JPS6236305Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236305Y2 JPS6236305Y2 JP1979056171U JP5617179U JPS6236305Y2 JP S6236305 Y2 JPS6236305 Y2 JP S6236305Y2 JP 1979056171 U JP1979056171 U JP 1979056171U JP 5617179 U JP5617179 U JP 5617179U JP S6236305 Y2 JPS6236305 Y2 JP S6236305Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- base
- emitter
- base region
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はトランジスタの改良に関する。
従来の分割エミツタを有するトランジスタの上
面図および断面図を第１図と第２図に示す。１は
コレクタ領域となる半導体基板、２はベース領
域、３は分割エミツタ領域、４はベース電極、５
は個別分割エミツタ電極、６はベース電極４およ
び個別分割エミツタ電極３を被覆する絶縁膜、７
は個別分割エミツタ電極５を連結する櫛歯状のエ
ミツタ電極である。
面図および断面図を第１図と第２図に示す。１は
コレクタ領域となる半導体基板、２はベース領
域、３は分割エミツタ領域、４はベース電極、５
は個別分割エミツタ電極、６はベース電極４およ
び個別分割エミツタ電極３を被覆する絶縁膜、７
は個別分割エミツタ電極５を連結する櫛歯状のエ
ミツタ電極である。
斯るトランジスタではボンデイングパツドをベ
ース領域２上のベース電極４の一部とエミツタ電
極７の一部に図示の如く設ける。特にベース電極
４のボンデイングパツドはベース領域２の一部に
形成されるので、この部分はトランジスタ動作上
は全く不活性となり、不要な部分となる。
ース領域２上のベース電極４の一部とエミツタ電
極７の一部に図示の如く設ける。特にベース電極
４のボンデイングパツドはベース領域２の一部に
形成されるので、この部分はトランジスタ動作上
は全く不活性となり、不要な部分となる。
本考案は斯点に鑑みてなされ、効率の良いトラ
ンジスタを実現するものである。以下第３図およ
び第４図を参照して本考案の一実施例を詳述す
る。
ンジスタを実現するものである。以下第３図およ
び第４図を参照して本考案の一実施例を詳述す
る。
本考案に依る分割エミツタを有するトランジス
タは第３図および第４図に示す如く、コレクタ領
域となるシリコン半導体基板１１と、基板１１表
面に拡散形成されたベース領域１２と、ベース領
域１２表面に拡散形成された多数の分割エミツタ
領域１３…１３と、基板１１を被覆するシリコン
酸化膜１４と、シリコン酸化膜１４に設けた孔を
介してベース領域１２および分割エミツタ領域１
３…１３にオーミツク接触する第１ベース電極１
５と第１分割エミツタ電極１６…１６と、第１ベ
ース電極１５および第１分割エミツタ電極１６…
１６を被覆する第１の絶縁膜１７と、第１の絶縁
膜１７の孔を介して第１分割エミツタ電極１６…
１６を接続する第２エミツタ電極１８および第１
ベース電極１５と接続される第２ベース電極１９
と、第２エミツタ電極１８および第２ベース電極
１９とを被覆する第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜
２０上に拡がり第２ベース電極１９と接続された
第３ベース電極２１より構成される。
タは第３図および第４図に示す如く、コレクタ領
域となるシリコン半導体基板１１と、基板１１表
面に拡散形成されたベース領域１２と、ベース領
域１２表面に拡散形成された多数の分割エミツタ
領域１３…１３と、基板１１を被覆するシリコン
酸化膜１４と、シリコン酸化膜１４に設けた孔を
介してベース領域１２および分割エミツタ領域１
３…１３にオーミツク接触する第１ベース電極１
５と第１分割エミツタ電極１６…１６と、第１ベ
ース電極１５および第１分割エミツタ電極１６…
１６を被覆する第１の絶縁膜１７と、第１の絶縁
膜１７の孔を介して第１分割エミツタ電極１６…
１６を接続する第２エミツタ電極１８および第１
ベース電極１５と接続される第２ベース電極１９
と、第２エミツタ電極１８および第２ベース電極
１９とを被覆する第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜
２０上に拡がり第２ベース電極１９と接続された
第３ベース電極２１より構成される。
本考案の特徴はトランジスタ動作では不要とな
るベース領域上のボンデイングパツドを除去し、
ベース領域１２内に略全面に均一に活性な分割エ
ミツタ領域１３…１３を配置している。これによ
り従来のものと同一特性を得るためには約20〜30
％のペレツト面積の縮少をはかれる。
るベース領域上のボンデイングパツドを除去し、
ベース領域１２内に略全面に均一に活性な分割エ
ミツタ領域１３…１３を配置している。これによ
り従来のものと同一特性を得るためには約20〜30
％のペレツト面積の縮少をはかれる。
本考案で第１ベース電極１５、第１分割エミツ
タ電極１６…１６、第２ベース電極１９、第２エ
ミツタ電極１８および第３ベース電極２１は夫々
アルミニウムの蒸着電極である。また第１絶縁膜
１７および第２絶縁膜２０はプラズマナイトライ
ド、CVD膜、またはポリイミド等の絶縁物で形
成される。ボンデイングパツドとしては第２エミ
ツタ電極１８の第２絶縁膜２０から露出した部分
と、第３ベース電極２１とを用いる。第１ベース
電極１５は分割エミツタ電極１６…１６を囲む様
に格子状に設け、第２ベース電極１９は第２エミ
ツタ電極１８のない部分で複数個所で第１ベース
電極１５とコンタクトさせる。
タ電極１６…１６、第２ベース電極１９、第２エ
ミツタ電極１８および第３ベース電極２１は夫々
アルミニウムの蒸着電極である。また第１絶縁膜
１７および第２絶縁膜２０はプラズマナイトライ
ド、CVD膜、またはポリイミド等の絶縁物で形
成される。ボンデイングパツドとしては第２エミ
ツタ電極１８の第２絶縁膜２０から露出した部分
と、第３ベース電極２１とを用いる。第１ベース
電極１５は分割エミツタ電極１６…１６を囲む様
に格子状に設け、第２ベース電極１９は第２エミ
ツタ電極１８のない部分で複数個所で第１ベース
電極１５とコンタクトさせる。
本考案の構造に依ればボンデイングパツドを活
性なベース領域１２および分割エミツタ領域１３
…１３上に配置できるのでペレツトを有効に利用
でき、且つペレツト面積を縮小できる。従つてウ
エハー当りのトランジスタペレツトの収率を向上
でき、またベース電極のコレクタ・ベース間の帰
還容量を除去でき、帯域特性を向上できる。
性なベース領域１２および分割エミツタ領域１３
…１３上に配置できるのでペレツトを有効に利用
でき、且つペレツト面積を縮小できる。従つてウ
エハー当りのトランジスタペレツトの収率を向上
でき、またベース電極のコレクタ・ベース間の帰
還容量を除去でき、帯域特性を向上できる。
第１図および第２図は従来例を説明する上面図
および−線断面図、第３図および第４図は本
考案を説明する上面図および−線断面図であ
る。 主な図番の説明、１１はコレクタ領域となる半
導体基板、１２はベース領域、１３…１３は分割
エミツタ領域、１５は第１ベース電極、１６…１
６は分割エミツタ電極、１７は第１絶縁膜、１８
は第２エミツタ電極、１９は第２ベース電極、２
０は第２絶縁膜、２１は第３ベース電極である。
および−線断面図、第３図および第４図は本
考案を説明する上面図および−線断面図であ
る。 主な図番の説明、１１はコレクタ領域となる半
導体基板、１２はベース領域、１３…１３は分割
エミツタ領域、１５は第１ベース電極、１６…１
６は分割エミツタ電極、１７は第１絶縁膜、１８
は第２エミツタ電極、１９は第２ベース電極、２
０は第２絶縁膜、２１は第３ベース電極である。
Claims (1)
- コレクタ領域となる半導体基板と該基板表面に
設けられたベース領域と該ベース領域表面に設け
られた多数の分割エミツタ領域とを具備し、前記
基板の略全面に活性な前記ベース領域を配置し且
つベース領域の全面に活性な前記分割エミツタ領
域を配置し、前記ベース領域全面とオーミツク接
触する格子状の第１ベース電極を設け、前記分割
エミツタ領域と夫々にオーミツク接触する島状の
第１分割エミツタ電極を設け、前記第１ベース電
極と前記第１分割エミツタ電極を被覆する第１の
絶縁膜を設け、該第１の絶縁膜上の前記ベース領
域内に全面に拡がりすべての第１分割エミツタ電
極と接続された第２エミツタ電極とベース領域周
辺の前記第１ベース電極と接続された第２ベース
電極をベース領域周辺に設け、該第２エミツタ電
極の少なくとも１部を被覆する第２絶縁膜を設
け、該第２絶縁膜上に延在され前記第２ベース電
極と接続され更に前記第２エミツタ電極領域上に
重畳して前記ベース領域内にのみ拡がるボンデイ
ングパツドとなる第３ベース電極を設けたことを
特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979056171U JPS6236305Y2 (ja) | 1979-04-26 | 1979-04-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979056171U JPS6236305Y2 (ja) | 1979-04-26 | 1979-04-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55156462U JPS55156462U (ja) | 1980-11-11 |
| JPS6236305Y2 true JPS6236305Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=29290322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979056171U Expired JPS6236305Y2 (ja) | 1979-04-26 | 1979-04-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236305Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611052B2 (ja) * | 1984-07-18 | 1994-02-09 | 三洋電機株式会社 | トランジスタ |
| JPH0440275Y2 (ja) * | 1986-03-17 | 1992-09-21 |
-
1979
- 1979-04-26 JP JP1979056171U patent/JPS6236305Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55156462U (ja) | 1980-11-11 |
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