JPH02217193A - インジウム系粉末状ハンダ - Google Patents
インジウム系粉末状ハンダInfo
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、プリント回路板の回路形成などのために用
いられるインジウム系粉末状ハンダに関する。
いられるインジウム系粉末状ハンダに関する。
ハンダは、金属材料や電子部品などのろう接材材として
古くから使用されている。ハンダには、棒状もしくは糸
状等に形成された固形ハンダのほかに、粉末状のハンダ
がある。固形ハンダには、たとえば、インジウム(In
)の入ったインジウム系ハンダがあり、これは、半導
体素子と導体の微小な接続を行うマイクロソルダリング
に用いられている。固形ハンダは、溶かしながら被ハン
ダ物に載せてゆくか、これを溶融しておいてその中に被
ハンダ物をディッピングしてゆくかするようにして使用
される。他方、粉末状ハンダは、フラックス等を含む粘
度の高いビヒクルと混練することにより、ペースト状に
して用いられる。ペースト状ハンダの代表的使用例は、
チップマウント方式実装基板におけるチップ部品のハン
ダ付り法であり、これは、スクリーン印刷法によってハ
ンダペーストをIC基板等の回路パターンの必要部分に
塗布し、チップ部品を装着したのち、リフローによりチ
ップ部品を回路パターンにハンダ溶着する方法である。
古くから使用されている。ハンダには、棒状もしくは糸
状等に形成された固形ハンダのほかに、粉末状のハンダ
がある。固形ハンダには、たとえば、インジウム(In
)の入ったインジウム系ハンダがあり、これは、半導
体素子と導体の微小な接続を行うマイクロソルダリング
に用いられている。固形ハンダは、溶かしながら被ハン
ダ物に載せてゆくか、これを溶融しておいてその中に被
ハンダ物をディッピングしてゆくかするようにして使用
される。他方、粉末状ハンダは、フラックス等を含む粘
度の高いビヒクルと混練することにより、ペースト状に
して用いられる。ペースト状ハンダの代表的使用例は、
チップマウント方式実装基板におけるチップ部品のハン
ダ付り法であり、これは、スクリーン印刷法によってハ
ンダペーストをIC基板等の回路パターンの必要部分に
塗布し、チップ部品を装着したのち、リフローによりチ
ップ部品を回路パターンにハンダ溶着する方法である。
このように、従来は、粉末状ハンダにしろ、固形ハンダ
にしろ、−旦熔融することで、目的の溶着強度や導電性
を確保するようにしていたのである。
にしろ、−旦熔融することで、目的の溶着強度や導電性
を確保するようにしていたのである。
従来のインジウム系ハンダは、一般には、インジウム(
In )が低融点(156℃)である性質を利用し、S
n、Pb、Agなどの1種以」−を含む通常のハンダ合
金組成にInを含有させて、ハンダの溶融点を低下させ
るとともに、併せて、加熱によって金属表面に酸化膜が
形成されないようにするものである。なお、インジウム
が良好なぬれ性を有することを利用して、ガラス等への
ぬれ性を向上させるようにする使用例も、一部にはある
。
In )が低融点(156℃)である性質を利用し、S
n、Pb、Agなどの1種以」−を含む通常のハンダ合
金組成にInを含有させて、ハンダの溶融点を低下させ
るとともに、併せて、加熱によって金属表面に酸化膜が
形成されないようにするものである。なお、インジウム
が良好なぬれ性を有することを利用して、ガラス等への
ぬれ性を向上させるようにする使用例も、一部にはある
。
上述のごとく、従来のハンダは、使用に際して、200
〜400°Cに一旦加熱し、溶融しなければならないと
いう煩わしさがある。電子部品の実装の面から見れば、
これは、実装部品に熱影響を不可避的に与えると言う問
題をもたらす。インジウムの添加により低温溶融が可能
になったと言っても、上述のような高温度では、依然と
して、母材表面に、ハンダのぬれ性を低下させる酸化膜
を形成させて、ハンダの歩留を悪くさせる懸念を残す。
〜400°Cに一旦加熱し、溶融しなければならないと
いう煩わしさがある。電子部品の実装の面から見れば、
これは、実装部品に熱影響を不可避的に与えると言う問
題をもたらす。インジウムの添加により低温溶融が可能
になったと言っても、上述のような高温度では、依然と
して、母材表面に、ハンダのぬれ性を低下させる酸化膜
を形成させて、ハンダの歩留を悪くさせる懸念を残す。
そごで、この発明は、上記問題に鑑めで、加熱熔融する
ことなく、粉末状のまま使用でき、常温圧下で拡散可能
なインジウム系粉末状ハンダを提供することを課題とす
る。
ことなく、粉末状のまま使用でき、常温圧下で拡散可能
なインジウム系粉末状ハンダを提供することを課題とす
る。
前記課題を解決するため、この発明にかかるインジウム
系粉末状ハンダは、全体組成の95−t%以上の成分が
インジウムと錫および/または鉛からなり、これら3成
分相互の配合割合を、インジウム15〜85−t%、錫
および/または鉛15〜85吋%とすることにより、粉
末状であって常温圧下による拡散を可能としている。
系粉末状ハンダは、全体組成の95−t%以上の成分が
インジウムと錫および/または鉛からなり、これら3成
分相互の配合割合を、インジウム15〜85−t%、錫
および/または鉛15〜85吋%とすることにより、粉
末状であって常温圧下による拡散を可能としている。
この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、全体組
成の95wt%以上(100wt%を含む)が、上記3
者相互の配合割合において、インジウム、錫および/ま
たは鉛からなるものでなければならない。上記3者以外
の成分を5wt%を越えて含むようであると、常温圧下
による拡散が起きないからである。したがって、この発
明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、0.5〜5w
t%の範囲内で銀を含むことができる。銀の添加は、粉
末化を容易にする。さらに、電気導通性を高めることに
も寄与する。なお、ビスマスやアンチモンを05〜5w
t%含むこともある。
成の95wt%以上(100wt%を含む)が、上記3
者相互の配合割合において、インジウム、錫および/ま
たは鉛からなるものでなければならない。上記3者以外
の成分を5wt%を越えて含むようであると、常温圧下
による拡散が起きないからである。したがって、この発
明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、0.5〜5w
t%の範囲内で銀を含むことができる。銀の添加は、粉
末化を容易にする。さらに、電気導通性を高めることに
も寄与する。なお、ビスマスやアンチモンを05〜5w
t%含むこともある。
上に見たように、この発明にかかるインジウム系粉末ハ
ンダは、3成分相互の配合割合において、インジウムが
15〜85wt%を占めることが必要である。インジウ
ムが15wt%を下回ると、常温圧下により拡散させる
ことが出来ず、インジウムが85iyt%を上回ると、
粉末化ができないからである。
ンダは、3成分相互の配合割合において、インジウムが
15〜85wt%を占めることが必要である。インジウ
ムが15wt%を下回ると、常温圧下により拡散させる
ことが出来ず、インジウムが85iyt%を上回ると、
粉末化ができないからである。
上記3成分相互の配合割合において、錫の配合割合は3
5wt%以上であることが好ましく、鉛の配合割合は5
0ivt%以上であることが好ましい。
5wt%以上であることが好ましく、鉛の配合割合は5
0ivt%以上であることが好ましい。
後に例示する非酸化雰囲気粉末化法(真空粉末化法)に
よって得られるインジウム系粉末状ハンダは、表面が酸
化されていないため、極めて活性に富み、好ましく用い
られるが、このようなものは、インジウムの配合割合が
多くなると、圧下しなくても拡散が起きて、粉末の凝固
が起き易くなるからである。
よって得られるインジウム系粉末状ハンダは、表面が酸
化されていないため、極めて活性に富み、好ましく用い
られるが、このようなものは、インジウムの配合割合が
多くなると、圧下しなくても拡散が起きて、粉末の凝固
が起き易くなるからである。
錫と鉛は、上記配合割合の範囲内で少なくとも一方が配
合されておれば良いが、両者が併せて配合されるときで
も、上記配合割合を満たすようになっている必要がある
。両者が併用されるときに、その原材料として5n−P
b共晶合金の形で配合されても良い。共晶合金における
両者の重量比率は、はぼ錫63:鉛37である。
合されておれば良いが、両者が併せて配合されるときで
も、上記配合割合を満たすようになっている必要がある
。両者が併用されるときに、その原材料として5n−P
b共晶合金の形で配合されても良い。共晶合金における
両者の重量比率は、はぼ錫63:鉛37である。
粉末化は、従来の粉末状ハンダと同様に行うことができ
る。したがって、アトマイズ法等の公知の種々の粉末化
法を用いることができる。また、粒径の大きな粉末を得
る場合には、溶融金属を高所から落下させて数段に設け
たメツシュの中を通ずことにより、粉末に成形すること
も出来る。しかし、これらの方法では、粉末粒子の表面
に薄い酸化膜が出来て、表面活性が低下する可能性があ
るので、表面活性が高いことを望む場合には、表面酸化
膜の生じにくい非酸化雰囲気粉末化法(真空粉末化法)
を採用するのが良い。真空粉末化法とは、たとえば、第
り図にみるような方法である。すなわち、溶解炉1内で
ハンダ合金を溶融し、熔融したハンダ合金をノズル2を
通して真空タンク3内の高速回転盤4に滴下するのであ
る。′/′g融ハンダ合金は、高速回転盤4の遠心力で
真空タンク3の内壁面に向かって飛散し凝固して、粉末
状となる。得られた粉末状ハンダ5は、コーン状になっ
たタンク3の底から取り出される。図中、6はバルブ7
を備えた取出口である。タンク3内を真空にするのは、
ハンダ合金の酸化を防止するためである。この場合、必
要に応じ、真空にしたのち、Arガス等でタンク内を置
換することも行われる。ハンダ合金の粒度は、用途に応
じて適宜に設定されるが、平均粒径500μm以下とす
るのが一般的であり、用途によっては、数1程度のもの
でも良い。
る。したがって、アトマイズ法等の公知の種々の粉末化
法を用いることができる。また、粒径の大きな粉末を得
る場合には、溶融金属を高所から落下させて数段に設け
たメツシュの中を通ずことにより、粉末に成形すること
も出来る。しかし、これらの方法では、粉末粒子の表面
に薄い酸化膜が出来て、表面活性が低下する可能性があ
るので、表面活性が高いことを望む場合には、表面酸化
膜の生じにくい非酸化雰囲気粉末化法(真空粉末化法)
を採用するのが良い。真空粉末化法とは、たとえば、第
り図にみるような方法である。すなわち、溶解炉1内で
ハンダ合金を溶融し、熔融したハンダ合金をノズル2を
通して真空タンク3内の高速回転盤4に滴下するのであ
る。′/′g融ハンダ合金は、高速回転盤4の遠心力で
真空タンク3の内壁面に向かって飛散し凝固して、粉末
状となる。得られた粉末状ハンダ5は、コーン状になっ
たタンク3の底から取り出される。図中、6はバルブ7
を備えた取出口である。タンク3内を真空にするのは、
ハンダ合金の酸化を防止するためである。この場合、必
要に応じ、真空にしたのち、Arガス等でタンク内を置
換することも行われる。ハンダ合金の粒度は、用途に応
じて適宜に設定されるが、平均粒径500μm以下とす
るのが一般的であり、用途によっては、数1程度のもの
でも良い。
後述のように、常温下での圧下で粉末粒子個々を拡散接
合するためには、展延性に冨み、がっ、酸化膜の影響を
あまり受けずに拡散して、粉末粒子が互いに接合する金
属が必要である。拡散現象は、熱と圧力と時間のファク
ターで起こり、はとんどの金属においてその現象をみる
ことができるが、常温下で若干の圧力を加えることで拡
散が起きる金属は、金やインジウムのようにごく少数で
ある。この発明では、よりコストを下げるため、比較的
安価なインジウムを採用している。
合するためには、展延性に冨み、がっ、酸化膜の影響を
あまり受けずに拡散して、粉末粒子が互いに接合する金
属が必要である。拡散現象は、熱と圧力と時間のファク
ターで起こり、はとんどの金属においてその現象をみる
ことができるが、常温下で若干の圧力を加えることで拡
散が起きる金属は、金やインジウムのようにごく少数で
ある。この発明では、よりコストを下げるため、比較的
安価なインジウムを採用している。
通常のハンダ合金組成に、インジウムを15〜85wt
%含有させると、粉末化が容易である上に、得られた粉
末状ハンダが、常温下での加圧により拡散を起こして、
粉末粒子が互いに接合するとともに導通性を持つように
なるのである。
%含有させると、粉末化が容易である上に、得られた粉
末状ハンダが、常温下での加圧により拡散を起こして、
粉末粒子が互いに接合するとともに導通性を持つように
なるのである。
この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、粉末状
であるが、ペースト状にしなくても、従来のペースト状
ハンダと同様にプリント回路基板の回路パターン形成等
に使用でき、この場合、加熱を必要とせず、ロール等で
加圧することで、粉末粒子に拡散を起こさせ、互いに接
合させるとともに導通性を持たせることができる。具体
的に述べると、このインジウム系粉末状ハンダを、基板
上に粉末のまま電路を描くように載置した後、常温下に
おいて、基板を破壊しない程度の圧力で粉末状ハンダを
加圧し、個々の粉末粒子をつぶし引き伸ばすことで粉末
粒子同士を密着させ、拡散助長により一体化を図るので
ある。上記回路形成のほかに、通常のろう接用途に用い
ることもできることは言うまでもない。
であるが、ペースト状にしなくても、従来のペースト状
ハンダと同様にプリント回路基板の回路パターン形成等
に使用でき、この場合、加熱を必要とせず、ロール等で
加圧することで、粉末粒子に拡散を起こさせ、互いに接
合させるとともに導通性を持たせることができる。具体
的に述べると、このインジウム系粉末状ハンダを、基板
上に粉末のまま電路を描くように載置した後、常温下に
おいて、基板を破壊しない程度の圧力で粉末状ハンダを
加圧し、個々の粉末粒子をつぶし引き伸ばすことで粉末
粒子同士を密着させ、拡散助長により一体化を図るので
ある。上記回路形成のほかに、通常のろう接用途に用い
ることもできることは言うまでもない。
この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダの用途は、
上記のものに限定されない。たとえば、面発熱体、室内
アンテナ、電磁シールドや静電防止材等にも使用できる
。使用温度は、常温に限定されることもない。
上記のものに限定されない。たとえば、面発熱体、室内
アンテナ、電磁シールドや静電防止材等にも使用できる
。使用温度は、常温に限定されることもない。
以下に、この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダを
、参考例、実施例および比較例を参照しつつ、詳細に説
明する。
、参考例、実施例および比較例を参照しつつ、詳細に説
明する。
以下では、まず、インジウムの含有量が粉末化に与える
影響を見た。
影響を見た。
参考例1〜8
In−3n系において、インジウムの配合量を変えなが
ら、参考例1〜8のインジウム系ハンダを装造して、粉
末化が出来るか否かを見た。各側において、インジう人
以外の金属は、銀2wt%、残部が錫である。粉末化は
、第1図の装置を用いて行った。得られた各ハンダの粒
度は95μmアンダーであった。
ら、参考例1〜8のインジウム系ハンダを装造して、粉
末化が出来るか否かを見た。各側において、インジう人
以外の金属は、銀2wt%、残部が錫である。粉末化は
、第1図の装置を用いて行った。得られた各ハンダの粒
度は95μmアンダーであった。
粉末化を行った結果を第1−1表に示す。
参考例9〜15
In−Pb系において、インジウムの配合量を変えなが
ら、参考例9〜15のインジウム系ハンダを製造して、
粉末化が出来るか否かを見た。各別において、インジウ
ム以外の金属は、銀2wt%、残部が鉛である。粉末化
は、第1図の装置を用いて行った。得られた各ハンダの
粒度は90μmアンダーであった。
ら、参考例9〜15のインジウム系ハンダを製造して、
粉末化が出来るか否かを見た。各別において、インジウ
ム以外の金属は、銀2wt%、残部が鉛である。粉末化
は、第1図の装置を用いて行った。得られた各ハンダの
粒度は90μmアンダーであった。
粉末化を行った結果を第1−2表に示す。
第1表の結果より、粉末粒子の表面が酸化されていない
インジウム系合金において、In−3n系合金では、イ
ンジウムの配合割合を70wt%以上にすると粉末化が
不可能であり、In−Pb系合金では、インジウムの配
合割合を55wt%以上にすると粉末化が不可能である
ことが分かる。
インジウム系合金において、In−3n系合金では、イ
ンジウムの配合割合を70wt%以上にすると粉末化が
不可能であり、In−Pb系合金では、インジウムの配
合割合を55wt%以上にすると粉末化が不可能である
ことが分かる。
実施例1〜9、比較例1〜8
つぎに、インジウム量と拡散性について見た、実施例1
〜9と比較例1〜8を説明する。
〜9と比較例1〜8を説明する。
エポキシ系樹脂基板上にアルミ薄板(厚さ0゜07mm
)を張りつけ、縦35×横2+uの長方形の溝を切り抜
き、その中へエポキシ樹脂系接着剤(セメダイン■製の
2液常温硬化型セメダインハイクイツクC)を塗り込み
、その後、第2表記載のハンダ合金組成を持つ実施例1
〜9.比較例1〜8の各粉末状ハンダをふりかけ、接着
剤の硬化完了後アルミ薄板を剥ぎ取り、基板上に縦35
×横2鶴の長方形のハンダ粉末帯を形成した。この場合
、実施例1.5のハンダの粉末化はアトマイズ法で行い
、その他のハンダの粉末化は第1図の装置4 置を用いて行った。
)を張りつけ、縦35×横2+uの長方形の溝を切り抜
き、その中へエポキシ樹脂系接着剤(セメダイン■製の
2液常温硬化型セメダインハイクイツクC)を塗り込み
、その後、第2表記載のハンダ合金組成を持つ実施例1
〜9.比較例1〜8の各粉末状ハンダをふりかけ、接着
剤の硬化完了後アルミ薄板を剥ぎ取り、基板上に縦35
×横2鶴の長方形のハンダ粉末帯を形成した。この場合
、実施例1.5のハンダの粉末化はアトマイズ法で行い
、その他のハンダの粉末化は第1図の装置4 置を用いて行った。
そのままでは、どの粉末についても導通が認められなか
ったため、第2図にみるように、試料(基板)11に対
し平ロールおよび網目ロール12によって若干の圧力(
ロール軸両端での(I:1重10kg、合計20kg)
を加え、試料(基板)11を圧下した。図中、13は圧
下前のハンダを示し、14は圧下されたハンダを示す。
ったため、第2図にみるように、試料(基板)11に対
し平ロールおよび網目ロール12によって若干の圧力(
ロール軸両端での(I:1重10kg、合計20kg)
を加え、試料(基板)11を圧下した。図中、13は圧
下前のハンダを示し、14は圧下されたハンダを示す。
この加圧後の通電性を簡易テスターによって測定した。
圧力、通電性についての測定結果を第2表に示す。
第2表の結果より、インジウムを15〜85wL%の範
囲内で含む、この発明のインジウム系粉末状ハンダは、
良好な導通性を示したが、インジウムを上記範囲外で含
む比較例1.2や、インジウムに錫・鉛層外の成分(亜
鉛)を配合した比較例3や、インジウムを全く含まない
比較例4〜8は、導通性が乏しいか全く無く、常温圧下
による拡散の起きていないことが分かる。
囲内で含む、この発明のインジウム系粉末状ハンダは、
良好な導通性を示したが、インジウムを上記範囲外で含
む比較例1.2や、インジウムに錫・鉛層外の成分(亜
鉛)を配合した比較例3や、インジウムを全く含まない
比較例4〜8は、導通性が乏しいか全く無く、常温圧下
による拡散の起きていないことが分かる。
参考のために、この発明にかかるインジウム系粉末状ハ
ンダが、実際の使用に際してどのように経時的な変化を
したかを見た。
ンダが、実際の使用に際してどのように経時的な変化を
したかを見た。
実施例10〜13
インジウムを35〜50wt%含む、粒度95μアンダ
ーの実施例10〜13にかかるインジウム系粉末状ハン
ダを三井東圧化学@製の常温硬化型接着剤を用いて基板
上に張りつけた後、ロールで加圧し、第3図にみるよう
な回路を備えた基板を得た。そして、A−8間の抵抗を
、製造直後、18日後、25日後に簡易テスターで測定
した。測定結果を、ハンダ合金組成、回路厚さなどとと
もに第3表に示す。
ーの実施例10〜13にかかるインジウム系粉末状ハン
ダを三井東圧化学@製の常温硬化型接着剤を用いて基板
上に張りつけた後、ロールで加圧し、第3図にみるよう
な回路を備えた基板を得た。そして、A−8間の抵抗を
、製造直後、18日後、25日後に簡易テスターで測定
した。測定結果を、ハンダ合金組成、回路厚さなどとと
もに第3表に示す。
■
第3表にみるように、実施例のインジウム系粉末状ハン
ダは、いずれも、経時的な抵抗変化が小さく、回路とし
て好適に用いることができる。
ダは、いずれも、経時的な抵抗変化が小さく、回路とし
て好適に用いることができる。
この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、上述の
ように構成されているため、加熱熔融することなく、常
温下で使用することができ、そのように用いても導電性
に問題がない。
ように構成されているため、加熱熔融することなく、常
温下で使用することができ、そのように用いても導電性
に問題がない。
特に、この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダは、
粉末状であるので、つぎのよう効果を有する。ずなわち
、使用する場合の形状を太細、直曲等自由自在に展開で
きる。凹凸部や穴等であっても配置できる。空気輸送等
による輸送が容易である。表面積が多くなるため、表面
活性が増し、他物体との濡れ性が良く、粉末粒子が凝集
(密着)し易い。供給用等のホッパ内では、ブリッジを
作り難い。リフローして使用する場合に、低温で溶解で
きる。粒子形状を球状とした場合、粉末粒子細々は、ど
のように置かれても同じ形をとるから、置き姿勢が安定
し、かつ、外力によって均一に潰れ易く、拡散効果が向
」−する。
粉末状であるので、つぎのよう効果を有する。ずなわち
、使用する場合の形状を太細、直曲等自由自在に展開で
きる。凹凸部や穴等であっても配置できる。空気輸送等
による輸送が容易である。表面積が多くなるため、表面
活性が増し、他物体との濡れ性が良く、粉末粒子が凝集
(密着)し易い。供給用等のホッパ内では、ブリッジを
作り難い。リフローして使用する場合に、低温で溶解で
きる。粒子形状を球状とした場合、粉末粒子細々は、ど
のように置かれても同じ形をとるから、置き姿勢が安定
し、かつ、外力によって均一に潰れ易く、拡散効果が向
」−する。
第1図は、粉末状ハンダの製造装置を示す簡略断面図、
第2図は、この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダ
の使用例を示す側面図、第3図は、この発明の実施例に
かかるハンダを用いて形成された回路バクーンを示す平
面図である。 11・・・基板 12・・・ロール 13・・・圧下前
のハンダ 14・・・圧下後のハンダ 代理人 弁理士 松 本 武 彦
第2図は、この発明にかかるインジウム系粉末状ハンダ
の使用例を示す側面図、第3図は、この発明の実施例に
かかるハンダを用いて形成された回路バクーンを示す平
面図である。 11・・・基板 12・・・ロール 13・・・圧下前
のハンダ 14・・・圧下後のハンダ 代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 全体組成の95wt%以上の成分がインジウムと錫
および/または鉛からなり、これら3成分相互の配合割
合を、インジウム15〜85wt%、錫および/または
鉛15〜85wt%とすることにより、粉末状であって
常温圧下による拡散を可能とするインジウム系粉末状ハ
ンダ。 2 錫の配合割合が35wt%以上である請求項1記載
のインジウム系粉末状ハンダ。 3 鉛の配合割合が50wt%以上である請求項1また
は2記載のインジウム系粉末状ハンダ。 4 銀を0.5〜5wt%含む請求項1から3までのい
ずれかに記載のインジウム系粉末状ハンダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3911789A JPH02217193A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | インジウム系粉末状ハンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3911789A JPH02217193A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | インジウム系粉末状ハンダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217193A true JPH02217193A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12544141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3911789A Pending JPH02217193A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | インジウム系粉末状ハンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217193A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0615476A (ja) * | 1992-05-04 | 1994-01-25 | Indium Corp Of America:The | 錫、銀、およびインジウムを含有する、鉛を含まない合金 |
| JPH0788681A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-04-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無鉛高温すずベース多成分はんだ |
| US6253988B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-07-03 | Antaya Technologies Corporation | Low temperature solder |
| WO2006028668A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Intel Corporation | Tin/indium lead-free solders for low stress chip attachment |
| US7776651B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-08-17 | Intel Corporation | Method for compensating for CTE mismatch using phase change lead-free super plastic solders |
| WO2011027820A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだ合金、接合用部材及びその製造法、並びに電子部品 |
| WO2011145591A1 (ja) * | 2010-05-17 | 2011-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 車両用無鉛はんだ組成物 |
| US8771592B2 (en) | 2011-02-04 | 2014-07-08 | Antaya Technologies Corp. | Lead-free solder composition |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3911789A patent/JPH02217193A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0615476A (ja) * | 1992-05-04 | 1994-01-25 | Indium Corp Of America:The | 錫、銀、およびインジウムを含有する、鉛を含まない合金 |
| US5580520A (en) * | 1992-05-04 | 1996-12-03 | The Indium Corporation Of America | Lead-free alloy containing tin, silver and indium |
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| CN102596487A (zh) * | 2009-09-04 | 2012-07-18 | 千住金属工业株式会社 | 无铅焊料合金、接合用构件及其制造方法、以及电子部件 |
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| US9773721B2 (en) | 2009-09-04 | 2017-09-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloy, connecting member and a method for its manufacture, and electronic part |
| WO2011145591A1 (ja) * | 2010-05-17 | 2011-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 車両用無鉛はんだ組成物 |
| US8771592B2 (en) | 2011-02-04 | 2014-07-08 | Antaya Technologies Corp. | Lead-free solder composition |
| US9975207B2 (en) | 2011-02-04 | 2018-05-22 | Antaya Technologies Corporation | Lead-free solder composition |
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