JPH04205805A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH04205805A JPH04205805A JP2333957A JP33395790A JPH04205805A JP H04205805 A JPH04205805 A JP H04205805A JP 2333957 A JP2333957 A JP 2333957A JP 33395790 A JP33395790 A JP 33395790A JP H04205805 A JPH04205805 A JP H04205805A
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- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- flux density
- thin film
- magnetic flux
- magnetic head
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Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、ディジタル
オーディオチーブレコーダ（ＤＡＴ）あるいはブロッピ
ーディスク（ＦＤＤ）等に用いられる高保磁力の磁気記
録媒体に高密度に情報を記録再生するのに適した磁気ヘ
ッドに関すム 従来の技術 高密度磁気記録再生のために 記録媒体はその保磁力を
大きくし また磁気ヘッドの方はその飽和磁束密度を大
きくすれば良いことが一般に知られていも 現在磁気ヘ
ッド材料として主流になっているフェライト材料ζよ
その飽和磁束密度が５０００Ｇａｕｓｓ程度であり、
１００００ｅ以上の高保磁力を示すメタルテープ等に使
用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われなし
そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセン
ダスト合金やＣＯ系アモルファス膜等を用いた磁気ヘッ
ドが実用化されていも 磁気ヘッドの構造として（よ 第３図に示すように２つ
の磁気コア１１がＭｎ−Ｚｎフェライトからなり、磁気
ギャップ近傍の両側に軟磁性膜ｆｉ１２と非磁性のギャ
ップ材１３から構成されたＭＩＧ （メタル・イン・ギ
ャップ）磁気ヘッドであり、その製造方法が従来のフェ
ライトヘッドとほぼ同じであることから盛んに検討が行
われている。な耘 同図において、 １４はトラック幅
を規制するためのガラ人 １５は巻線窓である。
オーディオチーブレコーダ（ＤＡＴ）あるいはブロッピ
ーディスク（ＦＤＤ）等に用いられる高保磁力の磁気記
録媒体に高密度に情報を記録再生するのに適した磁気ヘ
ッドに関すム 従来の技術 高密度磁気記録再生のために 記録媒体はその保磁力を
大きくし また磁気ヘッドの方はその飽和磁束密度を大
きくすれば良いことが一般に知られていも 現在磁気ヘ
ッド材料として主流になっているフェライト材料ζよ
その飽和磁束密度が５０００Ｇａｕｓｓ程度であり、
１００００ｅ以上の高保磁力を示すメタルテープ等に使
用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われなし
そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセン
ダスト合金やＣＯ系アモルファス膜等を用いた磁気ヘッ
ドが実用化されていも 磁気ヘッドの構造として（よ 第３図に示すように２つ
の磁気コア１１がＭｎ−Ｚｎフェライトからなり、磁気
ギャップ近傍の両側に軟磁性膜ｆｉ１２と非磁性のギャ
ップ材１３から構成されたＭＩＧ （メタル・イン・ギ
ャップ）磁気ヘッドであり、その製造方法が従来のフェ
ライトヘッドとほぼ同じであることから盛んに検討が行
われている。な耘 同図において、 １４はトラック幅
を規制するためのガラ人 １５は巻線窓である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら従来のＭＩＧタイプの磁気ヘッドでζよ
軟磁性薄膜１２とフェライトコア１１の境界において、
反応が起こるためにこの部分に磁気的劣化層が形成され
る。この磁気劣化層がギャップ面と平行になっていると
疑似ギャップとして働き、疑似信号が発生するという問
題点がある（日本応用磁気学会誌Ｖｏ１．１１． Ｎｏ
２．１９８７、 ｐｐ、 １０５〜１０８）。
軟磁性薄膜１２とフェライトコア１１の境界において、
反応が起こるためにこの部分に磁気的劣化層が形成され
る。この磁気劣化層がギャップ面と平行になっていると
疑似ギャップとして働き、疑似信号が発生するという問
題点がある（日本応用磁気学会誌Ｖｏ１．１１． Ｎｏ
２．１９８７、 ｐｐ、 １０５〜１０８）。
一人 磁気コアを接合する場合 ガラス融着という方法
が一般に用いられも その場合 ５００℃以上の熱処理
が必要となる。この際にフェライトコアと上記軟磁性薄
膜の境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
形成されも 両者の境界はギャップ面と平行になってい
るために疑似ギャップとして作用し ヘッドの周波数特
性においてうねりとして現れもまた フェライトコアが
ギャップ近傍に露出しているた数 摺動ノイズが大きく
なり、Ｃ／Ｎ特性が劣化するといった課題を有してい池
上記の課題はＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ等のシステムにと
って致命的であも 本発明は上記の課題を解決し うねり、記録特性の劣化
およびＣ／Ｎ特性の劣化の少ない磁気ヘッドの提供を目
的とすム 課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために本発明の磁気ヘッドは磁気
ギャップ形成面に高飽和磁束密度軟磁性薄膜を設けた一
方の磁気コアと５ｎｕ２を固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライトからなる他方の磁気コアをギャップ材を介して
接合したものであム 作用 本発明は上記の構成により、磁気劣化層は片側にのみ存
在し ギャップ形成面に軟磁性膜を設けない磁気コアを
ＳｎＯ２を固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトで構成
して摺動ノイズを抑える。
が一般に用いられも その場合 ５００℃以上の熱処理
が必要となる。この際にフェライトコアと上記軟磁性薄
膜の境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
形成されも 両者の境界はギャップ面と平行になってい
るために疑似ギャップとして作用し ヘッドの周波数特
性においてうねりとして現れもまた フェライトコアが
ギャップ近傍に露出しているた数 摺動ノイズが大きく
なり、Ｃ／Ｎ特性が劣化するといった課題を有してい池
上記の課題はＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ等のシステムにと
って致命的であも 本発明は上記の課題を解決し うねり、記録特性の劣化
およびＣ／Ｎ特性の劣化の少ない磁気ヘッドの提供を目
的とすム 課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために本発明の磁気ヘッドは磁気
ギャップ形成面に高飽和磁束密度軟磁性薄膜を設けた一
方の磁気コアと５ｎｕ２を固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライトからなる他方の磁気コアをギャップ材を介して
接合したものであム 作用 本発明は上記の構成により、磁気劣化層は片側にのみ存
在し ギャップ形成面に軟磁性膜を設けない磁気コアを
ＳｎＯ２を固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトで構成
して摺動ノイズを抑える。
実施例
以乍本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明すも （実施例１） まず磁気ヘッドの構造に関しての実施例を示す。第１図
は本発明による磁気ヘッドの一例であり、同図（ａ）は
本発明の磁気ヘッドの斜視図であム 同図において、磁
気コア１１は酸化物磁性材料 例えばＭｎ−Ｚｎフェラ
イトからなり、その磁気コア１１のギャップ面に高飽和
磁束密度軟磁性薄膜１が形成されている。そして巻線窓
１５を形成した磁気コア２を５ｎ０２を固溶した単結晶
Ｍｎ−Ｚｎフェライトで構成する。
しながら説明すも （実施例１） まず磁気ヘッドの構造に関しての実施例を示す。第１図
は本発明による磁気ヘッドの一例であり、同図（ａ）は
本発明の磁気ヘッドの斜視図であム 同図において、磁
気コア１１は酸化物磁性材料 例えばＭｎ−Ｚｎフェラ
イトからなり、その磁気コア１１のギャップ面に高飽和
磁束密度軟磁性薄膜１が形成されている。そして巻線窓
１５を形成した磁気コア２を５ｎ０２を固溶した単結晶
Ｍｎ−Ｚｎフェライトで構成する。
また磁気コア２、１１と高飽和磁束密度軟磁性薄膜１の
間にはガラスまたは５ｉ０２などからなる非磁性材１３
を介してギャップ３が形成され、Ｌ トラック幅規制
溝がフロントギャップ部からパックギャップ部まで形成
されており、その部分にはガラス１４が充填されていも
また高飽和磁束密度軟磁性薄膜１（戴 ギャップ近傍
だけでなく、 トラック幅規制溝の部分にそって存在し
ていも 第１図（ｂ）は本発明の磁気ヘッドの摺動面のギャップ
近傍を拡大したものである。ここで高飽和磁束密度軟磁
性薄膜１はたとえばＣｏＮｂＺｒ （２００人）３と
ＣｏＮｂＺ ｒＮ （２００人）４が交互に１００層
ずつ積層された［以下、 （ＣｏＮｂＺ ｒ／ＣｏＮｂ
Ｚ ｒＮ） と表す］膜厚４μｍのいわゆる超構造窒
化膜が用いられていも この超構造窒化膜の飽和磁束密
度はｌ。
間にはガラスまたは５ｉ０２などからなる非磁性材１３
を介してギャップ３が形成され、Ｌ トラック幅規制
溝がフロントギャップ部からパックギャップ部まで形成
されており、その部分にはガラス１４が充填されていも
また高飽和磁束密度軟磁性薄膜１（戴 ギャップ近傍
だけでなく、 トラック幅規制溝の部分にそって存在し
ていも 第１図（ｂ）は本発明の磁気ヘッドの摺動面のギャップ
近傍を拡大したものである。ここで高飽和磁束密度軟磁
性薄膜１はたとえばＣｏＮｂＺｒ （２００人）３と
ＣｏＮｂＺ ｒＮ （２００人）４が交互に１００層
ずつ積層された［以下、 （ＣｏＮｂＺ ｒ／ＣｏＮｂ
Ｚ ｒＮ） と表す］膜厚４μｍのいわゆる超構造窒
化膜が用いられていも この超構造窒化膜の飽和磁束密
度はｌ。
４０テスラであっｔ島
な耘 磁気ヘッドの構造としては第１図に示したちの以
外にも種々あム その−例を第２図に示す。
外にも種々あム その−例を第２図に示す。
第２図（ａ）は高飽和磁束密度軟磁性薄膜１がギャップ
部のみに形成され その他の構造は第１図と同じ磁気ヘ
ッドである。第２図（ｂ）はトラック幅規制溝がフロン
トギャップ部のみに形成され 高飽和磁束密度軟磁性薄
膜１もギャップ近傍にしか存在しなｌ、％ その他の
構成（よ第１図の磁気ヘッドと同じであム な耘 ここに示した例は磁気ヘッド構成の一例であり、
本発明の本質は 片側の磁気コア１１のギャップ形成面
だけに高飽和磁束密度軟磁性薄膜１を形成することと、
高飽和磁束密度軟磁性薄膜１を形成していない磁気コア
２を、５ｎｏｔを固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
で構成することであり、高飽和磁束密度軟磁性薄膜１の
組成 膜厚及びヘッドの形状などに関してはここに示し
た以外に多くの構成があム次に本発明の磁気ヘッドの電
磁変換特性の測定結果について示す。
部のみに形成され その他の構造は第１図と同じ磁気ヘ
ッドである。第２図（ｂ）はトラック幅規制溝がフロン
トギャップ部のみに形成され 高飽和磁束密度軟磁性薄
膜１もギャップ近傍にしか存在しなｌ、％ その他の
構成（よ第１図の磁気ヘッドと同じであム な耘 ここに示した例は磁気ヘッド構成の一例であり、
本発明の本質は 片側の磁気コア１１のギャップ形成面
だけに高飽和磁束密度軟磁性薄膜１を形成することと、
高飽和磁束密度軟磁性薄膜１を形成していない磁気コア
２を、５ｎｏｔを固溶した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
で構成することであり、高飽和磁束密度軟磁性薄膜１の
組成 膜厚及びヘッドの形状などに関してはここに示し
た以外に多くの構成があム次に本発明の磁気ヘッドの電
磁変換特性の測定結果について示す。
まず第１図に示される高飽和磁束密度軟磁性薄膜１にＣ
ｏを主成分とする材料を用いたときの実施例を示す。
ｏを主成分とする材料を用いたときの実施例を示す。
高飽和磁束密度軟磁性薄膜１にζよ Ｃｏ−（Ｎｂ、
Ｚｒ、 Ｔａ） （２００人）とＣｏ−（Ｎｂ、
Ｚｒ、Ｔａ）−Ｎ （２００人）とを各１００層ずス
膜厚にして４μｍの超構造薄膜を用い九磁気ヘッドのギ
ャップ長は０．３μ匹 トラック幅は２０μｍであも
測定はドラムテスターを用（＼ ヘッドとテープの相対
速度５．８ｍ／Ｓで行つな テープの保磁力は１５５０
エルステツドであム 種々の高飽和磁束密度軟磁性薄膜を用いたヘッドの周波
数特性のうねりの振幅測定を行つ九その結果を第１表に
示す。
Ｚｒ、 Ｔａ） （２００人）とＣｏ−（Ｎｂ、
Ｚｒ、Ｔａ）−Ｎ （２００人）とを各１００層ずス
膜厚にして４μｍの超構造薄膜を用い九磁気ヘッドのギ
ャップ長は０．３μ匹 トラック幅は２０μｍであも
測定はドラムテスターを用（＼ ヘッドとテープの相対
速度５．８ｍ／Ｓで行つな テープの保磁力は１５５０
エルステツドであム 種々の高飽和磁束密度軟磁性薄膜を用いたヘッドの周波
数特性のうねりの振幅測定を行つ九その結果を第１表に
示す。
（以下、余白）
第１表
上表のうねりの振幅の欄において、 （ａ）は本発明の
磁気ヘッドであり、片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密
度軟磁性薄膜を形成した場合へ （ｂ）は両方の磁気コ
アに軟磁性薄膜を形成した場合の磁気ヘッドの周波数特
性のうねりの振幅を示す。うねりの振幅ＵＩＭＨｚ〜１
０ＭＨｚでの振幅のもっとも大きいものをその値とし？
＝（ａ）の場合はうねりの振幅の平均値が約１．３ｄＢ
であるのに対し、 （ｂ）の場合は約２．９ｄＢであ
った すなわ叛 高飽和磁束密度軟磁性薄膜を片側の磁
気コアだけに形成する方力（両方の磁気コアに高飽和磁
束密度軟磁性薄膜を形成した場合に比べて装備ギャップ
による悪影響を低減することが可能であることがわかも しかしながら高飽和磁束密度軟磁性薄膜を磁気コアの片
側にだけ形成した場合は記録特性が劣化する恐れがある
。そこで片側にのみ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成し
たときと磁気コアの両側に形成したときの記録特性の比
較を、高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束密度をいろ
いろ変化させて行った 測定は上記と同じ条件で行っ通 磁気ヘッドのギャップ
長を０．２８〜０．３０μｍとじな再生ヘッドはギャッ
プ長が０．２５μｍのフェライトヘッドを用いて行った
測定周波数は１゜０ＭＨｚ、記録信号は正弦波として
再生出力か最大となるように記録電流の大きさを選んた
高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束密度は（１）１．
ＯＴ、 （２）１．２Ｔ、 （３）１．３Ｔ、（４）１
゜ ４Ｔ、 （５）１． ５Ｔのものについて実験を
行った サンプル数は各３個としその平均値を示した
ここで測定ζよ 保磁力（Ａ）＝７５００ｅ と、
（Ｂ）＝１７０００６ のテープを用いて行っ九
ここで、 １７０００ｅのテープは現在市販されてい
るメタルテープで最も保磁力が大きいものの一つであム 第４図に結果を示す。磁気コアの両側に高飽和磁束密度
軟磁性薄膜を形成した場合を基準（ＯｄＢ）とし これ
と比較した時の特性を示していも まず（Ａ）の場合は
（１）〜（５）全てにおいて両方の磁気コアに高飽和磁
束密度軟磁性薄膜を形成した場合と片側のコアにだけ形
成した場合で差がなかっ九 すなわち保磁力が７５００
ｅ程度の記録媒体に対しては飽和磁束密度１．０Ｔ（こ
こではセンダストを用いた）の材料を片側の磁気コアに
形成するだけでＬ両側の磁気コアに形成したときと同じ
程度の記録特性が得られることがわかった 次に（Ｂ）
の場合は（１）では明らかに両コアに高飽和磁束密度軟
磁性薄膜を形成した磁気ヘッドの方が記録特性が優れて
いることがわかった しかし飽和磁束密度がさらに大き
くなって１．２Ｔ以上になると、片側のコアにだけ高飽
和磁束密度軟磁性薄膜を形成した場合と、両側のコアに
形成した場合でほとんど差がなくなることがわがっ九
このことから保磁力が１７０００ｅ程度に大きくなると
飽和磁束密度が１．０Ｔのセンダスト材料では記録が不
十分になり、 １．２Ｔ以上の材料が必要になることが
わがっ九このことから高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和
磁束密度が１゜ ２Ｔ以上であれば 片側の磁気コアに
だけ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成することで、現在
量も保磁力の大きいメタルテープに対しても両側の磁気
コアに高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成した磁気ヘッド
と遜色ない記録特性を示すＭＩＧタイプの磁気ヘッドが
得られ墨ことがわかっ九 飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で、 ５００℃以上の熱処
理後も軟磁気特性を示す材料としてζ表一般式ＣｏＭで
表される材料とその窒化物（−般式ＣｏＭＮ）とが少な
くとも薄膜作成時には積層された構造になっているもの
（以下、Ｃ。
磁気ヘッドであり、片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密
度軟磁性薄膜を形成した場合へ （ｂ）は両方の磁気コ
アに軟磁性薄膜を形成した場合の磁気ヘッドの周波数特
性のうねりの振幅を示す。うねりの振幅ＵＩＭＨｚ〜１
０ＭＨｚでの振幅のもっとも大きいものをその値とし？
＝（ａ）の場合はうねりの振幅の平均値が約１．３ｄＢ
であるのに対し、 （ｂ）の場合は約２．９ｄＢであ
った すなわ叛 高飽和磁束密度軟磁性薄膜を片側の磁
気コアだけに形成する方力（両方の磁気コアに高飽和磁
束密度軟磁性薄膜を形成した場合に比べて装備ギャップ
による悪影響を低減することが可能であることがわかも しかしながら高飽和磁束密度軟磁性薄膜を磁気コアの片
側にだけ形成した場合は記録特性が劣化する恐れがある
。そこで片側にのみ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成し
たときと磁気コアの両側に形成したときの記録特性の比
較を、高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束密度をいろ
いろ変化させて行った 測定は上記と同じ条件で行っ通 磁気ヘッドのギャップ
長を０．２８〜０．３０μｍとじな再生ヘッドはギャッ
プ長が０．２５μｍのフェライトヘッドを用いて行った
測定周波数は１゜０ＭＨｚ、記録信号は正弦波として
再生出力か最大となるように記録電流の大きさを選んた
高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束密度は（１）１．
ＯＴ、 （２）１．２Ｔ、 （３）１．３Ｔ、（４）１
゜ ４Ｔ、 （５）１． ５Ｔのものについて実験を
行った サンプル数は各３個としその平均値を示した
ここで測定ζよ 保磁力（Ａ）＝７５００ｅ と、
（Ｂ）＝１７０００６ のテープを用いて行っ九
ここで、 １７０００ｅのテープは現在市販されてい
るメタルテープで最も保磁力が大きいものの一つであム 第４図に結果を示す。磁気コアの両側に高飽和磁束密度
軟磁性薄膜を形成した場合を基準（ＯｄＢ）とし これ
と比較した時の特性を示していも まず（Ａ）の場合は
（１）〜（５）全てにおいて両方の磁気コアに高飽和磁
束密度軟磁性薄膜を形成した場合と片側のコアにだけ形
成した場合で差がなかっ九 すなわち保磁力が７５００
ｅ程度の記録媒体に対しては飽和磁束密度１．０Ｔ（こ
こではセンダストを用いた）の材料を片側の磁気コアに
形成するだけでＬ両側の磁気コアに形成したときと同じ
程度の記録特性が得られることがわかった 次に（Ｂ）
の場合は（１）では明らかに両コアに高飽和磁束密度軟
磁性薄膜を形成した磁気ヘッドの方が記録特性が優れて
いることがわかった しかし飽和磁束密度がさらに大き
くなって１．２Ｔ以上になると、片側のコアにだけ高飽
和磁束密度軟磁性薄膜を形成した場合と、両側のコアに
形成した場合でほとんど差がなくなることがわがっ九
このことから保磁力が１７０００ｅ程度に大きくなると
飽和磁束密度が１．０Ｔのセンダスト材料では記録が不
十分になり、 １．２Ｔ以上の材料が必要になることが
わがっ九このことから高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和
磁束密度が１゜ ２Ｔ以上であれば 片側の磁気コアに
だけ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成することで、現在
量も保磁力の大きいメタルテープに対しても両側の磁気
コアに高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成した磁気ヘッド
と遜色ない記録特性を示すＭＩＧタイプの磁気ヘッドが
得られ墨ことがわかっ九 飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で、 ５００℃以上の熱処
理後も軟磁気特性を示す材料としてζ表一般式ＣｏＭで
表される材料とその窒化物（−般式ＣｏＭＮ）とが少な
くとも薄膜作成時には積層された構造になっているもの
（以下、Ｃ。
Ｍ／ＣｏＭＮと表す。ここでＭは金属光ｉＮは窒素であ
ム ）、いわゆる超構造ＣＯ系組成変調窒化合金膜が挙
げられも その合金膜の組成に関してｌｔ、ｃｏは飽和
磁束密度を１．２Ｔ以上にするため原子比で８０％以上
とし またＭは所定の軟磁気特性を確保するためにＮｂ
、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗの中の１種以上か
ら構成されるものとし 原子比で５％以上２０％以下と
す４ また−層当りの厚みは１５００Å以下であれば
所定の軟磁気特性が得られも これらの材料を例示するなら１ｉｃｏＮｂＺｒ／ＣｏＮ
ｂＺｒＮ、ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ、ＣｏＮｂＺ
ｒＴａ／ＣｏＮｂＺｒＴａＮ、ＣｏＭｏＺｒ／ＣｏＭｏ
ＺｒＮ、ＣｏＮｂＭｏｏｒ／ＣｏＮｂＭｏＺｒＮ、Ｃｏ
Ｔ１Ｎｂ／ＣｏＴｉＮｂＮ、ＣｏＷＮｂ／ＣｏＷＮｂＮ
等があり、この中でも特にＣｏ Ｎ ｂ Ｚ ｒ ／
Ｃ。
ム ）、いわゆる超構造ＣＯ系組成変調窒化合金膜が挙
げられも その合金膜の組成に関してｌｔ、ｃｏは飽和
磁束密度を１．２Ｔ以上にするため原子比で８０％以上
とし またＭは所定の軟磁気特性を確保するためにＮｂ
、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗの中の１種以上か
ら構成されるものとし 原子比で５％以上２０％以下と
す４ また−層当りの厚みは１５００Å以下であれば
所定の軟磁気特性が得られも これらの材料を例示するなら１ｉｃｏＮｂＺｒ／ＣｏＮ
ｂＺｒＮ、ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ、ＣｏＮｂＺ
ｒＴａ／ＣｏＮｂＺｒＴａＮ、ＣｏＭｏＺｒ／ＣｏＭｏ
ＺｒＮ、ＣｏＮｂＭｏｏｒ／ＣｏＮｂＭｏＺｒＮ、Ｃｏ
Ｔ１Ｎｂ／ＣｏＴｉＮｂＮ、ＣｏＷＮｂ／ＣｏＷＮｂＮ
等があり、この中でも特にＣｏ Ｎ ｂ Ｚ ｒ ／
Ｃ。
ＮｂＺｒＮ、ＣｏＴａＺｒ’／ＣｏＴａＺｒＮ、ＣｏＮ
ｂＺ ｒＴａ／Ｃｏ’ＮｂＺ ｒＴａＮが望ましＬ％
本実施例では高飽和磁束密度軟磁性薄膜にＣｏを主成
分とする軟磁性材料の例を示しため（本発明はこれに限
定されるものではな（を飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で
あり、所定の軟磁気特性を示すものであれば同様の効果
が得られる。また膜厚は磁気ヘッドの用途によって変え
も 次に本実施例の磁気ヘッドの摺動ノイズについて従来の
磁気ヘッド及びフェライトヘッドとの比較を行っな 測
定方法は ドラムテスター上で、市販のメタルテープを
使用して測定し九そして第５図に示すように 摺動ノイ
ズについて（よ 主信号の周波数（７ＭＨｚ）とじ そ
の±４ＭＨｚの帯域内での摺動ノイズの最大値でもって
代表することとした また ヘッドの突出状態の変化と
摺動ノイズとの関係についての検討もおこなっ九 その結果を第２表に示す。
ｂＺ ｒＴａ／Ｃｏ’ＮｂＺ ｒＴａＮが望ましＬ％
本実施例では高飽和磁束密度軟磁性薄膜にＣｏを主成
分とする軟磁性材料の例を示しため（本発明はこれに限
定されるものではな（を飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で
あり、所定の軟磁気特性を示すものであれば同様の効果
が得られる。また膜厚は磁気ヘッドの用途によって変え
も 次に本実施例の磁気ヘッドの摺動ノイズについて従来の
磁気ヘッド及びフェライトヘッドとの比較を行っな 測
定方法は ドラムテスター上で、市販のメタルテープを
使用して測定し九そして第５図に示すように 摺動ノイ
ズについて（よ 主信号の周波数（７ＭＨｚ）とじ そ
の±４ＭＨｚの帯域内での摺動ノイズの最大値でもって
代表することとした また ヘッドの突出状態の変化と
摺動ノイズとの関係についての検討もおこなっ九 その結果を第２表に示す。
第２表
第２表より本実施例の磁気ヘッド（よ 従来の磁気ヘッ
ドに比べて約２ｄＢの摺動ノイズの低減がはかれた フ
ェライトヘッドと比較すると約８ｄＢ程度の差となって
いる。従来の磁気ヘッドに比べて摺動ノイズが低い原因
（よ ヘッド感度の一番敏感なギャップ近傍が摺動ノイ
ズの発生しない高飽和磁束密度軟磁性薄膜と、摺動ノイ
ズの低いＳｎＯ２を固溶した単結晶Ｍｎ −Ｚｎフェラ
イトで構成されているためと考えられ フェライトヘッ
ドにくらべてノイズが低いのはもちろんのこと、従来の
磁気ヘッドと比較しても優位な結果となっていも さらにヘッド突出量を変化させて、ヘッド−テープ間の
インターフェイス状態と摺動ノイズの関係について検討
したとこへ 従来の磁気ヘッドで（よ インターフェイ
ス状態の違いで、摺動ノイズのレベルが約４〜８ｄＢの
変化をしたのに対して、本実施例の磁気ヘッドでは そ
の変化は少なく、 ２〜３ｄＢ程度であった この点か
らでも本実施例ヘッドの摺動ノイズに対する優位性が証
明され九 （実施例２） 第１図に示される高飽和磁束密度軟磁性薄膜１にＦｅを
主成分とする高飽和磁束密度軟磁性材料を用いたときの
実施例を示す。この例では片側にだけＦｅＮｂＺｒ （
１００人）とＦｅＮｂＺｒＮ（１００人）を各々２５０
層ずス 膜厚にして５μｍの高飽和磁束密度軟磁性薄膜
を形成した磁気ヘッドの例であａ ここで高飽和磁束密
度軟磁性薄膜の飽和磁束密度は１．５テスラであっ通
以下電磁変換特性に関して、実施例１と同様の測定を行
ったときの結果を第３表に示す。
ドに比べて約２ｄＢの摺動ノイズの低減がはかれた フ
ェライトヘッドと比較すると約８ｄＢ程度の差となって
いる。従来の磁気ヘッドに比べて摺動ノイズが低い原因
（よ ヘッド感度の一番敏感なギャップ近傍が摺動ノイ
ズの発生しない高飽和磁束密度軟磁性薄膜と、摺動ノイ
ズの低いＳｎＯ２を固溶した単結晶Ｍｎ −Ｚｎフェラ
イトで構成されているためと考えられ フェライトヘッ
ドにくらべてノイズが低いのはもちろんのこと、従来の
磁気ヘッドと比較しても優位な結果となっていも さらにヘッド突出量を変化させて、ヘッド−テープ間の
インターフェイス状態と摺動ノイズの関係について検討
したとこへ 従来の磁気ヘッドで（よ インターフェイ
ス状態の違いで、摺動ノイズのレベルが約４〜８ｄＢの
変化をしたのに対して、本実施例の磁気ヘッドでは そ
の変化は少なく、 ２〜３ｄＢ程度であった この点か
らでも本実施例ヘッドの摺動ノイズに対する優位性が証
明され九 （実施例２） 第１図に示される高飽和磁束密度軟磁性薄膜１にＦｅを
主成分とする高飽和磁束密度軟磁性材料を用いたときの
実施例を示す。この例では片側にだけＦｅＮｂＺｒ （
１００人）とＦｅＮｂＺｒＮ（１００人）を各々２５０
層ずス 膜厚にして５μｍの高飽和磁束密度軟磁性薄膜
を形成した磁気ヘッドの例であａ ここで高飽和磁束密
度軟磁性薄膜の飽和磁束密度は１．５テスラであっ通
以下電磁変換特性に関して、実施例１と同様の測定を行
ったときの結果を第３表に示す。
（以下、余白）
第３表
第３表にｌ；＆ Ｆｅ −（Ｔｉ、 Ｎｂ、 Ｚ
ｒ、 Ｔａ、 Ｍｎ） （１００人）とＦｅ−（
Ｔｉ、 Ｎｂ、Ｚ ｒ、 Ｔａ、 Ｍｎ） −Ｎ
（１００人）とを各々２００層ず−）、膜厚にして４μ
ｍの高飽和磁束密度軟磁性薄膜を（ｃ）片側の磁気コア
にだけ形成した磁気ヘッドＬ （ｄ）両側の磁気コア
に形成した磁気ヘッドの周波数特性のうねりの振幅を示
す。周波数特性のうねりの振幅の平均値ｉ友（ｃ）の場
合的１．３ｄＢであるのに対し、 （ｄ）の場合は約２
．９ｄＢであり、高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束
密度にはかかわらず片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密
度軟磁性薄膜を形成することによりうねりの振幅を小さ
くすることが可能となム また記録特性に関しても保磁力（Ａ）７５００ｅと（Ｂ
）１７０００ｅの記録媒体を用いて軟磁性薄膜の飽和磁
束密度を（１）１．０Ｔ、（２）１．２Ｔ、 （３）
１． ４Ｔ、 （４）１゜５Ｔ、 （５）１．６Ｔの
材料について実験を行 。
ｒ、 Ｔａ、 Ｍｎ） （１００人）とＦｅ−（
Ｔｉ、 Ｎｂ、Ｚ ｒ、 Ｔａ、 Ｍｎ） −Ｎ
（１００人）とを各々２００層ず−）、膜厚にして４μ
ｍの高飽和磁束密度軟磁性薄膜を（ｃ）片側の磁気コア
にだけ形成した磁気ヘッドＬ （ｄ）両側の磁気コア
に形成した磁気ヘッドの周波数特性のうねりの振幅を示
す。周波数特性のうねりの振幅の平均値ｉ友（ｃ）の場
合的１．３ｄＢであるのに対し、 （ｄ）の場合は約２
．９ｄＢであり、高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束
密度にはかかわらず片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密
度軟磁性薄膜を形成することによりうねりの振幅を小さ
くすることが可能となム また記録特性に関しても保磁力（Ａ）７５００ｅと（Ｂ
）１７０００ｅの記録媒体を用いて軟磁性薄膜の飽和磁
束密度を（１）１．０Ｔ、（２）１．２Ｔ、 （３）
１． ４Ｔ、 （４）１゜５Ｔ、 （５）１．６Ｔの
材料について実験を行 。
っ九 その結果を第６図に示す。高飽和磁束密度軟磁性
薄膜にＣｏ系組成変調窒化合金膜を用いたときと同じよ
う＋；＝（Ａ）に関しては （１）〜（５）でほとんど
差がなく片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密度軟磁性薄
膜を形成しても記録特性が劣化しなζ−一方（Ｂ）の高
保磁力媒体に関してζよ （１）では片側の磁気コアに
だけ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成した方が両側の磁
気コアに形成した場合に比べ記録特性が劣っている力丈
（２）から（５）に関してはほぼ差のないことが確認
できた 飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で、 ５００℃以上の熱処
理後も軟磁気特性を示すＦｅを主成分とする材料として
は 例えばＦｅＭ膜とＦｅＭＮ膜の積層構造（以下、Ｆ
ｅＭ／ＦｅＭＮと表す。ここでＭは金属死魚 Ｎは窒素
であム）を有する超構造膜が挙げられも さらにその組
成に関してζＬ Ｆｅは飽和磁束密度を１．２Ｔ以上
にするため原子比で７０％以上とし またＭは所定の軟
磁気特性を確保するためにＮｂ、Ｚｒ５Ｔａ、 Ｔｉ
５Ｃｒ、 Ｈｆ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｍｎ、Ｒｅ
、Ｒｕの中の１種以上のから構成されるものとし 原子
比で５％以上３０％以下のものが挙げられも これらの
材料の中でも特番ミＦｅＮｂ／ＦｅＮｂＮ、 Ｆｅａ
ｒ／ＦｅＺｒＮ。
薄膜にＣｏ系組成変調窒化合金膜を用いたときと同じよ
う＋；＝（Ａ）に関しては （１）〜（５）でほとんど
差がなく片側の磁気コアにだけ高飽和磁束密度軟磁性薄
膜を形成しても記録特性が劣化しなζ−一方（Ｂ）の高
保磁力媒体に関してζよ （１）では片側の磁気コアに
だけ高飽和磁束密度軟磁性薄膜を形成した方が両側の磁
気コアに形成した場合に比べ記録特性が劣っている力丈
（２）から（５）に関してはほぼ差のないことが確認
できた 飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で、 ５００℃以上の熱処
理後も軟磁気特性を示すＦｅを主成分とする材料として
は 例えばＦｅＭ膜とＦｅＭＮ膜の積層構造（以下、Ｆ
ｅＭ／ＦｅＭＮと表す。ここでＭは金属死魚 Ｎは窒素
であム）を有する超構造膜が挙げられも さらにその組
成に関してζＬ Ｆｅは飽和磁束密度を１．２Ｔ以上
にするため原子比で７０％以上とし またＭは所定の軟
磁気特性を確保するためにＮｂ、Ｚｒ５Ｔａ、 Ｔｉ
５Ｃｒ、 Ｈｆ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｍｎ、Ｒｅ
、Ｒｕの中の１種以上のから構成されるものとし 原子
比で５％以上３０％以下のものが挙げられも これらの
材料の中でも特番ミＦｅＮｂ／ＦｅＮｂＮ、 Ｆｅａ
ｒ／ＦｅＺｒＮ。
ＦｅＴｉ／ＦｅＴｉＮ、 ＦｅＴｉ／ＦｅＴｉＮ。
ＦｅＮｂＺｒ／ＦｅＮｂＺｒＮ、 ＦｅＮｂＴａ／Ｆ
ｅＮｂＴａＮ、 ’ＦｅＮｂＴｉ／ＦｅＮｂＴｉＮ、
ＦｅＺｒＴｉ／ＦｅＺｒＴｉＮ、 ＦｅＺｒＴｉ
／ＦｅＺｒＴｉＮ、 ＦｅＺｒＭｎ／ＦｅＺｒＭｎＮ
、ＦｅＮｂＭｎ／ＦｅＮｂＭｎＮ等が望ましく℃ また
−層当りの厚みは軟磁気特性が保たれる範囲であればよ
く、高飽和磁束密度軟磁性薄Ｍ１の膜厚はもヘッドの用
途に合わせて変えも また さきに実施例１で示したＣｏ系組成変調窒化合金
膜を用いた磁気ヘッドと同様に摺動ノイズのレベルにつ
いて比較検討をおこなっ九測定方法は実施例１の場合と
同様であａその結果を第４表に示す。
ｅＮｂＴａＮ、 ’ＦｅＮｂＴｉ／ＦｅＮｂＴｉＮ、
ＦｅＺｒＴｉ／ＦｅＺｒＴｉＮ、 ＦｅＺｒＴｉ
／ＦｅＺｒＴｉＮ、 ＦｅＺｒＭｎ／ＦｅＺｒＭｎＮ
、ＦｅＮｂＭｎ／ＦｅＮｂＭｎＮ等が望ましく℃ また
−層当りの厚みは軟磁気特性が保たれる範囲であればよ
く、高飽和磁束密度軟磁性薄Ｍ１の膜厚はもヘッドの用
途に合わせて変えも また さきに実施例１で示したＣｏ系組成変調窒化合金
膜を用いた磁気ヘッドと同様に摺動ノイズのレベルにつ
いて比較検討をおこなっ九測定方法は実施例１の場合と
同様であａその結果を第４表に示す。
（以下、余白）
第４表
結果は Ｃｏ系組成変調窒化合金膜を用いた磁気ヘッド
の場合とほぼ同じ傾向を示し 従来の磁気ヘッドと比較
すると摺動ノイズは約 １゜５ｄＢ程度の低減をはかる
ことができｋまた磁気ヘッドとテープのインターフェイ
ス状態の変化と摺動ノイズの関係においても本実施例の
磁気ヘッドの優位性を確認することができた ここで実施例１及び２に示した超構造を有する高飽和磁
束密度軟磁性薄膜の製造方法としては 例えばスパッタ
法でＣｏＭもしくはＦｅＭをターゲットとしてＡｒガス
に窒素ガスを所定の割合で周期的に混合すること等によ
り得ることができる。
の場合とほぼ同じ傾向を示し 従来の磁気ヘッドと比較
すると摺動ノイズは約 １゜５ｄＢ程度の低減をはかる
ことができｋまた磁気ヘッドとテープのインターフェイ
ス状態の変化と摺動ノイズの関係においても本実施例の
磁気ヘッドの優位性を確認することができた ここで実施例１及び２に示した超構造を有する高飽和磁
束密度軟磁性薄膜の製造方法としては 例えばスパッタ
法でＣｏＭもしくはＦｅＭをターゲットとしてＡｒガス
に窒素ガスを所定の割合で周期的に混合すること等によ
り得ることができる。
発明の効果
本発明ニヨリ、ＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ用磁気ヘッドに
従来よりも疑似信号が小さく、摺動ノイズの低いＣ／Ｎ
特性に優れたＭＩＧタイプの磁気ヘッドを得ることがで
きも また 本発明による磁気ヘッドは製造工程が簡略
て 低コストのＭＩＧタイプ磁気ヘッドを得ることがで
き、実用価値の非常に高い磁気ヘッドの提供が可能とな
も
従来よりも疑似信号が小さく、摺動ノイズの低いＣ／Ｎ
特性に優れたＭＩＧタイプの磁気ヘッドを得ることがで
きも また 本発明による磁気ヘッドは製造工程が簡略
て 低コストのＭＩＧタイプ磁気ヘッドを得ることがで
き、実用価値の非常に高い磁気ヘッドの提供が可能とな
も
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の磁気ヘッドの一実施例の斜視医
第１図（ｂ）は同じく磁気ヘッド摺動面のギャップ近
傍の拡大医 第２図（ａ）、（ｂ）は同じく磁気ヘッド
の他の実施例の斜視阻第３図は従来の磁気ヘッドの斜視
文 第４図および第６図は本発明の磁気ヘッドと従来の
磁気ヘッドの記録特性の比較＠ 第５図は摺動ノイズの
測定方法を示すモデル図である。 １・・・高飽和磁束密度軟磁性薄［２、１１・・・磁気
コア、 １３・・・非磁性材。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第１図 第４図 館勾８１東！廖（Ｂｓ） 第５図 第６図
第１図（ｂ）は同じく磁気ヘッド摺動面のギャップ近
傍の拡大医 第２図（ａ）、（ｂ）は同じく磁気ヘッド
の他の実施例の斜視阻第３図は従来の磁気ヘッドの斜視
文 第４図および第６図は本発明の磁気ヘッドと従来の
磁気ヘッドの記録特性の比較＠ 第５図は摺動ノイズの
測定方法を示すモデル図である。 １・・・高飽和磁束密度軟磁性薄［２、１１・・・磁気
コア、 １３・・・非磁性材。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第１図 第４図 館勾８１東！廖（Ｂｓ） 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気ギャップ形成面に高飽和磁束密度軟磁性薄膜
を設けた一方の磁気コアとＳｎＯ＿２を固溶した単結晶
Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる他方の磁気コアを非磁性
材を介して接合したことを特徴とする磁気ヘッド。 （２）高飽和磁束密度軟磁性薄膜の飽和磁束密度が１．
２テスラ以上であることを特徴とする請求項（１）記載
の磁気ヘッド。 （３）高飽和磁束密度軟磁性薄膜がＣｏａＭｂで表され
る材料とその窒化物とが交互に積層されるか、または膜
厚方向に窒素の組成が変調された構造になっていること
を特徴とする請求項（１）記載の磁気ヘッド。 ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ
の中の１種以上からなり、ａ、ｂは原子比を表し、次の
式を満足するものとする。 ０．８０≦ａ≦０．９５ ０．０５≦ｂ≦０．２０ ａ＋ｂ＝１．０ （４）高飽和磁束密度軟磁性薄膜がＦｅａＭｂで表され
る材料とその窒化物とが交互に積層されるか、または膜
厚方向に窒素の組成が変調された構造になっていること
を特徴とする請求項（１）記載の磁気ヘッド。 ここで、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕの中の１種以上からなり、ａ
、ｂは原子比を表し、次の式を満足するものとする。 ０．７０≦ａ≦０．９５ ０．０５≦ｂ≦０．３０ ａ＋ｂ＝１．０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2333957A JPH04205805A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2333957A JPH04205805A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04205805A true JPH04205805A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18271879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2333957A Pending JPH04205805A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04205805A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239411A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH02218006A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2333957A patent/JPH04205805A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239411A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH02218006A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
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