JPH0221669B2 - - Google Patents
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- JPH0221669B2 JPH0221669B2 JP19038083A JP19038083A JPH0221669B2 JP H0221669 B2 JPH0221669 B2 JP H0221669B2 JP 19038083 A JP19038083 A JP 19038083A JP 19038083 A JP19038083 A JP 19038083A JP H0221669 B2 JPH0221669 B2 JP H0221669B2
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高純度の微粉水素化銅および少量の
無機質結合剤その他をペースト剤と混練した導電
性ペーストを用いて、セラミツク基板上に接着強
度が大きい高純度銅膜の導体パターンを生成する
混成集積回路の製造方法に係るものである。
無機質結合剤その他をペースト剤と混練した導電
性ペーストを用いて、セラミツク基板上に接着強
度が大きい高純度銅膜の導体パターンを生成する
混成集積回路の製造方法に係るものである。
従来、混成集積回路基板は、金、銀、白金、パ
ラジウム等の貴金属およびその合金の微粉と、接
着剤としてガラス質のフリツトをペースト剤に加
えて混練した導電性ペーストを用いて、セラミツ
ク基板上に導体パターンを印加し、それを高温で
焼成することによつて製造している。
ラジウム等の貴金属およびその合金の微粉と、接
着剤としてガラス質のフリツトをペースト剤に加
えて混練した導電性ペーストを用いて、セラミツ
ク基板上に導体パターンを印加し、それを高温で
焼成することによつて製造している。
しかるに、従来の混成集積回路基板の製造に用
いられている導電性ペーストは、それに混合され
ているフリツトが電気絶縁物があるので、セラミ
ツク基板に対する導体膜の接着性は良好であつて
も、導体膜の電気伝導度がそこなわれる欠点があ
る。そして、この電気伝導度の低下は、混成集積
回路で扱われる電波の信号の周波が高くなると、
この混成集積回路のインピーダンスが愈々高くな
つて回路の機能を著しく低下させる原因となるの
で、従来の上記方法によつて製造された混成集積
回路基板では、特にマイクロウエーブ回路用とし
ては不適当であつた。
いられている導電性ペーストは、それに混合され
ているフリツトが電気絶縁物があるので、セラミ
ツク基板に対する導体膜の接着性は良好であつて
も、導体膜の電気伝導度がそこなわれる欠点があ
る。そして、この電気伝導度の低下は、混成集積
回路で扱われる電波の信号の周波が高くなると、
この混成集積回路のインピーダンスが愈々高くな
つて回路の機能を著しく低下させる原因となるの
で、従来の上記方法によつて製造された混成集積
回路基板では、特にマイクロウエーブ回路用とし
ては不適当であつた。
超高周波及びマイクロウエーブ用の混成集積回
路基板としては、導体膜の電気伝導度が高く、し
かもその基板との接着力が強力であつて熱の基板
への回路の機能作用によつて発生する熱の消散に
すぐれていることが必要である。
路基板としては、導体膜の電気伝導度が高く、し
かもその基板との接着力が強力であつて熱の基板
への回路の機能作用によつて発生する熱の消散に
すぐれていることが必要である。
本発明は、従来の実状に鑑み、また上記技術的
要求を満足させる混成集積回路基板を容易に得ら
れるようにすることを目的とし、高純度の微粉水
素化銅および少量の無機質結合剤その他をベース
ト剤と混練した導電性ペーストを用いて、セラミ
ツク基板上に混成集積回路の導体パターンを印刷
し、その印刷面を空気中で適度に乾燥した後、セ
ラミツク基板の不活性ガスの雰囲気中において
800℃ないし900℃の範囲内の温度で焼成して、基
板面に対する接着力が大きい高純度銅膜の導体パ
ターンを形成することにより、導体膜が純銅のも
つ値と同等の高い電気伝導度を有し、しかも導体
膜から基板への熱の消散にすぐれ、特にマイクロ
ウエーブ用として高能率で特性の良好な混成集積
回路基板を容易に得ることができる製造方法を提
供しようとするものである。
要求を満足させる混成集積回路基板を容易に得ら
れるようにすることを目的とし、高純度の微粉水
素化銅および少量の無機質結合剤その他をベース
ト剤と混練した導電性ペーストを用いて、セラミ
ツク基板上に混成集積回路の導体パターンを印刷
し、その印刷面を空気中で適度に乾燥した後、セ
ラミツク基板の不活性ガスの雰囲気中において
800℃ないし900℃の範囲内の温度で焼成して、基
板面に対する接着力が大きい高純度銅膜の導体パ
ターンを形成することにより、導体膜が純銅のも
つ値と同等の高い電気伝導度を有し、しかも導体
膜から基板への熱の消散にすぐれ、特にマイクロ
ウエーブ用として高能率で特性の良好な混成集積
回路基板を容易に得ることができる製造方法を提
供しようとするものである。
以下、本発明に係る混成集積回路基板の製造方
法の一実施例について具体的に説明する。
法の一実施例について具体的に説明する。
混成集積回路基板を構成するセラミツク基板
は、純度96％のアルミナ基板の厚さ約0.8mmのも
のである。導電性ペーストは、高純度の水素化銅
（CuHx）、少量の無機質結合剤1.5％、金属酸化物
６〜４％を約10％のペースト剤と混練してなるも
のである。なお、セラミツク基板としては、記の
もののほかベリリヤ基板等が用いられる。
は、純度96％のアルミナ基板の厚さ約0.8mmのも
のである。導電性ペーストは、高純度の水素化銅
（CuHx）、少量の無機質結合剤1.5％、金属酸化物
６〜４％を約10％のペースト剤と混練してなるも
のである。なお、セラミツク基板としては、記の
もののほかベリリヤ基板等が用いられる。
上記セラミツク基板と導電性ペーストによる混
成集積回路基板の製造にあたつては、まず、セラ
ミツク基板面を清浄にし、このセラミツク基板上
に所定のスクリーンで導電性ペーストを用いて混
成集積回路の導体パターンを印刷し、温度が100
℃の空気中で15分間乾燥する。次いで、このセラ
ミツク基板を不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中
で徐々に昇温して800℃ないし900℃の範囲の一定
温度（例えば850℃）で10分間焼成した後、冷し
て常温まで戻せば、セラミツク基板上には、緻密
で均質な高純度銅膜の導体パターンが生成され、
その導体膜はセラミツク基板に強固に接着してい
る。なお、不活性ガスの雰囲気中で焼成を行うの
は、導体膜の酸化防止のためである。したがつ
て、不活性ガス雰囲気中の酸素含有量は10ppm以
内にとどめておく必要がある。
成集積回路基板の製造にあたつては、まず、セラ
ミツク基板面を清浄にし、このセラミツク基板上
に所定のスクリーンで導電性ペーストを用いて混
成集積回路の導体パターンを印刷し、温度が100
℃の空気中で15分間乾燥する。次いで、このセラ
ミツク基板を不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中
で徐々に昇温して800℃ないし900℃の範囲の一定
温度（例えば850℃）で10分間焼成した後、冷し
て常温まで戻せば、セラミツク基板上には、緻密
で均質な高純度銅膜の導体パターンが生成され、
その導体膜はセラミツク基板に強固に接着してい
る。なお、不活性ガスの雰囲気中で焼成を行うの
は、導体膜の酸化防止のためである。したがつ
て、不活性ガス雰囲気中の酸素含有量は10ppm以
内にとどめておく必要がある。
叙上の如き混成集積回路基板の製造工程によつ
て、セラミツク基板に高純度銅膜の導体パターン
が生成され、かつその導体膜がセラミツク基板に
強固に接着するのは次のような現象による。
て、セラミツク基板に高純度銅膜の導体パターン
が生成され、かつその導体膜がセラミツク基板に
強固に接着するのは次のような現象による。
導電性ペーストにより導体パターンを印加した
セラミツク基板が不活性ガスの雰囲気中で300℃
前後の温度になると、導電性ペーストの有機質分
が放出ないしは燃焼した消失する。さらに温度を
上昇して400℃ないし500℃になると、水素化銅中
の結合水素分が結合を離れて一時活性化し、それ
が残留純銅膜内を漂流して該膜内に水素雰囲気が
発生させ純銅粒子を一層活性化するので、純銅粒
子間の化学結合を容易にし、高純度銅膜とセラミ
ツク基板面との接着強度を高める。さらに温度が
600℃前後になると、結合水素が完全に離脱して
放出し、温度が800℃ないし900℃まで上昇する
と、少量混入した無機質結合剤および金属酸化物
が高純度銅膜のセラミツク基板に対する接着強度
を一層高めるように複合的助長作用をする。そし
て、上記高温状態を一定時間経た後、セラミツク
基板を徐冷し、常温に戻して焼成を終了する。焼
成終了後の導体膜のセラミツク基板に対する接着
強度は１平方ミリメートル当り数キログラムにも
達し、その電気伝導度は純銅と同等であつてきわ
めて高い。
セラミツク基板が不活性ガスの雰囲気中で300℃
前後の温度になると、導電性ペーストの有機質分
が放出ないしは燃焼した消失する。さらに温度を
上昇して400℃ないし500℃になると、水素化銅中
の結合水素分が結合を離れて一時活性化し、それ
が残留純銅膜内を漂流して該膜内に水素雰囲気が
発生させ純銅粒子を一層活性化するので、純銅粒
子間の化学結合を容易にし、高純度銅膜とセラミ
ツク基板面との接着強度を高める。さらに温度が
600℃前後になると、結合水素が完全に離脱して
放出し、温度が800℃ないし900℃まで上昇する
と、少量混入した無機質結合剤および金属酸化物
が高純度銅膜のセラミツク基板に対する接着強度
を一層高めるように複合的助長作用をする。そし
て、上記高温状態を一定時間経た後、セラミツク
基板を徐冷し、常温に戻して焼成を終了する。焼
成終了後の導体膜のセラミツク基板に対する接着
強度は１平方ミリメートル当り数キログラムにも
達し、その電気伝導度は純銅と同等であつてきわ
めて高い。
第１図および第２図には、本発明に係る方法に
よつて製造された混成集積回路基板が例示されて
いる。図中、１はセラミツク（アルミナ）基板、
２は高純度銅膜の導体パターン、３は印刷時の合
わせマーク、４は端子である。
よつて製造された混成集積回路基板が例示されて
いる。図中、１はセラミツク（アルミナ）基板、
２は高純度銅膜の導体パターン、３は印刷時の合
わせマーク、４は端子である。
本発明に係る方法によつて製造された混成集積
回路基板は、その基板がセラミツクであつて、し
かも導体膜が高純度銅膜が構成され、さらにこの
導体膜はセラミツク基板に対して強固に接着され
ているので、導体膜の電気伝導度が高く、特に超
高周波、マイクロウエーブなどの回路用として高
能率のすぐれた動作をする回路を構成することが
できる。また、基板のセラミツクは熱放散の良導
体であるうえ、導体膜がそれに強固に接着してい
るので、導体膜からセラミツク基板への熱消散が
良好であつて、高温の使用条件においても耐える
ことができ、しかもこのような使用条件下でも高
い信頼性を有する。
回路基板は、その基板がセラミツクであつて、し
かも導体膜が高純度銅膜が構成され、さらにこの
導体膜はセラミツク基板に対して強固に接着され
ているので、導体膜の電気伝導度が高く、特に超
高周波、マイクロウエーブなどの回路用として高
能率のすぐれた動作をする回路を構成することが
できる。また、基板のセラミツクは熱放散の良導
体であるうえ、導体膜がそれに強固に接着してい
るので、導体膜からセラミツク基板への熱消散が
良好であつて、高温の使用条件においても耐える
ことができ、しかもこのような使用条件下でも高
い信頼性を有する。
混成集積回路は、一般産業、電子計算機産業、
家電産業等で多方向に使用されているが、その回
路素子は情報過多のため、きわめて過酷に使用さ
れる場合が多い。しかし、本発明に係る方法によ
つて製造された混成集積回路基板は、前記の如き
すぐれた特性を備えているので、そのような使用
条件下にも十分耐えうるものである。
家電産業等で多方向に使用されているが、その回
路素子は情報過多のため、きわめて過酷に使用さ
れる場合が多い。しかし、本発明に係る方法によ
つて製造された混成集積回路基板は、前記の如き
すぐれた特性を備えているので、そのような使用
条件下にも十分耐えうるものである。
なお、本発明に係る方法によれば、セラミツク
基板に高純度銅膜の導体膜をきわめて容易に生成
することができ、その電気伝導度はきわめて高い
ので、従来のもののように、金、銀、白金、パラ
ジウム等の如き貴金属を用いる必要がなく、高性
能の混成集積回路基板を経済的に提供することが
できる。導体膜が高純度銅膜であることはハンダ
のぬれ性強度が良好である。これもその一つの特
長である。
基板に高純度銅膜の導体膜をきわめて容易に生成
することができ、その電気伝導度はきわめて高い
ので、従来のもののように、金、銀、白金、パラ
ジウム等の如き貴金属を用いる必要がなく、高性
能の混成集積回路基板を経済的に提供することが
できる。導体膜が高純度銅膜であることはハンダ
のぬれ性強度が良好である。これもその一つの特
長である。
これを要するに、本発明は、高純度の微粉水素
化銅および少量の無機質結合剤その他をペースト
剤と混練した導電性ペーストを用いて、セラミツ
ク基板上に混成集積回路の導体パターンを印加
し、その印刷面を空気中で適度に乾燥した後、セ
ラミツク基板を不活用ガスの雰囲気中において
800℃ないし900℃の範囲内の温度で焼成して、基
板面に対する接着強度が大きい高純度銅膜の導体
パターンを生成する混成集積回路基板の精造方法
であるから、導体膜が純銅のもつ同等の高い電気
伝導度を有し、導体膜から基板への熱消散にすぐ
れ、特にマイクロウエーブ用として高能率で特性
の良好な混成集積回路基板を容易に得ることがで
きる等、きわめて有用な新規的効果を奏するもの
である。
化銅および少量の無機質結合剤その他をペースト
剤と混練した導電性ペーストを用いて、セラミツ
ク基板上に混成集積回路の導体パターンを印加
し、その印刷面を空気中で適度に乾燥した後、セ
ラミツク基板を不活用ガスの雰囲気中において
800℃ないし900℃の範囲内の温度で焼成して、基
板面に対する接着強度が大きい高純度銅膜の導体
パターンを生成する混成集積回路基板の精造方法
であるから、導体膜が純銅のもつ同等の高い電気
伝導度を有し、導体膜から基板への熱消散にすぐ
れ、特にマイクロウエーブ用として高能率で特性
の良好な混成集積回路基板を容易に得ることがで
きる等、きわめて有用な新規的効果を奏するもの
である。
第１図は本発明に係る方法によつて製造された
混成集積回路基板の一例を示す平面図、第２図は
同上正面図である。 図中、１はセラミツク基板、２は高純度銅膜の
導体パターン、３は印刷時の合わせマーク、４は
端子である。
混成集積回路基板の一例を示す平面図、第２図は
同上正面図である。 図中、１はセラミツク基板、２は高純度銅膜の
導体パターン、３は印刷時の合わせマーク、４は
端子である。
Claims (1)
- １ 高純度の微粉水素化銅および少量の無機質結
合剤その他をペースト剤と混練した導電性ペース
トを用いて、セラミツク基板上に混成集積回路の
導体パターンを印刷し、その印刷面を空気中で適
度に乾燥した後、セラミツク基板を不活性ガスの
雰囲気中において800℃ないし900℃の範囲内の温
度で焼成して、基板面に対する接着強度が大きい
高純度銅膜の導体パターンを生成することを特徴
とする混成集積回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038083A JPS60160192A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038083A JPS60160192A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160192A JPS60160192A (ja) | 1985-08-21 |
| JPH0221669B2 true JPH0221669B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=16257205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19038083A Granted JPS60160192A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160192A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782963B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1995-09-06 | 松下電器産業株式会社 | 積層型セラミツクスの製造方法 |
| CN100344528C (zh) * | 2003-06-10 | 2007-10-24 | 旭硝子株式会社 | 金属氢化物微粒及其制造方法、含有金属氢化物微粒的分散液和金属质材料 |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP19038083A patent/JPS60160192A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160192A (ja) | 1985-08-21 |
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