JPH02209882A - 新規なホスフイノピロリジン化合物およびそれを用いる不斉合成法 - Google Patents

新規なホスフイノピロリジン化合物およびそれを用いる不斉合成法

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JPH02209882A
JPH02209882A JP1049895A JP4989589A JPH02209882A JP H02209882 A JPH02209882 A JP H02209882A JP 1049895 A JP1049895 A JP 1049895A JP 4989589 A JP4989589 A JP 4989589A JP H02209882 A JPH02209882 A JP H02209882A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なホスフィノピロリジン化合物およびそれ
を用いる新規な不斉合成法に関する。
さらに詳しく言えば、本発明は、炭素−炭素二重結合構
造、炭素−窒素二重結合構造、および（又は）炭素−酸
素二重結合４１造を接触還元することにより不斉炭素原
子を有する化合物を生成せしめる反応を行うにあたり、
触媒として使用する金属錯体化合物における配位子とし
て、一般式 （式中、Ｒ１は、水素原子、−ＣＯＡＩ−ＣＯＯＡ”、 −ＣＯＮＨ＾’　、−３Ｏ２Ａ４又は−ＰＯ，（Ａ’）
２であり、Ａ’、Ａ２、Ａ３、Ａ４およびＡ５ケ、それ
ぞれアルキル基又はアリール基を表わし、Ｒ２は、フェ
ニル基、ジ（低級アルキル）アミノフェニル基、低級ア
ルコキシフェニル基又は３．５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル基であり、Ｒ３は、フェニル基、低級アルキ
ルフェニル基、ジ（低級アルキル）アミノフェニル基、
低級アルコキシフェニル基又は３．５−ジメチル−４−
メトキシフェニル基を表す、但し、Ｒ２とＲ３が共に、
フェニル基、バラン（低級アルキル）アミノフェニル基
又はパラ−低級アルコキシフェニル基である場合を除く
）で表わされるホスフィノピロリジン化合物を用いるこ
とを特徴とする接触還元による不斉合成法に関するもの
であ〜す、また、この不斉合成法に使用する新規なホス
フィノピロリジン化合物に間するものである。
従来、合成化学の分野において光学活性化合物を直接合
成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究が
なされている。その一つとして、多くのビスホスフィン
配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組合
せを用いて不斉還元反応が試みられているが、不斉収率
（光学効率）及び反応収率（註：反応速度に関して、そ
の反応速度が遅いと使用量が多くなるため、その関係を
示す方法の一つとして、基質と配位子のモル比で表した
もの）を同時に満足させる配位子はまだ見いだされてい
ない。
［Ｂ、　ＢｏＳｎｉｃｈ著［アシンメトリツク・カタリ
シスＪＨａｒｔｉｎｕｓ　Ｎ１ｊｈｏｆｆ　Ｐｕｂｌｉ
ｓｈｅｒｓ　Ｂｏｓｔｏｎ１９８６年、１９頁〜３１頁
］。
本発明者は、不斉還元反応において、不斉収率と反応効
率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題と
して鋭意研究をおこなったところ１本研究により、上記
課題を解決し得る優れた配位子としての新規なホスフィ
ノ、ピロリジン化合物を提供することに成功し、これを
用いて行う新規な一不斉合成法を提供するに至った。
以下に、本発明の詳細な説明する。
本発明者は、本発明により、従来に例を児ない全く新規
な技術思想に基づく不斉合成法を提供することに成功し
たものであるが本発明に係る新規なホスフィノピロリジ
ン化合物は、この不斉合成法において極めて潰れた配位
子として使用される化合物である。
本発明者によるビスホスフィン系の配位子の反応ａｉｍ
に関する詳細な研究結果から、配位子の分子構造の中に
不斉収率を向上させる部位と反応効率を向上させる部位
とが存在することが明らかにされた。前記の一般式（Ｉ
＞又は、（Ｉ゛）で表わされるホスフィノピロリジン化
合物は、上記の配位子として極めて優れた性質を示す。
これについてさらに詳細、に説明すれば、本発明者によ
る研究の結果、前記式中、Ｐ（Ｒ２）２で表わされるホ
スフィン基か不斉収率を向上させることに影響する部位
であり、Ｐ（Ｒ”）２で表わされるホスフィン基カイ反
応効率を向上させることに影響する部位であることが明
らかとなった。
本発明者は、先に、不斉ビスポスフィン化合１勿として
、ＢＰＰＭ　［ｆ２ｓ、４Ｓ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブｌ
−’Ｆレカルボニルー４−ジフェニルホスフ・イノ−２
ジフエニルホスフイノメチルピロリジン］を合成し、こ
の化合物を用いてロジウム−１，５−シクロオクタジエ
ンクロル錯体との組合せにより、ゲトパントラクトンを
不斉水素化し、Ｒ（−）−パントラクトンを不斉収率８
０，５％で得ているが、（特公昭６２−４５２３８）こ
の場合の反応効率は、基質／’Ｒｈ＝１００　　（モル
比）であって、不斉収率は比較的良いものの、反応効率
の面において工業的に必ずしも満足できるものではない
ことが判った。
ジョン・メルビン・タウンゼントらはＢＰＰＭの４藺の
フェニル基をバラ−トリル基、パラ−ジ（低級アルキル
）アミノフェニル基あるいはパラ−低級アルコキシフェ
ニル基に替えた化合物を得て、これを用いて不斉水素化
を行い反応効率の改善を計っているが不斉収率は良くな
い（特開昭５７−１８１０９３）　。
本発明者は、ビスホスフィン−ロジウム錯体の配位構造
について考察し、不斉反応を受ける官能基のシス位に配
位するホスフィン基（２位）は不斉収率を支配し、一方
、トランスに配位するホスフィン基（４位）はその官能
基の反応効率（反応速度）を支配し得ると考え、各種の
ホスフィノピロリジン化合物を合成した。
その結果ＢＣＰＨ［（２Ｓ、４Ｓ）　−Ｎ　−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル−４〜ジシクロへキシルホスフィ
ノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン］とロ
ジウム−１，５−シクロオクタジエンクロル錯体との組
合せにより、ゲトパントラクトンの不斉還元を行い、不
斉収率９１〜９５％、反応効率、基質／Ｒｈ＝１０５（
モル比）でＲ−（−）パントラクトンを得、その還元反
応が不斉収率、反応効率の両面において工業的に実施す
る上において極めて優れたものであることを見いだした
（特開昭６３−５０９４）　。
しかしながら、ＢＣＰＨは、し−ハイドロキシプロリン
より１４工程を経て合成されるものであるため、高価で
ある。
そこで、本発明者は、より短縮された工程数で低価格で
合成し得、かつ、ＢＣＰ１４の如く不斉収率、反応効率
の両面において優れた配位子の合成を鋭意検討しな。
その結果、前記一般式（Ｉ）又は（工゛）で表わされる
新規なホスフィノピロリジン化合物が、上記の目的に適
していることを見いだした。
例えば製造例７の様に、不斉収率８９％、反応効率、基
質／Ｒｈ＝　１０００　（モル比）でＲ，−（−’）バ
ントラクトンを得、その還元反応が不斉収率、反応効率
の両面において工業的に実施する上において極めて優れ
たものであることを見いだした。
前記一般式（Ｉ）又は（■°）で表わされるホスフィノ
ピロリジン化合物において、式中のＡ曝、Ａ２、Ａ３、
Ａ４、Ａ５の各アルキル基の例としては、０１〜ｅｅの
アルキル基、例えば、メチル、エチル、１０ビル、イン
グロビル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブ
チル等があげられ、アリール基の例としては、フェニル
、ピリジル基があげられる。これらのアルギル基又はア
リール基は、置換基としてフッソや塩素等のハロゲン原
子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基などを有するこ
とができる。
Ｒ２はフェニル基、ジ（低級アルキル）アミノフェニル
基、低級アルコキシフェニル基又は、３５−ジメチル−
４−メトキシフェニル基であり、ジ（低級アルキル）ア
ミノフェニル基の例としては、２−ジメチルアミノフェ
ニル、３ジメチルアミノフエニル、４−ジメチルアミノ
フェニルがあげられ、低級アルコキシフェニル基の例と
しては、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル
、４−メトキシフェニル、２．４−ジメトキシフェニル
基があげられる。
Ｒ３は、フェニル基、低級アルキルフェニル基、ジ（低
級アルキル）アミノフェニル基、低級アルコキシフェニ
ル基又は、３．５−ジメチル−４−メトキシフェニル基
であり、ジ（低級アルキル）アミノフェニル基、低級ア
ルコキシフェニル基の例としては前記に例示した基と同
様の基をあけることができ、低級アルキルフェニル基と
しては、２−トリル、４−トリル、２．４−ジメチルフ
ェニル基等をあげることができる。
本発明に隔る新規なホスフィノピロリジン化合物を配位
子として用いる不斉合成法において、接触還元反応を行
う方法につき、ゲトバントラクトンよりバントラクトン
を生成せしめる場合を例にとって説明すると、接触還元
反応を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸、酢酸エチ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トル
エン等を溶媒として用い、その５０１Ｉｅ中にケトバン
トラクトン１００ミ９び配位子としてのホスフィノピロ
リジン化合物０、２ミリモル〜ｏ．ｏｏｉ　ミリモルを
溶解する。
これにロジウム金属錯体化合物、例えば、ロジウム−１
．５−へギサジエンークロル銘化合物あるいはロジウム
−１，５−シクロオクタジエンータロル錯化合物など０
．０５ミリモル〜．　ｏ．　ｏｏｏｓミリモルを加え、
常圧で、もしくは加圧下で、好ましくは反応温度Ｏ℃−
１００℃で水素添加反応を行う０反応終了後、溶媒を留
去し、残留物を適宜、処理すると反応生成物として、［
Ｒ）　−（−）−バントラクトンが高収率で得られる。
また、α−アセトアミドゲイ皮酸より（Ｒ）−Ｎ−アセ
チルフェニルアラニンを生成せしめる場合を例にとって
説明すると、接触還元反応を行う際の一般的溶媒、例え
ば、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール等を溶媒として用い、その中にロジウム金属錯体化
合物、例えば、ロジウム−ジノルボルナジエン−過塩素
酸塩、配位子としてのホスフィノピロリジン化合物［Ｉ
］を溶解する。
これに基質を加え、常圧で、もしくは加圧下で、好まし
くは反応温度０°Ｃ〜１００℃で水素添加反応を行う．
基質／ロジウムのモル比は２００〜ｉ，ｏｏｏ，ｏｏｏ
の範囲である．配位子／ロジウムのモル比は１〜３が好
ましい。
反応終了後、溶媒を留去し残留物を適宜、処理すると反
応生成物として、ｆＲ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニ
ンが高収率で得られる。
本発明に係る前記一般式（Ｉ）又は（Ｉｏ）で表わされ
るホスフィノピロリジン化合物は、下記の「スキームｌ
」、「スキーム２」あるいは「スキーム３」に示されて
いる工程により製造することができる。
スキームｌ ■ し−ヒドロキシグロリン スキーム２ スキーム３（つつき） ｏｃ （ＸＩＩ［） （ＸＶ） （Ｉｇ） ｏｃ （ＸｒＶ） ■ （Ｉｂ） 各スキーム中の式において、 Ｂｏｃは、−ＣＯＯＣ［ＣＨａ）　２を示し、「スキー
ム１」について説明すると、Ｌ２−ヒドロキシプロリン
を文献記載の方法に準拠して４工程でシトシル体（Ｖｌ
）としく特公昭６２−４５２３８参照）、これをジフェ
ニルホスフィノリチウムと反応させ化合物（■）あるい
は（■Ｃ）を得る。これを単Ｍ精製後、例えばビス（４
−ジメチルアミノフェニル）ホスフィンリチウムと反応
させると化合物（Ｉａ）が得られる。化合物（Ｉｃ）（
Ｉｈ＞も同様にして得られる。
これらの化合物をトリフルオロ＃酸で処理したｔ＆、カ
ルボン酸、スルホン酸又はホスホン酸のハロゲン化物、
無水物又はイソシアネートを作用せしめることにより一
般式（Ｉ）で表わされる各種の化合物を得ることができ
る。
一般式（■°）で表わされる化合物は、上記の工程にお
いてＬ−ヒドロキシプロリンに代えて、Ｄ−ヒドロキシ
プロリンを出発原料として用いることにより、上記の方
法に準拠して同様の方法を行い、製造することができる
。
「スキーム２」について説明すると、前記シトシル体（
Ｖｌ）を式（Ｒ）２ＰＬｉで表わされるホスフィノリチ
ウム化合物と反応させることにより、２Ｓ、　４Ｓジ置
換ホスフィノピロリジン化合物が得られる。
又、「スキーム３」について説明すると、Ｌ−ヒドロキ
シプロリンより５工程で、化合物（Ｘ）を合成し、これ
と式（Ｒ３）２　ＰＬ　ｉで表わされる化合物例えばビ
ス（４−メトキシフェニル）ホスフィノリチウムとを反
応させた後、得られた化合物を酸化し、オキシド体（Ｘ
Ｉ）とする。
このオキシド体の２位のアルコール保護基を外した後、
トシル化し化合物（Ｘｌｌｌ＞を得る。これと式（Ｒ”
　）２　Ｐｌ　ｉで表わされる化合物として例えばビス
（２−メトキシフェニル）ホスフィノリチウムとを反応
させた後、酸化し、化合物（ＸＩＶ）を得る。この化合
物のＢｏｃ基を除いた後、還元し、化合物（Ｉｂ＞を得
る。化合物（Ｉｂ＞に、アシル基、カルバモイル基ある
いはボスフィニル基を導入することにより容易に各種の
式（Ｉ）で表わされる化合物を得ることができるが、そ
の化合物のＮ位に例えばＢｏｃ基を導入すれば式（Ｉｇ
）で表わされる化合物が得られる。
以下に、本発明に係る新規なホスフィノピロリジン化合
物の製造例を実施例として、また、その化合物を用いる
不斉合成法の実施例を合成例として掲げ、本発明をさら
に説明するものであるがこれらの例は本発明を限定する
ものではない。
最初に実施例で使用するホスフィン化合物の製造例を示
す。
製造例１ アルゴン雰囲気下、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＥと
略す＞（５−）中へマグネシウム（４，２５ｇ）を入れ
、４−ブロム−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン（２５，０ｇ
）のＴＨＥ　　（１５０ｍＮ　）溶液を滴下する。還流
煮沸３０分行った後、水冷下、ジクロロフェニルホスフ
ィン（１０゜７４ｇ）の■１１Ｆ＜５０ｍり溶液を滴下
する。室温で一夜撹拌する。
飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、減圧ａ縮、ベ
ンゼンにて抽出する。ベンゼン層を飽和食塩水で洗浄、
減圧濃縮乾固し、アルゴン雰囲気下、エタノールで再結
晶し、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）フェニルホ
スフィン３１ｇを得た。触点８５゛に れの６．９７　ｇにジイソプロピルアミン（２，，９５
ｇ　）　、ＴＨＦ［４０ａｅ）を加えアルゴン雰囲気と
した後、リチウム（３８９■）を加える。室温で６時間
撹拌後、水冷し脱気した飽和食塩水を加え、ベンゼンに
て抽出する。ベンゼン層を硫酸マグネシウムにて乾燥、
減圧濃縮、減圧蒸留し、ｂｐ１８０−１９０℃／　３　
ｔｏｒｒで目的物のビス（４−ジメチルアミノフェニル
）ホスフィンの留分１．Ｏｇを得た。ｌ１ｐ８０〜９０
℃（ｓｅａｌｅｄ　ｔｕｂｅ　）製造例２ アルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（５αに）中へマグネシウム
（３，５７ｇ）を入れ、０−プロモアニソール（２５，
０ｇ）のＴＨＥ（８０ｄ　）溶液を滴下する。
２時間撹拌後、水冷下、三塩化リン（３，０４ｇ＞のＴ
ＨＦ　　（７０ｇｍｔ　）溶液を滴下する。室温で一夜
撹拌する。水冷下、５％塩酸（２５ｄ）を滴下する。
結晶をｒ取し、エタノールで再結晶し、トリス（２−メ
トキシフェニル）ホスフィン１２．３９　ｇを得た６Ｍ
点２０３−２０４℃ 別の容器にアルゴン雰囲気下、脱ガスしたジオキサン（
１０ｍｆｆｉ）にカリウム（９４５＋ａｒ）とナトリウ
ム（２２８■）を加え加熱する。水冷後、トリス（２−
メトキシフェニル）ホスフィン（４，ＯＯｇ　）　トリ
ｙ’ｒ　’ｒ　ｔ　ン（４（Ｊａｅ　）　ヲ加え室温で
３時間撹拌する。水冷後ｔｅｒｔ−ブタノール（１０ｍ
ｅ　）とメタノールを加える。′＄４圧：ａ縮後、ベン
ゼンを加え、脱気した飽和食塩水で洗浄する。
ベンゼン層を硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧濃縮、乾
固し、白色固体のビス（２−メトキシフェニル）ホスフ
ィン２．４０ｇを得た。
製造例３ 参考例２において、０−ブロモアニソールに替えてｍ−
ブロモアニソール（２５，０ｇ）を用い、製造例２に記
載した方法に準拠して、反応、後処理を行い、白色の固
体のビス（３−メトキシフェニル）ホスフィン１１．７
６　ｇを得た。融点１１３〜１１５℃ 製造例４ アルゴン雰囲気下、ＴＨＥ（５ｍｅ）中へマグネシウム
（２゜６７ｇ）を入れ、２．４−ジメトキシフェニルプ
ロミド（２１，７ｇ）のＴＨＦ　　（５０ｍｅ　）溶液
を滴下する。１時間撹拌後、水冷下、ジエチルホス７７
　イト（４，５６ｇ　＞　）ＴＨＥ（２０ｍｌ！　）　
溶液全滴下する。室温で一夜撹拌する。水冷下、５％塩
酸（２５ｄ）を滴下し、ベンゼンにて抽出する。
ベンゼン層を脱気した飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムにて乾燥、減圧濃縮、乾固後、ベンゼンにて再結
晶し、ビス（２，４−ジメトキシフェニル）ホスフィン
オキシト９．０６　ｇを得た。
これの３．２２ｇをアルゴン雰囲気下、脱ガスしたトル
エン（３６ｄ）に溶解する。水冷後、トリクロロシラン
（５，０ｄ）を加え還流煮沸、５時間撹拌する。水冷後
、２Ｎ−苛性ソーダ（１６１１１りを加える。トルエン
層を分離し、水層はトルエンにて抽出する。トルエン層
を合併し、硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧濃縮、減圧
蒸留し、ｂｐ２４０〜２５０’Ｃ／　３　Ｔｏｒｒ　（
ｂｕｌｂ−ｔｏ−ｂｕｌｂ）　（１）留分のビス（２，
４−ジメトキシフェニル）ホスフィン１．５３ｇを得た
。
製造例５ 水（２５０ｎｆりに苛性ソーダ（１２，６ｇ　）を溶解
し１５℃に冷却した。塩化メチレン（２５０ｓＯ１２，
６−シメチルー４−ブロモフェノール（４０，２１ｇ）
、臭化テトラブチルアンモニウム（３，２２ｇ）及びジ
メチル硫酸（６４，３５ｇ）を加え室温で５．５時間撹
拌した。苛性ソーダ（８，０ｇ）を追加しさらに１時間
撹拌した０分液し水層を塩化メチレンにて抽出した。塩
化メチレン層を合併し濃縮した。これをイソプロピルエ
ーテルに溶解し、２Ｎ−アンモニア水、２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液、飽和食塩水にて順次洗浄した０分液し水層を
イソプロピルエーテルにて抽出した。有機層を合併し、
無水硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧濃縮、減圧蒸留し
２，６−シメチルー４−ブロモアニソール（４０，１５
ｇ　＞を得た。ｂｐ１２９〜１３０°Ｃ／４２ＴＯｒｒ
。
別の容器にアルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（５−）中へマグ
ネシウム（４，６８ｇ）を入れ、２．６−シメチルー４
−ブロモアニソール（３７，６４ｇ＞のＴＨＥ　（１１
０ｍｅ）溶液を滴下した。３時間撹拌後、水冷下、ジエ
チルホスファイト（８，０６ｇ）のＴＨＥ（２０ｆｆｌ
ｅ＞溶液を滴下した。
室温で一夜撹拌後、還流煮沸４時間した。水冷下、５％
塩酸（４０ｍ！りを滴下し、ベンゼンにて抽出した。
ベンゼン層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムに
て乾燥、減圧濃縮した。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、
ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホス
フィンオキシト１３．６８　ｇを得た。
これの３．４０　ｇをアルゴン雰囲気下、脱ガスしたト
ルエン（４０αｅ）に溶解した。水冷後、トリクロロシ
ラン（５，０ｍｌりを加え還流煮沸、５時間撹拌する。
水冷後、２Ｎ−苛性ソーダ（１００、ｅ　＞を加える。
トルエン層を分離し、水層はトルエンにて抽出する。ト
ルエン層を合併し、脱気飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムにて乾燥、減圧濃縮、減圧蒸留し、ｂｐ２００
〜２１０℃／　２　Ｔｏｒｒｆｂｕｌｂ−ｔｏ−ｂｕｌ
ｂ）ノ留分のと、ｌ、（３，５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル）ホスフィン１．７０ｇを得た。
実施例１ アルゴン雰囲気下、ジフェニルホスフィン（２，１３ｇ
）をＴＨＦ（４０ｓｅ）に溶解し、−４０℃に冷却する
。１．６ｔ４−ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（７
，５＠ｅ）を加え、１５分間撹拌し、ホスフィンアニオ
ン溶液を得た。
（２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル−４−トシルオキシ−２−トシルオキシメチルピロリ
ジン（Ｖｌ　）　（４，０ｇ　＞をＴＨＦ（６０ｍｇ）
とＤＨＦ（１０−妃）に溶解し一４０℃に冷却する。こ
こへ前記のホスフィンアニオン溶液を滴下する。
−４０℃で一夜撹拌する。セライト（濾過助材）を加え
一過する。Ｐ液を濃縮後、冷飽和重曹水を加えベンゼン
にて抽出する。
ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮する
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ（トルエン
／酢酸エチル）にて精製し、（２３，４Ｒ）　−Ｎ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ジフェニルホスフィ
ノメチル−４−トシルオキシピロリジン（■）３．０ｇ
を得た。
アルゴン雰囲気下、ビス（４−ジメチルアミノフェニル
）ホスフィン（１，２ｇ　）をＴＨＦ（１０ｎｅ）に溶
解し一３０℃に冷却する。１．６８−ｎ−ブチルリチウ
ム−ヘキサン溶液（２，４−）を加え、３０分間撹拌す
る。化合物（■）１．０ｇをＴＨＥ（２０１１１りに溶
解し、−３０℃で滴下する。−夜撹拌後、セライト（濾
過助材）を加え一過する。Ｐ液を濃縮後、冷飽和重曹水
を加えベンゼンにて抽出する。ベンゼン層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、濃縮する。これをアルミナカラム
クロマトグラフィ（トルエン−トルエン／酢酸エチル）
にて精製し、（２３，４Ｓ）　−Ｎ−１ｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル−４−ビス（４−ジメチルアミノフェニル
）ホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリ
ジン（式１ａ参照）をアモルファスな固体として８１１
■を得た。
［α］、−４０．６６°（ｃ　Ｏ，７，ベンゼン）実施
例２ アルゴン雰囲気下、ビス（４−ジメチルアミノフェニル
）ホスフィン（１，Ｏｇ）ヲ■ＨＦ（１０，１ｇ）に溶
解し、−４０℃に冷却する。１．６８−ｎ−ブチルリチ
ウム−ヘキサン溶液（２，５＠ｅ）を加え、１５分間撹
拌して、ホスフィンアニオン溶液を得た。
別の容器に（２３，４Ｒ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル−４−トシルオキシ−２−トシルオキシメチ
ルピロリジン（Ｖｌ　）　（４，０ｇ　＞をＴＨＦ（２
０−）に溶解し一４０℃に冷却する。ここへ前記のホス
フィンアニオン溶液を滴下する。−４０℃で一夜撹拌す
る。セライト（濾過助材）を加え一過する。Ｐ液を濃縮
後、冷飽和重曹水を加えベンゼンにて抽出する。
ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮する
。これをアルミナカラムクロマトグラフィ（トルエン−
トルエン／酢酸エチル）にて精製し、（２Ｓ、４Ｒ）　
−Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ビス（４
−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノメチル−４−ト
シルオキシピロリジン（■Ｂ　）　１．１２ｇをアモル
ファスな固体として得た。
［α］　ｏ−８５，０°（ｃ　Ｏ，７，ベンゼン）別の
容器に、アルゴン雰囲気下、ジフェニルホスフィン（１
，２５ｇ　＞　ヲＴＨＥ（２０ｎｅ）　ニ’ｆＪ解１．
、−３０℃に冷却する。１．６８−ｎ−ブチルリチウム
−ヘキサン溶液（４，ｅｒａｉりを加え、１５分間撹拌
する。これに化合物（■Ｂ）３．５ｇをＴＨＥ（４０ｎ
ｅ）に溶解し、−３０℃で滴下する。−夜撹拌後、セラ
イト（濾過助材）を加えＰ遇する。Ｐ液を濃縮後、冷飽
和重曹水を加えベンゼンにて抽出する。
ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、Ｊ縮する
。これをアルミナカラムクロマトグラフィ（トルエン−
トルエン／酢酸エチル）にて精製し、（２Ｓ、４３）　
−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトギシ力ルボニルー２−ビス（４−
ジメチルアミノフェニル）ホスフィノメチル−４−ジフ
ェニルホスフィノピロリジン（Ｉｃ）をアモルファスな
固体として２．９３ｇを得た。
［α］　、−４０，６（３°（ｃ　Ｏ，７，ベンゼン）
実施例３ アルゴン雰囲気下、ビス（２−メトキシフェニル）ホス
フィンｆ２．３８　ｇ　）をＴＨＥ（３０ｄ）に溶解し
、−３０’Ｃに冷却する。　１．６８−　ｎ−ブチルリ
チウム−ヘキサン溶ｉ　［６，６−）を加え、３０分間
撹拌する。　（２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル−４−トシルオキシ−２−トシルオキシ、
メチルピロリジン（Ｖｌ　）　１．２７ｇをＴＨＥ（３
０−）に溶解し滴下する。−３０”Ｃで一夜撹拌する。
セライト（濾過助材）を加え濾過する。Ｐ液を？ａ縮後
、冷飽和重曹水を加えベンゼンにて抽出する。
ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮する
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ（トルエン
−トルエン／酢酸エチル）にて精製し、（２Ｓ、４Ｓ）
　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−ビス（２
−メトキシフェニル）ホスフィノ−２−ビス（２−メト
キシフェニル）ホスフィノメチルピロリジン（式Ｉｄ参
照）をアモルファスな固体として７．１１ｇを得た。
［α］　ｏ−８５，５”　　（Ｃ１，Ｑ２．ベンゼン）
実施例４ 実施例３において、ビス（２−メトキシフェニル）ホス
フィンに代えて、ビス（３−メトキシフェニル）ホスフ
ィン（３９２＃）を用い、実施例３に記載した方法に準
拠して、反応、後処理、精製を行い（２３，４３）　−
Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−ビス（３−
メトキシフェニル）ホスフィノ−２−ビス（３−メトキ
シフェニル）ホスフィノメチルピロリジン（Ｉｅ）をア
モルファスな固体として１３７■を得な。
［α］　Ｄ−４０，６°　（ＣＩ。０２．ベンゼン）実
施例５ 実Ｉ＠四３において、ビス（２−メトキシフェニル）ホ
スフィンに代えて、ビス（２，４−ジス１〜キシフエニ
ル）ホスフィン（６１２１１ｇ）を用い、実施例３に記
載した方法に準拠して、反応、後処理、精製を行い（２
Ｓ、　４Ｓ・）−Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
−４−ビス（２，４−ジメトキシフェニル）ホスフィノ
−２−ビス（２，４−ジメトキシフェニル）ホスフィノ
メチルピロリジン（式１ｆｅ＠）をアモルファスな固体
として２０６■を得た。
［α］Ｄ　　９０．５°　（ｃ　Ｏ，７６、ベンゼン）
元素分析値：　Ｃ＝　６３．５５．　Ｈ＝６．７３．　
Ｎ　＝　１．７５％（計算値：　Ｃ＝（３３，８２，Ｈ
＝６．６８．　Ｎ＝１．６１％）実施例６ （２３，４Ｒ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−−ブトキシカルボニ
ル−４−ヒドロキシ−２−しドロキシメチルピロリジン
（■）２１．７ｇをＴＩＩＦ　　（４００ｒｓｅ　）　
（Ｃ溶解し、トリエチルアミン（１６，８ｍｅ）　、ｔ
ｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン１６．６ｇ　）　
、４−ジメチルアミノピリジン０．５ｇを加え室温で一
夜撹拌する。
減圧源ａ後、残留物に水（１００−）を加え酢酸エチル
で抽出する。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄、無水硫
酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮乾固する。これをピリ
ジン（２５０ａｆ）に溶解し、−２０℃に冷却する。ｐ
−トルエンスルホニルクロリド（２２，９ｇ）を加え一
夜撹拌する。
１０％塩酸（１０１００Ｏ！　）を加え、酢酸エチルで
抽出する。酢酸エチル層を、水、飽和重曹水、飽和食塩
水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃
縮する。シリカゲルカラムクロマトグラフィ精製し、（
２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ−ｔａｒｔ−ブトキシカルボニル−
２−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシメチル−４
−トシルオキシピロリジン（Ｘ　）　３６．９ｇを得た
。
別の容器にアルゴン雰囲気下、ビス（４−メトキシフェ
ニル）ホスフィン（４，３０ｇ）をＴＨＦ（Ｂｏｒｎｅ
　）　４ｍ溶解し、−４０℃に冷却すル、　１．６８−
ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１５−）を加え、
１５分間撹拌し、ホスフィンアニオン溶液を得た。
また、別の容器に（２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ　−ｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニル−２−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシメチル−４−トシルオキシピロリジン（Ｘ）
８．７ｇをＴＨＥ　　（２００−）に溶解し一２０゛Ｃ
に冷却する。ここへ前記のホスフィンアニオン溶液を滴
下する。
２０゛Ｃで２時間撹拌する。セライト（濾過助材）を加
えｌ遇する。？液を′ａａ後、冷飽和重曹水を加えベン
ゼンにて抽出する。
ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、Ｊａする
。これをメタノール（２００−）に溶解し、水冷下、１
０％過酸化水素水（１２ｇ）を滴下する。
Ｏ″Ｃで１時間、次いで室温で１時間撹拌する。
溶媒を留去後、水を加え、塩化メチレンにて抽出し、塩
化メチレン層を、水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗
浄し、熱水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧′ａ縮する。
シリカゲルカラムクロマトグラフィ精製し、（２Ｓ、４
Ｓ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシメチル−４−ビス（
４−メトキシフェニル）ホスフィニルピロリジン（ＬＩ
　）、１０．４４　ｇをアモルファスな固体として得た
。
［α］　ロー５８．６°　（ｃ　Ｏ，７４，エタノール
）別の容器に、化合物（ＩＩ）　、　９．６９ｇをＴＨ
Ｅ（３００１１ｅ）に溶解し、テトラブチルアンモニウ
ムフロライド（１５ｇ）を加え室温で３時間撹拌する。
溶媒を留去後、水を加え、塩化メチレンにて抽出し、塩
化メチレン層を、水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗
浄し、熱水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、（２
３，４３）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２
−ヒドロキシメチル−４−ビス（４−メトキシフェニル
）ホスフィニルピロリジン（Ｉｌ）　、６．７７ｇ　）
を油状物として得た。
［α］　Ｄ−１９，４°　（ｃ　Ｏ，６４，エタノール
）ＩＲ；１６８０（Ｃｏ）　　３３４０Ｃ１ｌ−’（Ｏ
Ｈ）化合物（Ｉり　、５．５５ｇをピリジン（１２０ｏ
＋ｆりに溶解し、−２０°Ｃに冷却する。ｐ−トルエン
スルホニルクロリド（２，８５ｇ＞を加え一夜撹拌する
。
１０％塩酸（５００ｎｅ）を加え、酢酸エチルで抽出す
る。酢酸エチル層を、水、飽和重曹水、飽和食塩水で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧ａ縮する
。シリカゲルカラムクロマトグラフィ精製し、（２Ｓ、
４Ｓ）　−Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−
ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィニル−２−トシ
ルオキシメチルピロリジン（ＸＩＩ［＞　、５．０２ｇ
をアモルファスな固体として得た。　ＮＨＲδ（ＣＤ（
ｊ！ｉ　）：　１．３５（９Ｈ，ｓ）２．４（３Ｈ，ｓ
）、　３．７５ｆ６Ｈ，ｓ）別の容器にアルゴン雰囲気
下、ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２，４
６ｇ）をＴＨＥ（５０ｍｅ）に溶解し、−４０″Ｃに冷
却する。　１．６Ｈ−ｎ−ブチルリチウム−へＮサン溶
液（７，５ｍｅ）を加え、１５分間撹拌し、ホスフィン
アニオン溶液を得た。
別の容器に、化合物（ＸＤＩ）、１．５４ｇをＴＨＥ（
１００ｎｅ　）　）ニー　ＤＨＦ（４０ｍｅ　）　ニ溶
解し、・−２０℃に冷却する。ここへ前記のホスフィン
アニオン溶液を滴下する。−２０℃で４時間撹拌する。
セライト（濾過助材）を加え濾過する。Ｐ液をａ縮後、
冷飽和重曹水を加え酢酸エチルにて抽出する。
酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮す
る。これをメタノール（１００ｎｅ）に溶解し、水冷下
、１０％過酸化水素水（５，０ｇ）を滴下する。０°Ｃ
で１時間、次いで室温で１時間撹拌する。溶媒を留去後
、水を加え、塩化メチレンにて抽出し、塩化メチレン層
を、水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥、減圧ａ縮する。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィにて精製し７、（２３，４Ｓ）　−
Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ビス（２−
メトキシフェニル）ホスフィニルメチル−４−ビス（４
−メトキシフェニル）ホスフィニルピロリジン（ＩＩＶ
）　、１．４９ｇをアモルファスな固体として得る。
別の容器にトリフルオロ酢酸（２０ｍｅ）を水冷し、化
合物（Ｉｆｆ）　、１．４１ｇを加え０℃で２時間撹拌
する。
水を加え、塩化メチレンにて抽出し、塩化メチレン層を
、水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥、減圧濃縮する。　（２Ｓ、４３）
　−２−ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィニルメ
チル−４−ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィニル
ピロリジン（ＩＴ）　、１２２ｇを油状物として得る。
ＩＲ：　３２５０ａａ−’　（ＮＨ） 化合物（ＩＴ）　、　２４２１１Ｉｒとトリエチルアミ
ン（１７０■）をアセトニトリル（１６ｍ４りに溶かし
、充分に窒素置換を行う、水冷下５、アセトニトリル４
−に溶かしたトリクロロシラン（２１６１１Ｉｒ）を滴
下する。
３時間還流後、反応液を室温に戻し、減圧濃縮する。残
留物をベンゼン（３０−）に溶かし、水冷下３０％背性
ソーダ水溶液（２０Ｊ）を加え窒素雰囲気下に５０〜６
０℃で３０分撹拌する。ベンゼン層を分液し、さらに水
層をベンゼンで抽出する。ベンゼン層を併せて水洗し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧：ａｍし、（２Ｓ、
４３）　−２ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィノ
メチル−４−ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィノ
ピロリジン（ｌ　ｂ　）　１６３　Ｍを得る。これを塩
化メチレン（２，８ｒｓｇ、）に溶解し、トリエチルア
ミン（３１■）を加える。
窒素雰囲気とし、ジターシャリブチルカーボネート（６
８■）を塩化メチレン（５−）に溶かした液を滴下し、
室温で３時間撹拌する。
反応液をＪＢし、シリカゲルカラムクロマトグラフィ精
製しアモルファスな固体の（２３，４Ｓ）−Ｎ　−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ビス（２−メトキシフ
ェニル）ホスフィノメチル−４−ビス（４−メトキシフ
ェニル）ホスフィノピロリジン（Ｉｇ、１４３■）を得
る。
［α］　、　−４９，８°　（ｃ　Ｏ，７４，ベンゼン
）ＩＲ：　１７００ｃｓａ−’（Ｃｏ） 元素分析値：　Ｃ＝　６７．７５．　Ｈ＝６．７３．　
Ｎ　＝　２．０８％（計算値：　Ｃ＝６７．９８．Ｈ＝
６．７５．　Ｎ＝１．９０％）実施例７ アルゴン雰囲気下、ジフェニルホスフィン（０，６４ｇ
）をＴＨＦ（４０ｍｆり　（Ｃ溶解し、−４０℃に冷却
した。１．６８−　ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液
（２，６ｍｅ）を加え、１５分間撹拌し、ホスフィンア
ニオン溶液を得な。
別の容器に（２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル−４−トシルオキシ−２−トシルオキシメチ
ルピロリジン（１，５０ｇ　）をＴＨＥ（１０１Ｉ！　
＞　ニ溶解し一５０℃に冷却した。ここへ前記のホスフ
ィンアニオン溶液を滴下し−５０−−２０℃で５時間撹
拌し、反応液（Ａ）を得な。
別の容器にアルゴン雰囲気下、ビス（３，５＝ジメチル
−４−メトキシフェニル）ホスフィン（１，７ｇ　＞を
ＴＨＥ（３０ｍｇ＞に溶解し一３５℃に冷却した。１．
６８−ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（４，２−）
を加え、３０分間撹拌した。得られたビス（３，５−ジ
メチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノリチウムの
ＴＨＥ溶液を上記反応液（Ａ）に−３５℃で滴下した。
これを５時間撹拌し、−１０℃まで昇温しな、セライト
（濾過助材）を加え一過した。Ｐ液を濃縮後、冷飽和重
曹水を加え酢酸エチルにて抽出した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮しな、こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ベンゼン−ベ
ンゼン／酢酸エチル）にて精製しく２Ｓ、４Ｓ）　−Ｎ
　−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−ビス（３５−
ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ−２−ジ
フェニルホスフィノメチルピロリジン（Ｉａ）をアモル
ファスな固体としてｉ、ｏｏｇを得た。
［α］　ｏ−２５，９’″（ｃ　Ｑ、５．ベンゼン）実
施例８ アルゴン雰囲気下、ビス（３，５−ジメチル−４−メト
キシフェニル）ホスフィン（１，５８ｇ）をＴＨＦ（３
０ｍｇ）に溶解し、−４０℃に冷却した。
１．６８−ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液Ｃ３，９
＠ｅ　）を加え、１５分間撹拌し、ホスフィンアニオン
溶液を得た。
別の容器に（２Ｓ、４Ｒ）　−Ｎ　−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル−４−トシルオキシ−２−トシルオキシメ
チルピロリジン（０，６９ｇ）をＴＨＥ（１０Ｉｌ！り
に溶解し一４０°Ｃに冷却した。ここへ前記のホスフィ
ンアニオン溶液を滴下した。−４０℃で−夜撹拌した。
セライト（濾過助材）を加え濾過した。
ｒ液を濃縮後、冷飽和重曹水を加え酢酸エチルにて抽出
した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィ（ベンゼン−ベ
ンゼン／酢酸エチル）にて精製し、（２３，４３）　−
Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−２−ビス（３，５
−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノメチル
−４−ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル
）ホスフィノピロリジン（Ｉ　ｉ　）　７２７■をアモ
ルファスな固体として得た。
［α］　Ｄ−２８，２°（ｃ　１．０．ベンゼン）以下
に不斉合成法の合成例を掲げる。
合成例　１〜５ ０ジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体０
．００２５ミリモル、表１において不斉配位子として表
わした化合物０．００６５ミリモルおよびトリエチルア
ミン０．２５ミリモルをエタノール２０献に溶解し、こ
れにα−アセトアミドケイ皮酸５ミリモルを加え、２０
気圧の水素圧とし、５０℃で２０時間撹拌する０反応液
を減圧濃縮後、０．５Ｎ−苛性ソーダ水溶液に溶解し、
不溶物を枦去し、Ｐ液を希塩酸で酸性とし、エーテルで
抽出する。
有機層を水洗、乾燥後溶媒を留去して、光学活性な（Ｒ
）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンを得た。結果を表１
に示す。
不斉配位子 ＰＰＭ ｄ ｅ ｆ ｇ 表　　　１ 原料／Ｒｈ　　変換率 １０００　　１００％ 不斉収率 ７８　％ｅｅ 合成例　６〜８ ０ジウム−１，５−シクロオクタジエンークロル錯体０
．００２５ミリモルおよび表２において不斉配位子とし
て表示した化合物０．００６５ミリモルをＴＨＦ　１０
−に溶解し、これにケトバントラクトン５ミリモルを加
え、５０気圧の水素圧とし、還元を行う、５０℃で４５
時間撹拌する０反応液を減圧濃縮後、減圧蒸留して、光
学活性な（Ｒ）−（−）−バントラクトンを得た。結果
を表２に示す。
表　　　２ 不斉配位子　原料／Ｒｈ　　変換率゛不斉収率ＢＰＰＨ
１０００４４％　７２　ＸｅｅＩａ　　　　　１０００
　　１００　　　８９Ｉｃ　　　　　１０００　　７８
　　　６９合成例　９ ０ジウムージノルボルナジエンー過塩素酸塩ｏ、ｏｏｓ
ミリモル、（２３，４Ｓ）　−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル−２−ビス（３，５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル）ホスフィノメチル−４−ビス（３，５−ジ
メチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノピロリジン
（Ｉ　ｉ　）　０．００６５ミリモルおよびトリエチル
アミン０．２５ミリモルをエタン−ル２０１ｅに溶解し
、これに、α−アセトアミドゲイ皮酸５ミリモルを加え
、２０気圧の水素圧とし、５０℃で２０時間撹拌する６
反応液を減圧濃縮後、０．５Ｎ−苛性ソーダ水溶液に溶
解し、不溶物を沢去し、炉液を希塩酸で酸性とし、エー
テルで抽出する。有機層を水洗、乾燥後溶媒を留去して
、光学活性な！Ｒ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンを
得た６ 変換率１００％、不斉収率９８％ 合成例　１０ 合成例９において、α−アセトアミドゲイ皮酸の代わり
に、α−ア七トドアミド−β−３，４−メチレンジオキ
シフェニル）−アクリル酸を用いた以外は合成例９と同
様にして、（Ｒ）−Ｎ−アセチルーβ−（３，４−メチ
レンジオキシフェニル）−アラニンを得た。
変換率１００％、不斉収率９２％ 合成例　１１ 合成例９において、α−アセトアミドゲイ皮酸の代わり
にα−アセトアミドアクリル酸を用いた以外は合成例９
と同様にして、（Ｒ）−Ｎアセチルアラニンを得た。
変換率１００％、不斉収率９５％ 合成例　１２ 合成例９において、α−アセトアミドケイ皮酸の代わり
にα−アセトアミド−β、β−ジメチルアクリル酸を用
いた以外は合成ｐＡ９と同様にして、（Ｒ）−Ｎ−アセ
チルロイシンを得た。
変換率１００％、不斉収率９５？Ｃ 特許出願人　　富士薬品工業株式会社 特許出願人　　阿　知　波　　−雄

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ′） （式中、Ｒ＾１は、水素原子、−ＣＯＡ＾１、−ＣＯＯ
    Ａ＾２、−ＣＯＮＨＡ＾３、−ＳＯ＿２Ａ＾４又は−Ｐ
    Ｏ（Ａ＾５）＿２であり、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３、Ａ
    ＾４およびＡ＾５は、それぞれアルキル基又はアリール
    基を表わし、Ｒ＾２は、フェニル基、ジ（低級アルキル
    ）アミノフェニル基、低級アルコキシフェニル基又は、
    ３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基であり、Ｒ
    ＾３は、フェニル基、低級アルキルフェニル基、ジ（低
    級アルキル）アミノフェニル基、低級アルコキシフェニ
    ル基又は、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基
    を表す。但し、Ｒ＾２とＲ＾３が共に、フェニル基、パ
    ラ−ジ（低級アルキル）アミノフェニル基又はパラ−低
    級アルコキシフェニル基である場合を除く）で表わされ
    るホスフィノピロリジン化合物。 ２、前記一般式（ I ）、（ I ′）において、Ｒ＾２が
    フェニル基であり、Ｒ＾３がジ（低級アルキル）アミノ
    フェニル基又は低級アルコキシフェニル基である請求項
    １に記載のホスフィノピロリジン化合物。 ３、前記一般式（ I ）、（ I ′）において、Ｒ＾２と
    Ｒ＾３がそれぞれ異なる、ジ（低級アルキル）アミノフ
    ェニル基又は（および）低級アルコキシフェニル基であ
    る請求項１に記載のホスフイノピロリジン化合物。 ４、前記一般式（ I ）、（ I ′）において、Ｒ＾２と
    Ｒ＾３が同一のジ（低級アルキル）アミノフェニル基又
    は低級アルコキシフェニル基である （但し、Ｒ＾２とＲ＾３が共に、パラ−ジ（低級アルキ
    ル）アミノフェニル基又はパラ−低級アルコキシフェニ
    ル基である場合を除く）請求項１に記載のホスフィノピ
    ロリジン化合物。 ５、炭素−炭素二重結合構造、炭素−窒素二重結合構造
    、および（又は）炭素−酸素二重結合構造を接触水素還
    元することにより不斉炭素原子を有する化合物を生成せ
    しめる反応を行うにあたり、触媒として使用する金属錯
    体化合物における配位子として、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ′） （式中、Ｒ＾１は、水素原子、−ＣＯＡ＾１、−ＣＯＯ
    Ａ＾２、−ＣＯＮＨＡ＾３、−ＳＯ＿２Ａ＾４又は−Ｐ
    Ｏ（Ａ＾５）＿２であり、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３、Ａ
    ＾４およびＡ＾５は、それぞれアルキル基又はアリール
    基を表わし、Ｒ＾２は、フェニル基、ジ（低級アルキル
    ）アミノフェニル基、低級アルコキシフェニル基又は、
    ３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基であり、Ｒ
    ＾３は、フェニル基、低級アルキルフェニル基、ジ（低
    級アルキル）アミノフェニル基、低級アルコキシフェニ
    ル基又は、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基
    を表す。但し、Ｒ＾２とＲ＾３が共に、フェニル基、パ
    ラ−ジ（低級アルキル）アミノフェニル基又はパラ−低
    級アルコキシフェニル基である場合を除く）で表わされ
    るホスフィノピロリジン化合物を用いることを特徴とす
    る接触還元による不斉合成法。
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