JPH08756Y2 - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
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- JPH08756Y2 JPH08756Y2 JP1989067483U JP6748389U JPH08756Y2 JP H08756 Y2 JPH08756 Y2 JP H08756Y2 JP 1989067483 U JP1989067483 U JP 1989067483U JP 6748389 U JP6748389 U JP 6748389U JP H08756 Y2 JPH08756 Y2 JP H08756Y2
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- Japan
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- emitter
- shaped
- electrode
- region
- comb
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
- H10W72/9232—Bond pads having multiple stacked layers with additional elements interposed between layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本考案はトランジスタ、特に高電流容量化を図った網
状エミッタ領域を有するトランジスタの改良に関する。
状エミッタ領域を有するトランジスタの改良に関する。
（ロ） 従来の技術 トランジスタの電流容量を増大する構造としてエミッ
タの有効面積を増大させることが知られている（実開昭
58-173252）。そこで第５図および第６図に示す如くメ
ッシュエミッタ構造のトランジスタが提案された。第５
図に於いて、（１）は半導体基板より成るコレクタ領
域、（２）は島状に点在するベース領域、（３）はメッ
シュ状のエミッタ領域、（４）はメッシュ状のエミッタ
電極、（５）は島状のベース電極で、層間絶縁膜（６）
上に櫛歯状のエミッタ電極（７）と櫛歯状ベース電極
（８）を設け、櫛歯状エミッタ電極（７）の一部がエミ
ッタボンディングパッド（９）を構成すると共にパッド
（９）表面にワイヤ（10）がボンディングされる。
タの有効面積を増大させることが知られている（実開昭
58-173252）。そこで第５図および第６図に示す如くメ
ッシュエミッタ構造のトランジスタが提案された。第５
図に於いて、（１）は半導体基板より成るコレクタ領
域、（２）は島状に点在するベース領域、（３）はメッ
シュ状のエミッタ領域、（４）はメッシュ状のエミッタ
電極、（５）は島状のベース電極で、層間絶縁膜（６）
上に櫛歯状のエミッタ電極（７）と櫛歯状ベース電極
（８）を設け、櫛歯状エミッタ電極（７）の一部がエミ
ッタボンディングパッド（９）を構成すると共にパッド
（９）表面にワイヤ（10）がボンディングされる。
斯上したメッシュエミッタ構造ではメッシュ状エミッ
タ領域（３）によりチップ面積を増大することなくエミ
ッタ面積の増大を図ることができる。この結果スイッチ
ング時間の向上および破壊強度の向上を図れる。
タ領域（３）によりチップ面積を増大することなくエミ
ッタ面積の増大を図ることができる。この結果スイッチ
ング時間の向上および破壊強度の向上を図れる。
（ハ） 考案が解決しようとする課題 しかしながら、第５図の構造はエミッタボンディング
パッド（９）下部に１層目の島状ベース電極（５）が存
在する為、特に圧着エネルギの高いアルミワイヤの超音
波ボンディングを行うと、層間絶縁膜（６）が破壊して
層間短絡を生じる欠点があった。
パッド（９）下部に１層目の島状ベース電極（５）が存
在する為、特に圧着エネルギの高いアルミワイヤの超音
波ボンディングを行うと、層間絶縁膜（６）が破壊して
層間短絡を生じる欠点があった。
そこで本願考案者は第７図及び第８図に示すように、
エミッタボンディングパッド（９）下部の島状ベース電
極（５）を除去した構造を提案した。この構造はワイヤ
ボンドによるＥ−Ｂショートの危惧は少いが、エミッタ
ボンディングパッド（９）下部でピンチ構造となる為部
分的にベース抵抗ＲBが増大し、従ってベース領域の少
数キャリアの蓄積が増大してスイッチング特性、特に下
降時間tfが２〜４倍もの値に達する欠点があった。
エミッタボンディングパッド（９）下部の島状ベース電
極（５）を除去した構造を提案した。この構造はワイヤ
ボンドによるＥ−Ｂショートの危惧は少いが、エミッタ
ボンディングパッド（９）下部でピンチ構造となる為部
分的にベース抵抗ＲBが増大し、従ってベース領域の少
数キャリアの蓄積が増大してスイッチング特性、特に下
降時間tfが２〜４倍もの値に達する欠点があった。
（ニ） 課題を解決するための手段 本考案は上記従来の課題に鑑みて成され、エミッタボ
ンディングパッド（18）下部の島状ベース領域（13a）
を、パッドの端まで拡張してストライプ状とすることに
より、ベース抵抗の増大とＥ−Ｂ短絡を防止し、且つ電
流容量の低下をも防止したトランジスタを提供するもの
である。
ンディングパッド（18）下部の島状ベース領域（13a）
を、パッドの端まで拡張してストライプ状とすることに
より、ベース抵抗の増大とＥ−Ｂ短絡を防止し、且つ電
流容量の低下をも防止したトランジスタを提供するもの
である。
（ホ） 作用 本考案によれば、パッド（18）下部の島状ベース領域
（13a）がストライプ状を成すことで、ストライプの延
在方向に対してはピンチ構造を無くすことができる。
（13a）がストライプ状を成すことで、ストライプの延
在方向に対してはピンチ構造を無くすことができる。
（ヘ） 実施例 以下に本考案の一実施例を図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図において、（11）はＰ型のベース領域、（12）
はベース領域（11）の表面に格子状に形成したＮ+型の
メッシュエミッタ領域、（13）はメンシュエミッタ領域
（12）の網目部分に縦横に点在して露出する島状ベース
領域、（14）はメッシュエミッタ領域（12）の格子形状
にあわせて格子状に延在しエミッタ領域（12）と全面で
コンタクトする第１層目電極層によるメッシュエミッタ
電極、（15）は島状ベース領域（13）の表面にコンタク
トし点在する第１層目電極層による島状ベース電極、
（16）はメッシュエミッタ電極（14）とコンタクトし層
間絶縁膜上を櫛歯状に延在する第２層目電極層による櫛
歯状エミッタ電極、（17）は島状ベース電極（15）とコ
ンタクトし層間絶縁膜上を櫛歯状に延在する第２層目電
極層による櫛歯状ベース電極、（18）は櫛歯状エミッタ
電極（16）の一部を拡張してベース領域（11）の隔部に
設けたエミッタボンディングパッド、（19）はエミッタ
ボンディングパッド（18）に超音波ボンディング等の手
法よりワイヤボンドされたAl等のワイヤである。
はベース領域（11）の表面に格子状に形成したＮ+型の
メッシュエミッタ領域、（13）はメンシュエミッタ領域
（12）の網目部分に縦横に点在して露出する島状ベース
領域、（14）はメッシュエミッタ領域（12）の格子形状
にあわせて格子状に延在しエミッタ領域（12）と全面で
コンタクトする第１層目電極層によるメッシュエミッタ
電極、（15）は島状ベース領域（13）の表面にコンタク
トし点在する第１層目電極層による島状ベース電極、
（16）はメッシュエミッタ電極（14）とコンタクトし層
間絶縁膜上を櫛歯状に延在する第２層目電極層による櫛
歯状エミッタ電極、（17）は島状ベース電極（15）とコ
ンタクトし層間絶縁膜上を櫛歯状に延在する第２層目電
極層による櫛歯状ベース電極、（18）は櫛歯状エミッタ
電極（16）の一部を拡張してベース領域（11）の隔部に
設けたエミッタボンディングパッド、（19）はエミッタ
ボンディングパッド（18）に超音波ボンディング等の手
法よりワイヤボンドされたAl等のワイヤである。
第２図、及び第３図は夫々第１図のAA線断面とBB線断
面を示し、（20）は裏面にコンタクト用Ｎ+層（図示せ
ず）が設けられたコレクタとなる半導体基板、（21）は
基板（20）表面を覆う酸化膜、（22）はPSG等から成る
層間絶縁膜である。前記第１層目と第２層目電極層は夫
々アルミニウム等の金属材料をパターニングして得られ
たものである。
面を示し、（20）は裏面にコンタクト用Ｎ+層（図示せ
ず）が設けられたコレクタとなる半導体基板、（21）は
基板（20）表面を覆う酸化膜、（22）はPSG等から成る
層間絶縁膜である。前記第１層目と第２層目電極層は夫
々アルミニウム等の金属材料をパターニングして得られ
たものである。
斯る構成において、エミッタボンディングパッド（1
8）下部の島状ベース領域（13a）は表面に島状ベース電
極（15）が設けられず、且つエミッタボンディングパッ
ド（18）の端部まで延長してストライプ状形状に形成す
る。そして、エミッタボンディングパッド（18）から突
出しパッド（18）と重ならない部分に島状ベース電極
（15a）を設け、櫛歯状ベース電極（17）によりベース
バイアスを印加する。ストライプ形状の島状ベース領域
（13a）を形成するエミッタ領域（12）の表面には１層
目電極層によりエミッタ電極（14）が設けられ、層間絶
縁膜（22）のスルーホールを介してエミッタボンディン
グパッド（18）と接続する。
8）下部の島状ベース領域（13a）は表面に島状ベース電
極（15）が設けられず、且つエミッタボンディングパッ
ド（18）の端部まで延長してストライプ状形状に形成す
る。そして、エミッタボンディングパッド（18）から突
出しパッド（18）と重ならない部分に島状ベース電極
（15a）を設け、櫛歯状ベース電極（17）によりベース
バイアスを印加する。ストライプ形状の島状ベース領域
（13a）を形成するエミッタ領域（12）の表面には１層
目電極層によりエミッタ電極（14）が設けられ、層間絶
縁膜（22）のスルーホールを介してエミッタボンディン
グパッド（18）と接続する。
第４図は第２層目電極層の全体的な形状を示し、４角
形半導体基板（20）の一角にエミッタボンディングパッ
ド（18）が設けられ、対角線上の一角にはベースボンデ
ィングパッド（図示せず）が設けられ、櫛歯状ベース電
極（17）と櫛歯状エミッタ電極（16）とが対接する。
形半導体基板（20）の一角にエミッタボンディングパッ
ド（18）が設けられ、対角線上の一角にはベースボンデ
ィングパッド（図示せず）が設けられ、櫛歯状ベース電
極（17）と櫛歯状エミッタ電極（16）とが対接する。
以上に説明した本願構成によれば、エミッタボンディ
ングパッド（18）下部の島状ベース領域（13a）がスト
ライプ状を有し、ストライプの延在方向に対してはエミ
ンタ領域（12）によるピンチ構造を除去できるので、エ
ミッタボンディングパッド（18）下部のベース抵抗ＲB
はピンチ構造を有する第７図のベース抵抗ＲBより値を1
/5程度に減少できる。その為、ベース領域（11）のキャ
リアの蓄積によるスイッチング特性を向上できる。ま
た、エミッタボンディングパッド（18）下部にもストラ
イプ形状を作る為のエミッタ領域（12）を形成するの
で、エミッタ周辺長の低下が少く、従って第７図のもの
と同等の電流容量を得ることができる。さらに、エミッ
タボンディングパッド（18）下部には島状ベース電極
（15）が存在しないので、ワイヤボンドによる短絡事故
は無い。
ングパッド（18）下部の島状ベース領域（13a）がスト
ライプ状を有し、ストライプの延在方向に対してはエミ
ンタ領域（12）によるピンチ構造を除去できるので、エ
ミッタボンディングパッド（18）下部のベース抵抗ＲB
はピンチ構造を有する第７図のベース抵抗ＲBより値を1
/5程度に減少できる。その為、ベース領域（11）のキャ
リアの蓄積によるスイッチング特性を向上できる。ま
た、エミッタボンディングパッド（18）下部にもストラ
イプ形状を作る為のエミッタ領域（12）を形成するの
で、エミッタ周辺長の低下が少く、従って第７図のもの
と同等の電流容量を得ることができる。さらに、エミッ
タボンディングパッド（18）下部には島状ベース電極
（15）が存在しないので、ワイヤボンドによる短絡事故
は無い。
（ト） 考案の効果 以上に説明した通り、本考案によればエミッタボンデ
ィングパッド（18）下部の島ベース領域（13a）をスト
ライプ状としたので、ベース抵抗ＲBの増大を防ぎスイ
ッチング特性の劣化を防止できる。
ィングパッド（18）下部の島ベース領域（13a）をスト
ライプ状としたので、ベース抵抗ＲBの増大を防ぎスイ
ッチング特性の劣化を防止できる。
また、エミッタ周辺長はそれ程短くならずに済むの
で、電流容量の低下は極く僅かである。
で、電流容量の低下は極く僅かである。
さらに、エミッタボンディングパッド（18）部の短絡
事故を防止できるので、アルミワイヤの超音波ボンディ
ングを適用できる。
事故を防止できるので、アルミワイヤの超音波ボンディ
ングを適用できる。
第１図，第２図および第３図は夫々本考案を説明する為
の平面図、第１図のAA線断面図、および第１図のBB線断
面図、第４図は本考案を説明する為の平面図、第５図と
第６図は従来例を説明する為の平面図と断面図、第７図
と第８図は提案された構造を説明する為の平面図と断面
図である。
の平面図、第１図のAA線断面図、および第１図のBB線断
面図、第４図は本考案を説明する為の平面図、第５図と
第６図は従来例を説明する為の平面図と断面図、第７図
と第８図は提案された構造を説明する為の平面図と断面
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】コレクタとなる一導電型の半導体領域の表
面に形成した逆導電型のベース領域と、 前記ベース領域の表面に、格子状に形成した一導電型の
エミッタ領域と、 前記格子状エミッタ領域の格子の目の部分に露出する前
記ベース領域の表面にコンタクトする島状ベース電極
と、 前記格子状エミッタ領域の表面にコンタクトする、格子
状のエミッタ電極と、 前記島状ベース電極と前記格子状エミッタ電極を被覆す
る層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の上を延在し、前記島状ベース電極と層
間接続する櫛歯状ベース電極と、 前記櫛歯状ベース電極の櫛と対向するように層間絶縁膜
上を延在し、前記格子状エミッタ電極と層間接続する櫛
歯状エミッタ電極と、 前記櫛歯状エミッタ電極の櫛歯の根本部分に形成したエ
ミッタボンディングパッドとを具備し、 前記エミッタボンディングパッドの下部においては、前
記ベース領域の露出表面がストライプ状に形成されるよ
うに前記エミッタ領域を形成し、 前記ストライプ状ベース領域の端部に前記櫛歯状ベース
電極の櫛の先端部分が前記島状ベース電極を介してコン
タクトし、 前記ストライプ状ベース領域は前記エミッタボンィング
パッドの端付近まで直線状に延在し、 前記エミッタボンディングパッドの下部には前記島状ベ
ース電極が存在しないことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989067483U JPH08756Y2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989067483U JPH08756Y2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038435U JPH038435U (ja) | 1991-01-28 |
| JPH08756Y2 true JPH08756Y2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=31601096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989067483U Expired - Lifetime JPH08756Y2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08756Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422062A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Sanyo Electric Co | Transistor |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1989067483U patent/JPH08756Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038435U (ja) | 1991-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |