JPH0220832Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0220832Y2 JPH0220832Y2 JP1982118009U JP11800982U JPH0220832Y2 JP H0220832 Y2 JPH0220832 Y2 JP H0220832Y2 JP 1982118009 U JP1982118009 U JP 1982118009U JP 11800982 U JP11800982 U JP 11800982U JP H0220832 Y2 JPH0220832 Y2 JP H0220832Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- region
- polysilicon layer
- transistor
- emitter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 考案の技術分野
本考案はトランジスタ、特に高電流容量化を図
つた網状エミツタ領域を有するトランジスタの改
良に関する。
つた網状エミツタ領域を有するトランジスタの改
良に関する。
(ロ) 従来の技術
従来トランジスタの電流容量の増大を図る構造
としてエミツタの有効面積を増大させることが知
られている。そこで第１図および第２図に示す如
くメツシユエミツタ構造のトランジスタが提案さ
れた。第１図に於いて、１は半導体基板より成る
コレクタ領域、２は島状に点在するベース領域、
３は網状のエミツタ領域であり、点線で示す４は
点在する各ベース領域２にオーミツク接触した櫛
歯状ベース電極、５はエミツタ領域３に複数のコ
ンタクト孔でオーミツク接触した櫛歯状エミツタ
電極である。
としてエミツタの有効面積を増大させることが知
られている。そこで第１図および第２図に示す如
くメツシユエミツタ構造のトランジスタが提案さ
れた。第１図に於いて、１は半導体基板より成る
コレクタ領域、２は島状に点在するベース領域、
３は網状のエミツタ領域であり、点線で示す４は
点在する各ベース領域２にオーミツク接触した櫛
歯状ベース電極、５はエミツタ領域３に複数のコ
ンタクト孔でオーミツク接触した櫛歯状エミツタ
電極である。
斯上したメツシユエミツタ構造では網状エミツ
タ領域３によりチツプ面積を増大することなくエ
ミツタ面積の増大を図ることができる。この結果
スイツチング時間の向上および破壊強度の向上を
図れる。
タ領域３によりチツプ面積を増大することなくエ
ミツタ面積の増大を図ることができる。この結果
スイツチング時間の向上および破壊強度の向上を
図れる。
しかしながら斯るメツシユトランジスタの破壊
強度について実験したところ、ボンデイングパツ
ドに近いエミツタ領域３で破壊が発生し易いこと
が明らかとなつた。
強度について実験したところ、ボンデイングパツ
ドに近いエミツタ領域３で破壊が発生し易いこと
が明らかとなつた。
(ハ) 考案の開示
本考案は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を改
善したトランジスタを提供するものである。即ち
ボンデイングパツド６に接近したコンタクト孔７
にポリシリコン層８を設け電流の集中を防止する
ことを目的とする。
善したトランジスタを提供するものである。即ち
ボンデイングパツド６に接近したコンタクト孔７
にポリシリコン層８を設け電流の集中を防止する
ことを目的とする。
(ニ) 考案の実施例
本考案によるトランジスタは第３図に示す如く
エミツタ電極５の構造に最大の特徴を有する。エ
ミツタ電極５の各櫛歯は複数のコンタクト孔７で
エミツタ領域３とオーミツク接触して延在され、
ボンデイングパツド６に接近したコンタクト孔７
にはポリシリコン層８を設けている。従つてボン
デイングパツド６に接近したエミツタ電極５はポ
リシリコン層８で形成される抵抗を介してエミツ
タ領域３と接続されるため電流の集中を防止でき
る。具体的には比抵抗が0.1Ωcmのリンドーブポ
リシリコン層８を8000Åの厚みに形成し、その上
にアルミニウム蒸着層による櫛歯状エミツタ電極
５を形成する。
エミツタ電極５の構造に最大の特徴を有する。エ
ミツタ電極５の各櫛歯は複数のコンタクト孔７で
エミツタ領域３とオーミツク接触して延在され、
ボンデイングパツド６に接近したコンタクト孔７
にはポリシリコン層８を設けている。従つてボン
デイングパツド６に接近したエミツタ電極５はポ
リシリコン層８で形成される抵抗を介してエミツ
タ領域３と接続されるため電流の集中を防止でき
る。具体的には比抵抗が0.1Ωcmのリンドーブポ
リシリコン層８を8000Åの厚みに形成し、その上
にアルミニウム蒸着層による櫛歯状エミツタ電極
５を形成する。
(ホ) 効果
本考案に依ればポリシリコン層８の働きにより
エミツタ電極５を均一に働かせることが可能とな
る有益なものである。この結果高電流、高耐圧の
トランジスタをより小さいチツプ面積で実現でき
る。
エミツタ電極５を均一に働かせることが可能とな
る有益なものである。この結果高電流、高耐圧の
トランジスタをより小さいチツプ面積で実現でき
る。
第１図はメツシユエミツタ構造のトランジスタ
を説明する上面図、第２図は第１図の−線断
面図、第３図は本考案によるトランジスタを説明
する断面図であり、第１図の−線断面図と対
応している。 主な図番の説明、１はコレクタ領域、２はベー
ス領域、３は網状エミツタ領域、４は櫛歯状ベー
ス電極、５は櫛歯状エミツタ電極、７はコンタク
ト孔、８はポリシリコン層である。
を説明する上面図、第２図は第１図の−線断
面図、第３図は本考案によるトランジスタを説明
する断面図であり、第１図の−線断面図と対
応している。 主な図番の説明、１はコレクタ領域、２はベー
ス領域、３は網状エミツタ領域、４は櫛歯状ベー
ス電極、５は櫛歯状エミツタ電極、７はコンタク
ト孔、８はポリシリコン層である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 コレクタ領域ベース領域および網状エミツタ領
域と該エミツタ領域に囲まれた多数の島状ベース
領域にオーミツク接触する櫛歯状ベース電極と前
記エミツタ領域の略全域にわたつて点存するコン
タクト孔を介してオーミツク接触する櫛歯状エミ
ツタ電極と該エミツタ電極とは異る部分であつて
前記エミツタ電極の外部取出しとなるボンデイン
グパツドとを具備するトランジスタに於いて、 前記エミツタ電極の各櫛歯の複数のコンタクト
孔のうちボンデイングパツドに接近する部分のコ
ンタクト孔の夫々に互いに独立したポリシリコン
層を設け、前記ボンデイングパツドに接近する部
分の前記エミツタ電極は、前記ポリシリコン層を
覆う様にして前記ポリシリコン層で形成する抵抗
を介してエミツタ領域とコンタクトすることを特
徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11800982U JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11800982U JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923753U JPS5923753U (ja) | 1984-02-14 |
| JPH0220832Y2 true JPH0220832Y2 (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=30271422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11800982U Granted JPS5923753U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923753U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2895327B2 (ja) * | 1992-10-07 | 1999-05-24 | ローム株式会社 | トランジスタ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158667A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Silicon transistor |
| JPS56104464A (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57168249U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP11800982U patent/JPS5923753U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5923753U (ja) | 1984-02-14 |
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