JPH02214014A - 薄膜磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記録媒体として好適な薄膜磁気ディスク及びそ
の製造方法に係り、特に製造上の前処理を改善して耐久
性を向上させた薄膜磁気ディスク及びその製造方法に関
する。

工従来の技術〕 従来より、薄膜磁気ディスクを製造する際、基板に対す
る前処理の仕方としては、表面をアルマイト層で被覆し
たＡＪ基板を、ポリッシュ等により鏡面仕上げした後、
Ａｒ又はｏ２或いはその混合ガス雰囲気中で高周波スパ
ッタエッチを行ない、基板に凹部のみ形成させている。

この基板の平均表面粗さは、７０〜１４０人に調整され
るよう高周波スパッタエッチ条件を選択する０条件とし
ては、ガス圧力＝９Ｐａ、ＲＦ電力密度＝０．２　Ｗ／
ｃｄ。

及びエツチング時間＝１時間が挙げられる。この後、磁
性層等の薄膜を形成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

鏡面仕上げ後、ＲＦ（高周波）スパッタエッチにより、
凹部のみ形成された基板を用いたディスクでは、動摩擦
係数は初期状態では低いが、Ｃ８Ｓ　（Ｃｏｎｔａｃｔ
　５ｔａｒｔ　５ｔｏｐ）試験を繰返すと、深い凹部以
外は摩耗により接触面積が増大し、摩擦力。

吸着力の著しい増加が見られる。これにより、ヘッド、
ディスク間の貼り着きゃ、保護層、更には磁性層等の破
壊が生じてしまうという問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、無電解Ｎｉ合金鍍金と、研磨砥粒での研磨加
工とを施されたのち高周波スパッタエッチを施されたＡ
１基板と、スパッタリング法により形成された下地金属
層及び磁性層とを少なくとも有し、上記研磨加工時に生
じる傷とその両端の加工変質部における下地金属層の成
長を利用して、円周方向に高さ約２００〜４００人で、
半径方向の断面実密度が３０本／ｆｉ以上の連続した均
一な表面突起を形成されて作製される薄膜磁気ディスク
及びその製造方法を提供することにより、上記問題点を
解決した。

〔実施例〕

本発明の薄膜磁気ディスク及びその製造方法について、
第１図を参照しながら説明する。第１図は本発明の薄膜
磁気ディスクの一実施例の拡大部分断面図である。まず
、無電解ＮＩＰ鍍金を施した／’ｌ基板（以下ｒＮｉＰ
基板」とも記載する）１に、用いる研磨砥粒に応じて、
同心円状の研磨加工（テクスチャリング加工）を施し、
平均表面粗さを３０〜１５０人に調整する０次いで高周
波スパッタリング法により不活性ガスで基板表面のエツ
チングを行なった後、下地金属層２及び磁性層３をスパ
ッタリング法により形成する際、研磨加工時に生じる傷
の両端の加工変質部での下地金属層２の成長を利用して
、円周方向に均一な表面突起を形成するのが最大の特徴
である。

研磨加工は研磨砥粒１〜１０μｍの研磨テープで行なう
ことができ、加工条件により平均表面粗さを３０〜１５
０人に調整することができる。この加工は基板に凹凸を
形成し、磁気ディスクとヘッドとの間の接触面積を低減
させて、摩擦力や吸着力を小さくすることを目的とする
。しかるに、深い凹部と同程度に凸部も発生するので、
均一な表面粗さを得ることは困難である。また、ポリッ
シュ加工を施した基板に高周波スパッタエッチにより凹
部のみを形成させた基板を用いた磁気ディスクでは、長
期的なＣ８Ｓ試験では摩耗が大きく、摩擦力や吸着力が
上昇し、ヘッド、ディスク間の貼り着きゃ、保護１４．
更には磁性層３の破壊が生じる。同心円状の研磨加工を
施して適度に凹凸を形成したＮｉＰ基板１を用い、高周
波スパッタエッチを施すと、高い突起はエツチングによ
り除去される。

また、研磨加工を施した基板ｌに金属Ｈ２をスパッタリ
ング法にて形成すると、傷の両端のパリの部分では、他
の平坦な部分よりも金属膜２の成長速度が速く、１００
０〜２０００人程度の幅で円周方向に沿った連続した表
面突起が形成される。これは加工変質部の活性点に起因
するが、高周波スパッ、タエッチにより基板表面の酸化
層を除去すると、金属膜２の成長速度の速い部分は増加
し、形成される突起数も多くなる０表面突起の高さは形
成される金属膜２の厚さや、スパッタリング条件により
調整できるが、Ｃ８Ｓ試験等でも長期間摩耗せず、ヘッ
ドの低浮上量に対してヘッドクラッシュも生じないよう
にするためには２００〜４００人の範囲が望ましい。

表面突起の密度は、ヘッド加重を分散し、動摩擦係数を
長期間に互って低く抑えておくためには、半径方向に単
位断面長さをとると、少くとも３０本／ｍ以上が必要で
あり、その反面、ヘッドとの接触面積を小さくするため
には、多くとも２００本／ｆｉ以下となる。突起の円周
方向の長さは、研磨加工条件により興なるため特定しな
い、また、スパッタエッチ条件、下地金属Ｉ！！２のス
パッタ条件も装置因子が大きいので特定しない、しかし
ながら、エツチングを過剰に行なって加工変質部を除去
すると突起は発生しなくなる。

このように、高周波スパッタエッチを施して、研磨加工
により凹凸を調整し、下地金属ＷＡ２により任意の好ま
しい高さや密度の表面突起を得ることが可能であり、高
耐久性を持つ薄膜磁気ディスクを作製することが可能と
なる。以下、第２図以降を参照して、具体的な実施例と
比較例を示しながら説明する。

〈実施例１〉 ＮＩＰ基板に平均砥粒９μｍの研磨テープで研磨加工を
施し、平均表面粗さを１００人に調整した。

次にこの基板にＲＦ出力２００Ｗ、Ａｒガス圧１０ｍ　
Ｔｏｒｒで１００分間高波スパッタエッチを行なった。

この基板を真空中に保持したまま、下地金属層としてＣ
ｒ約４００人、磁性層としてＣＯ系合金約７００人、及
び保護層としてＣ（炭素）約４００人を、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により形成した。更にＦ（弗素）
系潤滑剤を３０人スピンコードして潤滑層（第１図の５
）を形成して磁気ディスクを完成した。このディスクの
半径方向の表面形状を第２図に示す。

〈実施例２〉 ＮＩＰ基板に平均砥粒３μｍの研磨テープで研磨加工を
施し、平均表面粗さを３０人に調整した。

次にこの基板にＲＦ出力２００Ｗ、Ａｒガス圧１０ｍＴ
Ｏｒｒで２分間高周波スパッタエッチを施し、以下実施
例１と同様のスパッタリングにより薄膜を形成した０次
にＦ系潤滑剤を２０人スピンコードして磁気ディスクを
作製した。このディスクの半径方向の表面形状を第３図
に示す。

く比較例１〉 ＮＩＰ基板に実施例１と同様な研磨加工を施し、ＲＦ出
力２００Ｗ、Ａｒガス圧１００ｍ　Ｔｏｒｒで３００分
間高波スパッタエヅチを行ない、以下、実施例１と同様
な工程を経て磁気ディスクを作製した。

このディスクの半径方向の表面形状を第４図に示す。

く比較例２〉 ＮｉＰ基板に実施例１と同様な研磨加工を施し、高周波
スパッタエッチを行なわず、その他は実施例１と同様な
工程を経て磁気ディスクを作製した。

この磁気ディスクの半径方向の表面形状を第５図に示す
。

以上４種類の磁気ディスクについてＣ８Ｓ試験を行なっ
た。その結果を第１表に示す、なお、使用したヘッドは
Ｍｎ−Ｚｎフェライトヘッドである。

（第　　１　　表　　） 注　μに：動摩擦係数 り、ｃ、：ヘッドクラッシュ（ｈｅａｄ　ｃｒａｓｈ）
ａｗｅ　：平均値、ｉａｘ：ｆｉ大値 この第１表から、本発明の薄膜磁気ディスクの方が、従
来例（比較例）よりも動摩擦係数μｋが小さく、しかも
Ｃ８Ｓ回数を大幅に増加しても長期に互って安定してお
り、高耐久性を持っていることがわかる。その理由は、
第２図及び第３図から明らかなように、ディスクがほぼ
均一な表面粗さを持ち、均一な高さの表面突起を円周方
向に連続して多数形成させたことにより、最適な表面形
状が得られたことによるものである。第４図の比較例に
見られるような、表面突起がなく凹部が殆どである磁気
ディスクでは、次第に動摩擦係数が上昇し、膜（下地金
属層２．更には磁性層３）の破壊が起こる。又、第５図
の比較例に見られるような５００Å以上の高い凸部がラ
ンダムに形成された磁気ディスクは、表面突起によりヘ
ッドクラッシュが生じ易く、寿命は短いことが見受けら
れる。

〔効　果〕

以上説明したように、本発明の薄膜磁気ディスク及びそ
の製造方法によれば、ディスクの表面粗さを均一にでき
、そのため動摩擦係数が小さくなり、ディスク、ヘッド
間の貼着きゃクラッシュが起り難くなり、寿命は大幅に
増加し、耐久性及び信頼性が格段に向上するという優れ
た特長を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の薄膜磁気ディスクの一実施例の拡大部
分断面図、第２図及び第３図は本発明になる薄膜磁気デ
ィスクの第１．第２実施例の半径方向の表面形状を示す
断面図、第４図及び第５図は第１．第２比較例の薄膜磁
気ディスクの半径方向の表面形状を示す断面図である。 １・・・ＮＩＰ基板、２・・・下地金属層、４・・・保
護層、５・・・潤滑層。 ３・・・磁性層、 特許出願人　　日本ビクター株式会社 代表者　　埋木　邦人 手続補正書（自発） 平成２年１月６日 １、事件の表示 平成１年特許願第３４１６６号 ２、発明の名称 薄膜磁気ディスク及びその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　神奈川県横浜市神奈用区守屋町 ３丁目１２番地 ４、補正命令の日付 自発補正 ５、補正の対象 （１）明細書第５頁第２行の「ディスク」を「ディスク
」と補正する。 （２）同、第７頁第７行の「説明する。」の後に、次の
字句を挿入する。 「なお、第２図乃至第５図に示す磁気ディスクの表面形
状の測定は、タリステップ（ランクテーラーホブソン社
、触針形状０．ＩＸ２．５μｍ）を用いて行なったもの
である。」 ４３）第２図乃至第５図を別紙補正図面のように補正す
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）無電解Ｎｉ合金鍍金と、研磨砥粒での研磨加工と
   を施されたのち高周波スパッタエッチを施されたＡｌ基
   板と、スパッタリング法により形成された下地金属層及
   び磁性層とを少なくとも有し、上記研磨加工時に生じる
   傷とその両端の加工変質部における下地金属層の成長を
   利用して、円周方向に、高さ約２００〜４００Åで半径
   方向の断面長密度が３０本／ｍｍ以上の連続した均一な
   表面突起を形成されて作製されることを特徴とする薄膜
   磁気ディスク。
2. （２）無電解Ｎｉ合金鍍金を施したＡｌ基板に、研磨砥
   粒で同心円状の研磨加工を施し、次いで高周波スパッタ
   リング法によつてエッチングを行なつた後、スパッタリ
   ング法により少なくとも下地金属層及び磁性層を形成し
   、上記同心円状の研磨加工時に生じる傷とその両端の加
   工変質部における下地金属層の成長を利用して円周方向
   に連続した均一な表面突起を形成することを特徴とする
   薄膜磁気ディスクの製造方法。