JPH02215866A - オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はオキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方
法に関し、特に電子写真用感光体に適した特定のＸ線回
折スペクトルを示すオキシチタニウムフタロシアニン結
晶の新規な製造方法に関する。

〈従来の技術〉 オキシチタニウムフタロシアニンの結晶型には、製造条
件によって準安定なα型と安定なβ型が存在することは
りとに知られるところである。そしてこれらのオキシチ
タニウムフタロシアニンの結晶型が機械的ひずみ、有機
溶剤および熱の影響下Ｋ、相互に結晶型が転移すること
も知られている。例えばα型のオキシチタニウムフタロ
シアニンはＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤・中で加
熱することによりβ型に転移する。

また、α型のオキシチタニウムフタロシアニンを水性懸
濁液となし、これに芳香族炭化水素溶剤を添加し加熱処
理することによって、Ｘ線回折スペクトルにおいてブラ
ッグ角（−〇）コア、３゜に強いピークを示すα型にも
β型にも分類すれない結晶型のオキシチタニウムフタロ
シアニンが得られ、かかる結晶型のオキシチタニウムフ
タロシアニンが光デイスク用記録材料への応用が期待さ
れる等有用なものであることが特開昭６３−コ０ＪＩＪ
−号公報に記載されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は従来知られていなかった新規な方法で、電子写
真用感光体等の用途に有用なオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶型を製造する工業的有利な製造方法を提供す
ることを目的とするものである。

く課題を解決するための手段〉 本発明の要旨は、オキシチタニウムフタロシアニンを有
機酸溶媒中、硫酸またはＲ−Ｓ　０３　Ｈ（式中、Ｒは
置換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残基な
表わす。〕で表わされるスルホン化物とともに機械的摩
砕処理してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ（−θ
±０．コ°）コア、３゜に主たる回折ピークを示す結晶
を取得することを特徴とするオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶の製造方法に存する。

（作　用） 以下、本発明をさらに詳細忙説明する。

本発明方法の原料とするオキシチタニウムフ用いられる
有機酸溶媒としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸等の脂肪族カルボン酸等が挙げられる。好ましくは酢
酸であり、用いる量は原料とするオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶し７０倍〜ｉｏｏ倍（重量比）であり、
好ましくは２θ倍〜５０倍である。

また、Ｒ−８Ｏ３Ｈで表わされるスルポン化物としては
、例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパ
ンスルホン酸、ブタンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸
類および下記式で表わされる芳香族スルホン酸類等が挙
げられる。

（ＳＯ３Ｈ）Ｏ又はｌ （式中、Ｒ１、Ｒ２は水素原子；水酸基；ニトロ基；メ
チル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；メトキ
シ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素
原子、臭素原子等のハロゲン原子；カルホキフル基；シ
アノ基；アミノ基；ジメチルアミノ基等が挙げられる。

）中でもトルエンスルホン酸が好適である。用いる量は
オキシチタニウムフタロシアニンに対し／、３倍モル〜
／６倍モルであり、好ましくは３倍モル〜３倍モルであ
る。

機械的摩砕処理の方法は、分散媒中の懸濁物を充分圧摩
砕し得る方法ならいかなる方法でも採用可能で、具体的
にはペイントシェーカーｌ≠−−≠中又はサンドグライ
ンダーミル等により行うのが適当である。該摩砕処理は
、目的の結晶型のオキシチタニウムフタロシアニンが確
実に得られる範囲で行えばよ（、ペイントシェーカー又
はサンドグラインダーミルな用いる場合、工業的には７
〜５時間行えば充分である。

尚、本発明において「主たる回折ピーク」とは、そのＸ
線回折スペクトルにおける強度が一番強い（高い）ピー
クを指す。

又、本発明方法によって得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペクトルの例を第１図、第
を図に示す。電子写真感光体に用いるには、ブラッグ角
（コθ±０．２°）２７．３’　　の回折ピークが主た
るピークであり、そのピーク以外は細かい条件によって
種々ふれるが、第１図及び第ダ図の様に２７．、？０の
ピーク強度に対していずれのピークもその強度（ピーク
高さの比較）がよ０％以下であるスペクトルを示すオキ
シチタニウムフタロシアニン結晶が帯電性、感度等の点
から好ましい。

〈実施例〉 次に本発明を実施例と応用例により更に具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実施例に
限定されるものではない。

実施例／ β型オキシチタニウムフタロシアニンコ、Ｏｆに、ｐ−
トルエンスルホン酸へ〇？およヒ酢酸ｌ０ｔｓｌを加え
ペイントシェーカーで弘時間摩砕した。濾過後、Ｆ物を
水洗し、メタノール懸洗して得られたオキシチタニウム
フタロシアニン（収量へｒｒ）のＸ線回折スペクトル（
第１図）は、α型およびβ型オキシチタニウムフタロシ
アニンのスペクトル（第λ、３図）とは異なり、ブラッ
ク角（２θ±０．２つコクｓ６　に主たるピークを示す
ものであった。

実施例コ β型オキシチタニウムフタロシアニンλ、Ｏｆに、メタ
ンスルホン酸０．３　？および酢酸１０ｗ１を加え、ペ
イントシェーカーで参時間摩砕した。

濾過後、Ｆ物を水洗し、メタノール懸洗して得られたオ
キシチタニウムフタロシアニン（収量／ｄ、　ｙ　）の
Ｘ線回折スペクトルを第弘図に示す。

実施例３ 溶媒およびスルホン化物として表に記載したものを用い
る以外実施例１および実施例λと全く同様圧したところ
、いずれもＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（λ
θ±０．２°）　Ｊ　ｑ、３゜に主たるピークを示すオ
キシチタニウムフタロシアニンが得られた。

応用例／ 実施例１で製造したオキシチタニウムフタロシアニン結
晶０．ψＪ、ポリビニルブチラール０、２７７　ヲｑ−
メトキシーダーメチルーコーペンタノン３０Ｉと共に、
サンドグラインダーで分散し、この分散液をポリエステ
ルフィルム上に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムア
プリケータにより乾燥膜厚が０．Ｊｆｉ／ｍ２となる様
に塗布、乾燥し、電荷発生層を形成した。

この電荷発生層の上に、Ｎ−メチル−３−カルパゾール
カルバルデヒドジフェニルヒトラソン９０部、ポリカー
ボネート樹脂（三菱ガス化学社製、商品名ニーピロンＥ
−２０００）１００部からなる膜厚１７μｍの電荷移動
層を積層し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を
得た。

この感光体の感度として半減露光量（Ｅ３）を静電複写
紙試験装置（川口電機製作所製モデル５Ｐ−１Ｉ２ｔ）
により測定した。すなわち、暗所でコロナ電流がＳＯμ
Ａになる様に設定した印加電圧によるコロナ放電により
感光体を負帯電し、次いでｏ、／、２５μＷ／ｃｒｒＬ
２の強度を持つ？　？　ｊ　ｎｍの単色光により露光し
表面電位が一５０θＶから−２りθＶに半減するのに要
した露光量（Ｅ／、）を求めたところＯ，コ３μＪ／（
１ｍ２であった。

この時の感光体の帯電圧（初期表面電位）はる６７■で
あり露光７０秒後の表面電位（残留電位）は−９ｖであ
った。

応用例コ 用いるオキシチタニウムフタロシアニン結晶を実施例−
で製造された結晶とおきかえた以外は、前記応用例１と
全く同様にしたところ測定された半減露光量（Ｅ／２）
は０．２７μＪ／ｃｒｒＬ２であった。

（発明の効果） 本発明方法によれば、ブラッグ角（２θ±０、２度）　
２７．３度に主たる回折ピークを有するオキシフタロシ
アニン結晶を一段階の処理で収率よく得ることができる
等工業的有利忙製造可能である。

又、この様にして得られるオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶を電荷発生材料として用いる電子写真用感光体
は、高感度で、残留電位が低（帯電性が高（、かつ、繰
返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響する帯
電安定性が良好であることから、高耐久性感光体として
用いることができる。又７５θ〜ざ００ｎｍの領域の感
度が高いことから、特に半導体レーザプリンタ用感光体
に適している。

【図面の簡単な説明】

第１ｆｆｉおよび第を図は、実施例／および実施例−で
得られた本発明の結晶型オキシチタニウムフタロシアニ
ンのＸ線回折スペクトルを示す。 第２図および第３図はそれぞれ公知のα型およびβ型オ
キシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折スペクトルを
示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）オキシチタニウムフタロシアニンを有機酸溶媒中
   、硫酸またはＲ・ＳＯ＿３Ｈ（式中、Ｒは置換基を有し
   ていてもよい脂肪族または芳香族の残基を表わす。）で
   表わされるスルホン化物とともに機械的摩砕処理してＸ
   線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜
   ）２７．３゜に主たる回折ピークを示す結晶を取得する
   ことを特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶
   の製造方法。