ
〜１００℃１反応時間３０分〜２０時間、実用的には３
〜１０時間の範囲で行なうのが好ましい。この際、前記
反応温度が０℃未満では、反応時間が長くなり、また１
５０℃を超えると、反応時の圧力が高くなって、反応操
作が困難となるので好ましくない。更に前記反応におい
て、ジ（ハロアシル）ペルオキシドの取扱い及び反応を
すみやかに行なうために、溶媒を用いることが好ましい
。該溶媒としては、水素原子を含有しないハロゲン化脂
肪族溶媒が特に好ましく。
オキシドと、シリコン系重合体とを反応させるには、例
えば常圧にて反応温度０〜１５０℃、特に好ましくはＯ
〜１００℃１反応時間３０分〜２０時間、実用的には３
〜１０時間の範囲で行なうのが好ましい。この際、前記
反応温度が０℃未満では、反応時間が長くなり、また１
５０℃を超えると、反応時の圧力が高くなって、反応操
作が困難となるので好ましくない。更に前記反応におい
て、ジ（ハロアシル）ペルオキシドの取扱い及び反応を
すみやかに行なうために、溶媒を用いることが好ましい
。該溶媒としては、水素原子を含有しないハロゲン化脂
肪族溶媒が特に好ましく。
具体的には例えば、２−グロ口−１，２−ジブロモー１
．１．２−トリフルオロエタン、１．２−ジブロモへキ
サフルオロプロパン、１．２−ジブロモテトラフルオロ
エタン、１，１−ジフルオロテトラクロロエタン、１，
２−ジフルオロテトラクロロエタン、フルオロトリクロ
ロメタン、ヘプタフルオロ−２，３，３−トリクロロブ
タン、１゜１、ｌ、３−テトラクロロテトラフルオロプ
ロパン、１，１．１−トリクロロペンタフルオロプロパ
ン、１，１．２−トリクロロトリフルオロエタン等を用
いることができ、特に工業的には、１゜１．２−トリク
ロロトリフルオロエタンを好ましく挙げることができる
。前記溶媒を使用する場合、通常溶媒中の前記ジ（ハロ
アシル）ペルオキシドの濃度は、１〜３０％程度である
ことが望ましい。
．１．２−トリフルオロエタン、１．２−ジブロモへキ
サフルオロプロパン、１．２−ジブロモテトラフルオロ
エタン、１，１−ジフルオロテトラクロロエタン、１，
２−ジフルオロテトラクロロエタン、フルオロトリクロ
ロメタン、ヘプタフルオロ−２，３，３−トリクロロブ
タン、１゜１、ｌ、３−テトラクロロテトラフルオロプ
ロパン、１，１．１−トリクロロペンタフルオロプロパ
ン、１，１．２−トリクロロトリフルオロエタン等を用
いることができ、特に工業的には、１゜１．２−トリク
ロロトリフルオロエタンを好ましく挙げることができる
。前記溶媒を使用する場合、通常溶媒中の前記ジ（ハロ
アシル）ペルオキシドの濃度は、１〜３０％程度である
ことが望ましい。
本発明の製造方法における反応では、フルオロアルキル
基含有シリコン系重合体の生成とともに、フルオロアル
カンカルボン酸の生成が認められるが、反応終了後に得
られた重合体を分別し、アルカリ水溶液等で充分に洗浄
を行なう等の処理をすることにより、目的の重合体を精
製することができる。
基含有シリコン系重合体の生成とともに、フルオロアル
カンカルボン酸の生成が認められるが、反応終了後に得
られた重合体を分別し、アルカリ水溶液等で充分に洗浄
を行なう等の処理をすることにより、目的の重合体を精
製することができる。
〈発明の効果〉
本発明のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体は１
重合体中のベンゼン環上にフルオロアルキル基が化学結
合により直接置換されているため。
重合体中のベンゼン環上にフルオロアルキル基が化学結
合により直接置換されているため。
フルオロアルキル基に起因する撥水撥油性効果を極めて
永続的に持続されることができる。従って導電性材料、
レジスト材料として有用である。また本発明の製造方法
によりフルオロアルキル基含有シリコン系重合体を、短
時間で容易に、しかも反応触媒及び特殊な装置を使用せ
ずに製造することができる。
永続的に持続されることができる。従って導電性材料、
レジスト材料として有用である。また本発明の製造方法
によりフルオロアルキル基含有シリコン系重合体を、短
時間で容易に、しかも反応触媒及び特殊な装置を使用せ
ずに製造することができる。
〈実施例〉
以下本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
去１涜１２
ビス（ヘプタフルオロブチリル）ペルオキシド０．８５
ｇ （２ｍｍｏＱ）を含む、１，１．２−トリクロロト
リフルオロエタン溶液２０ｇ中に。
ｇ （２ｍｍｏＱ）を含む、１，１．２−トリクロロト
リフルオロエタン溶液２０ｇ中に。
ジフェニルジクロロシランと、金属ナトリウムとの反応
により合成したポリジフェニルシラン（ＭＮ＝ １１０
０、Ｍｙ／ ＭＮ ＝ １ 、１８ ） ０．１８ ｇ
を加え、窒素気流下、４０℃、５時間の反応条件におい
て、攪拌上反応させた。反応後、得られた重合体をクロ
ロホルムに加え、水洗い、５％水酸化ナトリウム水溶液
洗浄をそれぞれ２回繰り返し、硫酸マグネシウムで乾燥
を行なった。乾燥後、クロロホルムを除去し、真空乾燥
により乾燥して白色重合体０．５０ｇを得た。得られた
重合体について、ＩＲスペクトル、１９Ｆ−ＮＭＲスペ
クトルを測定し、更に内部標準としてトリフルオロメチ
ルベンゼンを用い、ヘプタフルオロプロピル基がベンゼ
ン環に置換された割合（ヘプタフルオロプロピル化率）
を測定した。
により合成したポリジフェニルシラン（ＭＮ＝ １１０
０、Ｍｙ／ ＭＮ ＝ １ 、１８ ） ０．１８ ｇ
を加え、窒素気流下、４０℃、５時間の反応条件におい
て、攪拌上反応させた。反応後、得られた重合体をクロ
ロホルムに加え、水洗い、５％水酸化ナトリウム水溶液
洗浄をそれぞれ２回繰り返し、硫酸マグネシウムで乾燥
を行なった。乾燥後、クロロホルムを除去し、真空乾燥
により乾燥して白色重合体０．５０ｇを得た。得られた
重合体について、ＩＲスペクトル、１９Ｆ−ＮＭＲスペ
クトルを測定し、更に内部標準としてトリフルオロメチ
ルベンゼンを用い、ヘプタフルオロプロピル基がベンゼ
ン環に置換された割合（ヘプタフルオロプロピル化率）
を測定した。
その結果を以下に示す。
・ＩＲ（■−ａ： １３５０（ＣＦ、）、１２３０（Ｃ
Ｆ、） ・”Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣＱ３゜ 外部標１ｃＦ、ＣＯ，Ｈ）δ−５，０２（ＣＦ、）。
Ｆ、） ・”Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣＱ３゜ 外部標１ｃＦ、ＣＯ，Ｈ）δ−５，０２（ＣＦ、）。
−３７，１７（〜ＣＦ２）、−５１，０７（−ＣＦ、−
）・ヘプタフルオロプロピル化率ニア８％（尚フルオロ
アルキル化率は、ポリマー中の全てのベンゼン環に対し
てフルオロアルキル基が導入された割合を示す。） ヘプタフルオロプロピル化率の結果から、本発明のフル
オロアルキル基含有シリコン系重合体は、フルオロアル
キル基が効率良く置換されていることがわかった。
）・ヘプタフルオロプロピル化率ニア８％（尚フルオロ
アルキル化率は、ポリマー中の全てのベンゼン環に対し
てフルオロアルキル基が導入された割合を示す。） ヘプタフルオロプロピル化率の結果から、本発明のフル
オロアルキル基含有シリコン系重合体は、フルオロアル
キル基が効率良く置換されていることがわかった。
笑五何１
ビス（ヘプタフルオロブチリル）ペルオキシドをビス（
ペンタデカフルオロオクタノイル）ペルオキシドに代え
た以外は、実施例１と同様しこ反応を行ない、白色重合
体０．５９ｇを得た。得ら九た重合体を実施例１と同様
に測定したところ、ペンタデカフルオロヘプチル基がベ
ンゼン環に置換された割合（ペンタデカフルオロヘプチ
ル化率）は７２％であった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−
ＮＭＲスペクトルの測定結果を以下に示す。
ペンタデカフルオロオクタノイル）ペルオキシドに代え
た以外は、実施例１と同様しこ反応を行ない、白色重合
体０．５９ｇを得た。得ら九た重合体を実施例１と同様
に測定したところ、ペンタデカフルオロヘプチル基がベ
ンゼン環に置換された割合（ペンタデカフルオロヘプチ
ル化率）は７２％であった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−
ＮＭＲスペクトルの測定結果を以下に示す。
・ＩＲ（ロー１） ： １３２ ｏ（ｃＦａ）、１２４
０（ＣＦ、） ・′″’Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．。
０（ＣＦ、） ・′″’Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．。
外部標準ＣＦ、Ｃ０２Ｈ）δ−５，２（ＣＦ、）。
−３０，０（ＣＦ、）、−３７，２（ＣＦ、）。
＝３９．２（ＣＦ、ＣＦ、）、−４０，３（ＣＦ、）。
−５２，０（ＣＦ、）
去】１１１
ポリジフェニルシランをポリフェニルメチルシラン（Ｍ
（へ）＝ １５０００． Ｍｕ／Ｍｓ＝ １ 、２０）
に代えた以外は、実施例１と同様に反応を行ない、白色
重合体０．５１ｇを得た。得られた重合体を実施例１と
同様に測定したところ、ヘプタフルオロプロピル基がベ
ンゼン環に置換された割合（ヘプタフルオロプロピル化
率）は６９％であった。
（へ）＝ １５０００． Ｍｕ／Ｍｓ＝ １ 、２０）
に代えた以外は、実施例１と同様に反応を行ない、白色
重合体０．５１ｇを得た。得られた重合体を実施例１と
同様に測定したところ、ヘプタフルオロプロピル基がベ
ンゼン環に置換された割合（ヘプタフルオロプロピル化
率）は６９％であった。
ＩＲスペクトル及び１″Ｆ−ＮＭＲスペクトルの測定結
果を以下に示す。
果を以下に示す。
・Ｉ Ｒ（ａｎ−”） ： １３５０ （ＣＦ３）。
１２４０（ＣＦ、）
”Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣ盆、。
外部標準ＣＦ、Ｃ０２Ｈ）δ−４，４（ＣＦ３）。
−３６，３（〜ＣＦ、）、−５０，９（−ＣＦ２−）去
ｍ先 ビス（ヘプタフルオロブチリル）ペルオキシドをビス（
４−クロロへキサフルオロブチリル）ペルオキシドに代
えた以外は、実施例１と同様に反応を行ない、白色重合
体０．２４ｇを得た６得られた重合体を実施例１と同様
に測定したところ。
ｍ先 ビス（ヘプタフルオロブチリル）ペルオキシドをビス（
４−クロロへキサフルオロブチリル）ペルオキシドに代
えた以外は、実施例１と同様に反応を行ない、白色重合
体０．２４ｇを得た６得られた重合体を実施例１と同様
に測定したところ。
３−クロロへキサフルオロプロピル基がベンゼン環に置
換された割合（３−クロロへキサフルオロプロピル化率
）は５３％であった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−ＮＭＲ
スペクトルの測定結果を以下に示す。
換された割合（３−クロロへキサフルオロプロピル化率
）は５３％であった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−ＮＭＲ
スペクトルの測定結果を以下に示す。
・ＩＲ（ａｍ’″ｉ） ： １２３０（ＣＦ、）・”Ｆ
−ＮＭＲＣＣＤＣＱ３゜ 外部標準ＣＦ、ＧＯ，Ｈ）δ−３３，０（〜ＣＦ、）。
−ＮＭＲＣＣＤＣＱ３゜ 外部標準ＣＦ、ＧＯ，Ｈ）δ−３３，０（〜ＣＦ、）。
−４８，Ｏ（−ＣＦ、−）
失直旌旦
ポリジフェニルシランをポリフェニルシラン（ＭＮ＝１
６５０．Ｍ％＋／ＭＮ＝ １ 、３５）に代えた以外は
、実施例１と同様に反応を行ない、白色重合体０．２０
ｇを得た。得られた重合体を実施例１と同様に測定した
ところ、ヘプタフルオロプロピル基がベンゼン環に置換
された割合（ヘプタフルオロプロピル化率）は７９％で
あった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−ＮＭＲスペクトルの
測定結果を以下に示す。
６５０．Ｍ％＋／ＭＮ＝ １ 、３５）に代えた以外は
、実施例１と同様に反応を行ない、白色重合体０．２０
ｇを得た。得られた重合体を実施例１と同様に測定した
ところ、ヘプタフルオロプロピル基がベンゼン環に置換
された割合（ヘプタフルオロプロピル化率）は７９％で
あった。ＩＲスペクトル及び”Ｆ−ＮＭＲスペクトルの
測定結果を以下に示す。
・Ｉ Ｒ（ａｌ−１） ： １３３５ （ＣＦ ３）。
１２２５（ＣＦ、）
・１ｇＦ−ＮＭＲ（ＣＤＣＱ、。
外部標準ＣＦ、Ｃｏ２Ｈ）δ−４，９（ＣＦ３）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中Ｒ＿１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、
フェニル基又は下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す。）で表わされるフルオロア
ルキルフェニル基を示す。〕で表わされる重合度２〜１
０００のフルオロアルキル基含有シリコン系重合体。 ２）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中Ｒ＿１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、
フェニル基又は下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す。）で表わされるフルオロア
ルキルフェニル基を示す。〕で表わされる構成単位と、 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （式中Ｒ＿２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示す。）で表わされる構成単位とを含む
重合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコン
系重合体。 ３）一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） （式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す。）で表わされるジ（ハロア
シル）ペルオキシドと、 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （式中Ｒ＿２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示す。）で表わされる重合度２〜１００
０のシリコン系重合体とを反応させて、請求項１に記載
の重合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコ
ン系重合体を製造する方法。 ４）一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） （式中Ｘは水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示し、
ｎは１〜１０の整数を示す。）で表わされるジ（ハロア
シル）ペルオキシドと、 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （式中Ｒ＿２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示す。）で表わされる重合度２〜１００
０のシリコン系重合体とを反応させて、請求項２に記載
の重合度２〜１０００のフルオロアルキル基含有シリコ
ン系重合体を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987389A JPH02202524A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987389A JPH02202524A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202524A true JPH02202524A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12011332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987389A Pending JPH02202524A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | フロオロアルキル基含有シリコン系重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593072A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Hitachi Ltd | ポリシラン及びその合成方法 |
| WO1996034034A1 (en) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Hitachi, Ltd. | Fluorosilicon network polymer, insulating coating thereof, and electronic devices coated therewith |
| EP0680081A3 (en) * | 1994-04-25 | 1998-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method of forming thin film and electronic device using thin film |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1987389A patent/JPH02202524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593072A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Hitachi Ltd | ポリシラン及びその合成方法 |
| EP0680081A3 (en) * | 1994-04-25 | 1998-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method of forming thin film and electronic device using thin film |
| WO1996034034A1 (en) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Hitachi, Ltd. | Fluorosilicon network polymer, insulating coating thereof, and electronic devices coated therewith |
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