JPH02218108A - マーキングウェーハとマーク検出方法 - Google Patents
マーキングウェーハとマーク検出方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
複数種類のウェーハを識別するためのマーキングウェー
ハとマーク検出方法に関し、 ウェーハの周端面に識別用のコード情報を表示し該コー
ド情報を検出することによって生産効率と生産性の向上
を図ることを目的とし、ウェーハの周端面上に、コード
化された所要情報マークを表示して構成する。
ハとマーク検出方法に関し、 ウェーハの周端面に識別用のコード情報を表示し該コー
ド情報を検出することによって生産効率と生産性の向上
を図ることを目的とし、ウェーハの周端面上に、コード
化された所要情報マークを表示して構成する。
また前記マーキングウェーハのコード化された所要情報
マークを、少なくとも該所要情報マークを照射する光源
と該光源から射出し酸ウェーハ周端面で反射する反射光
を検出する光検出器とで検出して構成する。
マークを、少なくとも該所要情報マークを照射する光源
と該光源から射出し酸ウェーハ周端面で反射する反射光
を検出する光検出器とで検出して構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にウェーハの
周端面に識別用のコード情報を表示し該コード情報を検
出して生産効率と生産性の向上を図ったマーキングウェ
ーハとマーク検出方法に関する。
周端面に識別用のコード情報を表示し該コード情報を検
出して生産効率と生産性の向上を図ったマーキングウェ
ーハとマーク検出方法に関する。
一般に半導体装置では、所定サイズのウェーハ上に形成
した複数個のデバイスパターンを個々に切断して半導体
装置の回路パターンとして使用しているが、回路パター
ンの種類が多いことから製造工程中では複数種類のウェ
ーハを種類別に識別する必要がある。
した複数個のデバイスパターンを個々に切断して半導体
装置の回路パターンとして使用しているが、回路パター
ンの種類が多いことから製造工程中では複数種類のウェ
ーハを種類別に識別する必要がある。
第３図は従来のウェーハの識別方法を例示する図である
。
。
図で、Ｘ−Ｙステージ１上にデバイスパターン形成面が
表出するように載置されたウェーハ２は、図示されない
制御装置からの信号で作動する該Ｘ−Ｙステージ２によ
って図のＸ、Ｙ方向に移動できるようになっている。
表出するように載置されたウェーハ２は、図示されない
制御装置からの信号で作動する該Ｘ−Ｙステージ２によ
って図のＸ、Ｙ方向に移動できるようになっている。
また３は図示されない制御装置からの信号で上記Ｘ−Ｙ
ステージ２と同期してレーザビームＬを間欠射出するレ
ーザマーカであり、上記制御装置からの指令で酸ウェー
ハ上に数字１文字、記号等のドツトパターンを自由に表
示することができるものである。
ステージ２と同期してレーザビームＬを間欠射出するレ
ーザマーカであり、上記制御装置からの指令で酸ウェー
ハ上に数字１文字、記号等のドツトパターンを自由に表
示することができるものである。
そこで通常は、上記ウェーハ２のオリエンテッド・フラ
ット２ａに近接した平行な領域Ａを識別記号記入領域と
して設定し、該領域Ａ内に上記レーザマーカ３からのレ
ーザビームを間欠照射して例えばウェーハ２の材料ロフ
ト番号やウェーハ番号等の識別記号を刻記するようにし
ている。
ット２ａに近接した平行な領域Ａを識別記号記入領域と
して設定し、該領域Ａ内に上記レーザマーカ３からのレ
ーザビームを間欠照射して例えばウェーハ２の材料ロフ
ト番号やウェーハ番号等の識別記号を刻記するようにし
ている。
またかかる装置を用いない他の方法では、上記の領域Ａ
内に例えばケガキ用ダイアモンドペンを使用して上記同
様の識別記号を手書きで刻記する場合がある。
内に例えばケガキ用ダイアモンドペンを使用して上記同
様の識別記号を手書きで刻記する場合がある。
そこでこれらの記録された材料ロフト番号やウェーハ番
号等を目視によって識別するようにしている。
号等を目視によって識別するようにしている。
しかしかかる従来の方法では、
■刻記領域Ａがウェーハのデバイスパターン形成面を一
部占有するため、デバイスパターン形成領域が減少して
生産効率の低下を来す。
部占有するため、デバイスパターン形成領域が減少して
生産効率の低下を来す。
■刻記領域Ａが広く取れないため記録内容に制限が生じ
、工程中に他の記録を参照、照合する機会が増えて特別
な工数が必要となる。
、工程中に他の記録を参照、照合する機会が増えて特別
な工数が必要となる。
■刻記に時間を要し更に目視による誤読が発生し易い。
■ダイアモンドペンを使ったケガキ法の場合では、発塵
によってデバイス製造の歩留り低下を来す。
によってデバイス製造の歩留り低下を来す。
等の欠点がある。
特にデバイスパターンの高集積化やウェーハの大口径化
が進んで製造仕様が複雑化するにつれて、上記各欠点の
解決が強く望まれている。
が進んで製造仕様が複雑化するにつれて、上記各欠点の
解決が強く望まれている。
従来のウェーハ識別方法では、ウェーハひいては半導体
デバイスを効率よ（生産することができず、生産性の向
上が期待できないと言う問題があった。
デバイスを効率よ（生産することができず、生産性の向
上が期待できないと言う問題があった。
上記問題点は、ウェーハの周端面上に、コード化された
所要情報マークを表示してなるマーキングウェーハによ
って解決される。
所要情報マークを表示してなるマーキングウェーハによ
って解決される。
また前記マーキングウェーハのコード化された所要情報
マークを、少なくとも該所要情報マークを照射する光源
と該光源から射出し該ウェーハ周端面で反射する反射光
を検出する光検出器とで検出するマーキングウェーハの
マーク検出方法によって解決される。
マークを、少なくとも該所要情報マークを照射する光源
と該光源から射出し該ウェーハ周端面で反射する反射光
を検出する光検出器とで検出するマーキングウェーハの
マーク検出方法によって解決される。
ウェーハの周端面を該ウェーハの識別記号の表示領域と
すれば、酸ウェーハの全表面をデバイスパターン形成面
として使用することができる。
すれば、酸ウェーハの全表面をデバイスパターン形成面
として使用することができる。
一方、線または点等からなるコード情報は狭い領域に多
くの情報を表示することができると共に該情報を装置で
読み取らせることによって誤読なく且つ速やかに該コー
ド情報が検出できる。
くの情報を表示することができると共に該情報を装置で
読み取らせることによって誤読なく且つ速やかに該コー
ド情報が検出できる。
本発明では、ウェーハの周端面に綿や点等からなるコー
ド化された所要情報マークを表示するように構成し、更
に該コード化された所要情報マークを少なくとも該所要
情報マークを照射する光源と該光源から射出し酸ウェー
ハ周端面で反射する反射光を検出する光検出器とで検出
するようにしている。
ド化された所要情報マークを表示するように構成し、更
に該コード化された所要情報マークを少なくとも該所要
情報マークを照射する光源と該光源から射出し酸ウェー
ハ周端面で反射する反射光を検出する光検出器とで検出
するようにしている。
従って、ウェーハ上のデバイスパターン形成領域を減ら
すことなく多（の所要情報を該ウニ／λに表示し更に確
実且つ容易に該所要情報が検出できることから ウェー
ハひいては半導体デバイスを効率よく生産することが可
能となり生産性の向上が実現できる。
すことなく多（の所要情報を該ウニ／λに表示し更に確
実且つ容易に該所要情報が検出できることから ウェー
ハひいては半導体デバイスを効率よく生産することが可
能となり生産性の向上が実現できる。
第１図は本発明になるマーキングウエーノ１を説明する
図であり、第２図はマーク検出方法の一例を示す図であ
る。
図であり、第２図はマーク検出方法の一例を示す図であ
る。
第１図で、（１）はマーキングウエーノ１の形成方法を
示す図でありまた（２）は完成した該ウェーＡを示して
いる。
示す図でありまた（２）は完成した該ウェーＡを示して
いる。
図（１）、 （２）で、１０は例えば径が６ ｉｎで厚
さが０．６〜０．８ｍｍのウェーハであり、図示されな
い制〜御部からの信号によって所定角度ずつ間欠的に回
転軸Ｓで軸回転する保持具１１の上部平坦面１１ａ上に
酸ウェーハ１０の中心Ｃが回転軸Ｓと合致するように真
空チャックされている。なお図のｌｌｂは酸ウェーハ１
０を吸引するための吸引孔であり、その端部１１ｃは図
示されない真空ポンプに接続されている。
さが０．６〜０．８ｍｍのウェーハであり、図示されな
い制〜御部からの信号によって所定角度ずつ間欠的に回
転軸Ｓで軸回転する保持具１１の上部平坦面１１ａ上に
酸ウェーハ１０の中心Ｃが回転軸Ｓと合致するように真
空チャックされている。なお図のｌｌｂは酸ウェーハ１
０を吸引するための吸引孔であり、その端部１１ｃは図
示されない真空ポンプに接続されている。
また図の１２は該ウェーハ１０の厚さを１分する面上で
該ウェーハ１０の中心Ｃに向かうように光軸を配置した
レーザマーカであり、図示されない制御部からの指令に
よって上記保持具１１の間欠回転と同期して該保持具１
１が停止している間に径が０．２〜０．４ｍｍのレーザ
ビームＬを射出するように構成している。
該ウェーハ１０の中心Ｃに向かうように光軸を配置した
レーザマーカであり、図示されない制御部からの指令に
よって上記保持具１１の間欠回転と同期して該保持具１
１が停止している間に径が０．２〜０．４ｍｍのレーザ
ビームＬを射出するように構成している。
ここでマーキングウェーハの形成方法について説明する
。
。
まず、ウェーハ１０を上記の如くその中心Ｃが保持具１
１の回転軸Ｓと合致するように該保持具１１の上部平坦
面！ｌａ上に真空チャックした状態で図示されない制御
部を動作させて該保持具１１の回転方向位置を所定位置
に停止させる。
１の回転軸Ｓと合致するように該保持具１１の上部平坦
面！ｌａ上に真空チャックした状態で図示されない制御
部を動作させて該保持具１１の回転方向位置を所定位置
に停止させる。
この場合の回転方向所定位置は該ウェーハ１０のオリエ
ンテーション・フラットを基準として設定することがで
きる。
ンテーション・フラットを基準として設定することがで
きる。
例えば図（２）で、ウェーハ１０のオリエンテーション
・フラット１０ａの端部ｐ０から角度φ。だけ回転させ
た位置を上記の回転方向所定位置とする。
・フラット１０ａの端部ｐ０から角度φ。だけ回転させ
た位置を上記の回転方向所定位置とする。
そこでレーザマーカ１２からレーザビームＬを射出する
と、該レーザビームＬはウェーハ１０の１１点を０．２
〜０．４１の径で照射しその表面を荒らした状態でほぼ
同じ径すなわち０．２〜０．４＋＋ａ＋の該９５点を刻
記する。以下保持具１１を所定角度だけ回転させながら
同様にｐｚ＋ｐｉ点を刻記する。
と、該レーザビームＬはウェーハ１０の１１点を０．２
〜０．４１の径で照射しその表面を荒らした状態でほぼ
同じ径すなわち０．２〜０．４＋＋ａ＋の該９５点を刻
記する。以下保持具１１を所定角度だけ回転させながら
同様にｐｚ＋ｐｉ点を刻記する。
ここで刻記したｐ１〜ｐ、は、例えばヘッディング・コ
ードとしてすべてのウェハに共通するものである。
ードとしてすべてのウェハに共通するものである。
そこで上記の９３点を基点として各ウェーハ特有のコー
ド化された所要情報マークを刻記する。
ド化された所要情報マークを刻記する。
例えば、９５点からφ１の角度に有る２４点を“Ａ”、
９４点からφ、の角度に有るｐｓ点を′１”９２点から
φ２の角度に有る９５点を“２ ＩＩ 、 ９６点から
φ３の角度に有る１１点を３′′ｒＰｔ点からφ４の角
度に有る９６点を“４”とそれぞれを予め設定しておけ
ば、上記のｐ４〜ｐｌＩのドツト・コードでＡ１２３４
”を刻記したことになる。
９４点からφ、の角度に有るｐｓ点を′１”９２点から
φ２の角度に有る９５点を“２ ＩＩ 、 ９６点から
φ３の角度に有る１１点を３′′ｒＰｔ点からφ４の角
度に有る９６点を“４”とそれぞれを予め設定しておけ
ば、上記のｐ４〜ｐｌＩのドツト・コードでＡ１２３４
”を刻記したことになる。
なお、図の９８点から角度φ、たけ回転させた位置にあ
るｐ、からｐ＋□に到る４点は例えば上記のヘッディン
グ・コードに対応するエンデイング・コードを表わした
ものであり、各ウェーハに共通したものである。
るｐ、からｐ＋□に到る４点は例えば上記のヘッディン
グ・コードに対応するエンデイング・コードを表わした
ものであり、各ウェーハに共通したものである。
従って、上記のヘッディング・コードとエンデイング・
コードに挟まれる領域内の各ドツト間の角度φと数字ま
たは記号等を対応させて予め関連付けてお（ことによっ
て、如何なる情報でも刻記できるマーキングウェーハ１
０を形成することができる。
コードに挟まれる領域内の各ドツト間の角度φと数字ま
たは記号等を対応させて予め関連付けてお（ことによっ
て、如何なる情報でも刻記できるマーキングウェーハ１
０を形成することができる。
マーキングウェーハを検出する方法を示す第２図で、１
０はドツト・コードが刻記されたウエーノ＼であり、保
持具１１上の所定位置に固定されていることは第１図の
場合と同様である。
０はドツト・コードが刻記されたウエーノ＼であり、保
持具１１上の所定位置に固定されていることは第１図の
場合と同様である。
また図の１５はウェーハｌＯの周端面に刻記されたコー
ドドツトを照射するための光源を示し、該光源１５から
射出する光２は上記コードドツト（ｐｔ〜ｐ＋ｚ）の径
（０，２〜０．４ｍｍ）とほぼ等しい径のビームで該ウ
ェーハ周端面上の厚さを１分する線上の点Ｐを照射する
ように配設している。
ドドツトを照射するための光源を示し、該光源１５から
射出する光２は上記コードドツト（ｐｔ〜ｐ＋ｚ）の径
（０，２〜０．４ｍｍ）とほぼ等しい径のビームで該ウ
ェーハ周端面上の厚さを１分する線上の点Ｐを照射する
ように配設している。
一方、該光ビームｌのウェーハ周端面上の照射点Ｐから
の反射光軸上のウェーハ周面近傍には、反射光を検知す
る光強度検出器１６が配置されており、更に該光強度検
出器１６には例えば表示部１７ａを備えたマイクロコン
ピュータ１７が接続されている。
の反射光軸上のウェーハ周面近傍には、反射光を検知す
る光強度検出器１６が配置されており、更に該光強度検
出器１６には例えば表示部１７ａを備えたマイクロコン
ピュータ１７が接続されている。
ここで、図の９８点が上記のＰ点と合致するように保持
具１１を回転させて該ウェーハを基準位置に設定し、上
記光源１５から光ビームｉを射出しながら該保持具１１
を例えば図示Ｒ方向に一定速度で回転させる。
具１１を回転させて該ウェーハを基準位置に設定し、上
記光源１５から光ビームｉを射出しながら該保持具１１
を例えば図示Ｒ方向に一定速度で回転させる。
この場合、光ビームｌの照射するＰ点がコードドツト（
Ｐ＋ −ｐｈｉ）と一致したときには該コードドツト部
分の表面が荒らされているため光ビームｌが乱反射して
光強度検出器１６に入射する光量が減少するが、上記Ｐ
点がコードドツト上にない場合には光ビームｌはほぼそ
のままの光量を保って光強度検出器１６に入射する。
Ｐ＋ −ｐｈｉ）と一致したときには該コードドツト部
分の表面が荒らされているため光ビームｌが乱反射して
光強度検出器１６に入射する光量が減少するが、上記Ｐ
点がコードドツト上にない場合には光ビームｌはほぼそ
のままの光量を保って光強度検出器１６に入射する。
従って光強度検出器１６に入射する反射光の光量はドツ
ト・コードに対応して変化することから、この光量変化
を該光強度検出器１６に繋がるマイクロコンピュータ１
７でコードに変換してその結果を表示部１７ａに表示さ
せることができる。
ト・コードに対応して変化することから、この光量変化
を該光強度検出器１６に繋がるマイクロコンピュータ１
７でコードに変換してその結果を表示部１７ａに表示さ
せることができる。
なおマイクロコンピュータ１７を、図（１）におけるヘ
ッディング・コードを検知したときコード変換機能が動
作を始め、図（１）におけるエンデイング・コードを検
出したときにコード変換機能が停止するように構成して
おけば、保持具１１上のウェーハを入替えたときには所
要とするコード情報のみを変換し且つ表示させることが
できる。
ッディング・コードを検知したときコード変換機能が動
作を始め、図（１）におけるエンデイング・コードを検
出したときにコード変換機能が停止するように構成して
おけば、保持具１１上のウェーハを入替えたときには所
要とするコード情報のみを変換し且つ表示させることが
できる。
実験結果によれば、保持具の回転角速度ωを１回転／秒
程度とし且つコードドツト間の角度φの最低値を３度位
にした時、コード情報として確実に読み取れることを確
認している。
程度とし且つコードドツト間の角度φの最低値を３度位
にした時、コード情報として確実に読み取れることを確
認している。
上述の如く本発明の実施によって、デバイスパターン形
成領域を減少させることなく効率的で生産性のよいマー
キングウェーハとマーク検出方法を提供することができ
る。
成領域を減少させることなく効率的で生産性のよいマー
キングウェーハとマーク検出方法を提供することができ
る。
なお、本発明の説明に当たってはドツトコードの場合に
ついて行っているが、ドツトコードに代えて幅０．２〜
０．３ｍ＋＊で長さがウェーハ厚さの約１７３程度のバ
ー等を刻記しても同等の効果を得ることができる。
ついて行っているが、ドツトコードに代えて幅０．２〜
０．３ｍ＋＊で長さがウェーハ厚さの約１７３程度のバ
ー等を刻記しても同等の効果を得ることができる。
をそれぞれ表わす。
第１図は本発明になるマーキングウェーハを説明する図
、 第２図はマーク検出方法の一例を示す図、第３図は従来
のウェーハの識別方法を例示する図、 である。図において、 １０はウェーハ、 １０ａはオリエンテ→ジョン・フラット、面 １１は保持具、 ｌｌａは上部平坦部、１１ｂ
は吸引孔、 ｌｌｃは端部、１２はレーザマーカ
、 １５は光源、１６は光強度検出器、 １７はマイクロコンビエータ、１７ａは表示部、木梵明
に４ろ マー央シゲウェーへ８説明す々団 マーク砿出方ユムの一脅９ε示す図
、 第２図はマーク検出方法の一例を示す図、第３図は従来
のウェーハの識別方法を例示する図、 である。図において、 １０はウェーハ、 １０ａはオリエンテ→ジョン・フラット、面 １１は保持具、 ｌｌａは上部平坦部、１１ｂ
は吸引孔、 ｌｌｃは端部、１２はレーザマーカ
、 １５は光源、１６は光強度検出器、 １７はマイクロコンビエータ、１７ａは表示部、木梵明
に４ろ マー央シゲウェーへ８説明す々団 マーク砿出方ユムの一脅９ε示す図
Claims (2)
- （１）ウェーハの周端面上に、コード化された所要情報
マークを表示してなることを特徴としたマーキングウェ
ーハ。 - （２）前記マーキングウェーハのコード化された所要情
報マークを、少なくとも該所要情報マークを照射する光
源と該光源から射出し該ウェーハ周端面で反射する反射
光を検出する光検出器とで検出することを特徴としたマ
ーキングウェーハのマーク検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038766A JPH02218108A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | マーキングウェーハとマーク検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038766A JPH02218108A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | マーキングウェーハとマーク検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218108A true JPH02218108A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12534411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038766A Pending JPH02218108A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | マーキングウェーハとマーク検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218108A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
| US6598789B1 (en) * | 1997-08-19 | 2003-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate managing system and substrate storing system |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038766A patent/JPH02218108A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
| US6598789B1 (en) * | 1997-08-19 | 2003-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate managing system and substrate storing system |
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