JPH02214866A - 電子輸送剤としてある種のアントラキノン誘導体を含有する電子写真要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、９，１０−アントラキノンの誘導体であるあ
る種の化合物からなる電子輸送剤（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔ
ｒａｎｓｐｏｒｔ　ａｇｅｎｔ）を含有する電子写真要
素に関する。この化合物は比較的効率よく簡単に製造で
き、有機溶剤及びポリマーバインダー中への優れた溶解
性又は分散性を有しており、そして本発明の電子写真要
素中で予想外の優れた電子輸送特性を示す。

〔従来の技術〕

電子写真に於いて、静電電位（静電ポテンシャル）のパ
ターンからなる画像（静電潜像とも言われる）は、少な
くとも１個の絶縁光電導層と電気伝導基体とからなる電
子写真要素の表面に形成される。静電潜像は、普通語表
面に予め形成された均一な電位の画像様放射線誘導放電
により形成される。典型的に、静電潜像は次いで潜像を
電気複写現像剤と接触させることによりトナー画像に現
像される。所望ならば、潜像を現像の前に他の表面に転
写することもできる。

潜像形成に於いて、画像様放電は、画像様化学放射線へ
の露光に対応して電子写真要素中の物質（しばしば電荷
発生又は光伝導性物質と言われる）によって生じる、電
子／正孔対の放射線誘導創成によりもたらされる。最初
の均一静電電位の極性及び電子写真要素に含有される物
質の種類に依存して、発生した正孔又は電子の何れかが
、露光領域で該要素の荷電した表面の方ｌ＼移動し、そ
れにより最初の電位の画像様放電を引き起こす。残留す
るものは、静電潜像を構成する不均一な電位である。

現在使用されている殆どの電子写真要素は、最初に負の
極性に荷電されるように設計されている。

このような要素には、画像様放電を起こすために画像様
露光領域で負に荷電した表面の方への正孔の移動を容易
にする物質が含まれている。このような物質はしばしば
正孔輸送剤と言われる。この種類の要素に於いて、次い
で正に荷電したトナー物質が、負の極性電位の残留する
画像様未露光部分く即ち、潜像）をトナー画像に現像す
るために使用される。負に荷電した要素の広範囲の使用
のなめに、かなりの数及び種類の正に荷電したトナーが
、電子写真現像剤で使用するために作られ利用できる。

逆に、比較的僅かの高品質の負に荷電したトナーが利用
できる。

しかしながら、電子写真の幾つかの応用のために、画像
様に未露光で残っているものよりも、化学放射線に画像
様露光された要素の表面領域を現像できることが更に望
ましい。例えば、英数字のレーザ印刷に於いて、最終画
像の非現像バックグランド部分を構成する表面領域の比
較的大きいパーセンテージを露光する不要のエネルギー
よりも、目に見える英数字トナー画像を形成するために
実際に現像される表面領域の比較的小さいパーセンテー
ジを露光できることが更に望ましい。このことを達成す
るために、広範囲に利用できる高品質の正に荷電したト
ナーをなお使用するが、正に荷電されるように設計され
た電子写真要素を使用することが必要である。かくして
、次いで正のトナーが露光表面領域を現像するために使
用できろくこの領域は、最初の正の電位が残留している
に露光領域に比較して、露光及び放電後に比較的負の静
電電位を有する）。

しかしながら、最初に正に荷電されるように設計された
電子写真要素には、適当な電子輸送剤（即ち、正に荷電
した絶縁性要素表面の方への光発生した電子（ｐｌ＋ｏ
ｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ）の移動
を十分に容易にする物質）を含有させるべきである。残
念ながら（そして正の及び負のトナーを伴う状況と類似
して）、優れた正孔輸送性を有する多くの物質は電子写
真要素で使用するために作られるが、電子写真要素に於
いて優れた電子輸送性を与えることが知られているのは
比較的僅かの物質に過ぎない。

電子輸送性を有する多くの化合物が、例えば米国特許第
４，１７５，９６０号、同第４，５１４，４８１号、同
第４．４７４，８６５号、同第４，５５９，２８７号、
同第４，６０６，８６１号及び同第４，６０９，６０２
号並びに特開昭６２ｉ２４６５号公報に記載されている
。しかしながら、多くの先行技術の化合物は一つ又はそ
れ以上の欠点を有している。

ある先行技術の電子輸送剤は、特にある種の条件下、又
はある種の電子写真要素に含まれる場自に、非常に良好
な電子輸送機能を示さない。また、あるものは、化学放
射線に露光される前に、望ましくない電子写真要素の高
速の放電を引き起こす（しばしば、高暗減衰（ｄａｒｋ
　ｄｅｃａｙ）と言われる）。

ある先行技術の電子輸送化合物は、電荷輸送層に使用す
ることが望ましい選択された被覆溶剤中に又はあるポリ
マーバインダー中に、可溶性若しくは分散性でないか、
又は比較的限定された溶解性若しくは分散性を有し、電
子写真要素中にこのような電子輸送剤を十分な量含ませ
ようとすると電子輸送剤が幾らか結晶化することになり
、次いで望ましくないレベルの暗減衰のような、及び電
荷輸送層を通って要素の放射線感光性部分ｌ〈妨害され
ることなく通過させることが意図される化学放射線の望
ましくない散乱又は吸収のような、問題を引き起こす。

更に、ある電子輸送剤は、再使用可能であることが望ま
れる電子写真要素に望ましくない劣った再生性を与える
ようである。再使用可能な要素は、均一荷電く即ち、最
初の均一な静電電位の形成）、静電潜像を形成するため
の化学放射線への画像様露光、及びその性能に於いて受
容できない変化を伴うことの無い残留電位の消去の複数
回（好ましくは多数回）のサイクルを通して実際に使用
できるものである。望ましくない劣った再生性は、消去
工程により操作される要素への最終電位の漸増（残留電
位とも言われる）として示され、要素がその静電写真操
作の通常のサイクルを通して受ける間静電写真要素中に
残留電荷が蓄積されることにより引き起こされる。この
残留電荷の蓄積は、過剰量の化学放射線ｌ＼の露先によ
るような、操作の通常のサイクルの間の通常の消去方法
によって除くことはできない。得られる望ましくない残
留電位は、潜像形成の間の最大画像様露光の領域で、要
素が意図される程度（例えば、最初の電位５００ボルト
から意図される電位１００ボルトへの）にもはや放電で
きないようなレベル（例えば、１００ボルトより高い）
にまで蓄積され得る。この結果、最大画像濃度を作るこ
とが意図される最大画像様露光の領域でより低い画像濃
度のような画像加工物になる。実際に、この要素はもは
や再使用できないようになる。

また、ある電子輸送剤は、困難で、長時間かかり、そし
て／又はさもなくば比較的非能率な若しくは非経済的な
製造方法によってのみ得ることができるものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、望ましくない劣った再生性又は暗減衰性を要
素に与えること無く、要素に優れた電子輸送性を与え、
選択された被覆溶剤及びポリマーバインダーに十分可溶
性又は分散性であり、そして比較的簡単で効率のよい方
法により容易に製造できる化合物を含有する電子写真要
素を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に従えば、式： （式中、Ｒ’　、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４の１個は、炭素数
２〜１０の非環式アルキル又は−ｃｏｏｒ＋　５であり
、Ｒ、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４の他の１個は、Ｈ１炭素数１
〜，１０の非環式アルキル又は−ＣＯＯＲ５であり、Ｒ
ｌ　、　Ｒ，２、Ｒ３及びＲ４の残りの２個は、それぞ
れＨであり、ぞして、 Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキルである）を有するア
ントラキノ〕・の誘導体である化り物からなる電子輸送
剤を含んで成る新規な電子写真要素が提供される。

本発明の電子写真要素中に電子輸送剤として使用される
弐Ｎ）の化合物は、容易に入手できる出発物質から、例
えば不活性有機溶剤中で触媒の存在下に、上記の適当な
Ｒ’　、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４置換基を有するアントラキ
ノンを、２〜３当量のビストリメチルシリルカルボジイ
ミドと組み自わせることにより便利に効率よく製造でき
る。適当な溶剤の例は、ジクロロメタン、アセトニトリ
ル、トリクロロエタン及びジクロロエタンである。適当
な触媒の例は弗化セシウムである。

適当にＲ−置換されたアントラキノンが容易に商業的に
入手できないとき、これは容易に商業的に入手できる物
質から公知の方法により容易に製造できる。例えば、２
−１１−ヘキシオキシカルボニルアントラキノンは、２
−カルボキシアントラキノンから、オキザリルクロライ
ドと反応させて２−クロロカルボニルアントラキノンを
形成し、次いで１−ヘキサノールと反応させることによ
り製造でき、そして、２−ｔ−ブチル−６−メチルアン
トラキノンは、塩化アルミニウムの存在下に、無水３−
メチルフタル酸とｔ−ブチルベンゼンとを反応させ、次
いで塩化チオニルと反応させ、次いで塩化アルミニウム
の存在下で閉環することにより製造することができる。

簡単に効率よく製造され、本発明の電子写真要素に電子
輸送剤として含有されるとき前記のような有利な特性を
有する式（Ｉ）の化合物のいくつかの特定の例は、式（
１）中、 Ｒ１がｔ−ブチルであり、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４がそれぞ
れＨである化き物： Ｒ１がエチルであり、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４がそれぞれＨ
である化合物； Ｒ１がへキシオキシカルボニルであり、Ｒ２Ｒ３及びＲ
４がそれぞれＨである化合物；Ｒ１が２−エチルへキシ
オキシカルボニルであり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がそれぞ
れＨである化合物；並びに Ｒ１がｔ−ブチルてあり、Ｒ３がメチルであり、Ｒ２及
びＲ４がそれぞれＩ−■である化合物である。

それらを製造する試みが失敗したために、本発明で有用
ではない式（Ｉ）の範囲外の化音物のいくつかの特定の
例は、く便宜上式（１）を参照して）Ｒ，’　、Ｒ２及
びＲ３がそれぞれ、メチルであり、Ｉ：：１．４がＨで
ある出自物； Ｒ１が−ｏ−（Ｃ１１２０）、−Ｃ１１３テあり、ＦＨ
，２、Ｆ；、　３及びＲ４がそれぞれＩ４である化き物
； Ｒ１が一５Ｏ２−Ｎ（アルキル）２であり、Ｈ２、Ｒ，
ｊ及びＲ４がそれぞれＩ−Ｉである化合物；Ｒ１がシク
ロヘキシルであり、Ｒ２，Ｐ　３及びＲ４がそれぞれト
■である化音物： 並びに下記構造式を有する化き物である。

（１２〉 −）に非常に不溶性であるか、又はこのバインダーと親
和性でなかったために、本発明で有用ではない式（Ｉ）
の範囲外の化合物のいくつかの特定の例は、下記構造を
有する化音物である。

非結晶状態で十分な量を電子写真要素に含ませることが
できないために、普通に使用される被覆溶剤（例えばテ
１へラヒドロフラン、ジクロロメタン、アセトン、アセ
■・二■・リル、トルエン及び／又は低級アルコール類
）に非常に不溶性であり、そして／又は電子写真用の電
荷輸送層に普通に使用されるポリマーバインダー（例え
ばボリカーボ本−ト類、ポリエステル類、ポリスチレン
類及び／′又はスチレン類とアクリレート類とのコポリ
マ減衰を起こすために、本発明で有用であるとはいえな
い式（Ｉ）の範囲外の化合物のいくつかの特定の例は、
下記構造を有する化合物である。

それらを電子写真要素の電子輸送剤としてず重用するこ
とを試みたとき期間中不安定で゛あり高１．’ｓｏｌ電
子輸送剤として電子写真要素に含有させたとき電子写真
要素に望ましくない劣った再生性を与えるために（即ち
、繰り返し使用の間に要素に消去できない残留電位の高
い蓄積を起こす）、不発明で有用ではない式（１）の範
囲外の化合物のいくつかの特定の例は、下記構造を有す
る化合物である。

ＮＣ，、ｃ、ＣＮ ■ 本発明の新規な電子写真要素は種々の種類のものであっ
てよく、それらの全てには、要素内で電子輸送剤として
機箭するために前記式（Ｉ）の化合物の１種又はそれ以
上が含有されている。種々の種類の本発明の要素には、
普通単層要素又は単活性層要素（ｓｉｎｇｌｅ−ａｃｔ
ｉｖｅ−１ａｙｅｒ　ｅｌｅｍｅｎｔ）と言われるもの
、及び普通多活性要素、多層要素又は多活性層要素と言
われるものの両者が含まれる。

単層要素は、それらが化学放射線への露光に対応して電
荷を発生することと移動させることとの両方に活性であ
る唯一の層を含有するために、そう呼ばれる。このよう
な要素は、典型的に、少なくとも１個の光導電層と電気
的に接触している電気導電層からなる。本発明の単層要
素に於いて、光導電層には、化学放射線に対応して電子
／正孔対を発生する電荷発生物質、及び上記式（１）の
化合物の１種又はそれ以上からなり、電荷発生物質によ
り発生した電子を受は入れることができ、それを層を通
して移動させ最初の均一静電電位の放電を起こさせるこ
とができる電子輸送物質が合まれる。光導電層は化学線
に露光された時を除いて電気的に絶縁性であり、そしで
ある場合には、それ自身が電荷発生物質であってもよく
又は光導電性でない追加の物質であってもよい、電気的
に絶縁性のポリマーフィルム形成性バインダーを含有し
ている。何れの場きも、電子輸送剤はバインダーフィル
ム中にできる限り均一に溶解又は分散されている。

多活性層は、それらが少なくとも２個の活性層を含有し
、それらの少なくとも１個が化学放射線ｌ＼の露光に対
応して電荷を発生することができ電荷発生層と言われ（
以下、ＣＧＬとも言う）、それらの少なくとも１個が電
荷発生層により生じた電荷を受は入れ輸送することがで
き電荷輸送層と言われる（以下、ＣＴＬとも言う）ため
に、そう呼ばれる。

このような要素は典型的に少なくとも電気導電層、ＣＧ
Ｌ及びＣＴＬからなる。ＣＧＬ又はＣＴ　Ｌ　（１）何
れかは、電気導電層及び残りのＣＧＬ又はＣＴＬの両者
と電気的に接触している。勿論、ＣＧＬには少なくとも
電荷発生物質（光導電剤）が含まれ、ＣＴＬには少なく
とも電荷輸送剤が含まれ、そしてこの層の何れか又は両
方には追加のフィルノ＼形成性ポリマーバインダーが含
まれていてもよい。

本発明の多活性要素に於いて、電荷輸送剤は、上記式（
Ｉ）の化合物の一つからなる電子輸送剤である。

単層及び多層電子写真要素並びにその製造及び使用は、
一般に公知であり、例えば米国特許第４．７０１，３９
６号、同第４，６６６．８０２号、同第４，５７８，３
３４号、同第４，７１９，１６３号、同第４，１７５，
９６０号、同第４．５１４，４８１号及び同第３，６１
５，４１４号に更に詳細に記載されている。本発明の電
子写真要素の一般に公知の要素からの唯一の基本的な違
いは、新しい要素が電子輸送剤として前記式（Ｉ）の化
合物を含有することである。

本発明の単活性層電子写真要素を製造する際に、全ての
所望の添加物を含む光導電層の成分は、液体に一緒に溶
解又は分散することがてき、電気導電層又は支持体上に
被覆できる。次いで液体を混合物から蒸発させて、約１
０〜７０重量％の電子輸送剤及び約０．０１〜５０重量
％の電荷発生剤を含有する永久層（ｐｅｒｍａｎｅｎｔ
　１ａｙｅｒ）を形成する。この目的のための多くの有
用な溶剤には、例えばベンゼン、トルエン、キシレン及
びメシチレンのような芳香族炭化水素；アセトン及びブ
タノンのようなケトン類；塩化メチレン、クロロホルム
及び塩化エチレンのようなハロゲン化炭化水素；エチル
エーテル及びテトラヒドロフランのような環式エーテル
を含むエーテル類；並びにそれらの混合物である。

本発明の多活性電子写真要素を製造する際に、様にして
被覆するか又は他の方法で形成したＣＧＬＯ上に被覆で
きる。前者の場合には、その後ＣＧＬをＣＴＬの上に被
覆するか又は他の方法で（例えば、真空蒸着で）形成す
る。ＣＴＬには、下記の範囲外の濃度がある場合には有
用であることが見出されているけれども、通常約１０〜
７０重量％の電子輸送剤が含まれる。

例えば、紙（２０％より高い相対湿度で）；アルミニウ
ムー紙積層物；アルミニウム箔、亜鉛箔等のような金属
箔；アルミニウム、銅、亜鉛、真鍮及び亜鉛メツキ板の
ような金属板；銀、クロム、バナジウム、金、ニッケル
、アルミニウム及び類似物のような真空蒸着金属層−並
びに沃化第−銅及子写真要素に使用できる。金属又は半
導体性層は、紙又はポリ（エチレンテレフタレート）、
酢酸セルロース、ポリスチレン等のような公知の写真フ
ィルム基体上に被覆できる。クロム、ニッケル等のよう
な導電性物質は十分に薄い層て透明なフィルム支持体上
に真空蒸着でき、それで製造した電子写真要素を何れの
側からも露光できるようにすることができる。

どのような電荷発生材料も本発明の要素に於いて使用で
きる。このような物質には無機及び有機の（モノマー、
金属有機及びポリマー有機のものを含む）光導電体、例
えば多くのものの中で、酸化亜鉛、酸化鉛、セレン、フ
タロシアニン、ペリレン、アリールアミン、ポリアリー
ルアルカン及素のＣＧＬ及び／′又はＣＴＬを溶剤被覆
するとき、フィルｌ＼形成性ポリマーバインダーが使用
できる。

このバインダーは、それが電気絶縁性である場合には、
電気絶縁特性を有する要素を与える助けになり得る。そ
れはまた、層を隣接層に接着させて層を被覆する上で、
そしてそれが一番上の層であるとき、平滑で、清浄が容
易であり、耐摩耗性の表面を与える上で有用である。

電荷発生又は電荷輸送物質のバインダーに対する最適な
比率は、使用される特別の物質に依存して広範囲に変え
ることができる。一般に、層内に含まれる活性の電荷発
生及び／又は電荷輸送物質の量が、層の乾燥重量基準で
約０２０１〜９０重量％の範囲内であるとき、有用な結
果が得られる。

電荷発生及び電荷輸送層にバインダーとして使用するこ
とができる代表的な物質は、がなり高い絶縁耐力と電気
絶縁特性を有するフィルム形成性ポリマーである。この
ようなポリマーには、例えばスチレン−ブタジェンコポ
リマー類；ビニルトルエン−スチレンコポリマー類；ス
チレン−アルキッド樹脂；シリコーン−アルキッド樹脂
；大豆−アルキッド樹脂；塩化ビニリデン−塩化ビニル
コポリマー類；ポリく塩化ビニリデン）；塩化ビニリデ
ン−アクリロニトリルコポリマー類；酢酸ビニル−塩化
ビニルコポリマー類；ポリ　（ビニルブチラール）のよ
うなポリ（ビニルアセタール）類；ニトロ化ポリスチレ
ン：ポリ（メヂルスヂレン）：イソブチレンポリマー；
ポリ〔エチレン−共−アルキレンビス（アルキレンオキ
シアリール）−フェニレンジカルボキシレート〕のよう
なポリエステル類；フェノールホルムアルデヒド樹脂ニ
ゲトン樹脂；ポリアミド類；ポリカーボネート類；ポリ
チオカーボネート類；ポリ〔エチレン−共−イソプロピ
リデンー２，２−ビス（エチレンオキシフェニレン）テ
レフタレート〕；ポリ（ビニル−ｎブロモベンゾエート
−共−酢酸ビニル）のようなビニルハロアクリレート類
と酢酸ビニルとのコポリマー類；塩素化ポリ（エチレン
）のような塩素化ポリ（オレフィン）類；及びポリ（１
，１，１−）−リメチル−３−（４’−フェニル）−５
−インダンピロメリットイミド〕のようなポリイミド類
が含まれる。

バインダーポリマーは、層中で電荷の発生又は輸送に殆
ど又は全く干渉を与えてはならない。

本発明の要素のＣＧ　Ｌ及びＣＴＬには、また当該技術
で公知である、平滑化剤、界面活性剤、可塑剤、感光剤
、コントラスト調節剤及び放出剤（ｒｅｌｅａｓｅ　ａ
ｇｅｎｔ）のような他の添加物が任意に含まれていても
よい。

また、本発明の要素には、例えば、下塗層、外被層、バ
リヤー層及びスクリーニング層のような、一般に電子写
真要素で有用であることが知られている任意の追加の層
のどのようなものも含まれていてもよい。

〔実施例〕

下記の製造例は、本発明の電子写真要素で電子輸送剤と
して有用であるいくつかの特定の化き物を更に示すため
に掲げる。

製月Ｍ人 式（１−Ａ）の化合物は下記のようにして製造しな。

八１ｄｒｉｃｌ＋　Ｃｂｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ、（米国）
から得た２−ｔブチル−９、１０−７ンｌ”　ラキ／　
ン５．Ｏｇ（０，０１９モ／ｌｚ＞及びＰｅｔｒａｒｃ
ｈ　ＣＩ＋ｅ＋ｎ１ｃａｌ　Ｃｏ、　（米国）から得た
ビストリメチルシリルカルボ゛ジイミド〔構造式：％式
％：） アセトニ■・リル７５　＋ｎ　Ｌ中の溶液を入れた、電
磁１ｑ拌する一つ目５００　＋ｎ　Ｌ丸底フラスコに、
触媒量の弗化セシウムを添加した。アルコン雰囲気下で
攪拌を２４時間続けた。式（１−Ａ）の化合物の沈澱が
生成し、濾過により捕集し、２５＋ｎＬの冷アセトニト
リルで洗浄した。相体の収率は７０％であった。粗生成
物４．１６ｇを濾過及び５０　ｒｌＩＬのアセトニトリ
ルからの再結晶で精製した。式（１−Ａ）の化合物３．
６ｇを濾過により捕集した。その構造は、赤外（Ｉ　Ｒ
）分光及び核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光により確認しな。

融点＝１８２〜１８４℃。

元素分析：計算値ｃ２．１１１６Ｎ＋　：　１７．９％
Ｎ、７６．９％Ｃ１５，２％Ｉ４ 実測値　　　　：　１７．７％Ｎ、７６．７％Ｃ１５，
３％Ｎ 製造例Ｂ 式（Ｉ−Ｉ３＞の化合物は、出発物質がΔ１ｄｒｉｃｌ
＋Ｃｂｅ＋ｎ１ｃａｌ　Ｃｏ、（米国）から得た２−エ
チル−９，１０アントラキノンであり、弗ｆヒセシウノ
＼触媒の代わりに２．５当量の四塩化チタンをトた用し
た他は、製造例Ａと同様の方法で製造した。式（Ｉ−Ｂ
　）の化き物の収率は８５％であった。その構造は、Ｉ
　］−７７分光びＮＭＲ分先により１ｉｉ！認した。

融点＝１４７〜１４９℃。

元素分析：計算値Ｃ，８Ｈ，２Ｎ、　：　１９．７１％
Ｎ、７６．０４％Ｃ１４，２５％Ｎ 実測値　　　　：　１９．６８％Ｎ、７６．１４％Ｃ１
４，０５％ｌ−１ 製１１卿ン 元素分析：計算値Ｃ２３１１２８Ｎ−０２：　１４．６
％Ｎ、７１．９％Ｃ１５，２％Ｎ 実測値　　　　　＋　１４．７％Ｎ、７１，５％Ｃ５５
，２％Ｎ 製１■引λ 式（Ｉ−Ｃ）の化合物は、下記のようにして製造しな。

２−カルボキシアン１へラキノンをジクロロメタン中で
オキザリルクロライドと反応させ（触媒ニジメチルポル
ムアミド ニルアントラキ．ノンを生成し、次いで（トリエチルア
ミンの存在下で）デＩ・うしドロフラン中で１ベキサノ
ールと反応させて２−１１−ヘキシオキシカルボニルア
ントラキノンを生成し、次いで製造例Ａと同様の方法で
処理し、５０％の収率で式（１−Ｃ）の化合物を製造し
た。その構造は、ＩＲ分光及びＮ　Ｍ　Ｒ分光により確
認した。

ガラス転移温度−６８・−１１０℃。

式（Ｉ−Ｄ）の化合物は、４５％の収率で製造例Ｃと同
様の方法で製造した。式（Ｉ−Ｄ）は、■Ｒ分光及びＮ
ＭＲ分光により確認した。

融点−７２〜・７４℃。

元素分析：計算値Ｃ　２，　ＩＩ□，Ｎ４０□：　１３
．６％Ｎ、７２．８％Ｃ、５．９％Ｎ 実測値　　　　　：　１３．９％Ｎ、７２．８％Ｃ、５
．８％１１ 製Ａ側りた 式（ｌ−Ｅ）の化合物は、下記のようにして製造した。

３−、メチルフタル酸無水物をジクロロメタン中で塩化
アルミニウムの存在下にし一ブチルベンゼンと反応させ
て３−カルボキシル−４−（４−１−ブチルフェニルカ
ルボニル）■・ル工〉′を生成し、これを塩化チオニル
と反応させて３−クロロカルボニル−４−（４−ｔ−ブ
チルフェニルカルボニル）１〜ルエンを生成し、次いで
塩化アルミニウムを触媒としてジクロロメタン中で縮合
環閉塞に付して２　ｔ−ブチル−６−メチル−９，１０
−アンｌ−フキノンを生成し、次いで、弗化セシウム触
媒の代わりに化学量論量の四塩化チタンを使用した他は
、製造例Ａと同様の方法で処理し、５０％の収率で式（
Ｉ−Ｅ）の化合物を製造した。その構造は、ＩＲ分光及
びＮＭＲ分光により確認した。

融点−１５２〜１５５℃。

元素分析：計算値Ｃ２１ＨＩ８Ｎ４　：　１７．１６％
Ｎ、７７　、２８％Ｃ、５，５６％トＩ 実測値　　　　：　１６．８４％Ｎ、７６．３０％Ｃ１
５，４６％Ｎ 下記の実施例に於いて、本発明の範囲内の電子写真要素
の種々の特定の態様の構造、製造及び性能を示す。実施
例のいくつかに於いて、性能は電子写真感光度（感光度
とも言われる）、暗減衰特性及び再生特性に関して示す
。

実施例で電子写真感光度を示す際に、要素を最初の正電
位（普通約５００ボルト）に静電的にコロナ荷電させ、
次いで、最初の電圧のあるパーセント（普通最初の電圧
の５０％又は８０％）を光導電的に放電するために十分
な量で、化学放射線（要素の電荷発生物質が電子／正孔
対を発生ずるなめに感光性である波長でピーク強度を有
する放射線）に露光させる。電子写真感光度は、最初の
電圧の所望のパーセントの放電をさせるために、必要な
入射化学放射線エネルギーの量基準（ｅｒａｓ／ｃａｎ
２で表す）で測定する。所望の程度の放電をさせるため
に必要な放射線の量が少なくなるほど、要素の電子写真
感光度は高くなり、逆も同様である。

実施例に於いて暗減衰特性を示す際に、最初の電圧の消
滅速度（Ｖ／ｓ即ちボルト７秒で表す）は、要素を暗所
に残留させている間に（即ち、化学放射線に露光する前
に）測定する。これは、最初の電圧と暗所での２秒後に
要素に残留している電圧を測定し、その差を２で割って
求める。暗所での放電速度が低くなるほど、要素の暗減
衰特性は良くなる、即ち、露光の前にその最初の電位を
保持する要素の能力は良くなる。

実施例に於いて再生特徴を示す際に、電子写真要素を、
各サイクルが最初に均一に要素を荷電し、この要素を（
画像様露光をシミュレートするなめに）最初の電位の８
０〜９０％を光導電的に放電させるのに（最初のサイク
ルで）十分な量で化学放射線に露光し、そして次いで残
留する電位を消去しようとするためにこの要素を過剰の
化学放射線に露光することからなる、複数回の操作のサ
イクルに付す。最初のサイクルの後に要素に残留する電
位の値とこのような複数回の操作のサイクルの後に要素
に残留する電位の値とを測定し、これらの２個の値の間
の差を算出し、消去できない残留電位に於ける蓄積又は
増加とする。与えられた回数の操作のサイクルの後の消
去できない残留電位の増加の量が低くなるほど、要素の
再生特性は良くなり、再使用可能な要素の崩用な寿命は
長くなる。

爽厳鰹り 本発明の電子写真要素を下記のようにして製造した。

導電性支持体を、１７８μ「０厚のポリ　（エチレンテ
レフタレート）フィルム上に、ニッケルの薄い電導層を
真空蒸着させることにより製造した。

次いで、セレン光導電体をこの導電性支持体のニッケル
被覆側の上に蒸着して、０．４μＩｎ厚さの電荷発生層
（ＣＧＬ）を形成しな。

次いで、ジクロロメタン中に溶解した１０重量％の固体
からなる電荷輸送層（ＣＴＬ）を形成するための被覆溶
液を製造した。この固体は、前記製造例Ａに於けるよう
にして製造した式（Ｉ−Ａ＞の電子輸送剤並びに４．４
’−（２−ノルボルニリデン）ジフェ、ノール及びテレ
フタル酸ニアゼライン酸（４０：　６０モル比）から形
成されたポリエステルからなるポリマーバインダーがら
なっていた。電子輸送剤：ポリマーバインダーの重量比
は４０　：　６０であった。次いでこの溶液をＣＧＬの
上に被覆し、乾燥してＣＧＬ上にＣＴＬを形成した。Ｃ
ＧＬとＣＴＬの合計厚さは１０μｒ内であった。

次いで、得られた電子写真要素を４８０　Ｖの均一な正
電位にコロナ荷電しな。

最初の電位の暗減衰は３　Ｖ　／　ｓであった。

均一に荷電した要素を、（ＣＧＬ中で電子／正孔対を発
生するためにセレン電荷発生物質が感光性である）５０
０ナノメーター（ｎ　ｍ　）の波長でピーク強度を有す
る放射線に、１秒当なり要素表面の１平方センチメータ
ー当たり３エルグの速度（３ｅｒｇｓ／　ｃｍ２ｓ）で
、ＣＴＬの外表面を通してそれを露光することにより、
シミュレートした画像様露光に付した。

要素の最初の均一電位の所ｊｋ−セントを放電するため
に必要な入射化学線放射エネルギーの量（即ち、電子写
真感光度）は、最初の電位の５０％を放電するために１
０．５ｅｒｇｓ／　０ｍ２であり、最初の電位の８０％
を放電するなめに２１．８ｅｒｇｓ／　０ｍ２であった
。

要素の再生特徴は、一連の均一荷電、シミュレートした
画像様露光及び過剰の放射線ての消去を多数回繰り返す
ことにより決定した。このような操作のサイクルを２０
００回行った後の要素の消去できない残留電位の増加は
７ボルトであった。

大將鮭λ ＣＴＬ中の電子輸送剤：ポリマーバインダーの重量比が
３０　：　７０であり、導電性支持体の薄い金属層がア
ルミニウムであり、ＣＧＬがＣＴＬに使用したのと同じ
バインダー物質中に分散された、電荷発生物質チタニル
テトラフルオロフタロシアニン（米国特許第４，７０１
，３９６号に更に広範囲に記載されている）からなり、
そして、要素を暗減衰、感光度又は再生試験を行う前に
約１２日間暗所に貯蔵した以外は、実施例１の方法と同
様の方法で本発明の電子写真要素を製造した。

ＣＧＬは、電荷発生物質をジクロロメタン中のバインダ
ーの溶液に分散させ（電荷発生物質：バインダーの重量
比は２：１であった）、この分散液を６０時間ボールミ
ル粉砕し、適当な被覆粘度を得るために更にジクロロメ
タンで希釈し、分散液を導電性支持体上に被覆し、そし
て溶剤を乾燥除去して０．５μｍ厚のＣＧ　Ｌを得るこ
とによって製造した。

この電子写真要素を４８３Ｖの均一な正電位にコロナ荷
電した。

最初の電位の暗減衰は１４Ｖ／ｓであった。

均一に荷電した要素を、（ＣＧＬ中で電子／正孔対を発
生するために電荷発生物質が感光性である）８２０　ｎ
　ｍの波長でピーク強度を有する放射線に、３．３ｅｒ
ｇｓ／　ｃｍ２ｓの速度て、ＣＴＬの外表面を通してそ
れを露光することにより、シミュレートした画像様露光
に付した。最初の電位の５０％を放電するなめに必要な
入射化学線放射エネルギーの量は４．４ｅｒｇｓ／ｃｍ
２であった。最初の電位の８０％を放電するために１３
．６ｅｒｇｓ／　０ｍ２を必要とした。

要素の再生特徴は、一連の均一荷電、シミュレートした
画像様露光及び過剰の放射線での消去を多数回繰り返す
ことにより決定しな。このような操作のサイクルを２０
０回行った後の要素の消去できない残留電位の増加は４
ポル１へであった。

実施例３ ＣＴＬ中の電子輸送剤が前記製造例Ｂに於けるようにし
て製造した式（Ｉ−Ｂ）の化合物であった他は、実施例
１に於けるようにして本発明の電子写真要素を製造した
。

この電子写真要素の２９０　Ｖの均一な正電位にコロナ
荷電した。

最初の電位の暗減衰は３　Ｖ　／　ｓであった。

この要素の電子写真感光度を実施例１に於けるようにし
て決定した。最初の電位の５０％を放電するために必要
な入射化学線放射エネルギーの量は９．６ｅｒｇｓ／Ｃ
ｍ２であった。最初の電位の８０％を放電するために１
９．７ｅｒｇｓ／ｃｍ２を必要としな。

夫Ｗ匠よ ＣＴ　Ｌ中の電子輸送剤が前記製造例Ｂに於けるように
して製造した式（１−Ｂ）の化合物であり、ＣＴ　Ｌ中
の電子輸送剤：ポリマーバインダーの重量比が４０　：
　６０であった他は、実施例２に於けるようにして本発
明の電子写真要素を製造した。

この電子写真要素を２６８Ｖの均一な正電位にコロナ荷
電しな。

最初の電位の暗減衰は１８Ｖ／ｓであった。

この要素の電子写真感光度を実施例２に於けるようにし
て決定した。最初の電位の５０％を放電するために必要
な′入射化学線放射エネルギーの量は４．２ｅｒｇｓ／
ｃｍ２てあり、最初の電位の８０％を放電するために１
０．４ｅｒｇｓ／ｃｍ２を必要とした。

実施例５ ＣＴ　Ｌ中の電子輸送剤が前記製造例Ｃに於けるように
して製造した式（Ｉ　−Ｃ）の化合物であり、ＣＴＬ中
の電子輸送剤二ポリマーバインダーの重量比が３０　：
　７０であった他は、実施例１に於けるようにして本発
明の電子写真要素を製造した。

この要素を５１８■の均一な正電位にコロナ荷電した。

最初の電位の暗減衰はＩ　Ｖ　／　ｓであった。

この要素の電子写真感光度を実施例１に於けるようにし
て決定した。最初の電位の５０％を放電するために必要
な入射化学線放射エネルギーの址は１３．２ｅｒｇｓ／
　ｃａｎ２であり、最初の電位の８０％を放電するため
に３０．１ｅｒｇｓ／　ｃａｎ２を必要とした。

再生特徴は、実施例１に於けるようにして決定した。操
作のサイクルを２００回行った後の要素の消去できない
残留電位の増加は２ボルトであった。

夾將匠１ ＣＴＬ中のポリマーバインダーがＭｏｌ〕ａｙ　Ｃｈｅ
＋ｎ１ｃａｌＣｏ、（米国）から登録商標Ｍａｋｒｏｌ
ｏｎ　５７０５で販売されているビスフェノールＡポリ
カーボネートで”あった他は、実施例５に於けるように
して本発明の電子写真要素を製造した。

この要素を４９６ｖの均一な正電位にコロナ荷電した。

最初の電位の暗減衰はＩ　Ｖ　／　ｓであった。

この要素の電子写真感光度を実施例１に於けるようにし
て決定した。最初の電位の５０％を放電するために必要
な入射化学線放射エネルギーの量は１８　、２　ｅ　ｒ
　ｇｓ　／　ｃ　ｔｎ　２であった。

夫鞭匠Ｌ ＣＴＬ中の電子輸送剤が前記製造例Ｃに於けるようにし
て製造した式（Ｉ−Ｃ）の化合物であった他は、実施例
２に於けるようにして本発明の電子写真要素を製造した
。

この要素を４２２■の均一な正電位にコロナ荷電した。

最初の電位の暗減衰は３３Ｖ／ｓであった。

この要素の電子写真感光度を、シミュレートした画像様
露光が３．０９ｅｒｇｓ／　ｃ＋ｎ２ｓの速度であった
他は、実施例２に於けるようにして決定した。最初の電
位の５０％を放電するなめに必要な入射化学線放射エネ
ルギーの量は５．９ｅｒｇｓ／　ｃｍ２であり、最初の
電位の８０％を放電するために１９．５ｅｒｇｓ／　ｃ
ｔｎ２を必要とした。

再生特性は、実施例２に於けるようにして決定した。操
作のサイクルを２００回行った後の要素の消去できない
残留電位の増加は６ボルトてあった。

実施例８〜１０ ＣＴＬ中の電子輸送剤が前記製造例りに於けるようにし
て製造した式（１−Ｄ）の化合物であった他は、実施例
２に於けるようにして本発明の電子写真要素（実施例８
）を製造した。ＣＴＬ中の電子輸送剤：ポリマーバイン
ダーの重量比が、それぞれ３５　：　６５及び４０　：
　６０であった他は、実施例８に於けるようにして他の
２個の本発明の電子写真要素（実施例９及び実施例１０
）を製造した。

これらの要素を、実施例８では４５４■、実施例９では
４３４Ｖ、そして実施例１０ては４３２Ｖの均一な正電
位にコロナ荷電した。

最初の電位の暗減衰は、実施例８では２２Ｖ／Ｓ、実施
例９では２５Ｖ／ｓ−そして実施例１０ては２６Ｖ／Ｓ
であった。

この要素の電子写真感光度を、シミュレートしく４１） た画像様露光を３　ｅｒｇｓ／　ｃｎ＋２ｓの速度で、
８００ｎｍの波長でピーク強度を有する放射線に対して
行った他は、実施例２に於けるようにして決定した。最
初の電位の５０％を放電するために必要な入射化学線放
射エネルギーの量は、実施例８では１２．６ｅｒｇｓ／
８１１１２、実施例９では１１．１ｅｒｇｓ／ｃｎ＋２
、そして実施例１０では１０．８ｅｒｇｓ／　ｃｍ２で
あった。

〔発明の効果〕

本発明の要素で電子輸送剤として使用する化合物は、比
較的簡単で効率の良い方法により容易に製造できる。こ
れらは、本発明の電子写真要素の１個又は２個以上の層
を形成するために有用である多くの被覆溶剤及び多くの
フィルム形成性ポリマーバインダー中で、優れた溶解性
又は分散性を有する。本発明の電子写真要素に於いて、
この化合物は、要素中の放射線活性化した電荷発生物質
により発生された電子を、受は入れそして輸送する優れ
た能力を有する、電子輸送剤として機能し、要素に受容
できないほど高い暗減衰又は望ましくない劣った再生性
を与えない。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４の１個は、
   炭素数２〜１０の非環式アルキル又は−ＣＯＯＲ＾５で
   あり、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４の他の１個は
   、Ｈ、炭素数１〜１０の非環式アルキル又は−ＣＯＯＲ
   ＾５であり、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４の残り
   の２個は、それぞれＨであり、そして、 Ｒ＾５は、炭素数１〜１０のアルキルである）を有する
   化合物からなる電子輸送剤を含んで成る電子写真要素。