JPH02205643A - リードフレーム用高強度銅合金 - Google Patents
リードフレーム用高強度銅合金Info
- Publication number
- JPH02205643A JPH02205643A JP2284489A JP2284489A JPH02205643A JP H02205643 A JPH02205643 A JP H02205643A JP 2284489 A JP2284489 A JP 2284489A JP 2284489 A JP2284489 A JP 2284489A JP H02205643 A JPH02205643 A JP H02205643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- copper alloy
- alloy
- strength
- high strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、リードフレーム用として有用な高強度銅合金
に関し、とくに優れた耐半田付界面剥離性を有すると共
に高い導電性を保持し得る高強度鋼合金に関するもので
ある。
に関し、とくに優れた耐半田付界面剥離性を有すると共
に高い導電性を保持し得る高強度鋼合金に関するもので
ある。
[従来の技術l
従来、半導体機器用リードフレーム材としては、熱膨張
係数が低く、半導体素子や封止材との接着性や封着性の
良好な42合金(Fe −42%Ni )やコバール(
Fe −29%Ni −17%CO)などの高ニッケル
合金が主に用いられてきた。
係数が低く、半導体素子や封止材との接着性や封着性の
良好な42合金(Fe −42%Ni )やコバール(
Fe −29%Ni −17%CO)などの高ニッケル
合金が主に用いられてきた。
しかし、最近半導体素子の集積度が益々増大し、電力消
費の高い素子が多くなり、導電性および熱伝導性の良好
なリードフレーム材への要求が一層高まってきている。
費の高い素子が多くなり、導電性および熱伝導性の良好
なリードフレーム材への要求が一層高まってきている。
上記高ニッケル合金は、引張強さにおいては、65 h
gf / cur2と良好であるが、導電率は3%rA
cs程度と極めて低く、道常導電率とほぼ並行した性質
を示す熱伝導性においても十分なものとはいえない。
gf / cur2と良好であるが、導電率は3%rA
cs程度と極めて低く、道常導電率とほぼ並行した性質
を示す熱伝導性においても十分なものとはいえない。
そこで、上記高ニッケル合金に代えて、導電率および熱
伝導性共に優れている銅合金をリードフレーム材として
使用しようという傾向が顕著になってきた。
伝導性共に優れている銅合金をリードフレーム材として
使用しようという傾向が顕著になってきた。
上述した半導体機器のリードフレーム材として一般に要
求される特性には、上記導電性や熱伝導性に優れている
ことのほかに、信頼性の上から実装時や機器への組込み
等に付加される外力に十分側え得る強度を有することお
よび半田付は工程を有するなめに半田付は特性に優れて
いることが、不可欠な条件とされる。
求される特性には、上記導電性や熱伝導性に優れている
ことのほかに、信頼性の上から実装時や機器への組込み
等に付加される外力に十分側え得る強度を有することお
よび半田付は工程を有するなめに半田付は特性に優れて
いることが、不可欠な条件とされる。
通常の銅系材料をリードフレーム材に適用しようとして
も、強度の上で不十分であり、なんらかの強度向上策が
必要である。金属材料の強度を上げる一般的方法として
は、合金元素を添加する方法および冷間加工度を大きく
する方法の二つがあり、リードフレーム材においてもそ
のような施策がとられてきた。
も、強度の上で不十分であり、なんらかの強度向上策が
必要である。金属材料の強度を上げる一般的方法として
は、合金元素を添加する方法および冷間加工度を大きく
する方法の二つがあり、リードフレーム材においてもそ
のような施策がとられてきた。
[発明が解決しようとする課題]
リードフレームにおいてはアウターリードを基板に取付
けるために半田付けして使用することが多い。
けるために半田付けして使用することが多い。
’Wtrfを向上させるために上記のように合金元素を
添加した銅合金を用いたリードフレーム材においては、
半田付けを行なった後に、半田付けの界面において経時
的に脆性剥離が発生する現象がみられることがあり、信
頼性の上から大きな問題となっている。このような脆性
層の形成は、素材としてのCuと半田の中のSn成分お
よび添加元素が拡散することによって生ずるものと考え
られており、X線マイクロアナライザによる所見によっ
ても、銅合金と半田との界面にCu−3n系におけるε
相あるいはη相といった脆性の大きい金属間化合物が拡
散形成されることが確認されている。
添加した銅合金を用いたリードフレーム材においては、
半田付けを行なった後に、半田付けの界面において経時
的に脆性剥離が発生する現象がみられることがあり、信
頼性の上から大きな問題となっている。このような脆性
層の形成は、素材としてのCuと半田の中のSn成分お
よび添加元素が拡散することによって生ずるものと考え
られており、X線マイクロアナライザによる所見によっ
ても、銅合金と半田との界面にCu−3n系におけるε
相あるいはη相といった脆性の大きい金属間化合物が拡
散形成されることが確認されている。
さらに、添加元素のマイグレーション層が界面に拡散形
成され(Fe 、P、Siにおいてとくに顕著である)
、これらが前記脆性剥離の原因となることも明らかにな
っている。
成され(Fe 、P、Siにおいてとくに顕著である)
、これらが前記脆性剥離の原因となることも明らかにな
っている。
このような半田付界面剥離の発生を防止するには、その
理由は不明乍らZnの添加が非常に有効であることがわ
かっている。
理由は不明乍らZnの添加が非常に有効であることがわ
かっている。
第1表は、各種元素を表示した量だけ添加した銅合金に
20を表中に示した種々な量をもって添加し、5n−4
0%pb半田にドブ付はメツキしな後、150℃で表に
それぞれ示した時間だけ加熱し、これを0.25Rで9
0°曲げ゛しその後曲げ戻した場合の界面の剥離の有無
を顕微鏡で観察した結果を示すものである。
20を表中に示した種々な量をもって添加し、5n−4
0%pb半田にドブ付はメツキしな後、150℃で表に
それぞれ示した時間だけ加熱し、これを0.25Rで9
0°曲げ゛しその後曲げ戻した場合の界面の剥離の有無
を顕微鏡で観察した結果を示すものである。
第
■
表
表において、○は界面剥離の生じないもの、Xは界面1
11AIを生じた場合をそれぞれ示す。
11AIを生じた場合をそれぞれ示す。
第1表よりわかるように、添加元素の違いによってその
効果に差異があるものの、Znを添加することにより半
田付界面剥離を適確に防止することが可能となる。
効果に差異があるものの、Znを添加することにより半
田付界面剥離を適確に防止することが可能となる。
一方、合金元素を添加して銅系合金の強度を上げるには
、導電率に比較的影響を及ぼすことの少い析出硬化型の
元素を添加することが好ましく、かかる析出硬化型のリ
ードフレーム用銅合金としてcu −Nr−sr系合金
がすでに提案されている。
、導電率に比較的影響を及ぼすことの少い析出硬化型の
元素を添加することが好ましく、かかる析出硬化型のリ
ードフレーム用銅合金としてcu −Nr−sr系合金
がすでに提案されている。
しかし、前記した高ニッケル合金に匹敵する強度を得る
には、Ni 、Siともにかなり高濃度に添加をする必
要がある。この場合、上記第1表からもわかるように8
1の濃度が高くなると、界面剥離を防止するためのzn
の添加量を大巾に増大せねばならず、導電率の低下に及
ぼす影響が大きくなり、電力消費量の大きな半導体素子
用のリードフレーム材としては、好ましくないことにな
る。
には、Ni 、Siともにかなり高濃度に添加をする必
要がある。この場合、上記第1表からもわかるように8
1の濃度が高くなると、界面剥離を防止するためのzn
の添加量を大巾に増大せねばならず、導電率の低下に及
ぼす影響が大きくなり、電力消費量の大きな半導体素子
用のリードフレーム材としては、好ましくないことにな
る。
従って、そのように導電率保持への要求の強いリードフ
レーム材用としてはSlの添加を行なわず、銅合金の強
度を析出硬化に依存する代りに主として固溶硬化に依存
し、必要なZnの添加量を低減可能とすることが望まれ
る。
レーム材用としてはSlの添加を行なわず、銅合金の強
度を析出硬化に依存する代りに主として固溶硬化に依存
し、必要なZnの添加量を低減可能とすることが望まれ
る。
本発明の目的は、上記したような従来技術の問題点を解
消し、銅系合金の強度を主として冷間加工により向上さ
せ得ると共に半田付界面剥離性についても大rjJに改
善し、併せて導電率についても相応に保持し得る新規な
リードフレーム用高強度銅合金を提供しようとするもの
である。
消し、銅系合金の強度を主として冷間加工により向上さ
せ得ると共に半田付界面剥離性についても大rjJに改
善し、併せて導電率についても相応に保持し得る新規な
リードフレーム用高強度銅合金を提供しようとするもの
である。
[課題を解決するための手段]
本発明は、Ni1.2〜2.8%、Sn 1.0〜5.
0%、Zn0.3〜1.3%、Po、003〜0.3%
、を含み、残部Cuおよび不可避なる不純物よりなるも
のである。
0%、Zn0.3〜1.3%、Po、003〜0.3%
、を含み、残部Cuおよび不可避なる不純物よりなるも
のである。
[作用]
上記範囲において、snを添加した場合には、加熱急冷
することにより固溶体を形成し、加工硬化による強度向
上効果が大きい、それによって、Siを添加し析出硬化
させた場合と余り差のない強度が得られるばかりでなく
、Slの添加がない分Znの添加量を低減することがで
き、導電率を大巾に低下させるおそれも回避される。
することにより固溶体を形成し、加工硬化による強度向
上効果が大きい、それによって、Siを添加し析出硬化
させた場合と余り差のない強度が得られるばかりでなく
、Slの添加がない分Znの添加量を低減することがで
き、導電率を大巾に低下させるおそれも回避される。
しかして、Ni含有凰が1.2%以下では高強度効果が
低く、2.8%以上になると導電率を低下させるため好
ましくない。
低く、2.8%以上になると導電率を低下させるため好
ましくない。
sn含有量については、1.0%以下では同じく強度の
向上効果が小さく、5.0%以上になると導電率の低下
が大きくなり好ましくない。
向上効果が小さく、5.0%以上になると導電率の低下
が大きくなり好ましくない。
znは、先に説明したように、銅合金の半田付けにおけ
る界面剥離防止に非常に有効に作用する。
る界面剥離防止に非常に有効に作用する。
しかし、この含有量が0.3%以下では半田界面剥離防
止効果が不十分となり好ましくなく、1.3%以上にな
ると導電率の低下傾向が大きくなり同じく好ましくない
。
止効果が不十分となり好ましくなく、1.3%以上にな
ると導電率の低下傾向が大きくなり同じく好ましくない
。
Pはa酸剤として添加するものであり、上記界面剥離防
止に有効なZnが脱酸のために消費され本来の界面剥離
防止効果が低下する結果となるのを防止するためのもの
である。しかし、Pの含有量が0.003%以下では脱
酸効果が小さくznの消費が大きくなり、0.3%以上
になると加工性が低下する1導電率の低下が大きくなり
好ましくないのである。
止に有効なZnが脱酸のために消費され本来の界面剥離
防止効果が低下する結果となるのを防止するためのもの
である。しかし、Pの含有量が0.003%以下では脱
酸効果が小さくznの消費が大きくなり、0.3%以上
になると加工性が低下する1導電率の低下が大きくなり
好ましくないのである。
〔実施例]
以下に、本発明について実線例を参照し説明する。
40%pb半田浴中においてドブ付はメツキし、これを
大気中において150℃xtooo時間加熱した後、0
.25Rで90゛曲げしその後曲げ戻して界面における
剥離の有無を100倍のW4微鏡で観察評価した。
大気中において150℃xtooo時間加熱した後、0
.25Rで90゛曲げしその後曲げ戻して界面における
剥離の有無を100倍のW4微鏡で観察評価した。
第2表に評価結果を示す。
実施例
第2表に示す組成よりなる銅合金を水冷鋳型を用いて半
連続鋳造し、850℃で熱間圧延を艙して550℃m’
X10聞tの板とした。これを焼鈍、冷間圧延を繰返し
、550w’ xQ、75+m+’の板とし、さらに7
00℃X30分熱処理した。その後加工度66%で冷間
圧延し、550w’xO,25m’の板とした。
連続鋳造し、850℃で熱間圧延を艙して550℃m’
X10聞tの板とした。これを焼鈍、冷間圧延を繰返し
、550w’ xQ、75+m+’の板とし、さらに7
00℃X30分熱処理した。その後加工度66%で冷間
圧延し、550w’xO,25m’の板とした。
つぎに、上記板材より15mm’ X 0 、25am
’X50am’の供試片を切り出し、半田付界面剥離性
について評価した。
’X50am’の供試片を切り出し、半田付界面剥離性
について評価した。
各g+試片を250℃に保持したSn −第 2
表 本発明に係る合金は、引張強さにおいていずれも62k
tr/ram2以上という高い値を示しており、前記し
た高ニッケル合金に比較して遜色のない強度を保持し得
ることがわかる。
表 本発明に係る合金は、引張強さにおいていずれも62k
tr/ram2以上という高い値を示しており、前記し
た高ニッケル合金に比較して遜色のない強度を保持し得
ることがわかる。
しかも、第2表かられかるように本発明合金は、所定量
以上のZnを含有させることにより半田付界面剥離の発
生を完全に防止することができる。
以上のZnを含有させることにより半田付界面剥離の発
生を完全に防止することができる。
これに対し、Znを含有しない比較例では、いずれの場
合も界面剥離が生じている。
合も界面剥離が生じている。
[発明の効果]
以上の通り、本発明に係る銅合金によれば、十分な加工
硬化がみられる結果、66%程度の加工度であり乍ら高
ニッケル合金に比較して遜色のない強度を保持すること
ができ、また、適切にznが添加されることで導電率の
低下に大きな影響を及ぼすことなく半田付界面剥離を完
全に防止することが可能となるものであって、これによ
ってリードフレームの銅合金化に適切に対応できること
となる意義は大きい。
硬化がみられる結果、66%程度の加工度であり乍ら高
ニッケル合金に比較して遜色のない強度を保持すること
ができ、また、適切にznが添加されることで導電率の
低下に大きな影響を及ぼすことなく半田付界面剥離を完
全に防止することが可能となるものであって、これによ
ってリードフレームの銅合金化に適切に対応できること
となる意義は大きい。
代理人 弁理士 佐 藤 不二雄
Claims (1)
- (1)Ni1.2〜2.8%、Sn1.0〜5.0%、
Zn0.3〜1.3%、P 0.003〜0.3%、を含み、残部Cu および不可避なる不純物よりなるリードフ レーム用高強度銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284489A JPH02205643A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | リードフレーム用高強度銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284489A JPH02205643A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | リードフレーム用高強度銅合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205643A true JPH02205643A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12094020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2284489A Pending JPH02205643A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | リードフレーム用高強度銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205643A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174344A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
| JPS63293130A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Mitsubishi Shindo Kk | 半導体装置用Cu合金製リ−ドフレ−ム材 |
| JPH01242742A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器用銅合金 |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP2284489A patent/JPH02205643A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174344A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
| JPS63293130A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Mitsubishi Shindo Kk | 半導体装置用Cu合金製リ−ドフレ−ム材 |
| JPH01242742A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器用銅合金 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6132529A (en) | Leadframe made of a high-strength, high-electroconductivity copper alloy | |
| US4822560A (en) | Copper alloy and method of manufacturing the same | |
| JP3465108B2 (ja) | 電気・電子部品用銅合金 | |
| JPS6250425A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS6039139A (ja) | 耐軟化高伝導性銅合金 | |
| CN102191402A (zh) | 高强度高耐热性铜合金材 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| CN115652134A (zh) | 一种高强度高折弯性铜镍硅合金及其制备方法 | |
| JP3049137B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法 | |
| JPS6345336A (ja) | 電子電気機器用銅合金とその製造法 | |
| JPH032341A (ja) | 高強度高導電性銅合金 | |
| JPS6338547A (ja) | 高力伝導性銅合金 | |
| JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のCu合金製リードフレーム材 | |
| JPH11323463A (ja) | 電気・電子部品用銅合金 | |
| JPS6046340A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| US5248351A (en) | Copper Ni-Si-P alloy for an electronic device | |
| JP3379380B2 (ja) | 高強度・高導電性銅合金 | |
| JPH02205643A (ja) | リードフレーム用高強度銅合金 | |
| JPS60152646A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム材 | |
| JP2870780B2 (ja) | リードフレーム用高強度銅合金 | |
| JPH01225781A (ja) | 耐ウィスカ性に優れた錫又は錫合金被覆銅合金材料 | |
| JPS63128158A (ja) | 高力高導電性銅基合金の製造方法 | |
| JPS6311418B2 (ja) | ||
| JPH01165733A (ja) | 高強度高導電性銅合金 | |
| JPH02129326A (ja) | 高力銅合金 |