JPH0446053A - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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- JPH0446053A JPH0446053A JP2151607A JP15160790A JPH0446053A JP H0446053 A JPH0446053 A JP H0446053A JP 2151607 A JP2151607 A JP 2151607A JP 15160790 A JP15160790 A JP 15160790A JP H0446053 A JPH0446053 A JP H0446053A
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- Japan
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- phase
- group
- crystal
- superconductor
- oxide superconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は新規な組織を有するＢ１づｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系酸化物超ｔ、！Ｊ１体およびその製造方法に賀するも
のである。
系酸化物超ｔ、！Ｊ１体およびその製造方法に賀するも
のである。
［従来の技術］
従来、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体（以下Ｂ
ｉ系起電導体ともいう）に、ＢｉｚＳｒ２Ｃａ２Ｃｕｍ
Ｏｙ （以下２２２３相ともいう） 、 ＢｉａＳｒｉ
ＣａＣ＋ｇＯｙ （以下２２１２相ともいう） 、
Ｂｉ＊５ｒｔＣｕＯｙ （以下２２０１相ともいう）の
３種の構造があり、それぞれの臨界温度がおよそｌｌ０
Ｋ ９０Ｋ ２０にであることが知られている。液体窯
素温度（７７Ｋ）における実用をめざした研究開発は臨
界温度が高い２２２３相、２２１２相を中心に行われて
いる。Ｂｉ類系超電導体のバルク体の製造方法としては
、上言己の組成を有する結晶粉末を合成した後、これを
成形し焼結させる方法がある。他にも、ゾルゲル法、溶
融凝固法にて製造することが知られている。
ｉ系起電導体ともいう）に、ＢｉｚＳｒ２Ｃａ２Ｃｕｍ
Ｏｙ （以下２２２３相ともいう） 、 ＢｉａＳｒｉ
ＣａＣ＋ｇＯｙ （以下２２１２相ともいう） 、
Ｂｉ＊５ｒｔＣｕＯｙ （以下２２０１相ともいう）の
３種の構造があり、それぞれの臨界温度がおよそｌｌ０
Ｋ ９０Ｋ ２０にであることが知られている。液体窯
素温度（７７Ｋ）における実用をめざした研究開発は臨
界温度が高い２２２３相、２２１２相を中心に行われて
いる。Ｂｉ類系超電導体のバルク体の製造方法としては
、上言己の組成を有する結晶粉末を合成した後、これを
成形し焼結させる方法がある。他にも、ゾルゲル法、溶
融凝固法にて製造することが知られている。
［発明が解決しようとする問題点］
焼結する方法により製造された超電導体は、通常多孔質
な多結晶体で、それぞれの結晶粒が無秩序な方向に配列
し、かつ粒間の結合が弱い。Ｂｉ系超電導体は、結晶粒
子内で電流の流れやすい方向が決まっているので、向き
が異なる結晶粒子間では電流が流れにくい性質がある。
な多結晶体で、それぞれの結晶粒が無秩序な方向に配列
し、かつ粒間の結合が弱い。Ｂｉ系超電導体は、結晶粒
子内で電流の流れやすい方向が決まっているので、向き
が異なる結晶粒子間では電流が流れにくい性質がある。
また粒同士の結合面積が小さいことは実効的な電流経路
が細（なっていることを意味する。このため、焼結法に
よる多結晶のＢｉ系超電導体では高い臨界電流密度を有
するものが得られなかった０ これらの多結晶体をプレスなどして、結晶粒の方向を制
置すると結晶粒の方向が揃うため、臨界電流密度は向上
する。また同様に、溶融凝固法により製造すると、結晶
粒が太き（成長すること、緻密になり、粒同士の結合が
強くなることにより臨界電流密度が向上する。
が細（なっていることを意味する。このため、焼結法に
よる多結晶のＢｉ系超電導体では高い臨界電流密度を有
するものが得られなかった０ これらの多結晶体をプレスなどして、結晶粒の方向を制
置すると結晶粒の方向が揃うため、臨界電流密度は向上
する。また同様に、溶融凝固法により製造すると、結晶
粒が太き（成長すること、緻密になり、粒同士の結合が
強くなることにより臨界電流密度が向上する。
結晶粒の方向の制置と溶融凝固を組み合わせた一方向凝
固法により製造するとＢｉ系超電導体の臨界電流密度は
さらに高められるが、これらいずれの手法において製造
した場合にも、液体窒素温度での臨界電流密度は磁場中
において著しく低下してしまう。これはＢｉ系超電導体
の下部臨界磁場以上の磁場中で結晶を貫通する磁束のビ
ン止め力が弱いことによると考えられている。
固法により製造するとＢｉ系超電導体の臨界電流密度は
さらに高められるが、これらいずれの手法において製造
した場合にも、液体窒素温度での臨界電流密度は磁場中
において著しく低下してしまう。これはＢｉ系超電導体
の下部臨界磁場以上の磁場中で結晶を貫通する磁束のビ
ン止め力が弱いことによると考えられている。
超電導体の応用分野としては、線材またはテープ材料を
コイル状に加工し、強力な磁場を作る電磁石としての利
用が中心に考えられている。そこで、Ｂｉ系超電導体の
実用化には、綾密に結晶の方向が揃った組織を作り、さ
らにビン止め力を強くするためのビン止め中心を結晶中
に導入することにより、強磁場中で高い臨界電流密度を
有する材料を作製することが必要と考えられている。
コイル状に加工し、強力な磁場を作る電磁石としての利
用が中心に考えられている。そこで、Ｂｉ系超電導体の
実用化には、綾密に結晶の方向が揃った組織を作り、さ
らにビン止め力を強くするためのビン止め中心を結晶中
に導入することにより、強磁場中で高い臨界電流密度を
有する材料を作製することが必要と考えられている。
Ｂｉ系超電導体は釣８８０℃以上の温度で部分溶融し、
凝固初期には２２０１相結晶が生成し、そのまま徐冷す
ると容易に２２１２相に相変態する。しかし、Ｂｉ系超
電導体の溶融凝固法により製造する方法で現在のところ
、２２２３相を凝固成長する手法は確立されていない。
凝固初期には２２０１相結晶が生成し、そのまま徐冷す
ると容易に２２１２相に相変態する。しかし、Ｂｉ系超
電導体の溶融凝固法により製造する方法で現在のところ
、２２２３相を凝固成長する手法は確立されていない。
ビン止め中心としては微析出物、粒界、各種欠陥が考え
られる。希土類系超電導体については、ＲＥ２ＢａＣｕ
Ｏｉ相（ＲＥは希土類元素）ほか結晶中に細か（分散し
た非超電導相の微粒子がビン止め中心になりうることが
知られている。Ｂｉ系超電導体にはＲＥｚＢａＣｕＯｓ
相のような超電導結晶中に析土する非超電導相がなく、
超電導体と全く別の非超電導物質を結晶中に導入した報
告もない。
られる。希土類系超電導体については、ＲＥ２ＢａＣｕ
Ｏｉ相（ＲＥは希土類元素）ほか結晶中に細か（分散し
た非超電導相の微粒子がビン止め中心になりうることが
知られている。Ｂｉ系超電導体にはＲＥｚＢａＣｕＯｓ
相のような超電導結晶中に析土する非超電導相がなく、
超電導体と全く別の非超電導物質を結晶中に導入した報
告もない。
しかし、Ｂｉ系超電導体の溶融状態において存在する、
あらゆる固相、液相と反応せず、かつ溶融温度という高
温で粒成長しない非超電導物質の微粒子を凝固前の材料
中に均質に分散させ、これを一方向凝固し超電導相結晶
中に均質に分散させる方法は材料のビン止め中心の強化
に優れていると考えられる。
あらゆる固相、液相と反応せず、かつ溶融温度という高
温で粒成長しない非超電導物質の微粒子を凝固前の材料
中に均質に分散させ、これを一方向凝固し超電導相結晶
中に均質に分散させる方法は材料のビン止め中心の強化
に優れていると考えられる。
［課題を解決するための手段］
本発明は、Ｂｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕ、 Ｏを構成
元素として含む結晶中に、２Ａ族元素から選ばれた少な
くとも１種以上の金属と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元
素から選ばれた少なくとも１種以上の金属との複合酸化
物が分散した組織を有する酸化物超電導体を提供するも
のである。
元素として含む結晶中に、２Ａ族元素から選ばれた少な
くとも１種以上の金属と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元
素から選ばれた少なくとも１種以上の金属との複合酸化
物が分散した組織を有する酸化物超電導体を提供するも
のである。
本発明において２Ａ族元素から選ばれた少な（とも１種
以上の金属と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元素から選ば
れた少な（とも１種以上の金属との複合酸化物は＾ＢＯ
，（ＡはＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａから選ばれる１
種以上、ＢはＺｒ、 Ｓｎ、 Ｃｅ、 Ｔｉから選ばれ
る１種以上）の組成式で表される（のであることが好ま
しい、この場合＾Ｂｏｗはペロブスカイト型構造の結晶
となる。この結晶はいずれも大気中では１２００℃付近
まで組成的に安定な物質でＢｉ系超電導体の部分溶融温
度である８８０〜９００℃の温度ではＢｉ系超電導体の
融液と反応せず、またほとんど粒成長しない。
以上の金属と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元素から選ば
れた少な（とも１種以上の金属との複合酸化物は＾ＢＯ
，（ＡはＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａから選ばれる１
種以上、ＢはＺｒ、 Ｓｎ、 Ｃｅ、 Ｔｉから選ばれ
る１種以上）の組成式で表される（のであることが好ま
しい、この場合＾Ｂｏｗはペロブスカイト型構造の結晶
となる。この結晶はいずれも大気中では１２００℃付近
まで組成的に安定な物質でＢｉ系超電導体の部分溶融温
度である８８０〜９００℃の温度ではＢｉ系超電導体の
融液と反応せず、またほとんど粒成長しない。
本発明の超電導体は、例えば２２１２相組成の原料をア
ルカリ土類金属のうち１種以上とそれ以外の金属との複
合酸化物と混合し、これを２２１２相の部分溶融温度以
上に加熱した後、冷却して凝固することにより好適に製
造することができる。
ルカリ土類金属のうち１種以上とそれ以外の金属との複
合酸化物と混合し、これを２２１２相の部分溶融温度以
上に加熱した後、冷却して凝固することにより好適に製
造することができる。
２２１２相と上記複合酸化物の混合物を２２１２相の部
分溶融温度以上に加熱した後、これを冷却して凝固した
場合、仕込時に添加した粒径な保った状態で上記複合酸
化物結晶が２２１２相結晶中に島状に取り込まれる。こ
のとき、細かい粒子だけ選粒した上記複合酸化物を用い
れば、これと同じ大きさの非超電導物質を２２１２相結
晶中に分散させることができるわけでビン止め力の強化
という観点から望ましい。特に０．５μｍ以下の粒子だ
けを用いた場合は、臨界電流密度は飛躍的に増大し磁場
を印加してもあまり低下しない。
分溶融温度以上に加熱した後、これを冷却して凝固した
場合、仕込時に添加した粒径な保った状態で上記複合酸
化物結晶が２２１２相結晶中に島状に取り込まれる。こ
のとき、細かい粒子だけ選粒した上記複合酸化物を用い
れば、これと同じ大きさの非超電導物質を２２１２相結
晶中に分散させることができるわけでビン止め力の強化
という観点から望ましい。特に０．５μｍ以下の粒子だ
けを用いた場合は、臨界電流密度は飛躍的に増大し磁場
を印加してもあまり低下しない。
ＡＢＯ，を用いる場合は、その添加量は、０．５ｗｔ％
以上かつ２０ｗｔ％以下が好ましい。添加量が０５ｗｔ
％未滴の場合は本発明の効果が十分発現しない恐れがあ
り、また添加量が２０ｗｔ％を越える場合は材料中の一
部にＡＢＯ，相が偏析してしまい超電導体の不連続が生
じる恐れがあるので好ましくない。さらに好ましいＡＢ
Ｏ３の添加量は１〜１０ｗｔ％である。
以上かつ２０ｗｔ％以下が好ましい。添加量が０５ｗｔ
％未滴の場合は本発明の効果が十分発現しない恐れがあ
り、また添加量が２０ｗｔ％を越える場合は材料中の一
部にＡＢＯ，相が偏析してしまい超電導体の不連続が生
じる恐れがあるので好ましくない。さらに好ましいＡＢ
Ｏ３の添加量は１〜１０ｗｔ％である。
本発明の超電導体は、温度勾配が２０℃／ｃｍ以上、結
晶成長速度が２０ｍｍ／ｈ以下の条件で融液から超電導
体相結晶を一方向装置することにより製造することが好
ましい。この結果、配置した超電導体の板状結晶が層状
に重なり合ったマトリックス中に、上記複合酸化物の粒
状結晶が島状に分散した組織の凝固物が得られる。
晶成長速度が２０ｍｍ／ｈ以下の条件で融液から超電導
体相結晶を一方向装置することにより製造することが好
ましい。この結果、配置した超電導体の板状結晶が層状
に重なり合ったマトリックス中に、上記複合酸化物の粒
状結晶が島状に分散した組織の凝固物が得られる。
［実施例］
実施例Ｉ
Ｂｉ ： Ｓｒ ： Ｃａ ：Ｃｕの原子比が２：２：
１：２となるような酸化物の仮焼粉末を作り、これに表
１に示したＡとＢの組合せからなるＡＢＯ，の粉末（平
均粒径０．５μｍ）を５ｗｔ％加え混合した後、その粉
末を金型ブレスにより７０ｍｍＸ ４０ｍｍＸ ２ｍｍ
に成型し、酸素気流中において８６０°Ｃで１０時間焼
成を行い、冷却後ダイヤモンドカッターを用いて切りま
し、７０ｍｍｘ ４ｍｍ Ｘ ２ｍｍの角柱状の焼結体
を得た。
１：２となるような酸化物の仮焼粉末を作り、これに表
１に示したＡとＢの組合せからなるＡＢＯ，の粉末（平
均粒径０．５μｍ）を５ｗｔ％加え混合した後、その粉
末を金型ブレスにより７０ｍｍＸ ４０ｍｍＸ ２ｍｍ
に成型し、酸素気流中において８６０°Ｃで１０時間焼
成を行い、冷却後ダイヤモンドカッターを用いて切りま
し、７０ｍｍｘ ４ｍｍ Ｘ ２ｍｍの角柱状の焼結体
を得た。
次に、この角柱状の焼結体の一端を固定し、酸素気流下
で最高温度部分が８９０°Ｃで５０’ Ｃ／ｃｍの温度
勾配を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３
ｍｍ／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物
をさらに酸素分圧０００１気圧の雰囲気中で５００“Ｃ
まで加熱し１０時間保持した後急冷した。
で最高温度部分が８９０°Ｃで５０’ Ｃ／ｃｍの温度
勾配を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３
ｍｍ／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物
をさらに酸素分圧０００１気圧の雰囲気中で５００“Ｃ
まで加熱し１０時間保持した後急冷した。
このようにして得た凝固物の走査型電子顕微鏡およびＸ
線元素分析装置を用いて観察したところ第１図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合い
、その中に粒径０．５μｍ程度のＡＢＯ，粒子が島状に
分数した組織を有していることが確認された。試料の全
体にわたり上記のような良好な組−織が認められた。
線元素分析装置を用いて観察したところ第１図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合い
、その中に粒径０．５μｍ程度のＡＢＯ，粒子が島状に
分数した組織を有していることが確認された。試料の全
体にわたり上記のような良好な組−織が認められた。
超電導特性の測定結果を表１に示す。これらの測定には
試料を１ｍｍ Ｘ ０．１ｍｍ Ｘ １０ｍｍの大きさ
に切断したものを用いた。臨界温度は直流四端子法によ
り測定し零抵抗を示した温度で、臨界電流密度は液体窒
素温度において、外部磁場を２テスラ印加した状態で同
じく直流四端子法で測定したものである。磁場は起電Ｊ
結晶のＣ軸に平行にビカロした。
試料を１ｍｍ Ｘ ０．１ｍｍ Ｘ １０ｍｍの大きさ
に切断したものを用いた。臨界温度は直流四端子法によ
り測定し零抵抗を示した温度で、臨界電流密度は液体窒
素温度において、外部磁場を２テスラ印加した状態で同
じく直流四端子法で測定したものである。磁場は起電Ｊ
結晶のＣ軸に平行にビカロした。
表 １
実施例２
Ｂｉ二Ｓｒ：Ｃａ
Ｃｕ
の原子比が２
となるよう
な酸化物の仮焼粉末を作り、これに表２に示したＡとＢ
の組合せからなるＡＢＯ，を平均粒径０．１５μｍに選
粒したものを５ｗｔ％加え混合した後、その粉末を金型
ブレスにより７０闘Ｘ ４０ｍｍＸ ２ｎｏ１１に成型
し、酸素気流中において８６０’ Ｃで１０時間焼成を
行い、冷却後ダイヤモンドカッターを用いて切り出し、
７０ｍロＸ ４ｍｍ Ｘ ２ｍｍの角柱状の焼結体を得
た。
の組合せからなるＡＢＯ，を平均粒径０．１５μｍに選
粒したものを５ｗｔ％加え混合した後、その粉末を金型
ブレスにより７０闘Ｘ ４０ｍｍＸ ２ｎｏ１１に成型
し、酸素気流中において８６０’ Ｃで１０時間焼成を
行い、冷却後ダイヤモンドカッターを用いて切り出し、
７０ｍロＸ ４ｍｍ Ｘ ２ｍｍの角柱状の焼結体を得
た。
次に、この角柱状の焼結体の一端を固定し、酸素気流下
で最高温度部分が８９０’Ｃで５０℃／ｃｍの温度勾配
を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３ ｍｍ
／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物をさ
らに酸素分圧０．００１気圧の雰囲気中で５００°Ｃま
で加熱し１０時間保持した後急冷した。
で最高温度部分が８９０’Ｃで５０℃／ｃｍの温度勾配
を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３ ｍｍ
／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物をさ
らに酸素分圧０．００１気圧の雰囲気中で５００°Ｃま
で加熱し１０時間保持した後急冷した。
このようにして得た凝固物の走査型電子顕微鏡およびＸ
線元素分析装置を用いて観察したところ第１図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合い
、その中に粒径０．１５μｍ程度のＡＢＯａ粒子が島状
に分散した組織を有していることが確認された。試料の
全体にわたり上記のような良好な組織が認められた。
線元素分析装置を用いて観察したところ第１図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合い
、その中に粒径０．１５μｍ程度のＡＢＯａ粒子が島状
に分散した組織を有していることが確認された。試料の
全体にわたり上記のような良好な組織が認められた。
実施例１と同様にして測定した超電導特性をを表２に示
す。
す。
表２
比較例
Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの原子比が２＋２：ｌ：２とな
るような酸化物の仮焼粉末を作り、これを金型ブレスに
より７［）ｍｍＸ ４０ｍｍＸ ２ｍｍに成型し、酸素
気流中において８６０’Ｃで１０時間焼成を行い、冷却
後ダイヤモンドカッターを用いて切り出し、７０ｍｍＸ
４ｍｍＸ２ｍｍの角柱状の焼結体を得た。
るような酸化物の仮焼粉末を作り、これを金型ブレスに
より７［）ｍｍＸ ４０ｍｍＸ ２ｍｍに成型し、酸素
気流中において８６０’Ｃで１０時間焼成を行い、冷却
後ダイヤモンドカッターを用いて切り出し、７０ｍｍＸ
４ｍｍＸ２ｍｍの角柱状の焼結体を得た。
次に、この角柱状の焼結体の一端を固定し、酸素気流下
で最高温度部分が８９０’ Ｃで５０’ Ｃ／ｃｍの温
度勾配を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３
）／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物を
さらに酸素分圧０００１気圧の雰囲気中で５００’ Ｃ
まで加熱し１０時間保持した後急冷した。
で最高温度部分が８９０’ Ｃで５０’ Ｃ／ｃｍの温
度勾配を有する電気炉を用いて、この中を長軸方向に３
）／ｈの速度で移動させた。この結果得られた凝固物を
さらに酸素分圧０００１気圧の雰囲気中で５００’ Ｃ
まで加熱し１０時間保持した後急冷した。
このようにして得た凝固物の走査型電子顕微鏡およびＸ
線元素分析装置を用いて観察したところ第２図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合っ
た組織を有していることが確認された。試料の全体にわ
たり上記のような良好な組織が認められた。また２２１
２相結中になんらかの微細な析出物は特に認められなか
ったゆ 実施例１と同様に測定したところ、臨界温度は８９にで
、臨界電流密度は２０ＯＡ／ｃｍ２であった。
線元素分析装置を用いて観察したところ第２図に示した
ような板状の２２１２相の結晶粒子が層状に重なり合っ
た組織を有していることが確認された。試料の全体にわ
たり上記のような良好な組織が認められた。また２２１
２相結中になんらかの微細な析出物は特に認められなか
ったゆ 実施例１と同様に測定したところ、臨界温度は８９にで
、臨界電流密度は２０ＯＡ／ｃｍ２であった。
［発明の効果］
本発明の超電導体は、非常に細かい非超電導体の結晶粒
子が分散しており、これが磁束の良好なビン止め中心と
して作用するため、強磁場中でも臨界電流密度が高い。
子が分散しており、これが磁束の良好なビン止め中心と
して作用するため、強磁場中でも臨界電流密度が高い。
第１図は、実施例において得られた超電導体の組織を示
す模式図である。 第２図は、比較例において得られた超電導体の組織を示
す模式図である。
す模式図である。 第２図は、比較例において得られた超電導体の組織を示
す模式図である。
Claims (3)
- １．Ｂｉ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｏを構成元素として含む
結晶中に、２Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種以上
の金属と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元素から選ばれた
少なくとも１種以上の金属との複合酸化物が分散した組
織を有する酸化物超電導体。 - ２．２Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種以上の金属
と４Ａ族、４Ｂ族および希土類元素から選ばれた少なく
とも１種以上の金属との複合酸化物がＡＢＯ＿３（Ａは
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種以上、ＢはＺ
ｒ，Ｓｎ，Ｃｅ，Ｔｉから選ばれた１種以上）である請
求項１の酸化物超電導体。 - ３．温度勾配が２０℃／ｃｍ以上、結晶成長速度が２０
ｍｍ／ｈ以下の条件で融液からＢｉ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ
，Ｏを含む結晶を一方向凝固することを特徴とする請求
項１または２の酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151607A JPH0446053A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151607A JPH0446053A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446053A true JPH0446053A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15522230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151607A Pending JPH0446053A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0446053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415558B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| WO2020040309A1 (ja) | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 昭和電工株式会社 | 珪素含有酸化物被覆窒化アルミニウム粒子の製造方法および珪素含有酸化物被覆窒化アルミニウム粒子 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP2151607A patent/JPH0446053A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415558B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
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