JPH0221156B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は導体パターン層と絶縁体層とを交互に
積層することによつて電気的配線を行ない特定の
回路機能を達成する多層配線基板に関する。

(2) 従来技術 近年、各種電子機器の小型・軽量化、高速化、
高信頼性化の要求が著しく高まつて来ている。こ
れらの要求を満足する一つの手法として、マルチ
チツプパツケージング技術が開発されている。こ
れは例えばアルミナセラミツク基板上に導体ペー
ストを印刷し、乾燥、焼成して、その上に絶縁体
ペーストを印刷し、乾燥、焼成するという工程を
繰り返して導体パターン層と絶縁体層とを交互に
積層する、いわゆる厚膜印刷法、あるいは、グリ
ーンシート上に導体ペーストと絶縁体ペーストを
乾燥状態で繰り返し積層した後還元雰囲気炉で同
時焼成する印刷積層メタライズセラミツク基板法
等の技術による高密度多層配線基板上に、ICチ
ツプ等のチツプ部品を複数個実装し全体を気密封
止する技術である。

この様なマルチチツプパツケージ用の高密度多
層配線基板は、最上層の導体パターン層が、第１
図ａに示す如く、ICチツプあるいはコンデンサ
ーチツプ等のチツプ部品搭載用のダイボンデイン
グパツド１２，１３および全体を気密封止するた
めのキヤツプ等を搭載するハーメテイツクシール
用パターン１４等の様に下層の導体パターン１６
の線幅に比べ比較的大きな面積を有する導体パタ
ーンと、ICチツプのインナーリードボンデイン
グパツドと電気的に接続されるべきアウターリー
ドボンデイングパツド１５等の様に下層の導体パ
ターン１６の線幅とほぼ同程度あるいはそれより
多少大きめの比較的小さな面積を有する導体パタ
ーンとが混在して形成されている。一方、これら
の表面導体パターン１２〜１５と電気的に接続さ
れるべき下層の導体パターン１６は、第１図ｂに
示す如く通孔１８を有する絶縁体層１７を介して
形成される。ここで、絶縁体層１７は、通常、導
体パターン１２〜１５と下層の導体パターン１６
との絶縁耐圧の確保および絶縁体層１７のピンホ
ールによる層間シヨート事故を防止すべく、２回
印刷による２層分の厚みを有する絶縁体層１７あ
るいは３回印刷による３層分の厚みを有する絶縁
体層を形成していた。

(3) 従来技術の問題点 第１図の構造では、比較的小さい面積を有する
導体パターン１５の場合はさほど問題はないが、
比較的大きい面積を有する表面導体パターン１
２，１３，１４においては、下層の導体パターン
１６との層間シヨート事故を発生する確率が非常
に高く、この様な多層配線基板の歩留りを著しく
低下させる要因となつている。また多層配線基板
製造時には、層間シヨートにまでは至らなくと
も、絶縁体層１７にピンホールが存在しており、
チツプ部品アセンブリ工程での熱ストレスのた
め、あるいはシステムに組み込んだ後の経時変化
により、そのピンホール部分で層間シヨート事故
が発生する等、信頼性の面でも問題がある。

この様な層間シヨート事故を防ぐには、表面導
体パターン１２〜１５の層と下層の導体パターン
１６の層との間に存在する絶縁体層１７の厚みを
さらに増すべく、従来の２回あるいは３回印刷に
より形成されるものを３回あるいは４回印刷に変
更することが考えられる。しかし、その場合には
印刷時の位置ずれあるいは、絶縁体ペーストのダ
レ込みにより、通孔１８がつぶれてしまい、導体
パターン１２〜１５と下層の導体パターン１６と
の電気的接続がなされなくなり、別の面で多層配
線基板の歩留りを低下させる結果となる。

(4) 発明の目的 本発明の目的は、面積の種々異なる最上層の導
体パターンと下層の導体パターンとの層間シヨー
ト事故や電気的接続不良事故が少なく、歩留りの
向上と高信頼性を得ることができる多層配線基板
を提供することである。

(5) 発明の要約 本発明は、導体パターン層と絶縁体層とが交互
に積層され、かつ最上層の導体パターン層が比較
的大きな面積を有する第１種の導体パターンと、
比較的小さな第２種の導体パターンとを含んで構
成される多層配線基板において、前記最上層の導
体パターン層と下層の導体パターン層との間の絶
縁体層のうち、前記第１種の導体パターン直下の
部分に、少なくとも一層の付加絶縁体層を設けた
ことを特徴としている。

(6) 発明の効果 本発明によれば、最上層の導体パターン層を構
成する第１種、第２種の導体パターンのうち、下
層の導体パターン層との層間シヨートが確率的に
より発生し易い第１種の導体パターンの直下にの
み付加絶縁体層を設けたことにより、多層配線基
板全体としての層間シヨート事故を減少させると
同時に、必要な部分での導体パターン間の電気的
接続の不良事故も極力減らすことができるという
相反する要求を満たすことが可能となる。

(7) 発明の実施例 第２図は本発明の一実施例を示すものであり、
２１はアルミナセラミツク基板、２６は下層の導
体パターン、２７は最上層の絶縁体層をそれぞれ
示している。最上層の導体パターン層を構成する
導体パターン２２〜２５のうち、２２はICチツ
プ搭載用のダイボンデイングパツド、２３はコン
デンサー等のチツプ部品搭載用のダイボンデイン
グパツド、２４は全体を気密封止するためのキヤ
ツプを搭載するハーメテイツクシール用パター
ン、２５はICチツプのインナーリードボンデイ
ングパツドと電気的に接続されるべきアウターリ
ードボンデイングパツドを示している。ここで、
導体パターン２２〜２４は下層の導体パターン２
６に比べ比較的大きな面積を有する第１種の導体
パターン、２５はこれに比べ比較的小さな面積を
有する第２種の導体パターンである。

そして、絶縁体層２７の第１種の導体パターン
２２〜２４の直下の部分上に位置して、付加絶縁
体層２９が設けられている。すなわちこの絶縁体
層２９は、第２種の導体パターン２５の存在する
部分を除いた、つまり第１種の導体パターン２２
〜２４の下部にのみ選択的に絶縁体ペーストを１
回あるいはそれ以上印刷することにより形成され
るものである。

なお、この付加絶縁体層２９は、第１種の導体
パターン２２〜２４よりもひとまわり大きく形成
され、印刷時の位置ずれによつて、第１種の導体
パターン２２〜２４が付加絶縁体層２９からはみ
出さないようにすることが望ましい。

また、第１種の導体パターン２２〜２４と下層
の導体パターン２６とが下層の絶縁体層２７に形
成された通孔２８を通して電気的に接続される場
合は、付加絶縁体層２９に形成すべき通孔３０の
径は、下層の絶縁体層２７の通孔２８の径よりも
大きくして、絶縁体層２９を付加したことによる
印刷時の絶縁体ペーストのダレ込みおよび印刷位
置ずれによる電気的接続不良事故を発生しないよ
うに形成することが望ましい。

このように、本発明によれば層間シヨート事故
や層間の電気的接続不良事故を減少させることが
可能となり、多層配線基板の製造歩留り向上と、
これを用いたマルチチツプパツケージの信頼性向
上に貢献することができる。

なお、実施例では第２種の導体パターンの例と
して、アウターリードボンデイングパツドを例示
したが、これに限らず単なる配線用導体でもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは従来の多層配線基板の平面図お
よびＡ−A′断面図、第２図ａ，ｂは本発明の一
実施例に係る多層配線基板の平面図およびＡ−
A′断面図である。 １１，２１……アルミナセラミツク等の絶縁性
基板、１６，２６……下層の導体パターン、１
７，２７……下層の絶縁体層、１８，２８……下
層の絶縁体層の通孔、１２〜１４，２２〜２４…
…比較的大きな面積を有する第１種の導体パター
ン、１５，２５……比較的小さな面積を有する第
２種の導体パターン、２９……付加絶縁体層、３
０……付加絶縁体層の通孔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導体パターン層と絶縁体層とが交互に積層さ
   れ、かつ最上層の導体パターン層が比較的大きな
   面積を有する第１種の導体パターンと、比較的小
   さな面積を有する第２種の導体パターンとを含ん
   で構成される多層配線基板において、前記最上層
   の導体パターン層と下層の導体パターン層との間
   の絶縁体層のうち、前記第１種の導体パターン直
   下の部分に、少なくとも一層の付加絶縁体層を設
   けたことを特徴とする多層配線基板。 ２ 第１種の導体パターンがチツプ部品搭載用の
   ダイボンデイングパツドであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板。 ３ 第１種の導体パターンがハーメテイツクシー
   ル用のパターンであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の多層配線基板。 ４ 付加絶縁体層の大きさを第１種の導体パター
   ンの大きさよりも大きくしたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の多層配線基板。 ５ 付加絶縁体層は下層の絶縁体層に形成された
   通孔よりも大きな径の通孔を有するものであるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層
   配線基板。