JPH04112882A - 含フッ素ブテノライド誘導体及びその製造方法 - Google Patents
含フッ素ブテノライド誘導体及びその製造方法Info
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- JPH04112882A JPH04112882A JP23246190A JP23246190A JPH04112882A JP H04112882 A JPH04112882 A JP H04112882A JP 23246190 A JP23246190 A JP 23246190A JP 23246190 A JP23246190 A JP 23246190A JP H04112882 A JPH04112882 A JP H04112882A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、含フツ素ブテノライド誘導体及びその製造方
法に関する。
法に関する。
〈従来の技術〉
有機化合物中に、フルオロアルキル基を含有する化合物
は、生理活性等の有用な性質を示すものとして近年注目
を集めている。特にブテノライド類中にフルオロアルキ
ル基が導入された含フツ素ブテノライド誘導体は、医薬
、農薬、更には界面活性剤等の合成中間体として有用で
あると考えられる。しかしながら、フルオロアルキル基
が導入されたブテノライド誘導体、即ち含フツ素ブテノ
ライド誘導体に関しては、殆ど知られていないのが実状
である。
は、生理活性等の有用な性質を示すものとして近年注目
を集めている。特にブテノライド類中にフルオロアルキ
ル基が導入された含フツ素ブテノライド誘導体は、医薬
、農薬、更には界面活性剤等の合成中間体として有用で
あると考えられる。しかしながら、フルオロアルキル基
が導入されたブテノライド誘導体、即ち含フツ素ブテノ
ライド誘導体に関しては、殆ど知られていないのが実状
である。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は、医薬、農薬、更には界面活性剤等の合
成中間体として利用可能なフルオロアルキル基を含有す
る含フツ素ブテノライド誘導体及びその製造方法を提供
することにある。
成中間体として利用可能なフルオロアルキル基を含有す
る含フツ素ブテノライド誘導体及びその製造方法を提供
することにある。
本発明の別の目的は、反応触媒及び特殊な装置を用いず
、高収率かつ容易に含フツ素ブテノライド誘導体を製造
する方法を提供することにある。
、高収率かつ容易に含フツ素ブテノライド誘導体を製造
する方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
本発明によれば、−数式(I)
(式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し
、nは1〜10の整数を示す)で表わされる含フツ素ブ
テノライド誘導体が提供される。
、nは1〜10の整数を示す)で表わされる含フツ素ブ
テノライド誘導体が提供される。
更に本発明によれば一般式(II)
(式中又は、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し
、nは1〜10の整数を示す)で表わされるジ(ハロア
シル)ペルオキシドと一般式(III)(式中R工、R
2及びR3は同−若しくは異なる基であって、炭素数1
〜4のアルキル基又はフェニル基を示す)で表わされる
フラン類とを反応させることを特徴とする前記−数式(
I)で表わされる含フツ素ブテノライド誘導体の製造方
法が提供される。
、nは1〜10の整数を示す)で表わされるジ(ハロア
シル)ペルオキシドと一般式(III)(式中R工、R
2及びR3は同−若しくは異なる基であって、炭素数1
〜4のアルキル基又はフェニル基を示す)で表わされる
フラン類とを反応させることを特徴とする前記−数式(
I)で表わされる含フツ素ブテノライド誘導体の製造方
法が提供される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明の含フツ素ブテノライド誘導体は、下記−数式(
I)で表わすことができ、 式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し、
nは1〜1oの整数を示す。前記−数式(I)で示され
る含フツ素ブテノライド誘導体において、適用可能な含
フツ素脂肪族基、すなわち−数式X (CF)n−は、
CF3 F (CF2) 2−、 F (CF2) 3F (C
F2) 4−、 F (CF、) 。
I)で表わすことができ、 式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し、
nは1〜1oの整数を示す。前記−数式(I)で示され
る含フツ素ブテノライド誘導体において、適用可能な含
フツ素脂肪族基、すなわち−数式X (CF)n−は、
CF3 F (CF2) 2−、 F (CF2) 3F (C
F2) 4−、 F (CF、) 。
F (CF、) 、−、F (CF2) 。
F (CF2) s−F (CF2) 。
F (CF2) 1o−、C1CF2
Cl (CF2) 2−、C1(CF2) 3C1(C
F2) 4−、 CI (CF2) 5C1(CF2)
、−、C1(CF2) ?C1(CF2)、−、C1
(CF、)。
F2) 4−、 CI (CF2) 5C1(CF2)
、−、C1(CF2) ?C1(CF2)、−、C1
(CF、)。
C1(CF2)□。−、HCF2−、H(CF2) 2
H(CF2) 3−、 H(CF2) 。
H(CF2) 3−、 H(CF2) 。
H(CF、) S−、H(CF2) 。
H(CF2) 7−、H(CF、)。
H(CF2) g−、H(CF2)□。−である。この
際、含フツ素脂肪族基の炭素数すなわちnが10を超え
る場合には、溶媒に対する溶解性が低下するので好まし
くない。前記−数式(I)で表わされる含フツ素ブテノ
ライド誘導体の具体例としては、例えば5−トリフルオ
ロメチルブテノライド、5−クロロジフルオロメチルブ
テノライド、5−ジフルオロメチルブテノライド、5−
ペルフルオロエチルブテノライド、5− (2’ −ク
ロロテトラフルオロエチル)ブテノライド、5− (2
’ヒドロテトラフルオロエチル)ブテノライド、5−(
ペルフルオロプロピル)ブテノライド、5−(3′−ク
ロロへキサフルオロプロピル)ブテノライド、5−(ペ
ルフルオロブチル)ブテノライド、5−(ペルフルオロ
ヘキシル)ブテノライド等を好ましく挙げることができ
る。
際、含フツ素脂肪族基の炭素数すなわちnが10を超え
る場合には、溶媒に対する溶解性が低下するので好まし
くない。前記−数式(I)で表わされる含フツ素ブテノ
ライド誘導体の具体例としては、例えば5−トリフルオ
ロメチルブテノライド、5−クロロジフルオロメチルブ
テノライド、5−ジフルオロメチルブテノライド、5−
ペルフルオロエチルブテノライド、5− (2’ −ク
ロロテトラフルオロエチル)ブテノライド、5− (2
’ヒドロテトラフルオロエチル)ブテノライド、5−(
ペルフルオロプロピル)ブテノライド、5−(3′−ク
ロロへキサフルオロプロピル)ブテノライド、5−(ペ
ルフルオロブチル)ブテノライド、5−(ペルフルオロ
ヘキシル)ブテノライド等を好ましく挙げることができ
る。
本発明の製造方法では、特定のジ(ハロアシル)ペルオ
キシドと特定のトリアルキルシロキシ基又はアルキルジ
アリールシロキシ基を有するフラン類とを直接反応させ
ることを特徴とする。即ち、ブテノライド骨格を有する
2 (5H)−フラノンを直接ジ(ハロアシル)ペルオ
キシドと反応させても、目的とする含フツ素ブテノライ
ド誘導体は全く生成せず、トリアルキルシロキシ基又は
アルキルジアリールシロキシ基を有するフラン類と特定
のジ(ハロアシル)ペルオキシドとを反応させることが
必要である。
キシドと特定のトリアルキルシロキシ基又はアルキルジ
アリールシロキシ基を有するフラン類とを直接反応させ
ることを特徴とする。即ち、ブテノライド骨格を有する
2 (5H)−フラノンを直接ジ(ハロアシル)ペルオ
キシドと反応させても、目的とする含フツ素ブテノライ
ド誘導体は全く生成せず、トリアルキルシロキシ基又は
アルキルジアリールシロキシ基を有するフラン類と特定
のジ(ハロアシル)ペルオキシドとを反応させることが
必要である。
本発明の製造方法に用いるジ(ハロアシル)ペルオキシ
ドは、下記一般式(II)で表わすことができ。
ドは、下記一般式(II)で表わすことができ。
式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し、
nは1〜10の整数を示す。nが11以上の場合は、溶
媒の存在下において反応させる際に前記一般式(II)
にて示されるジ(ハロアシル)ペルオキシドの溶解性が
不足する。前記一般式(II)で示されるジ(ハロアシ
ル)ペルオキシドのX (CF2) n−は、前記一般
式(I)中の含フツ素脂肪族基として列挙した基から適
宜選択して用いることができる。
nは1〜10の整数を示す。nが11以上の場合は、溶
媒の存在下において反応させる際に前記一般式(II)
にて示されるジ(ハロアシル)ペルオキシドの溶解性が
不足する。前記一般式(II)で示されるジ(ハロアシ
ル)ペルオキシドのX (CF2) n−は、前記一般
式(I)中の含フツ素脂肪族基として列挙した基から適
宜選択して用いることができる。
本発明の製造方法に用いる前記特定のフラン類は、下記
一般式([1)で表わすことができ、式中R1,R2及
びR3は同−若しくは異なる基であって、炭素数1〜4
のアルキル基又はフェニル基を示す。この際R1,R2
,R3の少なくとも1つが炭素数5以上のアルキルであ
る場合には製造が困難である。前記一般式(m)で表わ
されるフラン類としては、例えば2−トリメチルシロキ
シフラン、2−トリエチルシロキシフラン、2−ジフェ
ニル−t−ブチルシロキシフラン等を好ましく挙げるこ
とができる。
一般式([1)で表わすことができ、式中R1,R2及
びR3は同−若しくは異なる基であって、炭素数1〜4
のアルキル基又はフェニル基を示す。この際R1,R2
,R3の少なくとも1つが炭素数5以上のアルキルであ
る場合には製造が困難である。前記一般式(m)で表わ
されるフラン類としては、例えば2−トリメチルシロキ
シフラン、2−トリエチルシロキシフラン、2−ジフェ
ニル−t−ブチルシロキシフラン等を好ましく挙げるこ
とができる。
本発明において、前記一般式(I)で表わされるジ(ハ
ロアシル)ペルオキシドと前記一般式(nl)で表わさ
れるフラン類とを反応させるにあたり、前記ジ(ハロア
シル)ペルオキシドと前記フラン類との仕込みモル比は
、1:0.2〜10が好ましく、特に1:0.5〜5で
あることが望ましい。前記モル比が0.2未満では生成
する含フツ素ブテノライド誘導体の収率が低下する傾向
にあり、また10を超えると反応終了後の未反応芳香族
化合物が残存し、目的とする生成物の単離が困難となる
ので好ましくない。また、反応は常圧で行なうことが可
能であり、かつ反応温度は通常0〜150℃、好ましく
は0〜100℃、特に好ましくは3o〜70℃、更に好
ましくは40〜60℃の範囲であることが望ましい。前
記反応温度が0℃未満では反応時間が長くなる傾向にあ
り、また150℃を超えると反応時の圧力が高くなり、
反応操作が困難であるので好ましくない。更に反応時間
は通常30分〜20時間の範囲で行なうことができるが
、実用的には3〜10時間になるように条件を設定する
ことが望ましい。
ロアシル)ペルオキシドと前記一般式(nl)で表わさ
れるフラン類とを反応させるにあたり、前記ジ(ハロア
シル)ペルオキシドと前記フラン類との仕込みモル比は
、1:0.2〜10が好ましく、特に1:0.5〜5で
あることが望ましい。前記モル比が0.2未満では生成
する含フツ素ブテノライド誘導体の収率が低下する傾向
にあり、また10を超えると反応終了後の未反応芳香族
化合物が残存し、目的とする生成物の単離が困難となる
ので好ましくない。また、反応は常圧で行なうことが可
能であり、かつ反応温度は通常0〜150℃、好ましく
は0〜100℃、特に好ましくは3o〜70℃、更に好
ましくは40〜60℃の範囲であることが望ましい。前
記反応温度が0℃未満では反応時間が長くなる傾向にあ
り、また150℃を超えると反応時の圧力が高くなり、
反応操作が困難であるので好ましくない。更に反応時間
は通常30分〜20時間の範囲で行なうことができるが
、実用的には3〜10時間になるように条件を設定する
ことが望ましい。
本発明の製造方法では前記種々の反応条件下において、
前記ジ(ハロアシル)ペルオキシドと前記フラン類とを
反応させることにより、目的の含フツ素ブテノライト誘
導体を得ることができるが、前記ジ(ハロアシル)ペル
オキシドの取扱い及び反応を、より円滑に行なうために
溶媒を用いることが好ましい。前記溶媒としてはハロゲ
ン化脂肪族溶媒が特に好ましく、具体的には例えば2−
クロロ−1,2−ジブロモ−1,1,2−トリフルオロ
エタン、1,2−ジブロモへキサフルオロプロパン、1
,2−ジブロモテトラフルオロエタン、1.1−ジフル
オロテトラクロロエタン、1,2−ジフルオロテトラク
ロロエタン、フルオロトリクロロメタン、ヘプタフルオ
ロ−2,3,3−トリクロロブタン、1,1,1.3−
テトラクロロテトラフルオロプロパン、1,1.1−ト
リクロロペンタフルオロプロパン、1,1.2−)−リ
クロロトリフルオロエタン等を用いることができ、特に
工業的には、1,1.2−トリクロロトリフルオロエタ
ンを好ましく挙げることができる。前記溶媒を使用する
場合、通常溶媒中の前記ジ(ハロアシル)ペルオキシド
の濃度は、1〜30重量%程度であることが望ましい。
前記ジ(ハロアシル)ペルオキシドと前記フラン類とを
反応させることにより、目的の含フツ素ブテノライト誘
導体を得ることができるが、前記ジ(ハロアシル)ペル
オキシドの取扱い及び反応を、より円滑に行なうために
溶媒を用いることが好ましい。前記溶媒としてはハロゲ
ン化脂肪族溶媒が特に好ましく、具体的には例えば2−
クロロ−1,2−ジブロモ−1,1,2−トリフルオロ
エタン、1,2−ジブロモへキサフルオロプロパン、1
,2−ジブロモテトラフルオロエタン、1.1−ジフル
オロテトラクロロエタン、1,2−ジフルオロテトラク
ロロエタン、フルオロトリクロロメタン、ヘプタフルオ
ロ−2,3,3−トリクロロブタン、1,1,1.3−
テトラクロロテトラフルオロプロパン、1,1.1−ト
リクロロペンタフルオロプロパン、1,1.2−)−リ
クロロトリフルオロエタン等を用いることができ、特に
工業的には、1,1.2−トリクロロトリフルオロエタ
ンを好ましく挙げることができる。前記溶媒を使用する
場合、通常溶媒中の前記ジ(ハロアシル)ペルオキシド
の濃度は、1〜30重量%程度であることが望ましい。
本発明の製造方法により得られる反応生成物は、例えば
蒸留、ゲルパーミェーションクロマトグラフィー等の公
知の方法で単離、精製することが可能である。
蒸留、ゲルパーミェーションクロマトグラフィー等の公
知の方法で単離、精製することが可能である。
〈発明の効果〉
本発明の含フツ素ブテノライド誘導体は、医薬、農薬、
更には界面活性剤等の合成中間体として利用することが
できる。また本発明の製造方法により含フツ素ブテノラ
イド誘導体を、短時間で高収率かつ容易に、しかも反応
触媒及び特殊な装置を使用せずに製造することができる
。
更には界面活性剤等の合成中間体として利用することが
できる。また本発明の製造方法により含フツ素ブテノラ
イド誘導体を、短時間で高収率かつ容易に、しかも反応
触媒及び特殊な装置を使用せずに製造することができる
。
〈実施例〉
以下本発明を実施例にもとづいて具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
ス1目11
ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドQ、43
g (I(nmoQ)を含む1,1.2−)−リクロロ
トリフルオロエタン溶液8.5g中に、2−トリメチル
シロキシフラン0.31g (2,0mmo Q )を
添加し、窒素気流下、40℃において4時間反応させた
。反応終了後反応物を30mQの水で洗浄を行ない、3
0−の飽和重曹水、30mQの水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、ゲルパーミェーションクロマトグラフ
ィーにて単離精製を行なった。反応生成物をガスクロマ
トグラフィー、MS、IR,NMRにより分析した。そ
の結果、下記構造式で示す5−ペルフルオロプロピルブ
テノライドが78%の収率で得られたことがわかった。
g (I(nmoQ)を含む1,1.2−)−リクロロ
トリフルオロエタン溶液8.5g中に、2−トリメチル
シロキシフラン0.31g (2,0mmo Q )を
添加し、窒素気流下、40℃において4時間反応させた
。反応終了後反応物を30mQの水で洗浄を行ない、3
0−の飽和重曹水、30mQの水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、ゲルパーミェーションクロマトグラフ
ィーにて単離精製を行なった。反応生成物をガスクロマ
トグラフィー、MS、IR,NMRにより分析した。そ
の結果、下記構造式で示す5−ペルフルオロプロピルブ
テノライドが78%の収率で得られたことがわかった。
各分析結果を以下に示す。
MS 252(M+)
Exact MS 252.0021(計算値
;C,H,02F7;252.0021)rR(an−
’)1800 (vc=o)。
;C,H,02F7;252.0021)rR(an−
’)1800 (vc=o)。
1340 (vCF3)、l−220(vcF2)1
H−NMR(CDCI、) δ 5.48 (m、J Hp =14.2,6.6
Hz、IH)、6.47,7.56 (ABq。
H−NMR(CDCI、) δ 5.48 (m、J Hp =14.2,6.6
Hz、IH)、6.47,7.56 (ABq。
J =5.7 Hz−J HF =2.2,1.
1Hz、28) 13C−NMR(CDC1,) δ 77.79゜
125.85. 146.89. 170. 1119
F−NMR(CDCLee x t、cF3co2H)
δ −5,21(3F)。
1Hz、28) 13C−NMR(CDC1,) δ 77.79゜
125.85. 146.89. 170. 1119
F−NMR(CDCLee x t、cF3co2H)
δ −5,21(3F)。
−46,26(IF)、−48,12(IF)。
−50,97(2F)
実施例2
ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドの代わり
にビス(クロロジフルオロアセチル)ペルオキシドを用
いた以外は実施例1と同様に反応及び分析を行なったと
ころ、下記構造式で示す5−クロロジフルオロメチルブ
テノライドが43%の収率で得られたことがわかった。
にビス(クロロジフルオロアセチル)ペルオキシドを用
いた以外は実施例1と同様に反応及び分析を行なったと
ころ、下記構造式で示す5−クロロジフルオロメチルブ
テノライドが43%の収率で得られたことがわかった。
各分析結果を以下に示す。
MS 168(M”)
Exact MS 133.0102(計算値;C
,H,02F2−C1:133.0743)I R(a
m−1) 1800 (v C=O) 。
,H,02F2−C1:133.0743)I R(a
m−1) 1800 (v C=O) 。
1220 (νCF2)
”H−NMR(CDCI3) δ
5.32 (m、LH)、6.43.7.46(AB
q、J=6.0Hz 2H) ”C−NMR(CDCI、) δ 82.72゜1
25.90. 147.63. 170. 05去m亀 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドの代わり
にビス(トリフルオロアセチル)ベルオキシドを用い1
反応部度を60℃に代えた以外は実施例1と同様に反応
及び分析を行なったところ、下記構造式で示す5−クロ
ロトリフルオロメチルブテノライドが63%の収率で得
られたことがわかった。各分析結果を以下に示す。
q、J=6.0Hz 2H) ”C−NMR(CDCI、) δ 82.72゜1
25.90. 147.63. 170. 05去m亀 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドの代わり
にビス(トリフルオロアセチル)ベルオキシドを用い1
反応部度を60℃に代えた以外は実施例1と同様に反応
及び分析を行なったところ、下記構造式で示す5−クロ
ロトリフルオロメチルブテノライドが63%の収率で得
られたことがわかった。各分析結果を以下に示す。
MS 152(M”)
Exact MS 152.0085(計算値;C
5H,02F3; 152.OO85)I R(am
−1) 1800 (v C=O) 。
5H,02F3; 152.OO85)I R(am
−1) 1800 (v C=O) 。
1360 (すCF、)
1H−NMR(CDCI□)δ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し
、nは1〜10の整数を示す)で表わされる含フッ素ブ
テノライド誘導体。 2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) (式中Xは、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し
、nは1〜10の整数を示す)で表わされるジ(ハロア
シル)ペルオキシドと一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) (式中R_1,R_2及びR_3は同一若しくは異なる
基であって、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基
を示す)で表わされるフラン類とを反応させることを特
徴とする請求項1記載の含フッ素ブテノライド誘導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23246190A JPH04112882A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 含フッ素ブテノライド誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23246190A JPH04112882A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 含フッ素ブテノライド誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112882A true JPH04112882A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16939652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23246190A Pending JPH04112882A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 含フッ素ブテノライド誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04112882A (ja) |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23246190A patent/JPH04112882A/ja active Pending
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