JPH02205334A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02205334A JPH02205334A JP1025241A JP2524189A JPH02205334A JP H02205334 A JPH02205334 A JP H02205334A JP 1025241 A JP1025241 A JP 1025241A JP 2524189 A JP2524189 A JP 2524189A JP H02205334 A JPH02205334 A JP H02205334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- semiconductor element
- bump
- finger
- film carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フィルムキャリアを用いた半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、フィルムキャリアを用いた半導体装置の製造方法
には、第２図に示すように、ボンディングステージ１６
の上に半導体素子１５を搭載した後、ボンディングステ
ージ１６により半導体素子を予備加熱し、その後相対す
る半導体素子１５のバンプ１４とフィルムキャリア１３
のフィンガー１２とを位置合わせして、ボンディングツ
ール１１を押し下げて加圧加熱して、大気中で接合する
方法が知られていた。
には、第２図に示すように、ボンディングステージ１６
の上に半導体素子１５を搭載した後、ボンディングステ
ージ１６により半導体素子を予備加熱し、その後相対す
る半導体素子１５のバンプ１４とフィルムキャリア１３
のフィンガー１２とを位置合わせして、ボンディングツ
ール１１を押し下げて加圧加熱して、大気中で接合する
方法が知られていた。
（発明が解決しようとする課Ｈ）
しかし、このような半導体装置の製造方法において、予
備加熱をする場合、ボンディングステージ内のヒーター
による半導体素子の加熱なので。
備加熱をする場合、ボンディングステージ内のヒーター
による半導体素子の加熱なので。
半導体素子から外気へ逃げる熱量が場所によって違う為
に、半導体素子の熱分布が不均一となり。
に、半導体素子の熱分布が不均一となり。
またフィルムキャリアには予備加熱されないので安定し
た接合部が得られない欠点があった。
た接合部が得られない欠点があった。
さらに、予備加熱を大気中で行う為に、接合部が酸化し
、安定した接合部が得られず１歩留りの低下を招くとい
う欠点があった。
、安定した接合部が得られず１歩留りの低下を招くとい
う欠点があった。
そこで１本発明は、従来のこのような欠点を解決する為
、半導体素子とフィルムキャリアを共に均一な温度に予
備加熱し、かつ接合部の酸化のない安定した接合部を得
ることを目的としている。
、半導体素子とフィルムキャリアを共に均一な温度に予
備加熱し、かつ接合部の酸化のない安定した接合部を得
ることを目的としている。
（課題を解決するための手段）
前記課題を解決する為にこの発明は、半導体素子とフィ
ルムキャリアを溶剤の飽和蒸気内に保持することにより
、溶剤の気化潜熱にて予備加熱した後に、ボンディング
ツールにより加圧加熱して接合するようにした。
ルムキャリアを溶剤の飽和蒸気内に保持することにより
、溶剤の気化潜熱にて予備加熱した後に、ボンディング
ツールにより加圧加熱して接合するようにした。
（作用）
このような方法により、半導体素子とフィルムキャリア
を温度が均一な溶剤の飽和蒸気内に保持すると、溶剤の
気化潜熱が半導体素子とフィルムキャリアに伝わり、そ
の結果均一な予備加熱が得られ、その後にボンディング
ツールによる加圧加熱で安定した接合が１４られる。そ
れに、飽和蒸気内の接合は、酸素が希薄である為、フラ
フクスなしでも酸化が防げる。
を温度が均一な溶剤の飽和蒸気内に保持すると、溶剤の
気化潜熱が半導体素子とフィルムキャリアに伝わり、そ
の結果均一な予備加熱が得られ、その後にボンディング
ツールによる加圧加熱で安定した接合が１４られる。そ
れに、飽和蒸気内の接合は、酸素が希薄である為、フラ
フクスなしでも酸化が防げる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は２本発明の一実施例を示す断面図である。ボン
ディングステージ６は、ステンレス槽７の中に設けられ
る。半導体素子５をボンディングステージ６に配置する
。ステンレス槽７の下部には、ヒーター９を設けてあり
、溶剤８を入れである。溶剤８は、ヒーター９により５
０〜１５０“Ｃに加熱され、気化する。溶剤８の蒸気は
、ボンディングステージ６上に配置されたバンプ４を有
する半導体素子５と、そのバンプ４に相対する如く配置
されたフィンガー２を有するフィルムキャリア３まで充
満する。予備加熱は、半導体素子５と予め５はんだ、ス
ズ等の溶融金属のめっきが施しであるフィルムキャリア
３を、溶剤の気化潜熱により、溶融金属が熔融しない温
度で、１秒間保持する。その後１位置合わせしたバンプ
４とフィンガー２に３００〜５００℃に加熱したボンデ
ィングツールｌを押し下げて、加圧しながら０．５秒間
保持することにより、フィンガー４とバンプ６を接合す
る。ステンレス槽７の上部には、溶剤８の蒸気を外気に
逃さない為に、冷却管１０が付設しである。
ディングステージ６は、ステンレス槽７の中に設けられ
る。半導体素子５をボンディングステージ６に配置する
。ステンレス槽７の下部には、ヒーター９を設けてあり
、溶剤８を入れである。溶剤８は、ヒーター９により５
０〜１５０“Ｃに加熱され、気化する。溶剤８の蒸気は
、ボンディングステージ６上に配置されたバンプ４を有
する半導体素子５と、そのバンプ４に相対する如く配置
されたフィンガー２を有するフィルムキャリア３まで充
満する。予備加熱は、半導体素子５と予め５はんだ、ス
ズ等の溶融金属のめっきが施しであるフィルムキャリア
３を、溶剤の気化潜熱により、溶融金属が熔融しない温
度で、１秒間保持する。その後１位置合わせしたバンプ
４とフィンガー２に３００〜５００℃に加熱したボンデ
ィングツールｌを押し下げて、加圧しながら０．５秒間
保持することにより、フィンガー４とバンプ６を接合す
る。ステンレス槽７の上部には、溶剤８の蒸気を外気に
逃さない為に、冷却管１０が付設しである。
尚１本発明における推奨溶剤としてベルフルオリ酸塩ア
ミンをあげる。以下推奨溶剤の住友３Ｍ社商品名を記す
。
ミンをあげる。以下推奨溶剤の住友３Ｍ社商品名を記す
。
商品名 沸点
フロリナート ＦＣ−７２５６℃
〃 ＦＣ−８４８０℃
ＦＣ−７７９７℃
ＦＣ−７５１０２℃
Ｆ（、−４０１５５°Ｃ
（発明の効果）
本発明は以上説明したように。
溶剤の気化潜熱
で半導体素子とフィルムキャリアを予備加熱する方法に
することにより、半導体素子とフィルムキャリアの予備
加熱を均一に行うことができ、７ｇ剤の飽和蒸気内の接
合なので、酸素が希薄な為、接合部を酸化することなく
良好な接続ができるという効果がある。
することにより、半導体素子とフィルムキャリアの予備
加熱を均一に行うことができ、７ｇ剤の飽和蒸気内の接
合なので、酸素が希薄な為、接合部を酸化することなく
良好な接続ができるという効果がある。
第１図は１本発明の一実施例を示す断面図である。第２
図は、従来の方法を示す断面図である。 ボンディングツール フィンガー フィルムキャリア バンプ 半導体素子 溶剤
図は、従来の方法を示す断面図である。 ボンディングツール フィンガー フィルムキャリア バンプ 半導体素子 溶剤
Claims (2)
- （１）半導体素子のバンプとフィルムキャリアに形成さ
れたフィンガーを予備加熱した後、ボンディングツール
による加圧および加熱により前記バンプと前記フィンガ
ーを接合するフィルムキャリアの製造方法において、前
記予備加熱を溶剤の気化潜熱により行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）溶剤がベルフリオル酸塩アミンである請求項１記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025241A JPH02205334A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025241A JPH02205334A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205334A true JPH02205334A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12160488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025241A Pending JPH02205334A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205334A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850743A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | ボンデイング治具 |
| JPS6192780A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-10 | Canon Inc | 蒸気相はんだ付け装置 |
| JPS61255031A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Seiko Epson Corp | 半導体ボンデイング装置 |
| JPS62151266A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 気相式はんだ付け装置 |
| JPS63100834U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | ||
| JPS63184393A (ja) * | 1986-06-10 | 1988-07-29 | 関西日本電気株式会社 | 電子回路装置の製造方法 |
| JPS63170077U (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025241A patent/JPH02205334A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850743A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | ボンデイング治具 |
| JPS6192780A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-10 | Canon Inc | 蒸気相はんだ付け装置 |
| JPS61255031A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Seiko Epson Corp | 半導体ボンデイング装置 |
| JPS62151266A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 気相式はんだ付け装置 |
| JPS63184393A (ja) * | 1986-06-10 | 1988-07-29 | 関西日本電気株式会社 | 電子回路装置の製造方法 |
| JPS63100834U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | ||
| JPS63170077U (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 |
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