JPH02212349A - 磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁器コンデンサーに用いられる誘電特性を示す
磁器組成物に関するものである。

従来の技術 従来チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは高誘
電率で温度特性等も非常に良いが、反面焼成温度が１３
００〜１６００℃と高く燃料費やＰｔ、Ｐｄ等の高価な
貴金属を使用するためにコスト的に必ずしも経済的なも
のといえなかった。又低温焼結を行うとしても焼結性の
問題かあり１１００℃では十分とは言えなかった。例え
ばチタン酸バリウムでは１　ｓｓｏ℃の焼成温度では見
かけの誘電率は３０００・程度のものを得ることは容易
である。やむなく低温で焼成を行うには一旦１３ｏ。

〜１５００ｔで焼成した抜機粉砕してＢｉ２Ｏ３やｐｂ
ｏ等の低融点物質を添加して焼成する等の方法がある。

しかしこの方法では燃料費の節約に結びつかず、又誘電
率が数十から数百程度にダウンする等の問題点があった
。

又半導体型チタン酸ヌトロンチウムコンデンサーでは上
記の方法では再酸化の問題があり十分使用に耐えるもの
ではなかった。チタン酸鉛系を主体としたものでは焼成
温度も９ｏｏ℃と低く見かけの誘電率が数千程度と高い
ものもあるが、温度特性や鉛が比較的飛びやすく管理が
むつかしい等の問題点があった。

又超伝導体である＆Ｐｂ　　　Ｂｉ　　　Ｏは抵抗０．
７５　　０．２５　　３ 値が低く常温では数十ｍΩ程度であり、コンデンサーと
はなり得ない。

発明が解決しようとする課題 従来のチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは焼
成温度が１３００〜１５ｏＯ℃と高く燃料費や電極材料
として使用するＰｔ、Ｐｄ等の高価な貴金属を使用する
ためにコスト的に割高なものとなっている。一方、焼成
温度を下げてやればＡｑ等の低コストのものが電極材料
として使用できるために燃料費や材料費の点で大幅なコ
ストダウンとなるが、焼結性の問題があった。他のチタ
ン酸鉛系も焼成温度は９００℃と低いが温度特性で大き
な問題があった。

課題を解決するための手段 本発明はＢ　ｔ　２Ｏ３−Ｂ　ａｏ−Ｐ　ｂｏ−Ｎｂ２
Ｏ６系を組成とする磁器コンデンサーに用いられる磁器
組成物にオイテ、Ｂ　１２Ｏ３ヲ１６−７〜３３−３　
モ／’　％　。

ＢａＯを１０〜３５％／Ｌ／％，ＰｂＯを１０〜６ｏモ
Ａ／％　、　Ｎｂ２ｏ６　　を　１６．７〜３３．３　
　％／し％　、ＳｒＯを５〜２６モル％、トータルで１
００モル％の配合としたものである。

作　　用 本発明はビスマス酸化物の層状構造を利用することによ
り、誘電特性を得ようとするもので、９５０℃〜１１ｏ
ｏ℃で焼成することができ、所望の磁器コンデンサーを
得ることが可能となる。

実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１ Ｂｉ２Ｏ３　　２６モル％ ＢａＯ２５モル％ Ｎｂ２Ｏ６２ｓ　モ／Ｌ／％ ＰｂＯ２５モル％ 上記の配合で円形板状に成形し、１０５０℃で２時間焼
成することにより誘電率７０の焼成体を得た。収縮率１
８．６％であった。ｔａｎδは２％であった。絶縁抵抗
値は２ＯＭΩ〉で、実用的な構成であった。第１図に磁
器組成物の構成を、第２図に温度−焼成曲線を示す。な
お、第１図において、１は誘電体本体、２はＡｇ−ｐｃ
ｉ電極である。

実施例２ Ｂ１２Ｏ３３３，３モル％ Ｗｂ２Ｏ６　　　　　　　１６．７モル％ＢａＯ２５モ
ル％ ＰｂＯ２５モル％ 上記の配合で１０７０℃で２時間焼成することにより誘
電率７ｏの焼成体を得た。収縮率は１０．６％であった
。ｔａｎδは１．６％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ
〉で実用的であった。

比較例１ １２ｏ３ Ｎｂ２Ｏ５ ＢａＯ ｂ０ ３３．３モル％ １６．７モル％ ６０　　　モル％ Ｏｏ　　　モル％ 上記の配合で８５０℃で２時間焼成することにより誘電
率ＳＯＯの焼成体を得た。収縮率は１６％であり、ｔａ
ｎδは８０％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であっ
たが、実用的ではなかった。

比較例２ Ｂ１２Ｏ３１ｏ、０モル％ ＢａＯ５０モル％ Ｎｂ２Ｏ５４０，０モルｌｚ％ Ｐｂｏ　　　　　ｏｏ　モ〜％ 上記の配合でｅｏｏｔ：で２時間焼成することにより誘
電率１２Ｏの焼成体を得た。収縮率は９％であり、ｔａ
ｎδは６０％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であっ
たが、実用的ではなかった。

実施例３ Ｂｉ２へ　　　　１６．７モル％ Ｎｂ　２Ｏ　ｓ　　　　　３３−３　モ／Ｌ’　％Ｐｂ
Ｏ２５モル％ ＢａＯ２５モル％ 上記の配合で１０００℃で２時間焼成することにより誘
電率６ｏの焼成体を得た。収縮率は７％であった。ｔａ
ｎδは３％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であった
ので実用的であった。

実施例４ Ｂｉ２Ｏ３　　　１６．７モルＭ％ Ｎｂ２Ｏ，３３，３モル％ ＰｂＯ４０モル％ ＢａＯ１０モル％ 上記の配合で９６０℃で２時間焼成することにより誘電
率５０の焼成体を得た。収縮率は１６％であった。ｔａ
ｎδは２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であった
ので、実用的であった。

比較例３ Ｂｉ２Ｏ３　　　１６．７モル％ Ｎｂ２Ｏ６３３，３モル％ ＰｂＯ１ｏ　モル％ ＢａＯ４０モル％ 上記の配合で９５０℃で２時間焼成することにより誘電
率５の焼成体を得た。収縮率は１３％であった。ｔａｎ
δは２７％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であった
が、実用的ではなかった。

比較例４ Ｂ　ｌ　２Ｏ３２５　、ｏモル％ Ｎｂ２Ｏ５２５−０モｔｖ％ ＰｂＯ１０モル％ Ｂａ０　　　　　　４０　　モル％ 上記の配合で９００’Ｃで２時間焼成することにより誘
電率１３０の焼成体を得た。収縮率は１８％であった。

ｔａｎδは６６％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉で
あったが、実用的ではなかった。

実施例６ Ｂ　ｌ　２Ｏ３　　　　　　　２５　、Ｏ−Ｆ：ｌＶ％
Ｎｂ２Ｏ６２５，ｏモル％ ＰｂＯ４０モル％ ＢａＯ１０七ル％ 上記の配合でｓｏｏ℃で２時間焼成することによシ誘電
率９ｏの焼成体を得た。収縮率は２Ｏ％であった。ｔａ
ｎδは２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉　であっ
たので、実用的であった。

実施例６ Ｂ　ｉ　２Ｏ３　　　２５　モ／”　％ＰｂＯ３５モル
％ ＢａＯ１５モル％ Ｎｂ２Ｏ５２　Ｂ　−Ｅ：Ａ／％ 上記の配合でｓｏｏ℃で２時間焼成することにより誘電
率５０の焼成体を得た。収縮率は１８％であシ、ｔａｎ
δは２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であったの
で、実用的であった。

実施例７ Ｂ１２Ｏ３２６モル％ ＰｂＯ１５モル％ ＢａＯ３５モル％ Ｎｂ２Ｏ６２５％／Ｌ／％ 上記の配合で８７５℃で２時間焼成することにより誘電
率５０の焼成体を得た。収縮率は１５％あり、ｔａｎδ
は２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であったので
、実用的であった。

実施例８ Ｂ’　２Ｏ３　　　２５　％　／ｌ／　％ＳｒＯ２ｓ−
ｅｔｖ％ Ｎｂ２Ｏ６２６モル％ ＰｂＯ２５モル％ 上記の配合で８７５℃で２時間焼成することにより誘電
率３ｏの焼成体を得た。収縮率は１５％あシ、ｔａｎδ
は２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であったので
、実用的であった。

実施例９ Ｂｔ２Ｏ３２５％Ａ／％ ＳｒＯｓ　モル％ ＢａＯ２Ｏモル％ Ｎｂ２Ｏ６２５モル％ ＰｂＯ２５モル％ 上記の配合で８６０℃で２時間焼成することにより誘電
率９ｏの焼成体を得た。収縮率は１４％あり、ｔａｎδ
は２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であった。

実施例１０ Ｂ　ｌ　２Ｏ３２５モル％ Ｓｒ０　　　　２５モル％ ＢａＯ１０モル％ Ｎｂ　２Ｏ５　　　２５　モ／’　％ ＰｂＯ１ｓ　モル％ 上記の配合で８５０℃で２時間焼成することにより誘電
率１２Ｏの焼成体を得た。収縮率は１３％あり、ｔａｎ
δは２％であった。絶縁抵抗値は２ＯＭΩ〉であった。

発明の効果 以上のように本発明は従来品に比して、Ｂｉ２Ｏ３系を
中心とした層状構造をとる誘電体で低温焼成することが
可能となった。このだめ電極材料費及び焼成費等で大幅
なコストダウンが可能となった。

又温度特性の良好なものが得ることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁器組成物の構成図、第２図は焼成温
度−容量曲線を示す図である。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名（Ｃ
）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＢａＯを１５〜３５モル％，ＰｂＯを１５〜４０モル％
   ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５を１６．７〜３３．３モル％，トータ
   ルで１００モル％の配合とすることを特徴とする磁器組
   成物。
2. （２）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＳｒＯを５〜２５モル％，ＰｂＯを１０〜４０モル％，
   Ｎｂ＿２Ｏ＿５を１６．７〜３３．３モル％，トータル
   で１００モル％の配合とすることを特徴とする磁器組成
   物。
3. （３）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＳｒＯを５〜２５モル％，ＢａＯを１０〜３５モル％，
   ＰｂＯを１０〜４０モル％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５を１６．７
   〜３３．３モル％，トータルで１００モル％の配合とす
   ることを特徴とする磁器組成物。