JPH02216733A - マグネトロン - Google Patents

マグネトロン

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JPH02216733A
JPH02216733A JP3615589A JP3615589A JPH02216733A JP H02216733 A JPH02216733 A JP H02216733A JP 3615589 A JP3615589 A JP 3615589A JP 3615589 A JP3615589 A JP 3615589A JP H02216733 A JPH02216733 A JP H02216733A
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JP
Japan
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cathode
metallized
cathode support
semicircular
support structure
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Toshio Ogura
利夫 小倉
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、真空側だけにメタライズ面を有するセラミッ
クス製のステムの、メタライズ面または其れに接合した
金属板で、モリブデン製の陰極支持棒と鉄系材料よりな
る陰極外部接続線とを電気的に接続したマグネトロン陰
極支持構体の、この中継接続(陰極電位)部と其の外側
を囲む陽極電位部との間の耐電圧特性を向上させたもの
に関する。
[従来の技術] 電子レンジ用のマグネトロンは、広く家庭用に使用され
るため、低価格であることが強く要求され、熱陰極を支
持する高価なモリブデン製の陰極支持棒の長さも、極力
切り詰める必要がある。そのため1例えば特開昭62−
55848号公報には、lla極支持捧を挿通するセラ
ミックス製のステムの真空側となる面の一部分をメタラ
イズし、このメタライズ面または其れに接合した金属板
を介してモリブデン製の陰極支持棒と鉄系材料よりなる
陰極外部接続線とを電気的に中継接続し、モリブデン製
陰極支持捧の長さを短くすることが開示されている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上記技術によりモリブデンH陰極支持棒と鉄系
の陰極外部接続線とをセラミックス製ステムの真空側の
メタライズ面またはそれに接合した金属板で電気的に中
継接続した場合、陰極電位の此の接続部と、その外側を
囲み陽極円筒と同電位の金属円筒状体またはステムの円
環状メタライズ面との間の耐電圧性が十分ではなく、ス
パークが発生したり、リーク電流が生じたりするなどの
場合が多いという問題があった。
本発明は上記のような従来の技術の問題点を解決し、上
記の如く陰極支持棒と陰極外部接続線とをセラミックス
製ステムの真空側メタライズ面で中継接続した場合にも
、陰極電位の接続部とその外側を囲む陽極電位部との間
に、十分な耐電圧特性が得られるようにしたマグネトロ
ン陰極支持構体を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために本発明においては、陽極円筒
の一端に気密接合されて真空外囲器の一部をなす金属円
筒状体の端部に、管軸に直交する端面の、メタライズさ
れた外側円環状部で気密接合され、この接合部に対し管
軸方向に凹み表面がメタライズしてない円環状凹溝で絶
縁された、同じ端面内部の、中央の露出絶縁部を隔てて
対向する1対の半円形メタライズ部夫々に、陰極を両端
のエンドハツトを介して夫々支持するモリブデン製陰極
支持捧の片方を挿通する所定の深さの孔と陰極外部液f
I!線の片方を挿通し気密接合する貫通孔とを設け、陰
極を支持し且つ陰極支持棒と陰極外部接続線とを前記メ
タライズ面またはメタライズ面と其れに接合する金属板
で電気的に中継接続する機能を有するセラミックス製の
ステムを備えたマグネトロン陰極支持構体において、前
記半円形メタライズ部夫々を、半円形平面部がメタライ
ズ面に接合され平面部周縁に前記環状凹溝の管軸方向側
壁面の一部を覆うスカート部を有し外表面が滑らか(曲
率半径が無限小に近い尖った突出部のない)な金属製中
継板で被覆することにした。
[作用コ 上記のようにすれば、従来電界が集中して放電の発端と
なり易かったメタライズ面端部やメタライズ面に接合し
た金属平板の端部切断面などの影響が抑制され、耐電圧
特性が改善される。
上記のようなスカート部を付加しても材料の増加は僅か
なものであり、外表面を滑らかにする加工も例えばタン
ブラ加工など量産に適した方法で経済的に実行できる。
[実施例コ 第1図(a)は本発明一実施例の要部の断面図である。
フィラメント陰極1は、上下端のエンドハツト2.3を
介してモリブデン製の陰極支持棒4.5により支持され
る。この陰極支持棒4.5は、夫々、セラミックス製ス
テム6の管軸に直交する真空側端面内部の、中央のセラ
ミックスの肌が露出した絶縁部を隔てて対向する1対の
半円形メタライズ部6b、6cに設けた所定の深さの孔
4a。
5aに挿通され、これらのメタライズ面と其の周囲を囲
むセラミックスの肌が露出した絶縁用凹溝9の管軸方向
壁面の一部を被覆する金属製中継板7に銀ろうで接合固
着されている。中継板7は半円形平面部で前記ステム端
面のメタライズ部にろう付は固着されている。一方、1
対の陰極外部接続線8は夫々半円形メタライズ部6b、
6cに設けた貫通孔8a、8bに挿通され、メタライズ
面と金属板とにろう付は接合され、同時にこれら貫通孔
の真空側端部を気密封止している。金属円筒状体10の
上端大径部は図示してないマグネトロンの陽極円筒に気
密接合され、下端はステム6の真空側端面の外側円環状
メタライズ部6aに気密接合されている。なお、第1図
(b)はステム6の上面図で、第1図(Q)は中継板7
の上面図と側面図を示す。
上記のようにして、モリブデン製陰極支持棒4゜5は、
夫々、半円形メタライズ部6b、6cとそれらを被覆す
る金属製中継板7によって、陰極外部接続線8に中継接
続される。従来は、モリブデン製陰極支持棒がセラミッ
クス製ステムを貫通し。
貫通孔の外気側端部で外部接続線と接続されていた。従
って本実施例ではモリブデン線の使用量をかなり節約で
きたことになる。
ステム6の真空側端面上の、陰極支持棒と外部接続線と
の中継部である半円形メタライズ部6b。
6c(とそれらを被覆する中継板7)はほぼ陰極電位、
外側円環状メタライズ部6a(と金属円筒状体10)は
ほぼ陽極電位(但し接地しである)となり1両者間には
陰陽極間電位差に相当する例えば電源投入時で約8kV
の高電圧が印加されることになる。従来から絶縁用の環
状凹溝9はあったけれども、中継板は平板であったから
、その外周端面や露出したメタライズ面には尖った突出
部が多く、それらに電界が集中して、放電の発端となる
場合が多かった0本発明では、陰極用給電路の中継部を
1表面が滑らかな、スカート部付きの中継板で被覆した
から、電界の集中は生じなくなり。
放電し難くなって耐電圧特性が向上した。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、モリブデン線使用
量を低減することができ、しかも耐電圧特性は良好であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明一実施例の要部断面図、第1図(
b)はセラミックス製ステムの上面図、第1図(c)は
本発明に係る中継板の上面図と側面図である。 1・・・フィラメント陰極、  2,3・・・エンドハ
ツト、 4,5・・・陰極支持棒、 4a、5a・・・
所定深さの孔、 6・・・ステム、  6a、6b、6
c・・・メタライズ部、 7・・・本発明に係る中継板
、 8・・・陰極外部接続線、 8a、8b・・・貫通
孔、 91図 r===コ R穎 J!剰腎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、陽極円筒の一端に気密接合されて真空外囲器の一部
    をなす金属円筒状体の端部に、管軸に直交する端面の、
    メタライズされた外側円環状部で気密接合され、この接
    合部に対し管軸方向に凹み表面がメタライズしてない円
    環状凹溝で絶縁された、同じ端面内部の、中央の露出絶
    縁部を隔てて対向する1対の略半円形メタライズ部夫々
    に、陰極の両端部を夫々支持するモリブデン製陰極支持
    棒の片方を挿通する所定の深さの孔と陰極外部接続線の
    片方を挿通し気密接合する貫通孔とを設け、陰極を支持
    し且つ陰極支持棒と陰極外部接続線とを前記メタライズ
    面またはメタライズ面と其れに接合する金属板で電気的
    に中継接続する機能を有するセラミックス製のステムを
    備えたマグネトロン陰極支持構体において、前記半円形
    メタライズ部夫々を、外表面が滑らかで、半円形平面部
    がメタライズ面に接合され平面部周縁に前記円環状凹溝
    の管軸方向側壁面の一部を覆うスカート部を有する金属
    製中継板で被覆したことを特徴とするマグネトロン陰極
    支持構体。
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