JPH02218006A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ等の磁気ヘッド及びその製造方法に関す
るものである。

従来の技術 従来より磁気ギャップ近傍にＦｅ−９ｉ−Ａｌ（センダ
スト）合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質合金を用い、
バックコアにＭローＺｎフェライトを用いたメタルイン
ギャップ（Ｍ　Ｉ　Ｃ；＞ヘッドが知られている。これ
は飽和磁束密度（４πＭｓ）の高い金属磁性合金膜を磁
気ギャップ近傍に位置するような構成のヘッドとする事
によりフェライト単体より成る磁気ヘッドに比べて主に
記録特性の改善をはかろうとするものである。第２図に
このようなＭＩＧタイプヘッドの１例を示す。図中ｌは
フェライトバックコア、２は金属磁性合金膜、３は５Ｉ
０２等より成る磁気ギャップ部、４はコア接着用ガラス
部である。

発明が解決しようとうる課題 しかしながらこのような構成のヘッドの金属磁性膜とし
てＦｅ−５ｉ−ＡＩ系合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質
合金等の従来よりヘッドコア材として用いられているも
のを用いると、前者の場合は図１に示された金属磁性膜
部２とフェライトコア部１との界面５にＡＩが偏析した
り、後者の場合はＮｂ、Ｚｒ等がフェライトの酸素を奪
７たりして変質層が生じ、疑似ギャップとなってヘッド
の特性を損なう問題点があった。又Ｆｅ−９ｉ−ＡＩ系
合金膜は磁気異方性の制御が困難でヘッド化した場合特
性のばらつきが生じ易く、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質合
金膜は磁界中熱処理により磁気異方性の制御が可能なも
のの全ての熱処理工程を磁界中で行なわないと異方性が
消えてしまうという問題点や飽和磁化の高いものは結晶
化温度が低く５００℃近傍でのガラス接着工程が困難で
あるという問題点があった。更に通常のフェライトは磁
気ヘッドに用いると摺動ノイズが発生するためＭｉＧヘ
ッドはＣ／ＮもしくはＳ／Ｎ比で金属ヘッドに劣るとい
う欠点があフた。

本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。

課題を解決するための手段 本発明の磁気ヘッドは金属合金膜部に次式でしめされた
組成を有する合金膜 Ｔ　−Ｍｂ　Ｘ　ｃＮｄ−−（１） を用いて変質層の低減をを、又バックコア部にＳｎ入り
単結晶フェライトを用いる事により摺動ノイズの低減を
はかる。

ただしＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉより成る群から選択された
少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、Ｚｒ。

Ｔ　ｉ、　Ｔ　ａ、　　Ｈｆ、　Ｃｒｌ　Ｍｏ、　Ｗ、
　Ｍｎより成る群から選択された少なくとも１種の金属
、ＸはＲ，Ｓｉ，Ｃｅより成る群より選択された少なく
とも１種の半金属・半導体、Ｎは窒素であってａ。

ｂ、　ｃ、　ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ６
５≦ａ≦９３　　　　　　　　　　・・・（２）４≦ｂ
≦２０　　　　　　　　　　　　・・・　（３）０≦ｃ
≦２０　　　　　　　　　　　　・−（４）２≦ｄ≦２
０　　　　　　　　　　　　・・・　（５）５≦ｂ＋ｃ
　　　　　　　　　　　　　・−（６）５≦ｂ＋ｃ＋ｄ
＝１００　　　　　　　　　＋＋＋　　（７）である、
又Ｓｎ入り単結晶等の摺動ノイズの発生しにくいフェラ
イトをバックコアに用いる。

また、本発明は、ギャップ近傍が次式で示された組成の
磁性合金膜で、 Ｔ−ＭｂＸｏＮｄ− その他のコア部が主にＳｎ入り単結晶フェライト等のフ
ェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法において
（ただしＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｊより成る群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、　　Ｚｒ、　　Ｔ
ｊ、　　Ｔａ、　　Ｈｆ、　Ｃｒ、　Ｍｏ。

Ｗ、Ｍｎより成る群から選択された少なくとも１種の金
属、ＸＣ１Ｂ、Ｓｉ，Ｃｅより成る群より選択された少
なくとも１種の半金属・半導体、Ｎは窒素であってａ、
　ｂ、　ｃ、　ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ４≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ十り＋ｃ＋ｄ＝１００ である。）、該フェライト基板上に該合金膜をスパッタ
法等により蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべ
き而ζこほぼ平行にかつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ
直角となる方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキ
ュリー温度以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工
を行い、該フェライト基板がバックコア、該合金膜部が
磁気ギャップ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘ
ッドを構成する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法で
ある。すなわち、本発明磁気ヘッドの製造方法ではＭＩ
Ｇヘッドの作製工程の特徴を活かし、反磁界係数の小さ
い状態で上記の合金膜の磁気ギャップ面となるべき面に
ほぼ平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角と
なる方向に磁界を印加し、フェライト基板のキュリー温
度以上で熱処理を行なう。

作用 上記の構成において本発明は、磁性合金膜部に特殊な窒
化合金膜を用いる事により、フェライトバックコア部と
の反応が低減するため変質層が生じ堆くなり疑似ギャッ
プの問題が改善される。又バックコアにＳｎ入り単結晶
フェライト等を用いる事により摺動ノイズが低減する。

更に上述の熱処理により磁気ヘッドの高周波特性の向上
と特性の均一化が可能となる。

実施例 以下に、本発明の詳細な説明する。

り１）式において合金膜が軟磁性を示すにはａ≦９４．
５≦ｂ＋ｃ　　　　　　　　−（８）である事が必要で
あり、合金膜が高飽和磁化を有するには ６５≦ａ、　　ｂ≦２０．ｃ≦２０　　　　−（９）で
ある事が望ましい。又フェライトとの反応を防ぎ疑似ギ
ャップを低減するには ２≦ｄ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・
　（１０）である事が必要である事がわかった。更に熱
処理により窒素が膜から解離するのを防ぐためには４≦
ｂ　　　　　　　　　　　　　・・・（１１）である事
が必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が基板より
剥離しないためには ｄ≦２０　　　　　　　　　　　　　　・−（１２）で
ある事が望ましい。以上（８）　−（１２）式より（２
）−（７）式の条件式が得られた。

この窒化合金膜の軟磁気特性を更に改善するには、少な
くとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変調
された窒化合金膜 Ｔ、・Ｍｌｌ・Ｘｃ−Ｎｄ・、　　　　　　−（＋’）
を用いる事が望ましい。ただしＴ、Ｍ、Ｘ、Ｎは（１）
式記載のものと同じであり５．ｌ、　ｂｌ、　ｃｔ。

ｄ′はＩＩ！厚方向に変動するそれぞれの構成元素の平
均組成で原子パーセントで ６５≦ａ′≦９３　　　　　　　　　・・・（２′）４
≦ｂ′≦２０　　　　　　　　　・−（３’）０≦ｃ′
≦２０　　　　　　　　　・・・（４′）２≦ｄ′≦２
０　　　　　　　　　　　・・・　（５″）５≦ｂ　Ｉ
　＋　ｃｔ　　　　　　　　　　　・−（６’）ａ’＋
ｂ’＋ｅ’＋ｄ’＝１００　　　　　　−　　（７’）
であり、限定理由は（２）−（７）の場合と同様である
。

このような組成変調膜（広い意味で積層構造膜も含む）
は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒素ガ
スを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒化層
を積層する事により積層構造のものが、又この膜を熱処
理する事により組成変調構造もしくは積層構造のものが
得られる。従来の非晶質合金では活性なＮｂ、Ｚｒ等が
界面でフェライトの酸素を奪って変質層を生じていたが
、これらの窒化合金膜ではＮｂやＺ「等が窒素と選択的
に結合しているため変質層が発生しにくくなっている。

同時に（１）もしくは（１′）式においてこれらのＭ元
素、即ちＮｂ、　　Ｚｒ、　　Ｔｉ、　　Ｔａ、　　Ｈ
ｆ等が窒素との結合力が大であるため、高温の熱処理に
おいても窒素が膜から解離せず膜質及び膜の諸特性の安
定性に寄与している。（１）もしくは（１′）式におい
てＸ７ｃ素はＭ元素のようにフェライトの酸素を奪うこ
とはなく窒素と結合してフェライトと磁性合金膜との反
応を押え疑似ギャップの低減に寄与している。更に変質
層°による疑似ギャップを低減するには第２図において
フェライトコア部と窒化合金膜部との界面５に厚さが３
００Ａ以下のＳ　ｉ−Ｎ、　　Ｂ−Ｎ、　　Ａ　Ｉ　−
Ｎ等の窒化膜を設けるのが効果的である。これ以上厚い
ものは逆に疑似ギャップの発生原因となって好ましくな
い。又バックコア部のフェライトにはＳ、入り単結晶フ
ェライト等の摺動ノイズの発生しにくいものを用いる事
がヘッドのＣ／Ｎ　（ｏｒＳ／Ｎ）比を向上させるのに
効果的である。なお摺動ノイズを下げるには微小粒径の
多結晶フェライトを用いることも考えられるが、−船釣
にはヘッド出力が低下し、摺動ノイズも完全にはなくな
らないのでＳｎ入り単結晶フェライトを用いるのが望ま
しい。

上記の窒化合金膜は従来の非晶質合金と異なり熱的に安
定なため５００℃以上での高温熱処理が可能である。又
この窒化合金膜はＦｅ−５ｉ−ＡＩのような結晶質合金
と異なり磁界中熱処理による磁１異方性の制御が可能で
、かつ−度高温で磁界中熱処理して異方性をつけておけ
ば無磁界中でもそれより低温での熱処理ではこの磁気異
方性が消えにくいという特徴を有している。本発明では
この窒化合金膜の特徴とＭＩＧヘッド作製工程が磁界中
熱処理に適している点に着目し高周波特性に優れ特性の
均一な磁気ヘッドの製造法を開発した。

以下に本発明磁気ヘッドの製造法の一例を第１図（ａ）
、　（ｂ）、　（ｂ′）、　（ｃ）を用いて説明する。

通常メタルインギャップと呼ばれる構造の磁気ヘッドは
同図に示したような加工工程を経て作製される。図中１
はＳｎ入り単結晶フェライト、２は窒化磁性合金膜、３
は磁気ギャップ、４はボンディングガラスである。同図
（Ｃ）において磁気ヘッドの磁路はこの場合、巻線穴６
の周りのＸ−２面内を主に通って構成されＹ方向に磁化
容易軸を有する事が特性上望ましい。しかしながらこの
形状でＹ方向に磁界を印加して熱処理してもこの方向に
磁気異方性をつけるのは困難である。この理由は磁性合
金袴部２のＸ、Ｙ、Ｚ方向の寸法はほぼ同程度でＹ方向
に対する反磁界係数が極めて大きくこれに打ち勝つため
には数千Ｏｅの磁界が必要で、これは実際の工程上田雅
だからである。しかし同図（ａ）もしくは（ｂ）の形状
の時、即ち直接フェライト基板１上に、もしくはフェラ
イト基板りに５ｉ−Ｎ、Ｂ−Ｎ等の３００Ａ以下の窒化
膜を形成し、この上にスパッタ法等により窒化合金膜２
を蒸着した状態（ａ）、もしくはＸ−Ｙ面をギャップ面
とすべく研暦した状態（ｂ、　）で図中のＹ方向、即ち
ギャップ面３′に平行で、ギャップの壕ざ方向χと直角
方向に磁界を印加してフェライト基板のキュリー温度以
上で熱処理すれば磁化容易軸をＹ方向につける事が可能
である。この時磁性合金膜部のＹ方向の反磁界係数は小
さく印加磁界は数百Ｏｅで十分である。なおフェライト
のキュリー温度は３００℃以下であるのでこれ以上の温
度で熱処理すればフェライト基板部の反磁界の寄与はま
ったくない。

又Ｙ方向の磁気異方性の大きさはＹ方向の固定磁界中熱
処理と、ｘ−７面内、即ちギャップ面内での回転磁界中
熱処理を組み合わす等により任意に制御する事が可能で
ある。次に同図（ｂ）に示したバーの半分に同図（ｂ′
）に示したような巻線溝加工を施し、ギャップ面３′に
５ｉｆ２等のギャップ材３を形成した後、ガラス４によ
り（ｂ）および（ｂ’）に示した両コアを接合して（Ｃ
）に示したような磁気ヘッドが得られる０通常このガラ
スボンディングは４８０℃近傍で行なわれるので、上述
の磁界中熱処理をこの温度より高めの５００〜６５０℃
で行なっておけばＹ方向につけられた８１気異方性はこ
の無磁界中のガラスボンディング工程により消失する事
はない。従来の非晶質合金では５００℃以上の熱的安定
性に難があったためこのような高温磁界中熱処理工程は
は不可能であった。

このようにして作製した磁気ヘッドは優れた特性を示す
。これはギャップ近傍の磁性合金膜部に理想的な磁気異
方性を持たせる事が出来るからである。この磁気異方性
が大きすぎると高周波特性は良くなるものの合金膜の透
磁率が低下してヘッドの再生効率が悪くなるので磁界中
熱処理条件を調整して最適化する必要がある。これは熱
処理時閉・温度の調整、及び固定磁界中と回転磁界中熱
処理の組合せ等により任意の大きさの磁気異方性に制御
する事が可能である。

以下型に具体的実施例により本発明の詳細な説明を行な
う。

〈実施例１〉 スパッタ法によりＳｎ入り単結晶Ｍ　ｎ、　−Ｚ　ｎフ
ェライト基板上に厚さ８μｍのＦｅ−５ｉ−Ａ１合金膜
及びＣｏ、−Ｎｂ−Ｚｒ非晶質合金膜を形成し、第２図
に示したようなＭＩＧタイプの磁気ヘッドを作製した。

次にターゲットにＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ及びＦｅ−Ｎｂ−８
合金板を用い、Ｎ２ガスをＡｒガスに混合してスパッタ
することにより膜組成でＣｏ５ｔＮｂｕ＋Ｚｒ５Ｎ？及
びＦｅ７ｅＮｂｓＢ＋２Ｎ？なる厚さ８μｍの窒化合金
膜を同様にＳｎ入り単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト
基板上に形成した。更に同上のターゲットを用い、スパ
ッタ中にＡｒガス中にＮ２ガスを周期的に混合すること
によりＣ。

−Ｎｂ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎ及びＦｅ−Ｎｂ−
Ｂ／Ｆｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎなる非窒化層と窒化層より成る
総厚８μｎ＋、１層の層厚が約１０ＯＡの組成変調膜を
Ｓｎ入り単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト基板上に形
成した。この時Ｎ２ガスの混合分圧比を変えることによ
り平均膜組成として＜Ｃｏ５３Ｎｂ＋５Ｚｒ５Ｎ２＞、
＜ＣｏｒｅＮｂ＊Ｚｒ５Ｎｔ＞、　及び〈Ｃ０７ＡＮｂ
ｅＺｒ４ＮＩ４＞；　＜ＦｅｒｓＮｂｓＢ＋２Ｎ２＞＋
＜Ｆｅ７ｉＮｂｖＢ＋＋Ｎｓ＞、及び＜Ｆｅｔ＠Ｎｂｅ
Ｂ＋ｅＮ１４〉なる組成変調膜を得た。このようにして
Ｓｎ入り単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト基板上に形
成した種々の窒化合金膜を用い、第１図に示したような
工程を経てＭＩＧタイプの磁気ヘッドを作製した。同図
（ａ）の工程ではこの形状のものを５６０℃で１時間熱
処理し、この時外部より５０００ｅの磁界をＹ方向に固
定して印加したもの、Ｙ方向に３０分固定した後３０分
Ｘ−Ｙ面内で回転したもの、及び磁界を印加しないで行
なったものの３種類の熱処理をした。また同Ｗ（ｃ）の
ガラスボンディング工程は４８０℃無磁界中で行なった
。以上のように作製した種々の磁気ヘッドを通常のＶＴ
Ｒデツキに取り付け、メタルテープを用いてそれらの特
性比較を行なった。なお、どのヘッドも磁気ギャップと
トラック幅はそれぞれ０．２５μ田及び２０μ−に統一
した。結果を表−１に示す。

（以下余白） 表−１ 表−１に示した実験結果より本発明構成の磁気ヘッドに
おいては、疑似ギャップの影響により生ずる再生出力の
うねりが低減し、従来の問題点が大幅に改善されている
事がわかる。又単層の窒化合金膜を用いるよりも組成変
調窒化合金膜を用いた方が再生出力上有利である事がわ
かる。更には本発明の磁界中熱処理工程を用いて作製し
たヘッドは優れた特性を示すが、特に固定磁界中熱処理
をしたものは再生出力の周波数特性に優れ、又固定磁界
中熱処理と回転磁界中熱処理を組み合わせたものは高い
再生出力を示す事がわかる。

〈実施例２〉 ターゲットにＣｏ−Ｎｂ−Ｈｆ、　　Ｃｏ−Ｔ　ｉ　−
Ｔａ−Ｂ、　　Ｃｏ−Ｍｏ−Ｃｒ−Ｚｒ、　　Ｆｅ−Ｎ
ｂ。

Ｆｅ−Ｎｂ−５ｉ、　　Ｆｅ−Ｎｉ　−Ｗ−Ｎｂ−Ｃｕ
ｅを用い、実施例１と同様の方法で窒化層と非窒化層よ
り成る組成変調窒化合金膜を反応スパッタ法によりＳｎ
入り単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト基板上に形成し
た。総膜厚はすべて８μ鋼とし、組成変調波長（＝非望
化Ｎ１層の層厚＋窒化層ＩＮの層厚）及び窒素含有量は
Ｎ２ガスの混合周期と分圧比を制御することにより変化
させた。これらを用いて実施例１と同様の方法でＭＩＧ
タイプの磁気ヘッドを作製しその諸特性を同様の方法で
測定した。

ただし熱処理は６００℃で前半３０分を固定磁界中で、
後半１５分を回転磁界中で行なった。結果を表−２に示
す０表中の相対再生出力比は表−１のＦｅ−５ｉ　−Ａ
　ＩヘッドをＯｄｂとして比較を行なった。

（以下余白） 表−２に示した結果より窒化により疑似ギャップによる
再生出力のうねりが低減しており、又合金膜の窒素含有
量が多いほどこの効果が大である事が表−１５表−２に
しめした結果よりわかる。

更には組成変調波長があまり長くなるとヘッドの再生出
力が低下する傾向がある事がわかる。

〈実施例３〉 ターゲットにＣｏ−Ｎｂ−Ｚ　ｒ、　　Ｃｏ−Ｍｎ　−
Ｎｂ−Ｂ、　Ｆｅ−Ｎｂ、　　Ｆｅ−Ｎｂ−５ｉ　−Ｂ
を用い、実施例２と同様の方法で窒化層と非窒化層より
成る総膜厚８μｍ２組成変調波長２００＾の組成変調窒
化合金膜を反応スッパタ法によりＳ。入り単結晶フェラ
イト基板上、及びＳｎ無添加の単結晶フェライト基板上
に形成した。又膜厚１５０Ａの５ｉ−Ｎ。

Ｂ−Ｎ、ＡＩ−ＮをＳｎ入り単結晶Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフ
ェライト基板上に形成した後、同様に上記の組成変調窒
化合金膜を形成した。これらを用いて実施例２と同様の
方法でＭＩＧタイプの磁気ヘッドを作製しそれらの諸特
性を測定した。結果を第３表に示す。

表−２ 表−３ ただし再生出力は第１夫人に示したＦｅ−８ｉ−ＡＩを
用いたヘッドの出力との相対比較値で示した。

表−３に示した結果より、摺動ノイズを下げてＣ／Ｎ　
（ｏｒｓ／Ｎ）比を向上させるにはフェライト基板にＳ
ｎ入り単結晶を用いる事が効果的である事がわかる。又
表に示した結果よりフェライトと窒化合金膜との界面に
Ｓｉ　−Ｎ、　　Ｂ−Ｎ、　ＡＩ　−Ｎ等を設ける事は
疑似ギャップによる再生出力のうねりをなくすのに効果
的である事がわかる。

以上より、本発明ＭＩＧヘッドはＣ／Ｎ比が高く、周波
数特性に優れ、疑似ギャップによる再生出力のうねりが
小さい等の優れた諸特性を示す事がわかる。

発明の効果 以上述べたところから明らかなように、本発明は、Ｍｒ
Ｇヘッド特有の疑似ギャップの問題を低減し、かつ諸特
性の優れた磁気ヘッドを得る事を可能にするものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気ヘッドの製造方法の１実施例を示
す工程図、第２図は従来の単純な構造のＭＩＧタイプの
磁気ヘッドの１例を示す正面図である。 １・−Ｓｎ入り単結晶フェライト、２・・・磁性合金膜
、３・・・磁気ギャップ、４・・・ボンディングガラス
、５・・・磁性合金膜部とフェライトコア部との界面、
６・・・巻線穴。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝ばか１名第１図 第２図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）バックコアがＳｎ入り単結晶フェライト等の摺動
   ノイズの発生しにくいフェライトより成り、磁気ギャッ
   プ近傍が次式で示された組成の磁性合金膜 ＴａＭｂＸｃＮｄ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｃｅより成る
   群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
   は窒素であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを表
   わし、それぞれ６５≦ａ≦９３ ４≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である。） で構成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）磁気ギャップ近傍の磁性合金膜が成膜方向に組成
   変調されており，次式で示された平均組成Ｔａ’Ｍｂ’
   Ｘｃ’Ｎｄ’ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｃｅより成る
   群から選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
   は窒素であって、膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’，
   ｃ’，ｄ’は原子パーセントでそれぞれ ６５≦ａ’≦９３ ４≦ｂ’≦２０ ０≦ｃ’≦２０ ２≦ｄ’≦２０ ５≦ｂ’＋ｃ’ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である。） を有する事を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
3. （３）磁性合金膜部とフェライトコア部との界面に厚さ
   が３００Ａ以下のＳｉ，Ｂ，もしくはＡｌの窒化膜を設
   けた事を特徴とする請求項１又は２記載の磁気ヘッド。
4. （４）ギャップ近傍が次式で示された組成の磁性合金膜
   で、 ＴａＭｂＸｃＮｄ、 その他のコア部が主にＳｎ入り単結晶フェライト等のフ
   ェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法において
   （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｃｅより成る
   群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
   は窒素であってａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを表わ
   し、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ４≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である。）、 該フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により蒸
   着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ平
   行にかつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる方向
   に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度以上
   で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該フェ
   ライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャップ面
   を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成する
   事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
5. （５）ギャップ近傍の磁性合金膜が次式で示された成膜
   方向に組成変調された磁性合金膜。 Ｔａ’Ｍｂ’Ｘｃ’Ｎｄ’、 （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅより成る
   群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
   は窒素であって、膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’，
   ｃ’，ｄ’は原子パーセントでそれぞれ、 ６５≦ａ’≦９３ ４≦ｂ’≦２０ ０≦ｃ’≦２０ ２≦ｄ’≦２０ ５≦ｂ’＋ｃ’ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である。） である事を特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの製造
   方法。
6. （６）特に磁界中熱処理を磁性合金膜の磁気ギャップ面
   となるべき面にほぼ平行に、かつ磁気ギャップの深さ方
   向にほぼ直角となる方向に磁界を固定して行なう工程と
   、磁気ギャップ面内で磁界を回転して行なう工程とを組
   み合わせて行なう事を特徴とする請求項４、又は５記載
   の磁気ヘッドの製造方法。