JPH02216721A - 電気接点の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 窒素ガス等の不活性雰囲気中で使用する電気接点の製造
方法に関し、 パラジウム−ニッケル合金の電気接点と比べてコストが
同等であり、寿命特性に優れた接点の提供を目的とし、 コバルトを０，５ｗｔ％〜１５ｗｔ％含むパラジウム−
コバルト合金を、導電性基体に直接または導電性密着層
を介し電気めっきにて被着させることを特〔産業上の利
用分野〕 本発明は窒素ガス等の不活性雰囲気中で使用する電気接
点、例えばリードスイッチのリード片に形成する電気接
点の新規製造方法に関する。

少なくとも一対のリード片の一方の先端部に形成した電
気接点を、不活性ガスと共にガラス管内に封入し、該接
点が適宜の間隔で対向するリードスイッチは、大気中の
塵埃や有害ガス、湿度等に影響されないため信鯨性が高
く、該リードスイッチに永久磁石等の駆動手段を組み合
わせたリードリレーは、電磁リレーより小型、軽量であ
り、かつ、高速に動作する利点を有する。

かかるリードスイッチ等に使用する電気接点は、ロジウ
ム、ルテニウム、金等が用いられているが、近年、それ
らより安価なパラジウムが代替材料として検討されるよ
うになった。

〔従来の技術〕

第３図は従来の電気接点を具えたリードスイッチの断面
図（イ）とその電気接点の拡大図（ＩＩ＋）、第４図は
第３図に示す電気接点の厚さ方向の組成の構成例を示す
図である。

第３図において、リードスイッチ１は、５２７０イ　（
Ｎｉ５２％、残Ｆｅ）にてなる一対のリード片（基体）
２の中間部をガラス管３に封着し、各リード片２の先端
部に形成し不活性ガス（例えばＮ２）５と共に封入され
た電気接点４は、適宜量だけ離れて対向する。

電気接点４は、例えばリード片２に金をめっきし、母材
（５２７０イ）と金とを熱拡散したものであり、厚さ方
向の組成は第４図に示すように、縦軸を金属濃度（ｗｔ
％］、横軸を電気接点４の表面からの深さとしたとき、
電気接点４の表面から金（Ａｕ）は次第に減少する反面
、ニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）が次第に増加し、はぼ
金めつきとリード片２表面の境界面を境に、金の含有量
とニッケル十鉄の含有量とが逆転するようになる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のロジウム、ルテニウム、金等に替えて、白金族中
で最も安価なパラジウムを電気接点に使用としたとき、
パラジウムはロジウムやルテニウムに比べて軟質であり
、粘着傾向が強く寿命が短いという難点がある。このよ
うな難点を改善するため、ニッケルまたはコバルトを加
えたパラジウム合金の電気接点が提案されたが、該合金
にてなる電気接点は、パラジウムとニッケルまたはコバ
ルトを交互または同時にスパッタすることにより形成し
たものであった。

そして、スパッタによる従来の合金電気接点では、多す
ぎると接触抵抗が過大となり少なすぎると含有せしめた
効果が不十分となるニッケルまたはコバルトの含有量を
コントロールすることが困難となり、量産性特に厚さ数
μｍに形成させるときの生産性が低いという問題点があ
った。

〔課題を解決するための手段〕

前記課題の解決を目的とした本発明の電気接点の製造方
法は、コバルトを０．５ｗｔ％〜１５−１％含むパラジ
ウム−コバルト合金を、導電性基体に直接または導電性
密着層を介し電気めっきにて被着させることを特徴とす
るものである。

〔作用〕

上記手段によれば、電気めっきによる合金はスパッタし
てなるものより組成のコントロールおよび厚（被着させ
ることが容易であること、電気接点の添加物としてコバ
ルトはニッケルより高硬度であるため粘着傾向を減少せ
しめ長寿命にできることで有利である。

従って、本発明方法になる電気接点を使用したリードス
イッチは、接触電気抵抗が均一化し、粘着傾向が減少し
て長寿命となり、しかも安価に提供することができるよ
うになる。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明方法の実施例になる電気接
点を説明する。

第１図は本発明の一実施例による電気接点を具えたリー
ドスイッチの断面図（イ）とその電気接点の拡大図（Ｉ
Ｉ）である。

第３図と共通部分に同一符号を使用した第１図において
、リードスイッチ１１は、５２７０イにてなる一対のリ
ード片（基体）２の中間部をガラス管３に封着し、各リ
ード片２の先端部に形成しＮ２等の不活性ガス５と共に
封入された電気接点１２は、適宜量だけ離れその厚さ方
向に対向する。

電気接点１２は、硫酸、硝酸、亜硝酸、塩酸、沃素等の
パラジウム錯塩化合物と、硫酸、硝酸、塩酸等のコバル
ト化合物を使用し、パラジウム−コバルト合金を電気め
っきで形成させたものであり、該実施例においてめっき
液は Ｐｂ　（ＮＯｘ）　ｔ　（Ｎｕ、Ｉ）　ｔとしてｐｂを
・・１５ｇ／　１ＣｏＳＯａ　としてＣｏを・・・・・
・・・・・２　ｇ／　１含み、めっき条件として 電流密度・・・・・・・・・・・・５　Ａ／ｄ１１ｚ液
温・・・・・・・・・・・・・・・・４０’ＣＰＨ・・
・・・・・・・・・・・・・・　８である。

下記の表は、本発明に係わりコバルトを８ｗｔ％含むパ
ラジウム−コバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）の電気めっき層
のマイクロヌープ硬度（ＨＭＫ）と表面接触電気抵抗と
を、パラジウム（Ｐｄ）のめっき層および、ニッケルを
２０−ｔ％含むパラジウム−ニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ
）のめっき層のそれらと比較させたものである。

表 表より明らかなように、パラジウム−コバルト合金のめ
っき層はパラジウムのめっき層およびパラジウム−ニッ
ケル合金のめっき層より高硬度であり、その表面接触抵
抗はパラジウムのめっき層のそれよりもやや劣るがパラ
ジウム−ニッケル合金のめっき層とほぼ同等である。

第２図は本発明方法による電気接点の表面硬度と表面接
触電気抵抗の実測値をプロットし該プロットを実線また
は破線で繋いだ図である。

第２図において、縦軸は表面硬度（ＨＭＫ）または表面
抵抗（Ｘｏ、１ｍΩ）、横軸はコバルトの含有率（ｗｔ
％）であり、図中に実線で示す硬度特性はコバルト含有
率が約０．５　ｗｔ％ｔ％になると急激に低下し、図中
に破線で示す表面抵抗特性はコバルト含有率が約１５ｗ
ｔ％以上での増大が目立つようになる。

第２図より本発明方法による電気接点は、６００ＨＭＫ
程度の硬度を確保し表面抵抗を３０１１１Ω程度以下と
するコバルト含有率、即ちコバルトを０．５ｗｔ％〜１
５ｗｔ％含むパラジウム−コバルト合金であり、かかる
電気接点は粘着傾向を減少せしめるに適当な硬度と、通
常の電気接点（例えばリードスイッチ）に適用可能な接
触抵抗を確保することができる。

なお、第１図に示す実施例において電気接点１２は、リ
ード片２に直接被着させているが、リード片２との密着
力を高めるため金やパラジウムにてなる密着層を介して
被着させることは実用上有効である。

また、本発明方法による電気接点１２は適当な熱処理、
例えば大気中で２００″Ｃに１５分程度加熱するとによ
って、さらに高硬度（７００程度）にできることを付記
する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によりパラジウム−コバル
ト合金の電気めっきにより形成された電気接点は、パラ
ジウム−ニッケル合金の電気接点より高硬度であるため
粘着傾向が低く高寿命であり、かつ、スパッタ法による
ものより厚く形成させることが容易であって量産性に優
れ、本発明方法をリードスイッチに適用させたとき該ス
イッチを長寿命化し、安価に提供できるようにした効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による電気接点を具えたリー
ドスイッチ、 第２図は本発明方法による電気接点の表面硬度特性と表
面抵抗特性を示す図、 第３図は従来の電気接点を具えたリードスイッチ、 第４図は第３図に示す電気接点の組成の構成例、である
。 図中において、 ２はリード片、 １２は電気接点、 を示す。 （ロ） ダ （ロ） □ｖ？播お４亘

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コバルトを０．５ｗｔ％〜１５ｗｔ％含むパラジウム−
   コバルト合金を、導電性基体に直接または導電性密着層
   を介し電気めっきにて被着させることを特徴とする電気
   接点の製造方法。