JPH02217352A - 酸化物超電導導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導導体の製造方法Info
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- JPH02217352A JPH02217352A JP1038099A JP3809989A JPH02217352A JP H02217352 A JPH02217352 A JP H02217352A JP 1038099 A JP1038099 A JP 1038099A JP 3809989 A JP3809989 A JP 3809989A JP H02217352 A JPH02217352 A JP H02217352A
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- Japan
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- oxide superconductor
- polycrystal
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- oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ケーブル、マグネット、磁気シールド素子等
に使用される酸化物超電導導体の製造方法に関するもの
であり、特に実用に供し得る臨界電流密度（Ｊｃ）を有
する超電導導体の製造方法に関するものである。
に使用される酸化物超電導導体の製造方法に関するもの
であり、特に実用に供し得る臨界電流密度（Ｊｃ）を有
する超電導導体の製造方法に関するものである。
（従来の技術〕
近年、Ｈｅ等の極低温を必要としない高温超電導体が酸
化物、特にＣｕを含む層状ペロブスカイト構造の酸化物
において多く見出されている０例えばＬｎＢａｔＣａｘ
Ｏｔ−ｘ （Ｌｎ ：Ｙ％Ｈｕ、！’１１等の希土類元
素）％ Ｂ ｉ富ｓｒｚｃａｃｕｍｏ＊−ｘ、Ｂ ｉｔ
ｓ ｒｇｃａｘｃｕｓｏ＋＊−ｘ 、ＴｌｘＢａｚＣａ
ＣｕＯｍ−ｘ、Ｔｊ！１ＢａｚＣａｚＣｕｓＯ＋ｅ−ｘ
、Ｔｌ１Ｂ；１ｚＣａｚＣｕｚＯｘ−ｘ等である。こ
れらの酸化物超電導体は液体Ｎ２温度以上で超電導状態
になる為、従来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電
導体に比べて格段に経済的であり、各分野での利用が検
討されている。
化物、特にＣｕを含む層状ペロブスカイト構造の酸化物
において多く見出されている０例えばＬｎＢａｔＣａｘ
Ｏｔ−ｘ （Ｌｎ ：Ｙ％Ｈｕ、！’１１等の希土類元
素）％ Ｂ ｉ富ｓｒｚｃａｃｕｍｏ＊−ｘ、Ｂ ｉｔ
ｓ ｒｇｃａｘｃｕｓｏ＋＊−ｘ 、ＴｌｘＢａｚＣａ
ＣｕＯｍ−ｘ、Ｔｊ！１ＢａｚＣａｚＣｕｓＯ＋ｅ−ｘ
、Ｔｌ１Ｂ；１ｚＣａｚＣｕｚＯｘ−ｘ等である。こ
れらの酸化物超電導体は液体Ｎ２温度以上で超電導状態
になる為、従来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電
導体に比べて格段に経済的であり、各分野での利用が検
討されている。
ところで上記酸化物超電導体は脆い為、金属材料の樺に
塑性加工する事が出来なく、これらを線、条等に加工す
るには、粉末冶金法により酸化物原料粉末の仮填成粉を
所定形状に成形加工後、これを焼結処理したり、或いは
ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の気相成長法によりＳＵＳやハス
テロイ合金等の基体上に酸化物超を導体となし得る複合
酸化物を薄膜状に直接析出させ、これを加熱処理して酸
化物超電導導体とする方法等がとられている。
塑性加工する事が出来なく、これらを線、条等に加工す
るには、粉末冶金法により酸化物原料粉末の仮填成粉を
所定形状に成形加工後、これを焼結処理したり、或いは
ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の気相成長法によりＳＵＳやハス
テロイ合金等の基体上に酸化物超を導体となし得る複合
酸化物を薄膜状に直接析出させ、これを加熱処理して酸
化物超電導導体とする方法等がとられている。
（発明が解決しようとする課題〕
然しなから、これらの方法の内、酸化物粉末の成形体を
焼結処理する方法では、臨界電流密度（ＪＣ）が小さい
超電導体しか得られず、しかも小さな磁場によってもＪ
ｃ特性が低下するという問題があった。一方スバッタや
蒸着等のＰＶＤ法やＣＶＤ法等により得られる薄膜では
、比較的大きなＪ、値を有するものが得られており、し
かも磁場中においてもＪｃ特性が余り低下しないものが
得られているが、厚さがｌＩ！ｍ前後以下に制限され、
且つ生産性が低いので、この方法はエレクトロニクス等
の一部の用途にのみ有用な方法であると考えられていた
。
焼結処理する方法では、臨界電流密度（ＪＣ）が小さい
超電導体しか得られず、しかも小さな磁場によってもＪ
ｃ特性が低下するという問題があった。一方スバッタや
蒸着等のＰＶＤ法やＣＶＤ法等により得られる薄膜では
、比較的大きなＪ、値を有するものが得られており、し
かも磁場中においてもＪｃ特性が余り低下しないものが
得られているが、厚さがｌＩ！ｍ前後以下に制限され、
且つ生産性が低いので、この方法はエレクトロニクス等
の一部の用途にのみ有用な方法であると考えられていた
。
従って粉末法による酸化物超電導体のＪｃ特性を向上さ
せる為種々の検討がなされており、例えば酸化物を一旦
融解してから凝固せしめて、高密度の酸化物結晶体とす
る方法も試みられている。
せる為種々の検討がなされており、例えば酸化物を一旦
融解してから凝固せしめて、高密度の酸化物結晶体とす
る方法も試みられている。
この方法により得られた結晶体は、個々の結晶粒につい
ては前記薄膜に匹敵する大きなＪｃ値をもつものが得ら
れている。しかし結晶体全体について測定するとＪ、特
性が大幅に低下し、通常の方法で製造した酸化物焼結体
の場合とほぼ同じレベルに、ン一、プしまう、又上記結
晶粒は凝固条件等を工夫する事により、長さ二０．１〜
数ｍｍ、厚さ、幅：０−０１〜０．数ｍｍ迄成長させる
事は可能であるが、その大きさにはおのずから制約があ
り、ケーブル、マグネット、磁気シールド素子等の実用
途には不充分な大きさである。
ては前記薄膜に匹敵する大きなＪｃ値をもつものが得ら
れている。しかし結晶体全体について測定するとＪ、特
性が大幅に低下し、通常の方法で製造した酸化物焼結体
の場合とほぼ同じレベルに、ン一、プしまう、又上記結
晶粒は凝固条件等を工夫する事により、長さ二０．１〜
数ｍｍ、厚さ、幅：０−０１〜０．数ｍｍ迄成長させる
事は可能であるが、その大きさにはおのずから制約があ
り、ケーブル、マグネット、磁気シールド素子等の実用
途には不充分な大きさである。
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされたもので
あり、その目的とするところは、磁場中においても充分
に大きな臨界電流密度（ＪＣ）特性を有し、しかも実用
途に適した大きさ、形状で、しかも機械的強度にも優れ
た酸化物超電導導体を効率良く型環する方法を提供する
事である。
あり、その目的とするところは、磁場中においても充分
に大きな臨界電流密度（ＪＣ）特性を有し、しかも実用
途に適した大きさ、形状で、しかも機械的強度にも優れ
た酸化物超電導導体を効率良く型環する方法を提供する
事である。
本発明者等は上記問題点を解決する為鋭意検討を行なっ
た結果、融液状態を含む酸化物超電導体用原料組成物を
凝固させて得られた多結晶体を、該多結晶体が各結晶粒
間に含有している低融点不純物が軟化する温度で加圧処
理する事により、各結晶粒間の結合が強化され、大きな
臨界電流密度（Ｊｃ）［をもつものが得られる事を見出
して、本発明の完成に至ったものである。
た結果、融液状態を含む酸化物超電導体用原料組成物を
凝固させて得られた多結晶体を、該多結晶体が各結晶粒
間に含有している低融点不純物が軟化する温度で加圧処
理する事により、各結晶粒間の結合が強化され、大きな
臨界電流密度（Ｊｃ）［をもつものが得られる事を見出
して、本発明の完成に至ったものである。
即ち本発明は、酸化物超電導体用原料組成物を加熱して
少なく共その一部を溶融又は半溶融状態にした後、これ
を凝固させて得られた多結晶体を、該多結晶体の一部が
軟化する温度で、且つ酸化物超電導体の融点未満の温度
にて、加圧処理する事を特徴とする酸化物超電導導体の
製造方法である。
少なく共その一部を溶融又は半溶融状態にした後、これ
を凝固させて得られた多結晶体を、該多結晶体の一部が
軟化する温度で、且つ酸化物超電導体の融点未満の温度
にて、加圧処理する事を特徴とする酸化物超電導導体の
製造方法である。
以下に本発明の構成について具体的に説明する。
本発明における酸化物超電導体用原料組成物は、化学量
論比の或いは特定成分を過剰に又は少なめに配合した原
料組成物であり、例えば酸化物、硝酸塩、炭酸塩又はこ
れらの混合物である。勿論事前に仮焼結してその大部分
を酸化物超電導体化しておく事が望ましい。
論比の或いは特定成分を過剰に又は少なめに配合した原
料組成物であり、例えば酸化物、硝酸塩、炭酸塩又はこ
れらの混合物である。勿論事前に仮焼結してその大部分
を酸化物超電導体化しておく事が望ましい。
前記酸化物超電導体原料組成物を全体を完全に融解する
か、或いは部分的に半溶融状態に保持してから、冷却凝
固せしめる。この際一方向に温度勾配をつけた炉中で冷
却凝固せしめると、結晶粒が冷却方向に長く伸び、配向
性が得られるのでより好ましい、尚本工程における酸化
物超電導体原料組成物の形状は特に限烹されるものでは
なく、テープや線状体、板状体、管状体等所望形状の成
形体に対して上記熱処理を施す事が出来る。或いはこの
様な熱処理により得られた多結晶体を素材として、これ
に成形加工を施して所望の形状にしてから次の加圧処理
を行なっても差し支えない。
か、或いは部分的に半溶融状態に保持してから、冷却凝
固せしめる。この際一方向に温度勾配をつけた炉中で冷
却凝固せしめると、結晶粒が冷却方向に長く伸び、配向
性が得られるのでより好ましい、尚本工程における酸化
物超電導体原料組成物の形状は特に限烹されるものでは
なく、テープや線状体、板状体、管状体等所望形状の成
形体に対して上記熱処理を施す事が出来る。或いはこの
様な熱処理により得られた多結晶体を素材として、これ
に成形加工を施して所望の形状にしてから次の加圧処理
を行なっても差し支えない。
次にこの様にして得られた多結晶体を加熱して加圧処理
を行なうが、その温度が該多結晶体が各結晶粒間に含有
している低融点不純物の軟化温度未満であると、各結晶
粒間の結合が強化されなく、従って大きな臨界電流密度
（ＪＣ）値をもつものが得られないので、前記低融点不
純物の軟化温度以上の温度で加圧処理する必要がある。
を行なうが、その温度が該多結晶体が各結晶粒間に含有
している低融点不純物の軟化温度未満であると、各結晶
粒間の結合が強化されなく、従って大きな臨界電流密度
（ＪＣ）値をもつものが得られないので、前記低融点不
純物の軟化温度以上の温度で加圧処理する必要がある。
又その温度が酸化物超電導体の融点以上であると、多結
晶体の粒内に微細に分散していて、ピンニング力の向上
等超電導特性に有効に作用している高融点の不純物も溶
融してしまうので、酸化物超電導体の融点未満の温度で
加圧処理する必要がある。
晶体の粒内に微細に分散していて、ピンニング力の向上
等超電導特性に有効に作用している高融点の不純物も溶
融してしまうので、酸化物超電導体の融点未満の温度で
加圧処理する必要がある。
加圧方法はホットプレスの様な一軸方向の加圧でも良く
、ＨＩＰ （熱間静水圧プレス）の様な静水圧的な力曾
−圧でも良い、又加圧処理に有効な圧力は温度にもよる
が、通常１０ｋｇ／ｍｍ”以上、より望ましくは５０
ｋ ｇ ７ｍｍｔ以上である。
、ＨＩＰ （熱間静水圧プレス）の様な静水圧的な力曾
−圧でも良い、又加圧処理に有効な圧力は温度にもよる
が、通常１０ｋｇ／ｍｍ”以上、より望ましくは５０
ｋ ｇ ７ｍｍｔ以上である。
前記加圧処理は、低０寞分圧又は真空や不活性ガス雰囲
気中で行なうと、結晶粒間に存在する低融点不純物の融
解が促進されるのと同時に結晶粒間の結合反応が加速さ
れて好結果が得られる場合が多い、低０３分圧としては
０．１気圧以下が望ましく、より好ましくはＯ，ＯＳ気
圧以下にすべきである。
気中で行なうと、結晶粒間に存在する低融点不純物の融
解が促進されるのと同時に結晶粒間の結合反応が加速さ
れて好結果が得られる場合が多い、低０３分圧としては
０．１気圧以下が望ましく、より好ましくはＯ，ＯＳ気
圧以下にすべきである。
上記加圧処理を終えた多結晶体は、必要に応じて０．雰
囲気中で熱処理し、酸化、再結晶、相転移等の反応を起
こさせて酸化物超電導導体とされる。
囲気中で熱処理し、酸化、再結晶、相転移等の反応を起
こさせて酸化物超電導導体とされる。
本発明方法においては、酸化物超電導体原料組成物を一
旦融解してから、これを冷却して凝固セしめているので
、高密度の酸化物多結晶体が得られる。特に冷却時に一
方向凝固させた場合は長手方向に電流の流れやすいａ軸
又はｂ軸方向が配向粒界に低融点不純物を排出しながら
結晶成長が進行するので、粒界の電気的結合は弱いもの
である。
旦融解してから、これを冷却して凝固セしめているので
、高密度の酸化物多結晶体が得られる。特に冷却時に一
方向凝固させた場合は長手方向に電流の流れやすいａ軸
又はｂ軸方向が配向粒界に低融点不純物を排出しながら
結晶成長が進行するので、粒界の電気的結合は弱いもの
である。
即ちこの低融点不純物の多くはＣｕの酸化物又はＣｕと
アルカリ土類金属との複合酸化物、Ｂｉ、Ｔ１等の酸化
物やこれらと他成分の酸化物との複合体等であり、絶縁
物又は半導体であって、結晶粒間を電流が流れるのを妨
げている。
アルカリ土類金属との複合酸化物、Ｂｉ、Ｔ１等の酸化
物やこれらと他成分の酸化物との複合体等であり、絶縁
物又は半導体であって、結晶粒間を電流が流れるのを妨
げている。
本発明は以上の事実を解明して、これら低融点不純物の
軟化点以上の温度で加圧処理する事により、酸化物超電
導体の結晶粒間の結合が速やかに得られる事を見出した
ものである。結晶粒間の結合が起こる反応の詳細は明ら
かでないが、加圧処理によって結晶粒間の接近が起こり
、結晶粒間での液相又は固相反応に有利に作用するもの
と考えられる。
軟化点以上の温度で加圧処理する事により、酸化物超電
導体の結晶粒間の結合が速やかに得られる事を見出した
ものである。結晶粒間の結合が起こる反応の詳細は明ら
かでないが、加圧処理によって結晶粒間の接近が起こり
、結晶粒間での液相又は固相反応に有利に作用するもの
と考えられる。
尚上述の加圧処理が機械的強度の改善にも有効である事
は自明である。
は自明である。
（実施例〕
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例１
Ｙ２Ｏ２、Ｂ ａ ＣＯｓ及びＣｕＯの粉末をＹ：Ｂａ
：Ｃｕが原子比で１ ：２．０５ ：１２になる様に配
合し、ついでこの混合粉体を大気中で９２０’ＣＸ６ｈ
ｒ仮焼成した。この仮焼成体を粉砕分級後、５Ｘ１０Ｘ
４０ｍｍの棒状体に成形加工し、９００°ＣＸ１２ｈｒ
焼結処理を行なった０次に本島をＰｔの箱体内におさめ
てから電気炉中に入れ、０゜気流中（ｌａｔｍ）で１０
９０ ’Ｃに加熱して前記棒状体を半溶融状態とした後
、引続き炉内の一方向に約５０℃／ｃｍの温度勾配をつ
けた部分を０゜８ ｍ ｍ ／ ｈ ｒ、の移動速度で
通過させて、棒状体を冷却凝固せしめた。
：Ｃｕが原子比で１ ：２．０５ ：１２になる様に配
合し、ついでこの混合粉体を大気中で９２０’ＣＸ６ｈ
ｒ仮焼成した。この仮焼成体を粉砕分級後、５Ｘ１０Ｘ
４０ｍｍの棒状体に成形加工し、９００°ＣＸ１２ｈｒ
焼結処理を行なった０次に本島をＰｔの箱体内におさめ
てから電気炉中に入れ、０゜気流中（ｌａｔｍ）で１０
９０ ’Ｃに加熱して前記棒状体を半溶融状態とした後
、引続き炉内の一方向に約５０℃／ｃｍの温度勾配をつ
けた部分を０゜８ ｍ ｍ ／ ｈ ｒ、の移動速度で
通過させて、棒状体を冷却凝固せしめた。
次にこの棒状体にＰｏｔ−０，０１ａｔｍのＡ「雰囲気
中で、温度：９５０℃、加圧カニＳＯＯ気圧のＨＩＰ処
理を１２ｈｒ施した。最後に８００℃の酸素気流中で１
５分加熱してから、１．５℃／ｍｉｎの冷却速度で室温
迄徐冷し、酸化物超電導導体を得た。
中で、温度：９５０℃、加圧カニＳＯＯ気圧のＨＩＰ処
理を１２ｈｒ施した。最後に８００℃の酸素気流中で１
５分加熱してから、１．５℃／ｍｉｎの冷却速度で室温
迄徐冷し、酸化物超電導導体を得た。
実施例２
ＨＩＰ処理における加圧力を３０気圧とした以外は実施
例１と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
例１と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
比較例Ｉ
ＨＩＰ処理を行なわなかった以外は実施例１と同様な方
法で酸化物超電導導体を得た。
法で酸化物超電導導体を得た。
比較例２
ＨＩＰ処理における加圧力を５気圧とした以外は実施例
１と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
１と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
上記実施例１〜２及び比較例１〜２で得られた超電導導
体について、棒状体の両端に電流端子を置き、中央部に
２０ｍｍの間隔で電圧端子を配置し、１０ｍｓ ｅ ｃ
のパルス電流を流して、臨界電流密度（Ｊ、）を測定し
た。２＋１定はＩｐＶ／ｃｍを規準とし、棒状サンプル
表面に垂直な磁場を０゜５Ｔ印加して、液体窒素中（７
７Ｋ）で行なった。
体について、棒状体の両端に電流端子を置き、中央部に
２０ｍｍの間隔で電圧端子を配置し、１０ｍｓ ｅ ｃ
のパルス電流を流して、臨界電流密度（Ｊ、）を測定し
た。２＋１定はＩｐＶ／ｃｍを規準とし、棒状サンプル
表面に垂直な磁場を０゜５Ｔ印加して、液体窒素中（７
７Ｋ）で行なった。
得られた結果を第１表に示した。
７１表
第１表から明らかな様に、本発明の方法により製造した
酸化物超電導導体（実施例１〜２品）は、比較例１〜２
品に比べて臨界電流密度（ＪＣ）値が大幅に向上してい
る。比較例１品の多結晶体について、半導体工業のＡｕ
線ポールボンディングの手法を用いて、結晶粒内に端子
付けを行ない、端子位置以外は実施例１と同様な条件で
Ｊ、を測定したところ、Ｊｃ−９，８ＸＩＯ’Ａ／ｃｍ
”と実施例１〜２品と同オーダーの高い値をもつものが
得られた。但し結晶粒界を１個以上介して測定した場合
、Ｊ、の値は１１５０以下（多（の場合ｌ／１００〜ｌ
／１０００）に低下した。この実験事実より、本発明方
法により結晶粒界の結合が強化された事、並びに多結晶
体のＪ、が結晶粒内のＪｃに近いレベル迄改善された事
が分かった。
酸化物超電導導体（実施例１〜２品）は、比較例１〜２
品に比べて臨界電流密度（ＪＣ）値が大幅に向上してい
る。比較例１品の多結晶体について、半導体工業のＡｕ
線ポールボンディングの手法を用いて、結晶粒内に端子
付けを行ない、端子位置以外は実施例１と同様な条件で
Ｊ、を測定したところ、Ｊｃ−９，８ＸＩＯ’Ａ／ｃｍ
”と実施例１〜２品と同オーダーの高い値をもつものが
得られた。但し結晶粒界を１個以上介して測定した場合
、Ｊ、の値は１１５０以下（多（の場合ｌ／１００〜ｌ
／１０００）に低下した。この実験事実より、本発明方
法により結晶粒界の結合が強化された事、並びに多結晶
体のＪ、が結晶粒内のＪｃに近いレベル迄改善された事
が分かった。
実施例３
ＨＩＰ処理に代えて、市販Ｎ、ガス気流中で、温度：９
５０℃、加圧カニ２５０気圧の条件で、棒状体の１０１
０Ｘ４０面を上下からホットプレスにより４ｈｒ加圧し
た以外は実施例１と同じ条件で酸化物超電導導体を得た
。
５０℃、加圧カニ２５０気圧の条件で、棒状体の１０１
０Ｘ４０面を上下からホットプレスにより４ｈｒ加圧し
た以外は実施例１と同じ条件で酸化物超電導導体を得た
。
比較例３・
加圧処理の温度を８００℃とした以外は、実施例３と同
じ条件で酸化物超電導導体を得た。
じ条件で酸化物超電導導体を得た。
上記実施例３及び比較例３で得られた超電導導体につい
て、実施例１と同様な方法で臨界電流密度（ＪＣ）を測
定し、その結果を第２表に示した。
て、実施例１と同様な方法で臨界電流密度（ＪＣ）を測
定し、その結果を第２表に示した。
第２表
第２表から明らかな様に、本発明の方法により製造した
酸化物超電導導体（Ｘ路傍３品）は、加圧処理の温度が
低すぎた比較例３品に比べてＪ。
酸化物超電導導体（Ｘ路傍３品）は、加圧処理の温度が
低すぎた比較例３品に比べてＪ。
値が大幅に向上している。
実施例４品
Ｂｉｔ’ｓ、Ｓ ｒ ＣＯｓ、ＣａＣ０，及びＣｕＯの
粉末を、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕが原子比でλ２：２．
０：１．１：２．１になる様に配合し、ついでこの混合
粉体を大気中で８２０°ＣＸ２０ ｈ ｒ仮焼成した。
粉末を、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕが原子比でλ２：２．
０：１．１：２．１になる様に配合し、ついでこの混合
粉体を大気中で８２０°ＣＸ２０ ｈ ｒ仮焼成した。
この仮焼成体を粉砕分級して得られた仮焼成粉を外径４
．５ ｍ ｍφのＡｇチューブに充填してから、厚さ０
．５ ｍ ｍ迄圧延加工した６本品を大気中で９０５’
ＣＸ２ｈｒ加熱した後、Ｐｏ、−Ｑ。
．５ ｍ ｍφのＡｇチューブに充填してから、厚さ０
．５ ｍ ｍ迄圧延加工した６本品を大気中で９０５’
ＣＸ２ｈｒ加熱した後、Ｐｏ、−Ｑ。
ｌａｔｍのＡ ｒ ＋ Ｏを雰囲気中で、温度：８４０
℃、加圧カニ３５０気圧のＨＩＰ処理を８ｈｒ施した。
℃、加圧カニ３５０気圧のＨＩＰ処理を８ｈｒ施した。
最後にこれを大気中で８１０℃ＸＪｈｒ熱処理して、酸
化物超電導導体を得た。
化物超電導導体を得た。
比較例４
ＨＩＰ処理を大気中で８ｈｒ行なった以外は実施例４と
同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
比較例５
ＨＩＰ処理を大気中で１００ｈｒ行なった以外は実施例
４と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
４と同様な方法で酸化物超電導導体を得た。
比較例６
ＨＩＰ処理を７５０℃で行なった以外は実施例４と同様
な方法で酸化物超電導導体を得た。
な方法で酸化物超電導導体を得た。
上記実施例４及び比較例４〜６で得られた超電導導体に
ついて、長さ４０ｍｍのテープの両端に電流端子を１き
、中央部に１０ｍｍの間隔で電圧端子を配置し、直流法
で臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した。測定はテープ面に
垂直に０． Ｉ ＴのＪ４ｉ卆を印加して、液体窒素中
（７７Ｋ）で行なった。
ついて、長さ４０ｍｍのテープの両端に電流端子を１き
、中央部に１０ｍｍの間隔で電圧端子を配置し、直流法
で臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した。測定はテープ面に
垂直に０． Ｉ ＴのＪ４ｉ卆を印加して、液体窒素中
（７７Ｋ）で行なった。
得られた結果を第３表に示した。
第３表
第３表から明らかな様に、本発明の方法により製造した
実施例４品は、優れた超電導特性を有している。一方加
圧処理の際の０８分圧が高すぎた比較例４品はＪ、値が
非常に小さい、比較例品５は０１分圧が高すぎたにもか
かわらず、本発明例に次ぐ高いＪｃ値のものが得られて
いるが、加圧処理に′ＪＦ？５にに時間を要してるり、
この点からも本発明方法が生産性に優れている事が明ら
かである。又液相が生成しない条件で加圧処理を行なっ
た比較例６品は非常に小さいＪｃ値のものしか得られて
いない。
実施例４品は、優れた超電導特性を有している。一方加
圧処理の際の０８分圧が高すぎた比較例４品はＪ、値が
非常に小さい、比較例品５は０１分圧が高すぎたにもか
かわらず、本発明例に次ぐ高いＪｃ値のものが得られて
いるが、加圧処理に′ＪＦ？５にに時間を要してるり、
この点からも本発明方法が生産性に優れている事が明ら
かである。又液相が生成しない条件で加圧処理を行なっ
た比較例６品は非常に小さいＪｃ値のものしか得られて
いない。
以上から明白な様に、本発明方法によれば酸化物超電導
導体の実用化に際して致命的な欠陥であった低い超電導
特性、特に臨界電流密度（Ｊｔ）特性が大幅に改善され
たものを得る事が出来る。
導体の実用化に際して致命的な欠陥であった低い超電導
特性、特に臨界電流密度（Ｊｔ）特性が大幅に改善され
たものを得る事が出来る。
本発明における加圧処理は、最終成形体に至る任意の工
程で行なう事が出来、又例えばＨＩＰ等を用いて静水圧
的に行なう事も出来るので複雑な形状をした成形体であ
っても、均質に加圧処理を施す事が出来る。
程で行なう事が出来、又例えばＨＩＰ等を用いて静水圧
的に行なう事も出来るので複雑な形状をした成形体であ
っても、均質に加圧処理を施す事が出来る。
以上本発明方法によりＪ、特性が著しく向上した酸化物
超電導体が得られる事を例示してきたが、これは多結晶
体の結晶粒間の結合が強化された結果であり、機械的強
度等も改善される事は自明である。
超電導体が得られる事を例示してきたが、これは多結晶
体の結晶粒間の結合が強化された結果であり、機械的強
度等も改善される事は自明である。
以上２本発明方法は酸化物超電導導体の広範囲な実用化
を可能にするものであり、その工業的価値は極めて大き
いものである。
を可能にするものであり、その工業的価値は極めて大き
いものである。
Claims (1)
- 酸化物超電導体用原料組成物を加熱して少なく共その
一部を溶融又は半溶融状態にした後、これを凝固させて
得られた多結晶体を、該多結晶体の一部が軟化する温度
で、且つ酸化物超電導体の融点未満の温度にて加圧処理
する事を特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038099A JPH02217352A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038099A JPH02217352A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217352A true JPH02217352A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12516029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038099A Pending JPH02217352A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2668500A1 (fr) * | 1990-10-29 | 1992-04-30 | Alsthom Cge Alcatel | Procede d'elaboration d'une structure microcristalline de rba2cu3oy ou r designe un lanthanide. |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038099A patent/JPH02217352A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2668500A1 (fr) * | 1990-10-29 | 1992-04-30 | Alsthom Cge Alcatel | Procede d'elaboration d'une structure microcristalline de rba2cu3oy ou r designe un lanthanide. |
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