JPH022107A - シンクロトロン放射光露光装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光露光装置Info
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- JPH022107A JPH022107A JP63145914A JP14591488A JPH022107A JP H022107 A JPH022107 A JP H022107A JP 63145914 A JP63145914 A JP 63145914A JP 14591488 A JP14591488 A JP 14591488A JP H022107 A JPH022107 A JP H022107A
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- Japan
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- synchrotron radiation
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- radiation
- synchrotron
- rays
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 title abstract 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、シンクロトロン放射光源から放射されるシン
クロトロン放射光を利用したシンクロトロン放射光露光
装置に関する。
クロトロン放射光を利用したシンクロトロン放射光露光
装置に関する。
［従来の技術１
近年、シンクロトロン放射光を利用した露光技術の研究
開発か急ｊ虫に広かってさている。第２図は、従来のシ
ンクロトロン放射光露光装置の構成図であり、同様の構
成図は、例えば１９８４年に発行された「ネ＾密機械」
第５０巻、１１号、５１〜５６真に示されている。同図
において、シンクロトロン放射光源であるストレイシリ
ング１から放ｔＡされるシンクロトロン放射光２は、ビ
ームライン３を通して露光装置４に導かれる。ストレイ
シリング１のすぐ外側には放射光遮蔽壁５が設けられて
いる。
開発か急ｊ虫に広かってさている。第２図は、従来のシ
ンクロトロン放射光露光装置の構成図であり、同様の構
成図は、例えば１９８４年に発行された「ネ＾密機械」
第５０巻、１１号、５１〜５６真に示されている。同図
において、シンクロトロン放射光源であるストレイシリ
ング１から放ｔＡされるシンクロトロン放射光２は、ビ
ームライン３を通して露光装置４に導かれる。ストレイ
シリング１のすぐ外側には放射光遮蔽壁５が設けられて
いる。
［発明が解決しようとする課題１
上記従来の構成においＣ１放割光改蔽壁５は、ストレイ
シリング１内を蓄積°電子流か安定に周回している場合
であっても、ストレイシリング１の外側にＸ線、γ線等
の漏洩かあり、人体にとって危険て゛あるため、これら
か漏洩するのを防ぐために設けられており、通常、数メ
ートル厚以内のコンクリート壁か用いられる。
シリング１内を蓄積°電子流か安定に周回している場合
であっても、ストレイシリング１の外側にＸ線、γ線等
の漏洩かあり、人体にとって危険て゛あるため、これら
か漏洩するのを防ぐために設けられており、通常、数メ
ートル厚以内のコンクリート壁か用いられる。
しかしながら、特に、ストレイシリングに高エネルギー
の電子流を蓄積するとぎには、ストレイシリングの外に
漏洩覆るＸ線、γ線等は放射光遮蔽壁があっても、壁を
通して漏れてくる可能性かあり、人体にとって危険であ
る。このような電子流蓄積の場合は、第２図の構成全体
を含む施設外に退避することが多い。また、突然電子流
がダウン（止まる）したとぎは、遮蔽壁を通して、壁の
近傍では、Ｘ線、γ線が漏れる可能性も高い。このよう
にビームラインの近傍はＸ線、γ線漏洩の可能性があり
、危険である。
の電子流を蓄積するとぎには、ストレイシリングの外に
漏洩覆るＸ線、γ線等は放射光遮蔽壁があっても、壁を
通して漏れてくる可能性かあり、人体にとって危険であ
る。このような電子流蓄積の場合は、第２図の構成全体
を含む施設外に退避することが多い。また、突然電子流
がダウン（止まる）したとぎは、遮蔽壁を通して、壁の
近傍では、Ｘ線、γ線が漏れる可能性も高い。このよう
にビームラインの近傍はＸ線、γ線漏洩の可能性があり
、危険である。
シンクロトロン放射光露光装置をＶＬＳＩ等の生産のた
めに用いようとする場合、第２図に示したような従来の
構成の装置では上記の事項からはなはだ不都合であるこ
とか理解される。即ら、露光装置の場所においては作業
者か１００％安全な状態で常に作業できる環境でな（プ
ればならない。そのためには、２４時間態勢で敢剣線の
被爆を全く受ける心配なく動ける環境でないと、生産の
効率化は達成できず、大量生産によるコスト低減のメリ
ットを１することはできない。
めに用いようとする場合、第２図に示したような従来の
構成の装置では上記の事項からはなはだ不都合であるこ
とか理解される。即ら、露光装置の場所においては作業
者か１００％安全な状態で常に作業できる環境でな（プ
ればならない。そのためには、２４時間態勢で敢剣線の
被爆を全く受ける心配なく動ける環境でないと、生産の
効率化は達成できず、大量生産によるコスト低減のメリ
ットを１することはできない。
上記の点から、ストレイシリング近傍のＸ線。
γ線等を強力に受ける部分に放射光遮蔽壁を配置覆る従
来の構造は、Ｘ線等の漏洩の危険・ｅ４か大きく、作業
者にとって危険であり、４！めで不都合であることか理
解される。
来の構造は、Ｘ線等の漏洩の危険・ｅ４か大きく、作業
者にとって危険であり、４！めで不都合であることか理
解される。
本発明の目的は、このような従来の問題貞を解決して、
１′１業者に１００％の安全性を保障し、生産効率を畠
めることの可能なシンクロトロン敢ｑ−１光露光装置を
提供することｔこある。
１′１業者に１００％の安全性を保障し、生産効率を畠
めることの可能なシンクロトロン敢ｑ−１光露光装置を
提供することｔこある。
［課題を解決するための手段１
本発明は、シンクロトロン欣銅光源からの敢ＯＪ光をビ
ームラインにより露光装置に導き、露光を（ｉうシンク
ロトロン放口］光露光装置において、シンクＩＩ １−
ＩＩン敢ｑ４光源、ビームラインおよび露光装置の１
へてを内包する敢ｑｌ光遮蔽壁と、該放射光遮蔽壁の外
側から露光装置ｌ＼マスクおよびウェハを供給］Ｊる供
給機構とを備えてなることを特徴とするシンクロトロン
放射光露光装置である。
ームラインにより露光装置に導き、露光を（ｉうシンク
ロトロン放口］光露光装置において、シンクＩＩ １−
ＩＩン敢ｑ４光源、ビームラインおよび露光装置の１
へてを内包する敢ｑｌ光遮蔽壁と、該放射光遮蔽壁の外
側から露光装置ｌ＼マスクおよびウェハを供給］Ｊる供
給機構とを備えてなることを特徴とするシンクロトロン
放射光露光装置である。
［作用］
本発明においては、従来ストレイシリングの外周壁のす
ぐ外側に配設されていたｆｉ１割光鴻蔽甲を、ビームラ
インおよび露光装置をも含めて囲うようにして配設する
と共に、（の放６＝１光遮蔽壁の外側から供給機構によ
りマスクおにびウェハを供給するようにして各種の漏洩
に対重る安全性を確保したちのである。
ぐ外側に配設されていたｆｉ１割光鴻蔽甲を、ビームラ
インおよび露光装置をも含めて囲うようにして配設する
と共に、（の放６＝１光遮蔽壁の外側から供給機構によ
りマスクおにびウェハを供給するようにして各種の漏洩
に対重る安全性を確保したちのである。
即ち、放射光遮蔽壁はストレイシリングから離れて、Ｘ
線等が従来Ｊ、りも弱められた場所に配設されることと
なり、該遮蔽壁の外側は１００％に近い安全性か確保さ
れる。また、露光装置へのマスクおよびウェハの供給は
該遮蔽壁の外側から供給機構を通じて行われるので、露
光装置の作業者はＸ線、γ線等の被爆の心配かなく、常
時生産態勢を維持することかできる。
線等が従来Ｊ、りも弱められた場所に配設されることと
なり、該遮蔽壁の外側は１００％に近い安全性か確保さ
れる。また、露光装置へのマスクおよびウェハの供給は
該遮蔽壁の外側から供給機構を通じて行われるので、露
光装置の作業者はＸ線、γ線等の被爆の心配かなく、常
時生産態勢を維持することかできる。
［実施例１
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例におけるシンクロトロン放射
光露光装置の構成図である。同図において、シンクロト
ロン欣射光源であるストレイシリング１から敢剣される
シンクロトロン放射光２は、ストレイシリング１に多数
接続されたビームライン３を通して露光装置４に導かれ
る。露光装置４の外側には、放射光遮蔽壁６が配設され
る。さらに、ｈ父ｑ・１光遮蔽壁６の外側から、マスク
とつＴハを供給りる供給機構７か配設される。本構成の
ようにづれば、作業者は、放射光遮蔽壁６の外側で作業
覆ることができ、Ｘ線、γ線の被爆を完全に無くし、か
つ、マスクおよσウェハの供給機構にＪ、って、生産の
効率を最大限上げることが可能となり、本発明の目的は
達成される。
光露光装置の構成図である。同図において、シンクロト
ロン欣射光源であるストレイシリング１から敢剣される
シンクロトロン放射光２は、ストレイシリング１に多数
接続されたビームライン３を通して露光装置４に導かれ
る。露光装置４の外側には、放射光遮蔽壁６が配設され
る。さらに、ｈ父ｑ・１光遮蔽壁６の外側から、マスク
とつＴハを供給りる供給機構７か配設される。本構成の
ようにづれば、作業者は、放射光遮蔽壁６の外側で作業
覆ることができ、Ｘ線、γ線の被爆を完全に無くし、か
つ、マスクおよσウェハの供給機構にＪ、って、生産の
効率を最大限上げることが可能となり、本発明の目的は
達成される。
［発明の効果］
以ト説明したとおり、本発明によれば安全かつ生産効率
の畠いシンクロトロン６１ｉ１３寸光露光装置が提供さ
れ、シンクロトロン／Ｉ々ｑ１光リソグラフィの実用化
を一層促進することができる。
の畠いシンクロトロン６１ｉ１３寸光露光装置が提供さ
れ、シンクロトロン／Ｉ々ｑ１光リソグラフィの実用化
を一層促進することができる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来のシ
ンクロトロン放射光露光装置の構成図である。 １・・・ストレイシリング ２・・・シンクロトロン６Ｈ＝Ｉ光 ３・・・ビームライン ４・・・露光装置 ５．６・・・放射光遮蔽壁 ７・・・マスクおよびウェハ供給機構 代 理 人 弁理を 舘 野 壬 第１
ンクロトロン放射光露光装置の構成図である。 １・・・ストレイシリング ２・・・シンクロトロン６Ｈ＝Ｉ光 ３・・・ビームライン ４・・・露光装置 ５．６・・・放射光遮蔽壁 ７・・・マスクおよびウェハ供給機構 代 理 人 弁理を 舘 野 壬 第１
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光源からの放射光をビームラ
インにより露光装置に導き、露光を行うシンクロトロン
放射光露光装置において、シンクロトロン放射光源、ビ
ームラインおよび露光装置のすべてを内包する放射光遮
蔽壁と、該放射光遮蔽壁の外側から露光装置へマスクお
よびウェハを供給する供給機構とを備えてなることを特
徴とするシンクロトロン放射光露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145914A JPH022107A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | シンクロトロン放射光露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145914A JPH022107A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | シンクロトロン放射光露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022107A true JPH022107A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15395996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145914A Pending JPH022107A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | シンクロトロン放射光露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022107A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02247986A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Molex Inc | 平らで、しなやかなケーブルを回路ボードへ接続するためのストレーン・リリーフ構造体 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63145914A patent/JPH022107A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02247986A (ja) * | 1989-02-24 | 1990-10-03 | Molex Inc | 平らで、しなやかなケーブルを回路ボードへ接続するためのストレーン・リリーフ構造体 |
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