JPH0132744Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

本考案はトランジスタ、特に多層電極構造のト
ランジスタの改良に関する。 従来の多層電極構造のトランジスタを第１図お
よび第２図に示す。１はコレクタ領域として働く
Ｎ型のシリンダ半導体基板、２，３は基板１表面
に二重拡散されたＰ型ベース領域およびＮ型エミ
ツタ領域、４は基板１表面を被覆するシリコン酸
化膜より成る第１の絶縁膜、５，６はベースおよ
びエミツタ領域２，３にオーミツク接触し且つ第
１の絶縁膜４上に拡がる第１のベースおよびエミ
ツタ電極、７は第１のベースおよびエミツタ電極
５，６を被覆し第１の絶縁膜４上に設けられたシ
リコン窒化膜あるいはポリイミド膜より成る第２
の絶縁膜、８，９は第１のベースおよびエミツタ
電極５，６にオーミツク接触し且つ第２の絶縁膜
７上に拡がる第２のベースおよびエミツタ電極で
ある。 斯るトランジスタではペレツト面積を有効に使
用するためにペレツトの略全面に点線で示す様に
ベースおよびエミツタ領域２，３を形成し、また
ペレツトの略全面にベースおよびエミツタ領域
２，３にオーミツク接触する第１のベースおよび
エミツタ電極５，６を形成している。この結果斜
線で示した第２のベースおよびエミツタ電極８，
９の下に第１のベースおよびエミツタ電極５，６
が配置される多層電極構造となる。尚第２のベー
スおよびエミツタ電極８，９の黒塗り部分は第１
のベースおよびエミツタ電極５，６へのコンタク
ト部分を示している。 この多層電極構造を有する従来のトランジスタ
では第２のベースおよびエミツタ電極８，９に超
音波圧着によりボンデイング細線を圧着する際に
第２のベースおよびエミツタ電極８，９下の第２
の絶縁膜７にボンデイングに伴う圧力でクラツク
が発生する危惧を有しており、エミツタ・ベース
短絡となり易い欠点があつた。また第２の絶縁膜
７の製造上ピンホール等が発生してエミツタ・ベ
ース短絡となる危険も有している。 本考案は斯上した欠点に鑑みてなされたもの
で、従来の欠点を完全に除去する多層電極を有す
るトランジスタを提供するものである。以下に本
発明の実施例を第３図および第４図を参照して詳
述する。 本考案に依るトランジスタは図面からも明らか
な様に第１図および第２図に示す従来のトランジ
スタに於いて第１のベース電極５および第１のエ
ミツタ電極６の形状に改良を加えたものである。
従つて第３図および第４図の図番はすべて第１図
および第２図と一致させている。 第２のベース電極８の下にある第１のエミツタ
電極６は第３図および第４図に示す如く重ならな
い様に第１のエミツタ電極６を従来より短かくし
て配置する。この結果第２のベース電極８下には
点線に示す如く従来と同じ形状のエミツタ領域３
は存在するが第１のエミツタ電極６は配置されな
い。 また第２のエミツタ電極９の下にある第１のベ
ース電極５は第３図に示す如く重ならない様に第
１のベース電極５を従来より短かくして配置す
る。この結果第２のエミツタ電極９の下には点線
で示す如く従来と同じ形状のベース領域２は存在
するが第１のベース電極５は配置されない。 斯上した本考案の多層電極構造により第２のベ
ースおよびエミツタ電極８，９にボンデイングす
る際に第２の絶縁膜７にクラツクが発生しても第
１のベース電極５あるいは第１のエミツタ電極６
が存在しないのでエミツタ・ベースの短絡は発生
しない。また第２の絶縁層７の下には第１の絶縁
層４があるのでベース領域２あるいはエミツタ領
域３との短絡も発生しない。 上述した従来のものと本考案を採用したパワー
トランジスタの１例を示す。

【表】 上述した表からの明らかな様に本考案の第１ベ
ースおよびエミツタ電極５，６の面積は従来のも
のよりベースおよびエミツタ領域２，３の面積に
比べて約10％減少している。斯るパワートランジ
スタの特性を下表に示す。

【表】 上表から明らかな様に本考案のトランジスタは
第１のベースおよびエミツタ電極５，６を短縮し
ても従来とほとんど特性を変えることなく、第１
のベースおよびエミツタ電極５，６と第２のベー
スおよびエミツタ電極８，９のいわゆるエミツ
タ・ベース短絡を大巾に低減できる。この結果ト
ランジスタの歩留を大巾に向上できるのである。 またトランジスタの電極の形状は本実施例で示
した櫛型に限定されず格子状等の形状でも本考案
の効果を十分に達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を説明する平面図、第２図は第
１図の−線断面図、第３図は本考案を説明す
る平面図、第４図は第３図の−線断面図であ
り、第１図および第３図は説明のため第２の絶縁
膜を透明としている。 図番の説明、１はコレクタ領域として働く半導
体基板、２はベース領域、３はエミツタ領域、４
は第１の絶縁膜、５は第１のベース電極、６は第
１のエミツタ電極、７は第２の絶縁膜、８は第２
のベース電極、９は第２のエミツタ電極である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 コレクタ領域となる半導体基板と該基板表面に
   二重拡散されたベースおよびエミツタ領域と前記
   基板表面を被覆する第１の絶縁膜と前記ベースお
   よびエミツタ領域とオーミツク接触し前記第１の
   絶縁膜上に設けられた第１のベースおよびエミツ
   タ電極と該第１のベースおよびエミツタ電極を被
   覆し前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁
   膜と前記第１のベースおよびエミツタ電極にオー
   ミツク接触し前記第２の絶縁膜上に設けられた第
   ２のベースおよびエミツタ電極とを具備するトラ
   ンジスタに於いて、 前記第２のベース電極の下には前記第１のエミ
   ツタ電極が、前記第２のエミツタ電極の下には前
   記第１のベース電極が夫々配置されないように前
   記第１のベース電極と第１のエミツタ電極を形成
   し、且つ前記第２のベース電極と第２のエミツタ
   電極の表面に夫々ワイヤボンドしたことを特徴と
   するトランジスタ。