JPH0227622A - 超電導線条体の製造方法 - Google Patents
超電導線条体の製造方法Info
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- JPH0227622A JPH0227622A JP17842988A JP17842988A JPH0227622A JP H0227622 A JPH0227622 A JP H0227622A JP 17842988 A JP17842988 A JP 17842988A JP 17842988 A JP17842988 A JP 17842988A JP H0227622 A JPH0227622 A JP H0227622A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミック系超電導線条体の製造方法に関する
ものであり、特に加工性に乏しい酸化物等の化合物系超
電導線板条体（以下線条体と略す）の製造方法に関する
ものである。
ものであり、特に加工性に乏しい酸化物等の化合物系超
電導線板条体（以下線条体と略す）の製造方法に関する
ものである。
（従来技術）
最近、ＮｂＴｉ、ＮｂＺｒ、Ｎｂ、Ｐｂ等の合金及びＮ
ｂ５Ｓｎ、Ｎｂ５ＡＩ２゜ Ｎｂ 、（ＡＩ２Ｇｅ）等の金属間化合物などよりも高
い臨界温度を発揮している。酸化物等のセラミック超電
導体が工業的に注目されている。これらの代表的なもの
として次のようなものがある。
ｂ５Ｓｎ、Ｎｂ５ＡＩ２゜ Ｎｂ 、（ＡＩ２Ｇｅ）等の金属間化合物などよりも高
い臨界温度を発揮している。酸化物等のセラミック超電
導体が工業的に注目されている。これらの代表的なもの
として次のようなものがある。
■ （ＬａＢａ）ｚｃｕｏａ。
（ＬａＳｒ）ｘｃｕＯａ等の
Ｌａ、ＣｕＯ，系。
■ ＬｎＢａ＊Ｃｕ５Ｏｙ （式中ＬｎはＣｅ。
Ｔｂ等を除く希土類）。
■ Ｂ １−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、例えばＢａ５ｒ
ＣａＣｕａＯｘ、 Ｂｉ ｚｓｒａｃａｘｃｕ冨０ｘ （ｘ＝８）ＢｉｚＳ
ｒｚＣａｘＣｕｓＯｘ （ｘ＝ＩＯ）■ Ｔ Ｅｌ −
Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ−０系、例えばＴｌ２ｉＢａｉ
ＣａＣｕｔＯａ Ｔｎ ｚ Ｂａ ｘ Ｃａ ｘ Ｃｕ ３０＋。
ＣａＣｕａＯｘ、 Ｂｉ ｚｓｒａｃａｘｃｕ冨０ｘ （ｘ＝８）ＢｉｚＳ
ｒｚＣａｘＣｕｓＯｘ （ｘ＝ＩＯ）■ Ｔ Ｅｌ −
Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ−０系、例えばＴｌ２ｉＢａｉ
ＣａＣｕｔＯａ Ｔｎ ｚ Ｂａ ｘ Ｃａ ｘ Ｃｕ ３０＋。
前記■〜■の中、■は臨界電流温度Ｔｃ３０〜５０にで
あるが■、■、■はより高いＴｃ、特に液体窒素温度以
上が可能である。これらは第２種超電導体でありｌＯ〜
２００Ｔの大きな上部臨界磁場を有しているので、高磁
界マグネット等の用途に期待されている。
あるが■、■、■はより高いＴｃ、特に液体窒素温度以
上が可能である。これらは第２種超電導体でありｌＯ〜
２００Ｔの大きな上部臨界磁場を有しているので、高磁
界マグネット等の用途に期待されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら前記酸化物等のセラミック超電導体は加工
性に乏しく、電線、ケーブル、マグネットコイル導体や
永久磁石、シールド板等に必要な板状や線条体に成形す
ることが著しく困難である、これらの物質を蒸着、スパ
ッタリングなどのＰＶＤ法により線条基体上に析出させ
る方法が一部で試みられているが、この方法でも生産性
に乏しく、未だ有効な方法が見出されていな′い。
性に乏しく、電線、ケーブル、マグネットコイル導体や
永久磁石、シールド板等に必要な板状や線条体に成形す
ることが著しく困難である、これらの物質を蒸着、スパ
ッタリングなどのＰＶＤ法により線条基体上に析出させ
る方法が一部で試みられているが、この方法でも生産性
に乏しく、未だ有効な方法が見出されていな′い。
（発明の目的）
本発明の目的は以下の点にある。
■ セラミック超電導体の本来有する特性Ｔｃ、Ｈｃ＋
Ｈｃｘ等を有用に具現できる線条体の製造方法を実現す
ること。
Ｈｃｘ等を有用に具現できる線条体の製造方法を実現す
ること。
■ 脆性なセラミック体を所望形状の長尺な線条体に加
工する方法を実現すること。
工する方法を実現すること。
■ 超電導電流を可及的に高い臨界電流密度（Ｊｃ）ま
で流すことができる線条体の製造方法を実現すること。
で流すことができる線条体の製造方法を実現すること。
■ 上記の超電導電流が「クエンチ」現象を起こすこと
なく実用上安定化される線条体の製造方法を実現するこ
と。
なく実用上安定化される線条体の製造方法を実現するこ
と。
■ 実用的な強度や変形歪にたいする耐性を有する線条
体の製造方法を実現すること。
体の製造方法を実現すること。
■ 製造加工や保管中、また機器に組み込まれた実用期
間に亙り、外部環境の水分、ガス、薬剤等と超電導物質
との反応変質が起こらず、長期間寿命が保証される線条
体の製造方法を実現すること。
間に亙り、外部環境の水分、ガス、薬剤等と超電導物質
との反応変質が起こらず、長期間寿命が保証される線条
体の製造方法を実現すること。
■ 上記の諸口的が工業的に経済的に実現できること。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記の各種目的を実現するため以下のような構
成にしである。
成にしである。
請求項第１の超電導線条体の製造方法は、金属容器に超
電導体またはその原料混合物を充填してから、融点下３
００℃以内の温度にて一方向性加圧処理し１次いで伸延
加工を行なってから加熱処理するものである。
電導体またはその原料混合物を充填してから、融点下３
００℃以内の温度にて一方向性加圧処理し１次いで伸延
加工を行なってから加熱処理するものである。
請求項第２の超電導線条体の製造方法は、請求項１の加
圧処理し、伸延加工を施した成形品に加熱処理に先立っ
てスリット加工して細巾に切り取るようにしたものであ
る。
圧処理し、伸延加工を施した成形品に加熱処理に先立っ
てスリット加工して細巾に切り取るようにしたものであ
る。
請求項第３の超電導線条体の製造方法は、請求項１の方
法により伸延加工された線条体を、更に金属管体に充填
して再び伸延加工することを１回以上繰り返すようにし
たものである。
法により伸延加工された線条体を、更に金属管体に充填
して再び伸延加工することを１回以上繰り返すようにし
たものである。
本発明における超電導体は前記Ｃｕ複合酸化物等のセラ
ミック系超電導化合物、またはこれらの化合物の元素の
酸化物の混合物でもよい、この混合物としては１例えば
、ＹＢａｘＣｕｚＯｙではＹｘＯｓ、ＢａＯ１ＣｕＯの
量論比混合物である、これらは粉末のままでも、予め圧
縮成型加工し、焼結処理したものでもよい。
ミック系超電導化合物、またはこれらの化合物の元素の
酸化物の混合物でもよい、この混合物としては１例えば
、ＹＢａｘＣｕｚＯｙではＹｘＯｓ、ＢａＯ１ＣｕＯの
量論比混合物である、これらは粉末のままでも、予め圧
縮成型加工し、焼結処理したものでもよい。
本発明における金属容器ｌはＡｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔａ等の金属か、これらの合金、例
えば、ＳＵＳ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉなどの容器であ
り、例えば、第１図ａのような金属管体とか、第２図ａ
−ｄのような金属ブロック３に１または２以上の穴４
を開けたものである。
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔａ等の金属か、これらの合金、例
えば、ＳＵＳ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉなどの容器であ
り、例えば、第１図ａのような金属管体とか、第２図ａ
−ｄのような金属ブロック３に１または２以上の穴４
を開けたものである。
第２図の金属容器ｌは断面形状が横長形で、その長芋方
向に複数個の断面正方形の穴４が開けられたものである
。
向に複数個の断面正方形の穴４が開けられたものである
。
第２図すの金属容器ｌは正方形に近い金属ブロック３に
長平方向に複数個の断面正方形の穴４を多重に開けたも
のである。この場合は上下方向と左右方向にわけて複数
回の加圧処理を行なうことも有用である。
長平方向に複数個の断面正方形の穴４を多重に開けたも
のである。この場合は上下方向と左右方向にわけて複数
回の加圧処理を行なうことも有用である。
第２図Ｃの金属容器ｌは円形の金属ブロック３に長手方
向に複数個の断面円形の穴４を開けたものであり、第２
図ｄの金属容器１は円形の金属ブロック３に複数個の断
面亀甲形の穴４を開けたもことを、必要に応じて繰り返
して所望の寸法に仕のである。
向に複数個の断面円形の穴４を開けたものであり、第２
図ｄの金属容器１は円形の金属ブロック３に複数個の断
面亀甲形の穴４を開けたもことを、必要に応じて繰り返
して所望の寸法に仕のである。
第１図ａに示す金属容器ｌは矩形断面の金属管体であり
、この金属容器ｌの場合は内部に上記のセラミック超電
導体またはその原料混合物２を入れ、必要に応じて開口
部を封してから高温加熱し、上下方向に加圧処理を加え
て同図すのように薄肉化する。この処理はホットフォー
ジングなどのプレスによっておこなわれるのが普通であ
る。加工率は５％以上５通常は１０〜７０％位である。
、この金属容器ｌの場合は内部に上記のセラミック超電
導体またはその原料混合物２を入れ、必要に応じて開口
部を封してから高温加熱し、上下方向に加圧処理を加え
て同図すのように薄肉化する。この処理はホットフォー
ジングなどのプレスによっておこなわれるのが普通であ
る。加工率は５％以上５通常は１０〜７０％位である。
加圧加工を複数回繰り返して行なうことも出来る。特に
、加圧方向を上下と左右に１回以上繰り返して行なうこ
とも有効である。
、加圧方向を上下と左右に１回以上繰り返して行なうこ
とも有効である。
本発明では上記のように加圧処理した後に１例えば第１
図Ｃのように、それらを更に薄肉化または細径化する方
向に伸延加工する。伸延加工としては圧延、押出し、引
き抜き、伸線、スェージングなどの方法が可能である。
図Ｃのように、それらを更に薄肉化または細径化する方
向に伸延加工する。伸延加工としては圧延、押出し、引
き抜き、伸線、スェージングなどの方法が可能である。
伸延加工時に、金属部に加工歪が蓄積して加工困難とな
った場合は、途中で低温焼鈍を行なってから再び伸延を
進める上げる。
った場合は、途中で低温焼鈍を行なってから再び伸延を
進める上げる。
次に、高温加熱処理により焼結反応を進行させ、セラミ
ックス、超電導体粒子間を接続する。この場合、融点に
近い高温まで短時間に焼結出来るし、また部分的に融解
が起きることも十分可能である。
ックス、超電導体粒子間を接続する。この場合、融点に
近い高温まで短時間に焼結出来るし、また部分的に融解
が起きることも十分可能である。
上記の焼結処理に先立って第１図ｄのごとく巾Ｗで縦方
向にスリット加工して細く切り分けることが多（の場合
有用である。切り分けられた細巾！Ｉ５の断面拡大図は
第１図ｅのようになる。
向にスリット加工して細く切り分けることが多（の場合
有用である。切り分けられた細巾！Ｉ５の断面拡大図は
第１図ｅのようになる。
第３図は第２図すの金属ブロック３の穴にセラミック超
電導体またはその原料混合物２を入れ、それを加圧処理
して薄クシたものである。
電導体またはその原料混合物２を入れ、それを加圧処理
して薄クシたものである。
第４図ａ、ｂは第３図の金属ブロック３をスリットして
細く切り分けた細巾線５の断面であり、いずれも超電導
体２の一部が表面に露出する。
細く切り分けた細巾線５の断面であり、いずれも超電導
体２の一部が表面に露出する。
スリット加工には通常の回転刃物などの外、レーザー等
を適用することもできる。
を適用することもできる。
焼結後は必要に応じて任意の処理を付加することができ
る０例えば前記の酸化物超電導体の多くは焼結温度より
低い温度に変態点があるので０２存在下で低温の熱処理
が有効な場合が多い。
る０例えば前記の酸化物超電導体の多くは焼結温度より
低い温度に変態点があるので０２存在下で低温の熱処理
が有効な場合が多い。
焼結後、金属などの導体やプラスチックなどの絶縁体で
被覆処理することも行なわれる。
被覆処理することも行なわれる。
（作用）
本発明における高温加圧処理の過程で臂開面またはせん
断面にそって変形し、結晶方位が配向される。この処理
は融点下３００℃以内の高温範囲内において有効である
。これ以下の低温では配向効果が減じる。
断面にそって変形し、結晶方位が配向される。この処理
は融点下３００℃以内の高温範囲内において有効である
。これ以下の低温では配向効果が減じる。
セラミック超電導体の多くは層状構造を有するので、加
圧方向が層と垂直なＣ軸と一致する傾向にある− ＹＢ
ａｔＣｕｚＯｙを例にとると、ｙ＞６．５で斜方晶、ｙ
＝ｓ〜６．５で正方品で、超電導には前者、特にｙ四６
．８〜７．０が有用である。ａ、ｂ面に平行なＣｕ−０
面を超電導電流が流れる。実温によるとａ、ｂ面と平行
な方向が、垂直方向、即ちＣ軸方向のｌＯ〜１００倍程
度超電導電流を流し易い。
圧方向が層と垂直なＣ軸と一致する傾向にある− ＹＢ
ａｔＣｕｚＯｙを例にとると、ｙ＞６．５で斜方晶、ｙ
＝ｓ〜６．５で正方品で、超電導には前者、特にｙ四６
．８〜７．０が有用である。ａ、ｂ面に平行なＣｕ−０
面を超電導電流が流れる。実温によるとａ、ｂ面と平行
な方向が、垂直方向、即ちＣ軸方向のｌＯ〜１００倍程
度超電導電流を流し易い。
上記の加圧処理により微密化され且つ配向化された後、
伸延工程においてこの傾向は更に進行される。臂開面を
中心に超電導体は微粉化され密度集合体となるので１次
の焼結工程で迅速な焼結反応が進み、且つ線条体の長手
方向にａ、ｂ面が配向して組織が得られる。
伸延工程においてこの傾向は更に進行される。臂開面を
中心に超電導体は微粉化され密度集合体となるので１次
の焼結工程で迅速な焼結反応が進み、且つ線条体の長手
方向にａ、ｂ面が配向して組織が得られる。
焼結温度は通常は７５０℃〜９８０℃である。
６００℃前後以上の高温でＹＢａｔＣｕｚＯｙは正方品
系に転移するので、焼結により酸素は欠乏する。低温処
理において（又は焼結工程の冷却時に１Ｍ素を吸収して
変態を起す０本発明では前記スリット加工により超電導
体の端部な表面に露出させるので、酸素の迅速な吸収が
可能になる。
系に転移するので、焼結により酸素は欠乏する。低温処
理において（又は焼結工程の冷却時に１Ｍ素を吸収して
変態を起す０本発明では前記スリット加工により超電導
体の端部な表面に露出させるので、酸素の迅速な吸収が
可能になる。
スリット加工すれば細線を大量に能率良く生産出来るば
かりでなく、セラミック超電導体に本質的な多くの効果
がもたらされる０例えば、超電導体２の一部を露出させ
てから焼結加熱処理することになるので、酸化物超電導
体の多（に不可欠な酸素ｌを最大限付加できる。 Ｙ
Ｂ ａ ｚ Ｃ１１ｓ Ｏｙの例ではｙ≧６．８におい
てＴｃ−９０℃が可能である、又、超電導体２と金属ブ
ロック３の金属部６との熱膨張のマツチングが可能にな
る。
かりでなく、セラミック超電導体に本質的な多くの効果
がもたらされる０例えば、超電導体２の一部を露出させ
てから焼結加熱処理することになるので、酸化物超電導
体の多（に不可欠な酸素ｌを最大限付加できる。 Ｙ
Ｂ ａ ｚ Ｃ１１ｓ Ｏｙの例ではｙ≧６．８におい
てＴｃ−９０℃が可能である、又、超電導体２と金属ブ
ロック３の金属部６との熱膨張のマツチングが可能にな
る。
スリット加工を行なわず全面が金属で被覆されている場
合は、金属ブロック３として、予めＡｇ等の０２透過性
の金属を用いる必要がある。Ａｇは高価であるばかりで
なく機械的強度や融点に欠陥を有し、超電導体２と金属
ブロック３の金属部６との熱膨張のマツチングもできな
いという難点がある。
合は、金属ブロック３として、予めＡｇ等の０２透過性
の金属を用いる必要がある。Ａｇは高価であるばかりで
なく機械的強度や融点に欠陥を有し、超電導体２と金属
ブロック３の金属部６との熱膨張のマツチングもできな
いという難点がある。
従来方法では０□透過性のあるＡｇを用いることが不可
欠であり、しかもＡｇは貴金属で高価であるばかりでな
く、ｉ械的強度に乏しく、また融点が低いことも不利で
ある。しかし本発明ではより強い卑金属Ｃｕ−Ｎｉ等の
Ｃｕ合金、ＳＯ５等のＦｅ合金、Ｆｅ−ＮｉなどのＮｉ
合金、Ｔａ。
欠であり、しかもＡｇは貴金属で高価であるばかりでな
く、ｉ械的強度に乏しく、また融点が低いことも不利で
ある。しかし本発明ではより強い卑金属Ｃｕ−Ｎｉ等の
Ｃｕ合金、ＳＯ５等のＦｅ合金、Ｆｅ−ＮｉなどのＮｉ
合金、Ｔａ。
Ｍｏ等を用いることができるので、そのような問題もな
い。
い。
Ｙ系酸化物超電導体の例によるとＡｇは約２倍の熱膨張
率を有し、焼結加熱後の冷却において大きな歪を発生し
、脆弱なＹ系酸化物超電導体にクラッキングを起し易い
という問題もある。
率を有し、焼結加熱後の冷却において大きな歪を発生し
、脆弱なＹ系酸化物超電導体にクラッキングを起し易い
という問題もある。
本発明において酸化反応が問題となる場合はＡｇ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ａｕまたはこれらの合金を、穴４の内面にバリ
ヤー層として用いることもできる。
、Ｐｄ、Ａｕまたはこれらの合金を、穴４の内面にバリ
ヤー層として用いることもできる。
本発明では金属容器１を用いることにより、金属部にお
いて発展した加工技術を適用できるばかりでな（、同容
器ｌは機械的な補強となり、且つ外部環境の遮蔽効果に
も有効である。
いて発展した加工技術を適用できるばかりでな（、同容
器ｌは機械的な補強となり、且つ外部環境の遮蔽効果に
も有効である。
（実施例１）
第１図ａの金属管体１ （Ａｇ−１０％ｐｄ製、板厚さ
１．０ｍｍ、管部厚さ６ ｍ ｍ 、同幅２５ｍｍ）に
、ＤｙＢａｚＣｕｓＯｙ扮末２ （ｙ〜６．９、粒径１２ｕ乎均）を充填率６０％充填し
てから脱気し密封した。８３０℃で１１７ｃｍ”のプレ
ス加圧を行ない、３ｈｒ保持したところ、管厚が２．９
ｍｍとなった。
１．０ｍｍ、管部厚さ６ ｍ ｍ 、同幅２５ｍｍ）に
、ＤｙＢａｚＣｕｓＯｙ扮末２ （ｙ〜６．９、粒径１２ｕ乎均）を充填率６０％充填し
てから脱気し密封した。８３０℃で１１７ｃｍ”のプレ
ス加圧を行ない、３ｈｒ保持したところ、管厚が２．９
ｍｍとなった。
水晶の一部を取り出し、Ｘ線回折したところ。
Σ（ＯＯＲ）／Σ（ｎ、ｍ、ε）＝６２％であった。
上記扮宋充填体のΣ（００ｇ）／Σ（ｎ、ｍ。
Ｒ）＝１９％に比べ、Ｃ軸配向が進行した。
次に１本品を圧延加工して厚さ０．３ｍｍまで仕上げ、
次に０２気流中で８６０℃Ｘ６ｈｒの加熱処理を行ない
、３℃／ｍｉｎで冷却した。
次に０２気流中で８６０℃Ｘ６ｈｒの加熱処理を行ない
、３℃／ｍｉｎで冷却した。
（実施例２）
上記実施例１において、圧延後、中２ｍｍにスリット加
工して細片５を取り出し、それを同様に処理した。
工して細片５を取り出し、それを同様に処理した。
（比較例１）
上記実施例１において、加圧処理を行なうことなく、そ
のまま圧延以下の処理を行なった。
のまま圧延以下の処理を行なった。
（実施例３）
第２図すの金属ブロック３ （６８ｘ６８ｍｍ。
Ｃｕ−３ＯＮｉ製、穴４：ｌＯ１０Ｘ１０、金属部６
： ３ｍｍ、穴４の内面に２０μのＡｇメツキ）の穴部
４に、Ｙｏ、ｓ Ｈｏ、ｓ Ｂａ ｘ Ｃｕ ３ Ｄｙ
（ｙ〜６．８）の境結体（Σ（ＯＯＩ２）／Σ（ｎ。
： ３ｍｍ、穴４の内面に２０μのＡｇメツキ）の穴部
４に、Ｙｏ、ｓ Ｈｏ、ｓ Ｂａ ｘ Ｃｕ ３ Ｄｙ
（ｙ〜６．８）の境結体（Σ（ＯＯＩ２）／Σ（ｎ。
ｍ、Ｑ）＝１８％、密度８１％）を挿入して脱気、封止
した６本品を８１０℃で３７／ｃｍ”の加圧で上下左右
方向に各々１回ずつ、３ｈｒ処理し、４８Ｘ４８ｍｍと
した（Σ（ＯＯＲ）／Σ（ｎ、ｍ、 Ｏ２）＝７１％）
０本品を圧延加工し、途中で５９０℃Ｘ１５分の加熱処
理を３回施して。
した６本品を８１０℃で３７／ｃｍ”の加圧で上下左右
方向に各々１回ずつ、３ｈｒ処理し、４８Ｘ４８ｍｍと
した（Σ（ＯＯＲ）／Σ（ｎ、ｍ、 Ｏ２）＝７１％）
０本品を圧延加工し、途中で５９０℃Ｘ１５分の加熱処
理を３回施して。
０．６ｍｍ厚さに仕上げた１両サイドを６ｍｍ。
中央を９ｍｍ巾にスリット加工して細片５とし、それを
０２気流中、９１０℃で６ｈｒｓ処理してから５５０℃
で３ｈｒ処理した。
０２気流中、９１０℃で６ｈｒｓ処理してから５５０℃
で３ｈｒ処理した。
（比較例２）
上記実施例３において、加圧加工を行なうことなく、か
つスリット加工せずにそのまま加熱処理した。
つスリット加工せずにそのまま加熱処理した。
（比較例３）
上記実施例３において、加圧加工を６００℃で行なった
。超電導体の融点は９５０℃であり３５０℃低温である
。５１Ｘ５１ｍｍにとどまり、Σ（ＯＯＩ２）／Σ（ｎ
、ｍ、 Ｏ２）＝３３％であった、同様に加工処理した
。但し、スリット加工は両サイド６ｍｍ、中央９．７ｍ
ｍとした。
。超電導体の融点は９５０℃であり３５０℃低温である
。５１Ｘ５１ｍｍにとどまり、Σ（ＯＯＩ２）／Σ（ｎ
、ｍ、 Ｏ２）＝３３％であった、同様に加工処理した
。但し、スリット加工は両サイド６ｍｍ、中央９．７ｍ
ｍとした。
以上の線状体につき、常法によりＴｃ及び７７°にのＪ
ｃを測定し、その結果を表１に示した。
ｃを測定し、その結果を表１に示した。
表−１
Ｔｃ （Ｋ） Ｊｃ （Ａ／ａｍ”）実施例
１ ９２ １１０００比較例 １ ９１
１２００２ ＜４．２ ０ 表−１から明らかな通り１本発明の実施例品はいずれも
高い特性を示している。
１ ９２ １１０００比較例 １ ９１
１２００２ ＜４．２ ０ 表−１から明らかな通り１本発明の実施例品はいずれも
高い特性を示している。
加圧処理を施さない比較例１は実施例１に比べて、約１
／Ｉ ＯのＪｃにとどまった。
／Ｉ ＯのＪｃにとどまった。
実施例２が実施例１より高いＪｃ、Ｔｃを示したことは
、０２の吸収がより充分に起こったためであった。
、０２の吸収がより充分に起こったためであった。
実施例３に比べて比較例２は全く超電導性を示さなかっ
た。
た。
又、比較のため実施例３のスリット加工しない巾広材を
そのまま熱処理してもＴｃ＜４．２にであり、超電導性
を示さなかった。その理由は用いたＣｕ−３ＯＮｉは０
□を不透過のため酸素が不足したためである。
そのまま熱処理してもＴｃ＜４．２にであり、超電導性
を示さなかった。その理由は用いたＣｕ−３ＯＮｉは０
□を不透過のため酸素が不足したためである。
又、比較例３の加圧処理温度が不足した場合も配向が不
充分で、Ｊｃに劣る。
充分で、Ｊｃに劣る。
（発明の効果）
本発明の超電導線条体の製造方法によれば、加工性に乏
しいセラミックス系の超電導体でも能率的に線状化する
ことが出来、しかも得られる線状体は超電導性に優れて
いて、電線ケーブル、マグネットコイル導体等広範囲に
利用することが可能である。
しいセラミックス系の超電導体でも能率的に線状化する
ことが出来、しかも得られる線状体は超電導性に優れて
いて、電線ケーブル、マグネットコイル導体等広範囲に
利用することが可能である。
本発明の製造方法は特に最近注目されているセラミック
ス超電導体の線状化に極めて有益な方法であり、その工
業的価値は大きい。
ス超電導体の線状化に極めて有益な方法であり、その工
業的価値は大きい。
第１図ａ ”−ｅは本発明の製造工程例を示す断面図、
第２図ａ −ｄは本発明における異なる金属ブロックの
断面図、第３図は第２図すの金属ブロックを伸延加工し
た断面図、第４図ａ−ｂは第３図の金属ブロックをスリ
ット加工して得られる線状体の断面図である。 １は金属容器 ２は超電導体またはその原料混合物 ３は金属ブロック ４は穴 ５は細片 ６は金属部
第２図ａ −ｄは本発明における異なる金属ブロックの
断面図、第３図は第２図すの金属ブロックを伸延加工し
た断面図、第４図ａ−ｂは第３図の金属ブロックをスリ
ット加工して得られる線状体の断面図である。 １は金属容器 ２は超電導体またはその原料混合物 ３は金属ブロック ４は穴 ５は細片 ６は金属部
Claims (3)
- （１）金属容器に超電導体またはその原料混合物を充填
してから、融点下３００℃以内の温度にて一方向性加圧
処理し、次いで伸延加工を行なってから加熱処理するこ
とを特徴とする超電導線条体の製造方法。 - （２）加熱処理に先立って加圧処理し、伸延加工を施し
た成形品をスリット加工して細巾に切り取るようにした
ことを特徴とする請求項第１の超電導線条体の製造方法
。 - （３）伸延加工された線条体を金属管体に充填して、再
び伸延加工することを１回以上繰り返すことを特徴とす
る請求項第１、第２の超電導線条体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842988A JPH0227622A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 超電導線条体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842988A JPH0227622A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 超電導線条体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227622A true JPH0227622A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16048355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17842988A Pending JPH0227622A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 超電導線条体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11004627B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-05-11 | Fujitsu Component Limited | Reaction force generating member and key switch device |
| US11862415B2 (en) | 2013-05-14 | 2024-01-02 | Fujitsu Component Limited | Keyswitch device and keyboard |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17842988A patent/JPH0227622A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11862415B2 (en) | 2013-05-14 | 2024-01-02 | Fujitsu Component Limited | Keyswitch device and keyboard |
| US11004627B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-05-11 | Fujitsu Component Limited | Reaction force generating member and key switch device |
| US11355293B2 (en) | 2017-03-30 | 2022-06-07 | Fujitsu Component Limited | Reaction force generating member and key switch device |
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