JPH0220596B2 - - Google Patents

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JPH0220596B2
JPH0220596B2 JP61076854A JP7685486A JPH0220596B2 JP H0220596 B2 JPH0220596 B2 JP H0220596B2 JP 61076854 A JP61076854 A JP 61076854A JP 7685486 A JP7685486 A JP 7685486A JP H0220596 B2 JPH0220596 B2 JP H0220596B2
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JP
Japan
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etching
gas
photoresist
ceramic
carbon
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Application number
JP61076854A
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English (en)
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JPS61295293A (ja
Inventor
Kei Bianchi Jakurin
Ansonii Gudeyura Robaato
Jon Ranji Denisu
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
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Publication of JPS61295293A publication Critical patent/JPS61295293A/ja
Publication of JPH0220596B2 publication Critical patent/JPH0220596B2/ja
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5346—Dry etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野 この発明は、部分的にフオトレジストで覆われ
たセラミツクをエツチングする場合の反応性イオ
ン・エツチングに関するものである。 Ｂ 従来技術 SF6をエツチング用ガスとして使用すること
は、米国特許第4330384号に記載されている。米
国特許第4447290号には、ポリシリコンをプラズ
マ・エツチングするために、インジケータ・ガス
としてフレオン12（米国デユポン社の商品名）を
加えてSF6を使用することが示されている。しか
し、これらの特許は、本発明によつて解決される
問題に関与するものではない。 Ｃ 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、部分的にフオトレジストで
覆われたセラミツクをエツチングするのに適した
反応性イオン・エツチング方法を提供すことにあ
る。 Ｄ 問題点を解決するための手段 この発明によれば、部分的にフオトレジストで
覆われたセラミツクをエツチングするために、
SF6と、希ガスと、炭素を含むわずかな分量のガ
スとを含むエツチング・ガスが使用される。 Ｅ 実施例 集積回路の製造においては、セラミツクに深い
ポケツトまたは穴（深さ10〜20μｍ）をエツチン
グすることが要望されることがあるが、セラミツ
クを従来の湿式化学的手段でエツチングすること
は困難もしくは不可能である。そのようなエツチ
ングは、市販されている有機フオトレジストで部
分的に覆われたセラミツクに反応性イオン・エツ
チングを施すことにより達成するこができる。し
かし、従来の反応性イオン・エツチング（RIE）
のエツチ速度は典型的にはきわめて低い。 セラミツクは、高出力（1W／cm2以上）の
SF6RIE処理を利用することにより迅速にエツチ
ングされるが、この処理においては、フオトレジ
スト・マスクは、セラミツクがエツチングされる
よりもはるかに速く浸食されてしまう、この場
合、フオトレジスト・マスクは、セラミツクに必
要な深さのエツチングを達成するのに十分な期間
耐えることができない。言いかえると、フオトレ
ジスト・マスクのセラミツクに対するエツチ速度
の比率が十分に小さくないのである。実際、フオ
トレジスト・マスクはセラミツクがエツチングさ
れるよりも８倍も速く浸食される。 この発明は、エツチング・ガスとしてSF6を用
いた反応性イオン・エツチングの間の、フオトレ
ジスト・マスクの崩壊の問題に解決を与える。本
発明によれば、フオトレジストのセラミツクに対
するエツチ速度の比率が５以下になり、これは満
足のゆく値である。このことは、エツチング・ガ
ス混合物にわずかな分量の炭素含有ガスを加える
ことにより達成される。 本発明が提示される以前は、セラミツクとフオ
トレジストを同時にエツチングする場合に、SF6
は満足のゆくエツチング・ガスではなかつた。
SF6は、今までよりも速いエツチ速度の達成を可
能とするものであるが、それはまた、有機フオト
レジストを浸食して崩壊させる。例えば、ポリ
（メチルメタクリレート）を有するレジスト・マ
スクが100％のSF6でエツチングされる場合、レ
ジストの列から列へ架設する領或が破壊される。
また、レジストの被覆領或にもエツチング剤の貫
通により浸食が行なわれ、レジストの端部の下方
で浸出が生じる。SF6をアルゴンまたはヘリウム
のような不活性ガスで希釈することによりレジス
トの崩壊を幾分か低減することができる。しか
し、その結果はせいぜい許容限界すれすれであ
る。エツチングの所望の深さを達成するために
は、フオトレジストのセラミツクに対するエツチ
速度の比率が５またはそれ以下でなくてはならな
い。 ところが、上記エツチング・ガスにわずかな量
の炭素含有ガスを加えると、フオトレジストに対
するエツチ速度とセラミツクに対するエツチ速度
がともに低下することが見出されたのである。し
かし、このとき、フオトレジストのエツチ速度の
低下は、セラミツクのエツチ速度の低下よりも大
きい。すなわち、炭素含有ガスを13％加えること
により、フオトレジストに対する反応性イオン・
エツチングの速度は25％低下したが、セラミツク
に対する反応性イオン・エツチングの速度の低下
はわずか５％であつた。 炭素含有ガスとして満足のゆく結果を与えるも
のには、CF4とC2F6とCHF3がある。最も好まし
いガスはCHF3である。 さまざまなエツチ・ガス混合物を用いた実験結
果を、以下の表及び表に示す。
【表】
【表】 これらの実験により、SF6と、それとほぼ等量
の希ガスと、約10％の炭素含有ガス（好適には
CHF3）が最適なエツチ・ガスであることがわか
る。最も良いエツチ・ガスの組成は45％SF6、45
％He、10％CHF3である。これらのガスは、質量
流量制御装置によつて混合され、従つてそれらの
比率は体積％である。 Ｆ 発明の効果 以上のように、この発明によれば、フオトレジ
ストのセラミツクに対するエツチ速度の比率が小
さい（好適には５以下）RIE方法が与えられ、こ
のRIEはフオトレジストをマスクとするセラミツ
クのエツチングに好適である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ フオトレジストによつて部分的に覆われたセ
    ラミツクをエツチングするための反応性イオン・
    エツチング方法において、 SF6と、希ガスと、炭素含有ガスを含むエツ
    チ・ガスを使用することを特徴とする反応性イオ
    ン・エツチング方法。 ２ 上記炭素含有ガスの分量が約10体積％である
    特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 上記炭素含有ガスがCHF3である特許請求の
    範囲第１項記載の方法。 ４ 上記エツチ・ガスの体積組成が45％SF6、45
    ％He、10％CHF3である特許請求の範囲第１項記
    載の方法。
JP61076854A 1985-06-20 1986-04-04 反応性イオンエツチング方法 Granted JPS61295293A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/747,156 US4601782A (en) 1985-06-20 1985-06-20 Reactive ion etching process
US747156 1991-08-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61295293A JPS61295293A (ja) 1986-12-26
JPH0220596B2 true JPH0220596B2 (ja) 1990-05-09

Family

ID=25003882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61076854A Granted JPS61295293A (ja) 1985-06-20 1986-04-04 反応性イオンエツチング方法

Country Status (5)

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US (1) US4601782A (ja)
EP (1) EP0206055B1 (ja)
JP (1) JPS61295293A (ja)
CA (1) CA1222218A (ja)
DE (1) DE3674477D1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180466A (en) * 1984-12-29 1993-01-19 Fujitsu Limited Process for dry etching a silicon nitride layer
US4666555A (en) * 1985-08-23 1987-05-19 Intel Corporation Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures
US4687543A (en) * 1986-02-21 1987-08-18 Tegal Corporation Selective plasma etching during formation of integrated circuitry
US4797178A (en) * 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
US5441599A (en) * 1992-01-30 1995-08-15 Advanced Micro Devices Lightly doped drain etch method for semiconductor manufacture
CA2090708A1 (en) * 1992-04-30 1993-10-31 Jeffrey Merritt Mckay Combination transducer/slider/suspension and method for making
US6027660A (en) * 1997-06-23 2000-02-22 International Business Machines Corproation Method of etching ceramics of alumina/TiC with high density plasma
US5867890A (en) * 1997-12-17 1999-02-09 International Business Machines Corporation Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip
DE19844025A1 (de) * 1998-09-25 2000-03-30 Inst Oberflaechenmodifizierung Reaktives Ionen(strahl)ätzen von Oberflächen
WO2003019590A1 (en) * 2001-08-21 2003-03-06 Seagate Technology Llc Enhanced ion beam etch selectivity of magnetic thin films using carbon-based gases
WO2010014261A2 (en) 2008-08-01 2010-02-04 The Penn State Research Foundation Polycrystalline complex-shaped mesoscale components
DE102004049233A1 (de) 2004-10-09 2006-04-20 Schott Ag Verfahren zur Mikrostrukturierung von Substraten aus Flachglas
CN103119010B (zh) 2011-04-26 2015-07-29 国际人造丝公司 通过分离来自加氢过程的粗产物回收乙醇侧线馏分
CN103189340B (zh) 2011-04-26 2015-10-21 国际人造丝公司 用使缩醛水解的次级反应器回收乙醇的方法
WO2012149146A2 (en) 2011-04-26 2012-11-01 Celanese International Corporation Reduced energy alcohol separation process having controlled pressure
TW201245126A (en) 2011-04-26 2012-11-16 Celanese Int Corp Recovering ethanol sidedraw by separating crude product from hydrogenation process
AR086133A1 (es) 2011-04-26 2013-11-20 Celanese Int Corp Proceso para controlar un rehervidor durante la recuperacion de alcohol y la formacion reducida de esteres
US9073816B2 (en) 2011-04-26 2015-07-07 Celanese International Corporation Reducing ethyl acetate concentration in recycle streams for ethanol production processes
TW201242936A (en) 2011-04-26 2012-11-01 Celanese Int Corp Process for producing ethanol and reducing acetic acid concentration
EP2702023B1 (en) 2011-04-26 2016-03-09 Celanese International Corporation Reduction of acid within column through esterification during the production of alcohols
US8927784B2 (en) 2011-04-26 2015-01-06 Celanese International Corporation Process to recover alcohol from an ethyl acetate residue stream
US8648220B2 (en) 2011-10-11 2014-02-11 Celanese International Corporation Process for producing ethanol using a crude vinyl acetate feed
US20130165704A1 (en) 2011-12-21 2013-06-27 Celanese International Corporation Process for producing ethanol in a reactor having a constant temperature
US8907142B2 (en) 2011-12-29 2014-12-09 Celanese International Corporation Process for promoting catalyst activity for ethyl acetate conversion
WO2013101305A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Celanese International Corporation Pressure driven distillation for producing and recovering ethanol from hydrogenation process
US9353034B2 (en) 2012-02-07 2016-05-31 Celanese International Corporation Hydrogenation process with reduced residence time for vapor phase reactants
US9051235B2 (en) 2012-02-07 2015-06-09 Celanese International Corporation Process for producing ethanol using a molar excess of hydrogen
US20130245131A1 (en) 2012-03-14 2013-09-19 Celanese International Corporation Hydrogenation of Mixed Oxygenate Stream to Produce Alcohol

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4330384A (en) * 1978-10-27 1982-05-18 Hitachi, Ltd. Process for plasma etching
US4385975A (en) * 1981-12-30 1983-05-31 International Business Machines Corp. Method of forming wide, deep dielectric filled isolation trenches in the surface of a silicon semiconductor substrate
US4447290A (en) * 1982-06-10 1984-05-08 Intel Corporation CMOS Process with unique plasma etching step

Also Published As

Publication number Publication date
EP0206055A3 (en) 1988-04-06
DE3674477D1 (de) 1990-10-31
EP0206055A2 (en) 1986-12-30
EP0206055B1 (en) 1990-09-26
CA1222218A (en) 1987-05-26
JPS61295293A (ja) 1986-12-26
US4601782A (en) 1986-07-22

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